英飞凌汽车电子器件选型
英飞凌单片机选型
24 / 30/40
最多10 1 1 4 最多2 QFP 144 / 176
16 / 24
最多8 0 1 4 QFP 64/100 / 144 - 40°C to +125°C
16 / 24
最多6 0 1 4 QFP 100 / 144 - 40°C to +125°C
9 / 16
最多6 0 1 2 QFP 64 / 100
程序 [PSRAM]
数据 [DSRAM] 双端口[DPRAM]
SB RAM CAN ADC Standby 通道数 通道数 8 最多3 最多24 最多6 0 1 最多4 可选 QFP 100 / 144 - 40°C to +125°C
112
24 2 8 3 24 8 0 1 4 2 通道 QFP 144 - 40°C to +125°C
XC874
Vector Computer
XC878
Vector Computer
52kB
XC874
Vector Computer
XC878
Vector Computer
32kB
XC886
Vector Computer
XC888
Vector Computer
XC886
XC888
Vector Computer
工作温度 (T环境)
- 40°C to +125°C
- 40°C to +125°C
-40°C to +125°C
* **
USIC: CCU:
可配置成UART, LIN, SPI/QSPI, IIC, IIS 用于PWM, D/A
04.05.2012
英飞凌的IGBT驱动芯片介绍
电容设定故障消隐 时间
EN
VCC HIN1,2,3 VB1,2,3 LIN1,2,3 HO1,2,3 FAULT VS1,2,3 EN 欠压锁定 RRCIN
TO LOAD
外接NTC用于过温 (OT)保护
RCIN ITRIP VSS
LO1,2,3 COM
RNTC
GND
外接取样电阻作短路/过流保护
Page 8
EiceDriver
Page 23
Isoaltion Definitions
Functional Insulation:
VDE 0884-10 Approved UL1577 Pending
Insulation between conductive parts which is necessary only for the proper functioning of the equipment. Basic Insulation: Insulation applied to live parts to provide basic protection against electric shock. Supplementary Insulation: Independent insulation applied in addition to basic insulation, in order to provide protection against shock in the event of a failure of basic insulation. Double Insulation: Insulation comprising both basic insulation and supplementary insulation. Reinforced Insulation: A single Insulation applied to live parts, which provides a degree of protection against electric shock equivalent to double insulation
英飞凌IGBT模块的型号含义和命名规则
英飞凌IGBT模块的型号含义和命名规则英飞凌IGBT模块的型号含义和命名规则作者：微叶科技时间：2015-03-24 11:29德国infineon(英飞凌)为原西门子六大集团之一的电子零件部,现独立上市.为全球前三大半导体厂商之一。
infineon的IGBT单管在中国的电磁炉应用占有80%的市场份额。
EUPEC(优派克)为infineon(英飞凌)全资子公司,其生产的IGBT模块的芯片均为infineon生产。
英飞凌IGBT最新的EconoDUAL 3 系列模块已经大量批量生产，在能源汽车领域已经的到很广泛的运用。
英飞凌IGBT模块产品从第一代到现在，产品系统庞大型号众多，今天南京微叶科技的小编就和大家来理理其型号的含义和命名规则。
英飞凌BSM系列命名规则和型号含义BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。
西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。
（以英飞凌BSM100GB120DN2K模块为例）：①：字母BSM的含义BSM：带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块。
BYM：二极管模块。
②：数字100的含义100:Tc=80°C时的额定电流为100A。
③：字母GB的含义GA：一单元模块；GB:两单元模块(半桥模块)；GD：六单元模块；GT：三单元模块；GP：七单元模块(功率集成模块)；GAL：斩波模块(斩波二极管靠近集电极)；GAR：斩波模块(斩波二极管靠近发射极)。
④：数字120的含义120：额定电压×10⑤：字母DL的含义DL：低饱和压降；DN2：高频型；DLC：带(EmCon)二极管的低饱和压降。
FF、FZ、FS、FP系列命名规则和型号含义FF、FZ、FS、FP系列IGBT模块是EUPECIHM&IHV系列IGBT 模块自身的命名系统，EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名。
英飞凌的IGBT选型问题
本文介绍一下Infineon的IGBT选型问题。
Infineon的IGBT模块：可以从开始的2个字得出大概的内部拓扑图。
·2单元的半桥IGBT拓扑：以BSM和FF开头。
·4单元的全桥IGBT拓扑：以F4开头。
这个目前已经停产，大家不要选择。
·6单元的三项全桥IGBT拓扑：以FS开头。
·三项整流桥+6单元的三项全桥IGBT拓扑：以FP开头。
·专用斩波IGBT模块：以FD开头。
其实这个完全可以使用FF半桥来替代。
只要将另一单元的IGBT处于关闭状态，只使用其反向恢复二极管即可。
IGBT模块主要是根据工作电压，工作电流，封装形式和开关频率来进行选择。
·工作电压：Infineon的IGBT模块常用的电压为：600V，1200V，1700V。
这个电压为系统的直流母线工作电压。
普通的交流220V供电，使用600V的IGBT。
交流380V 供电，使用1200V的IGBT。
Infineon也有大功率的3300V，4500V，6500V的IGBT可供选择，一般用于机车牵引和电力系统中。
最近，电动汽车概念也火的一塌糊涂，Infineon推出了650V等级的IGBT，专门用于电动汽车行业。
不过，这些IGBT是汽车级别的，属于特种模块，价格偏贵。
这里跑题一下：一般电子器件的等级分为5个等级：航空航天—军工—汽车—工业—民用。
一听名字，就知道他们的价格趋势。
Infineon的IGBT，除了电动汽车用的650V以外，都是工业等级的。
貌似IGBT都没有军工等级的，也不知道军队用的IGBT是怎么弄出来的，这里汗一个！！！·工作电流和封装形式：这2个参数要同时介绍。
因为，不同封装形式的IGBT，其实主要就是为了照顾IGBT的散热。
IGBT属于功率器件，散热不好，就会直接烧掉。
当然，封装也涉及到IGBT内部的杂散电感之类的问题，这里就先不介绍了。
单管IGBT：TO-247这种形式的封装。
英飞凌IGBT模块型号参数汇总表
FS6R06VE3_B2 FS10R06XL4 FS10R06VE3 FS10R06VE3_B2 FS10R06VL4_B2 FS15R06XE3 FS15R06XL4 FS15R06VE3 FS15R06VE3_B2 FS15R06VL4_B2 FS20R06W1E3
6A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 10A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和 压降1.95V 10A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 10A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 10A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和 压降1.95V 15A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 15A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和 压降1.95V 15A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 15A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 15A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和 压降1.95V
EasyPACK 750 EasyPACK 1B EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750
20A,600V@Tc=100℃,IGBT3,饱和压降1.55V EasyPACK 1B
20A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V EasyPACK 750 20A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 20A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V EasyPACK 750 EasyPACK 750 EconoPACK 2B
英飞凌-IGBT模块在焊机应用中的选型
输出功率 结温（Tj）
芯片-外壳温 差∆Tjc
外壳-散热 器热阻 Rthch
散热器(-环境) 热阻Rthha
基板
散热器
壳温（Tc）
外壳-散热器温差∆Tch
散热器温度（Th）
散热器-环境温差 ∆Tha
10.02.2010
Copyright © Infineon Technologies 2010. All rights reserved.
Q1
Q3
Q1 t
Q4
Q2
I1
I2
ip
Q4 t
vAB
Vin
0
t
Vin
损耗特点：
vrect 0
Vin/K
t0 t1 t2 t3 t4 t5
t6 t7 t8 t9 t10 t11
IGBT:导通时间长，导通损耗大，开关损耗小；
FWD:续流时间长，导通损耗大；
最佳IGBT芯片：T4芯片
t
t12 t13
10.02.2010
环境温度 （Ta）
Page 17
IGBT模块热计算
IGBT模块各个部分的温差∆T取决于 1）损耗（芯片技术、运行条件、驱动条件）； 2）热阻（模块规格、尺寸） 模块芯片的结温是各部分的温差和环境温度之和： Tj = ∆Tjc + ∆Tch + ∆Tha + Ta 如果假设壳温Tc恒定，则Tj = ∆Tjc + Tc； 如果假设散热器温度Th恒定，则Tj = ∆Tjh + Th。 IGBT的平均结温取决于平均损耗、Rthjc和壳温Tc。 在实际运行时，IGBT的结温是波动的，其波动幅度取决于瞬态损耗和 Zthjc， 而Zthjc又和运行条件（如变频器输出频率）有关。 IGBT的峰值结温为平均结温+波动幅值。
英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片 选型指南2019说明书
英飞凌EiceDRIVER™门极驱动芯片2尊敬的客户及合作伙伴：您好！电力电子应用需要用到功率器件开关，而功率器件开关需要最合适的门极驱动解决方案。
电池驱动的应用、小型和大型家电、计算和电信服务器、电动车充电桩、太阳能和机器人等应用都电路设计有特殊的需求。
合适的门极驱动配置对于所有功率器件——无论是分立式还是功率模块——都至关重要。
运用最新技术的分立式器件——包括CoolMOS™和OptiMOS™ MOSFET、TRENCHSTOP™IGBT、CoolGaN™氮化镓HEMT、CoolSiC™碳化硅MOSFET——以及开放框架模块(如Easy、Econo功率模块)，都需要细调门极驱动电路才能充分发挥出它们的能力。
针对CoolGaN™和CoolSiC™等新式宽带隙功率器件，我们最常被问及的问题之一是“你们是如何驱动它们的呢？”英飞凌门极驱动提供从0.1 A到10 A的一系列典型的输出电流选项，适用于任何功率器件型号。
快速短路保护、可编程的死区时间、直通短路保护及有源关断等全面的门极驱动保护功能，使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和CoolSiC™在内的所有功率器件。
英飞凌门极驱动还具备集成自举二极管、使能、故障报告、输入过滤器、OPAMP和DESAT保护等更先进的功能。
有源米勒箝位，和独立的拉/灌电流输出引脚功能，还有助于提高设计的灵活性。
英飞凌EiceDRIVER™系列门极驱动让客户更容易驱动所有功率器件和功率模块。
针对电气隔离需求，英飞凌既提供基础型隔离产品，也提供增强型隔离产品。
我们始终坚守承诺，让英飞凌成为品质的代名词。
英飞凌拥有现代化的前瞻性质量管理体系，可通过将客户需求转化为实实在在的行动来支持公司的卓越运营。
我们致力于在成本、质量和上市时间上做到一流。
英飞凌的质量方针相当于一个安全屏障，能够避免以牺牲品质为代价来提高生产率。
英飞凌是功率半导体解决方案全球领先的供应商之一，可让您的生活更轻松、更安全、更环保。
英飞凌IGBT模块变频器选型表
英飞凌IGBT模块变频器选型表变频器的开关频率相对来说比较低，大部分开关频率fk<8KHz，因此应选择低饱和压降型IGBT；也有一些应用中其开关频率fk 高达15KHz 左右，这时就应选择高频型IGBT模块，即选用英飞凌“KT3”或“DN2”系列IGBT。
下面列出在正常环境下，强迫风冷的散热条件下，变频器推荐选用英飞凌IGBT 型号，如果散热条件更好（或更差的冷却条件），则可考虑采用电流值更小（或更大）的IGBT模块。
检测设计是否合理的简单方法是：逆变器加热到额定功率，达到热稳定后散热器的最高温度不超过80℃，一般选用75℃作为散热器温度继电器的保护点。
英飞凌大多数用于变频器的IGBT模块均内置NTC 温度传感器，NTC 更有效地检测到IGBT模块的壳温，建议这个过温点可设计在90℃以下。
表1 变频器选用英飞凌IGBT模块推荐表对于大于110KW 的变频器，需要IGBT模块并联，建议选择英飞凌FF450R12ME3(两单元)或FS450R12KE3(六单元)，其特点是内部封装电感低，结构易于并联。
若要求更高的可靠性，可选择英飞凌大功率IGBT模块(IHM)，它采用AlSiC 基版，耐热循环能力比铜基版高，反并联续流二极管(F.W.D)容量更大。
英飞凌IHM IGBT模块两单元可达到1200A, 1700V (FF1200R17KE3);一单元IGBT模块可达到3600A、1700V(FZ3600R17KE3)。
对于经整流后的直流母线电压大于750V 的电力电子设备或多电平级联方式中高压变频器可选用下列英飞凌IGBT 系列。
详细英飞凌IGBT模块产品目录可参阅：BSM75GB170DN2 34mm 两单元 75A，1700VBSM100GB170DLC 62mm 两单元 100A，1700VBSM150GB170DLC 62mm 两单元 150A，1700VFF200R17KE3 62mm 两单元 200A，1700VFF300R17KE3 62mm 两单元 300A，1700VBSM300GA170DLS 62mm 一单元 300A，1700VBSM400GA170DLS 62mm 一单元 400A，1700V注：“S”代表“DLC”＋集电极引出端。
英飞凌模块选型
英飞凌模块选型对于一个具体的应用来说，在选择igbt功率模块时，需要考虑其在任何静态、动态、过载（如短路）的运行情况下：•器件耐压；•在实际的冷却条件下，电流的承受力；•最适合的开关频率；•安全工作区（soa)限制；•最高运行限制；•封装尺寸；bsm100gb60dlc1、igbt耐压的选择因为大多数igbt模块工作在交流电网通过单相或三相整流后的直流母线电压下，所以，通常igbt模块的工作电压（600v、1200v、1700v）均对应于常用电网的电压等级。
考虑到过载，电网波动，开关过程引起的电压尖峰等因素，通常电力电子设备选择igbt器件耐压都是直流母线电压的一倍。
如果结构、布线、吸收等设计比较好，就可以使用较低耐压的igbt模块承受较高的直流母线电压。
下面列出根据交流电网电压或直流母线电压来选择igbt耐压的参考表：igbt耐压选型参考表2、igbt电流的选择半导体器件具有温度敏感性，因此，igbt模块标称电流与温度的关系比较大。
随着壳温的上升，igbt模块可利用的电流就会下降，英飞凌igbt模块是按壳温tc=80℃或100℃来标称其最大允许通过的集电极电流（ic).对于英飞凌 npt-igbt芯片来说，当tc＜25℃时，这个电流值通常是一个恒定值，但是，随着tc的增加，这个可利用的电流值下降较快，有些igbt品牌是按照tc=25℃的电流值来标称型号，这个需要特别注意。
英飞凌 igbt3集电极电流ic随壳温tc的变化需要指出的是：igbt参数表中标出ic是集电极最大直流电流，但这个直流电流是有条件的，首先最大结温不能超过150℃，其次，还受的安全工作区（soa)的限制，不同的工作电压、脉冲宽度，允许通过的最大电流不同。
同时，各大igbt品牌也给出了两倍于额定值的脉冲电流，这个脉冲电流通常指脉冲宽度为1ms的单脉冲能通过的最大通态电流值，即使可重复也需要足够长的时间。
如果脉冲宽度限制在10us以内，英飞凌 igbt3短路电流承受能力可高达10倍的额定电流值。
英飞凌IGBT光伏逆变器应用选型
FF900R12IP4/E4
P.P.
900A/1200V/半桥
FF800R12KE3
IHM130
800A/1200V/半桥
FF450R12ME4 ×2
E.D.3
450A/1200V/半桥
250 KW三相
FF1400R12IP4
P.P.
1400A/1200V/半桥
FF1200R12KE3
FZ2400R12HP4
IHM130
2400A/1200V/一单元
Easy2B
100A/650V/三电平
F3L150R07W2E3_B11
Easy2B
150A/650V/三电平
FS150R12KT3/T4
E.P.3
150A/1200V/三相桥
30 KW三相
F3L200R07PE4
E.P.4
200A/650V/三电平
FF225R12ME4
E.D.3
225A/1200V/半桥
IPW60R045CP
TO-247
60A/600V, 45mΩ
10 KW三相
F3L50R06W1E3_B11
Easy1B
50A/600V/三电平
F3L75R07W2E3_B11
Easy2B
75A/650V/三电平
FS75R12KT3G
E.P.3
75A/1200V/三相桥
20 KW三相
F3L100R07W2E3_B11
SPW47N60C3
TO-247
47A/600V, 70mΩ
IPW60R070C6
TO-247
53A/600V, 70mΩ
5 KW单相
英飞凌型号命名及字母代表意义
一个单o IGBTs an FEDs)
半桥（两个单元 IGBT）
GD
3 phase (6-pack)
full
bridge
三项全桥（6 单元）
GT
3 single switches FWDs(Tripack)
an
三单元
Power
intergrated
Half bridge(two IGBTs
an FEDs)
Power
integrated
Module
例如一个功率模块 一个单元 IGBT（单管） 半桥（两个单元 IGBT） 整流+逆变+斩波
Matrix module
矩阵模块
Chopper module
斩波模块
Integrated modules in B2 IGBT 的 NTC 热敏 B2 配置和 configuration with IGBT 集成模块 &NTC
单二极管
120
Collector-emitter-vol tage in 10V
集电极发射极电压
DL
Typ with low Vcesta 低饱和类型
DN2
Fast switching type 快速开关型
DLC
Low loss type with emitter controlled
发射器控制低损耗型
二极管模块（组见）
TT
Thyristor module
晶闸管模块
B6
Three phase bridge
三相桥
W3
Three phase AC-switch 三相交流开关
C
Fully controlled
英飞凌MOS管型号
Automotive N-Channel MOSFETs Green and robust[/automotivemosfet]23OptiMOSTM –THEWELL-ESTABLISHED and continuously extended OptiMOS portfolio provides top quality,outstanding,robust and high-current capabilities.The OptiMOS devices are available in 30V,40V,55V and 75V in several packages.THE 30V OptiMOS TM -T2FAMILY includes a 2mΩ90A DPAK which can be used for reverse battery protection and bridge topologies.THE 40V OptiMOS TM -T FAMILY includes a sub-2mΩ180A D 2PAK and a 3.8mΩ90A DPAK.The 40V technology is well suited for electrical power steering,wipers,electric parking brake,fuel pump and any other PWM motor bridge topology.THE 55V OptiMOS TM -T FAMILY includes a 3mΩ100A D 2PAK and a 5mΩ90A DPAK.The 55V technology adroitly handles valves,solenoids,lighting,single-ended motors and other general purpose automotive loads.THE 100V OptiMOS TM -T FAMILY includes a 5mΩ120A D 2PAK to provide low R DS(on)MOSFET for direct diesel injection,direct gasoline injection,camless engine,boosted systems and direct injection.THE 30V OptiMOS TM -T and OptiMOS TM -T2P-CHANNEL PFET address the growing need for reverse battery protection without requiring a charge pump or ground path limitation.The PFET can be connected above the load to allow low-loss forward conduction and also prevent current flow in the event of reverse battery connection.The new OptiMOS TM -T2PFET provides 4mΩ,90A in DPAK.THE DUAL SUPER SO8PACKAGE was recently launched to provide higher levels of integration and lower system costs.The initial products launched in OptiMOS TM -T 55V technology.These products are optimized for ABS,powertrain and body control and can significantly reduce PCB area.THESE NEW MOSFET TECHNOLOGIES are optimized for low R DS(on),high current and robustness to provide the best possible balance of reliability,performance and price.4Green and robust packageAutomotive MOSFET green and robust packageIN ORDER TO cope with the new RoHS (Restriction of the use of Hazardous Substances Directive)and WEEE (Waste Electrical and Electronic Equipment)regulations,the electronics industry is moving from lead-based (Pb)to lead-free (Pb-free)Printed Circuit Board (PCB)solder.The Pb-free solders require higher solder reflow temperatures.Infineon Green and Robust MOSFETs can sustain up to 260°C peak reflow temperatures and still pass full AEC-Q101qualification.The consequence of this increased temperature stress with a standard package is delamination of the Mold compound (MC),which creates an air void between the MC and metallic interfaces (chip,lead-frame or pins).Depending on the severity,this can result in reduced lifetime or total failure.Infineon’s robust package was developed to fulfill the increased Pb-free solder reflow temperatures with increased reliability.Furthermore,Infineon’s Green and Robust package is fully compatible with existing Pb-based solder processes without any process modification.Solder the attachment:PbSnAg materialto enable increased solder reflow peak temperature up to 260°CMold compound:“Green,”without halogens and antimony III oxide to fulfill “green”material requirementsPre-mold treatment:Adhesion promoterto provide strong adhesion of Mold compound to all interfaces,even at increased solder conditions100%Sn lead finish:“Green”lead finish to fulfill “green”material requirementsRobust package5OptiMOS TM -T 55V in Dual Super SO8complete product portfolio:About the package:One Dual Super SO8package is 5.515mm 2x 6.15mm 2or ~32mm 2Single DPAK has a footprint of 6.5mm 2x 10mm 2or 65mm 2One Dual Super SO8can replace 2DPAKs so area will be reduced from 130mm 2to 32mm 24x reduction in PCB area and 2x reduction in part countDual Super SO8can replace two existing OptiMOS TM DPAK products for system level cost reduction (significant PCB area savings):2Types S/IPD 15N06S2L-64in DPAK to 1typeIPG 15N06S3L-45in TDSON-82Types S/IPD 26N06S2L-35in DPAK to 1typeIPG 20N06S3L-35in TDSON-82Types S/IPD 26N06S2L23in DPAK to 1typeIPG 20N06S3L-23in TDSON-8OptiMOS TM -T 55V in Dual Super SO8OptiMOS TM -T 55Vmax R DS(on)(mOhm)ID(A)max R thj (K/W)Package*IPG 20N06S3L-23 2 X 2320 3.38IPG 20N06S3L-35 2 X 3520 5.08IPG 15N06S3L-45 2 X 45157.08+=*See packages on page 15Freeze°C°C°C 67H-BRIDGE AND 3-PHASE MOTORS use 4or 6MOSFETs in the output stage.These motors require inrush currents 6-10times higher than run current.A 10A DC brush motor an 80A inrush current would then use 4D 2PAK MOSFETs.Changing the D 2PAKs to DPAKs would reduce the required PCB area by 50%and save significant costs.80A 80A90A90A More featuresor lower costHigher current in 1/2PCB space8All automotive MOSFETs beginning with the letter “I”are robust and green with full RoHS complianceCompany:S non Green products I Green products Device:P for Power MOSFET Package type:G for Dual TDSON-8P for TO220B for P-TO263/D 2-PAK D for D-PAK (TO252)I for I 2-PAK (TO262)Continuous drain current/I D (max)P for P-Channel N for N-ChannelBreakdown voltage divided by 10S for SIPMOS TM Planar N-Channel S2for OptiMOS TM Planar N-Channel S3for OptiMOS TM -T Trench N-Channel S4for OptiMOS TM -T2Trench N-Channel P3for OptiMOS TM -T Trench P-Channel P4for OptiMOS TM -T2P-Channel L for Logic level R DS(on)in mΩH5for 5.5mΩP D I 90N 06S3L –05Naming system9OptiMOS TM -T230V (Trench)TypeGreen max. R DS(on)[m Ω]I D [A]max. R thJC [K/W]Package*IPD 90N03S4L-02 2.290 1.13IPD 90N03S4L-03 3.090 1.63IPD 70N03S4L-04 4.370 2.23IPD 50N03S4L-06 6.050 2.73IPD 30N03S4L-099.030 3.63IPD 30N03S4L-1413.630 4.93IPP/I 80N03S4L-03 2.680 1.11,2IPP/I 80N03S4L-04 3.780 1.61,2IPP/I 22N03S4L-1514.922 4.91,2IPB 80N03S4L-02 2.380 1.14IPB 80N03S4L-03 3.480 1.64IPB 22N03S4L-1514.6224.94Automotive N-Channel MOSFETOptiMOS TM 30V (Planar)*See packages on page 15TypeGreenmax. R DS(on)[m Ω]I D [A]max. R thJC [K /W]Package*IPD 50N03S2L-06 6.450 1.13IPD 30N03S2L-07 6.730 1.13IPD 50N03S2-077.350 1.13IPD 30N03S2L-1010.030 1.53IPD 30N03S2L-2020.0302.53*See packages on page 1510Type Greenmax. R DS(on) [mΩ]I D[A]max. R thJC [K/W]Package* IPD90N04S3-04 3.690 1.13 IPD90N04S3-H4 4.390 1.23 IPD80N04S3-06 5.290 1.53 IPD70N04S3-07 6.082 1.93 IPD50N04S3-087.550 2.23 IPD50N04S3-099.050 2.33 IPP/I120N04S3-02 2.31200.51,2 IPP/I100N04S3-03 2.81000.71,2 IPP/I80N04S3-03 3.5800.81,2 IPP/I80N04S3-04 4.180 1.11,2 IPP/I80N04S3-H4 4.880 1.21,2 IPP/I80N04S3-06 5.780 1.51,2 IPP/I70N04S3-07 6.580 1.91,2 IPB180N04S3-02 1.51800.55 IPB120N04S3-02 2.01200.54 IPB160N04S3-H2 2.11600.75 IPB100N04S3-03 2.51000.74 IPB80N04S3-03 3.2800.84 IPB80N04S3-04 3.880 1.14 IPB80N04S3-H4 4.580 1.24OptiMOS TM40V(Planar)Type Green max. R DS(on) [mΩ]I D[A]max. R thJC[K/W]Package* IPP100N04S2L-03 3.31000.51IPP80N04S2L-03 3.4800.51IPP100N04S2-04 3.61000.51IPP/I80N04S2-04 3.7800.51,2IPP/I80N04S2-H44800.51,2IPB160N04S2L-03 2.71600.55IPB160N04S2-03 2.91600.55IPB100N04S2L-03 3.01000.54IPB80N04S2L-03 3.1800.54IPB100N04S2-04 3.31000.54IPB80N04S2-04 3.4800.54IPB80N04S2-H44800.54*See packages on page15 OptiMOS TM-T40V(Trench)OptiMOS TM75V(Planar)Type Green max. R DS(on) [mΩ]I D[A]max. R thJC[K/W]Package* IPD30N08S2L-2120.530 1.13 IPD30N08S2-2221.530 1.13 IPD22N08S2L-5050.022 2.03 IPP100N08S2L-07 6.81000.51 IPP100N08S2-077.11000.51 IPP80N08S2L-077.1800.51 IPP80N08S2-077.4800.51 IPB100N08S2L-07 6.51000.54 IPB100N08S2-07 6.81000.54 IPB80N08S2L-07 6.8800.54 IPB80N08S2-077.1800.54OptiMOS TM-T100VType Green max. R DS(on) [mΩ]I D[A]max. R thJC[K/W]Package* IPD70N10S3-1211.170 1.23 IPD70N10S3L-1211.570 1.23 IPD50N10S3L-161550 1.53 IPD35N10S3L-262435 2.13 IPD30N10S3L-343130 2.63 IPP/I100N10S3-05 5.11000.51,2 IPP/I70N10S3-1211.670 1.21,2 IPP/I70N10S3L-1212.170 1.21,2 IPP/I50N10S3L-1615.750 1.51,2 IPB100N10S3-05 4.81000.54 IPB70N10S3-1211.370 1.24 IPB70N10S3L-1211.870 1.24 IPB50N10S3L-1615.450 1.54Type Green max. R DS(on) [mΩ]I D[A]max. R thJC[K/W]Package* IPB80N04S3-06 5.480 1.54IPB70N04S3-07 6.280 1.94 OptiMOS TM-T40V(Trench)*See packages on page15AustraliaBayswater,Victoria 3153T (+61)3-97218888Austria9500VillachT (+43)5-177701040ViennaT (+43)1-5177711100Belgium /Luxembourg /the Netherlands 2018AntwerpT (+31)10-21768003012KM RotterdamT (+31)10-2176800Brazil01311-200São PauloT (+55)11-33729240CanadaKanata,Ontario K2K 2E2T (+1)866-951951951ChinaBeijing 100083T (+86)10-82356118Hong KongT (+852)28-320500Shanghai 201203T (+86)21-61019000Taipei 115T (+886)2-26557500Denmark 2730HerlevT (+45)44-507700Finland02601EspooT (+358)10-6808400France13400AubagneT (+33)44-282461031700BlagnacT (+33)5-3455133093527Saint-Denis CEDEX 2T (+33)1-48097200Germany90449NurembergT (+49)911-3788076229KarlsruheT (+49)72-19628071254Ditzingen /Stuttgart T (+49)7156-17919047259DuisburgT (+49)203-729871191052ErlangenT (+49)9131-97001020099HamburgT (+49)40-2351947430539HanoverT (+49)511-876562085579Neubiberg T (+49)89-234090449NurembergT (+49)911-25293059581WarsteinT (+49)2902-7640Hungary1143BudapestT (+36)1-4712824IndiaBangalore 560066T (+91)80-41392001Iran15875-4773Teheran T (+98)2-16142317Ireland Dublin 2T (+353)1-7999500IsraelTel Aviv 69710T (+972)3-7657300Italy20128MilanT (+39)2-252041JapanNagoya-shi,Aichi 460-0003T (+81)52-2231570Osaka 530-0003T (+81)6-47974460Tokyo 141-0032T (+81)3-57457100KoreaSeoul 138-734T (+82)2-34600950Seoul 153-801T (+82)2-34600880Mexico44680Guadalajara,J.AL T (+52)33-36422101Poland03-821WarsawT (+48)22-8709150Puerto RicoCarolina,PR 00982T (+1787)257-7922Russia117198MoscowT (+7)495-9565195SingaporeSingapore 349282T (+65)68-762888South Africa 2146SandtonT (+27)11-7066099Spain28290Las Rozas de Madrid,MadridT (+34)91-630572828760Tres Cantos-Madrid T (+34)91-5147155Sweden16481KistaT (+46)8-7575000Switzerland 8048ZurichT (+41)1-4978040Turkey34742Kozyatagi,Istanbul T (+90)216-4640755United Kingdom Ascot SL 58ADT (+44)1344865900Bristol BS 348HPT (+44)11-79528823U.S.A.Kokomo,IN 46902T (+1)765-4561928Lebanon,NJ 08833T (+1)908-2365621Libertyville,IL 60048T (+1)847-9960480Livonia,MI 48152T (+1)734-7795000Milpitas,CA 95035T (+1)866-9519519San Diego,CA 92130T (+1)858-5092160INFINEON TECHNOLOGIESSALES OFFICES WORLDWIDE * Product Information,September 2008,Published by Infineon Technologies AG*and representative officesOrder No.B112-H8486-G3-X-7600Printed in GermanyWS 08081.。
英飞凌IGBT模块选型参考
FZ - KL2C (Low Loss): FZ800R33KL2C FZ1200R33KL2C二单元 FF - KF2C (Standard): FF200R33KF2C FF400R33KF2C斩波模块 FD - KF2C (Standard): FD400R33KF2C FD400R33KF2C-K FD800R33KF2C FD8KL4 FP15R06KL4 FP20R06KL4
BSM-GP: BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM50GP60 BSM50GP60G BSM75GP60 BSM100GP60
FP-YE3: FP10R06YE3 FP20R06YE3 FP30R06YE3
Vce(sat) Tc=25℃ 2.5V 2.1V 3.2V 1.7V 1.7V
Tc=125℃ 3.1V 2.4V 3.85V 2.0V 1.9V
1200V系列IGBT模块一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA120DN2 BSM300GA120DN2 BSM400GA120DN2
chopper
modules GAR: BSM75GAR120DN2 BSM300GAR120DLC
GAL: BSM75GAL120DN2 BSM100GAL120DN2 BSM300GAL120DLC
FD: FD200R12KE3 FD300R12KE3
1600V、1700V系列IGBT模块 一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA170DN2 BSM300GA170DN2 BSM300GA170DN2S
英飞凌IGBT应用选型指南
FZ2400R17HP4_B29(12pcs/set)
FF1400R17IP4(18pcs/set)
FF600R17ME4(36pcs/set) FF450R17ME4(48pcs/set) FF1000R17IE4(18pcs/set)
LightSTACK
2.5MW
ModSTACKTMHD
F3L300R12PT4_B26(3pcs/set)
150KW
F3L400R12PT4_B26(3pcs/set)
大功率两电平光伏逆变器：
变流器功率
IGBT型号及数量
封装图片
50KW
FF300R12KT4(3pcs/set)
75KW
FF450R12KT4(3pcs/set)
100KW~
150KW
FF450R12ME4(3pcs/set)
ModstackTM3
LightSTACK
2.0MW
FF14000R17IP(6pcs/set)
FF1000R17IE4 (9pcs/set)
ModstackTM3
LightSTACK
双馈风电变流器网侧：
电机功率
IGBT型号及数量
1.25MW
FF450R17MR4(3pcs/set)
FS450R17ME4(1pcs/set) FF650R167IE4(3pcs/set)
3.5KW
F4-50R07W2H3_B51(1pcs/set)
5-8KW
F4-75R07W2H3_B51(1pcs/set)
中小功率三电平光伏逆变器：
变流器功率
IGBT型号及数量
封装图片
10KW
F3L30R06W1E3_B11(3pcs/set)
英飞凌 FF2000XTR17IE5 PrimePACK 3+ B-series 模块 数据表
PrimePACK ™3+ B-series 模块 采用第五代沟槽栅/场终止IGBT5和第五代发射极控制二极管 带有温度检测NTC 特性•电气特性-V CES = 1700 V-I C nom = 2000 A / I CRM = 4000 A -低开关损耗-高电流密度-高冲击电流能力-T vj op = 175°C•机械特性-高功率循环和温度循环能力-高功率密度-高爬电距离和电气间隙-封装的 CTI > 400可选应用•风力发电机•大功率变流器•电机传动产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068 标准的相关测试，符合工业应用的要求。
描述FF2000XTR17IE5PrimePACK ™3+ B-series 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12 7封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13 8模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .161封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t=60 s 4.0kV 模块基板材料 Cu 爬电距离d Creep端子至散热器36.0mm 爬电距离d Creep端子至端子28.0mm 电气间隙d Clear端子至散热器21.0mm 电气间隙d Clear端子至端子19.0mm 相对电痕指数CTI > 400表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE 10 nH 模块引线电阻,端子-芯片R AA'+CC'T C = 25 °C, 每个开关 0.12 mΩ模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T C = 25 °C, 每个开关 0.13 mΩ储存温度T stg -40 150°C 最高基板工作温度T BPmax 150°C 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装M5, 螺丝3 6Nm端子安装扭矩M根据相应的应用手册进行安装M4, 螺丝 1.8 2.1Nm M8, 螺丝8 10重量G 1400 g 2IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1700V 集电极电流I CN 2000A 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T C = 90 °C2000A 集电极重复峰值电流I CRM t p受限于 T vj op4000A 栅极－发射极峰值电压V GES ±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 2000 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.90 2.27VT vj = 125 °C 2.30 2.64T vj = 175 °C 2.45 2.82栅极阈值电压V GEth I C = 72 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.35 5.80 6.25V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CC=900 V 8.5 µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C 0.75 Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V 101 nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V 3.5 nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1700 V, V GE = 0 V T vj = 125 °C 10mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C 400nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 2000 A, V CC = 900 V,V GE = ±15 V, R Gon = 0.3 ΩT vj = 25 °C 0.285 µs T vj = 125 °C 0.300T vj = 175 °C 0.310上升时间(感性负载)t r I C = 2000 A, V CC = 900 V,V GE = ±15 V, R Gon = 0.3 ΩT vj = 25 °C 0.160 µs T vj = 125 °C 0.175T vj = 175 °C 0.185关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 2000 A, V CC = 900 V,V GE = ±15 V, R Goff = 1.1 ΩT vj = 25 °C 0.765 µs T vj = 125 °C 0.875T vj = 175 °C 0.925下降时间(感性负载)t f I C = 2000 A, V CC = 900 V,V GE = ±15 V, R Goff = 1.1 ΩT vj = 25 °C 0.115 µs T vj = 125 °C 0.270T vj = 175 °C 0.385开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 2000 A, V CC = 900 V,Lσ = 30 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 0.3 Ω, di/dt =10700 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 335 mJ T vj = 125 °C 485T vj = 175 °C 575关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 2000 A, V CC = 900 V,Lσ = 30 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 1.1 Ω, dv/dt =2400 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 425 mJ T vj = 125 °C 590T vj = 175 °C 690短路数据I SC V GE ≤ 15 V, V CC = 1000 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P ≤ 10 µs,T vj ≤ 175 °C9200 A结－外壳热阻R thJC每个 IGBT 15.0K/kW (待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值外壳－散热器热阻R thCH每个 IGBT, λgrease = 1 W/(m·K) 9.70 K/kW 允许开关的温度范围T vj op -40 175°C3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1700V 连续正向直流电流I F 2000A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms4000A I2t-值I2t t P = 10 ms, V R = 0 V T vj = 125 °C710kA²sT vj = 175 °C610最大损耗功率P RQM T vj = 175 °C1300kW 表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 2000 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 2.00 2.23VT vj = 125 °C 2.05 2.33T vj = 175 °C 2.00 2.32反向恢复峰值电流I RM V CC = 900 V, I F = 2000 A,V GE = -15 V, -di F/dt =11500 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1500 A T vj = 125 °C 1760T vj = 175 °C 1920恢复电荷Q r V CC = 900 V, I F = 2000 A,V GE = -15 V, -di F/dt =11500 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 315 µC T vj = 125 °C 595T vj = 175 °C 510反向恢复损耗（每脉冲）E rec V CC = 900 V, I F = 2000 A,V GE = -15 V, -di F/dt =11500 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 190 mJ T vj = 125 °C 390T vj = 175 °C 525结－外壳热阻R thJC每个二极管 38.6K/kW 外壳－散热器热阻R thCH每个二极管, λgrease = 1 W/(m·K) 14.2 K/kW 允许开关的温度范围T vj op -40 175°C4 负温度系数热敏电阻4负温度系数热敏电阻表 7特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C 5 kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-5 5%耗散功率P25T NTC = 25 °C 20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))] 3375 K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))] 3411 K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))] 3433 K 注:NTC的具体参数分析请见AN2009-10, 第4章6电路拓扑图图 17封装尺寸图 28 模块标签代码8模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明0.102022-05-17Initial version0.202023-01-24Target datasheet1.002023-05-31Final datasheetTrademarksAll referenced product or service names and trademarks are the property of their respective owners.Edition 2023-05-31Published byInfineon Technologies AG 81726 Munich, Germany© 2023 Infineon Technologies AG All Rights Reserved.Do you have a question about any aspect of this document? Email: ********************Document referenceIFX-ABE702-003重要提示本文档所提供的任何信息绝不应当被视为针对任何条件或者品质而做出的保证（质量保证）。
英飞凌各代IGBT模块技术详解精编版
英飞凌各代IGBT模块技术详解IGBT 是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文缩写。
它是八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。
由于它将 MOSFET 和 GTR 的优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快，热稳定性好，电压驱动（MOSFET 的优点，克服 GTR 缺点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR 的优点，克服 MOSFET 的缺点）等综合优点，因此 IGBT 发展很快，在开关频率大于 1KHz，功率大于 5KW 的应用场合具有优势。
随着以 MOSFET、IGBT 为代表的电压控制型器件的出现，电力电子技术便从低频迅速迈入了高频电力电子阶段，并使电力电子技术发展得更加丰富，同时为高效节能、省材、新能源、自动化及智能化提供了新的机遇。
英飞凌／EUPEC IGBT 芯片发展经历了三代，下面将具体介绍。
一、IGBT1－平面栅穿通（PT）型 IGBT （1988 1995）西门子第一代 IGBT 芯片也是采用平面栅、PT 型 IGBT 工艺，这是最初的 IGBT 概念原型产品。
生产时间是 1990 年－ 1995 年。
西门子第一代 IGBT 以后缀为“DN1” 来区分。
如 BSM150GB120DN1。
图 1.1 PT-IGBT 结构图PT 型 IGBT 是在厚度约为 300－500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作IGBT 元胞。
PT-IGBT 具有类 GTR 特性，在向 1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、厚外延难度大、成本高、可靠性较低的障碍。
因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V 系列 IGBT 有优势。
二、IGBT2－第二代平面栅 NPT-IGBT西门子公司经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子专家会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。
由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的基区厚度dB>100μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且外延层的掺杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。
英飞凌AURIXTC3XX系列车控芯片架构介绍
英飞凌AURIXTC3XX系列车控芯片架构介绍1999年，英飞凌推出了第一代AUDO（AUtomotive unifieD processOr）系列。
基于统一的RISC/MCU/DSP处理器内核，这种32位的TriCore微控制器是一匹计算的良驹。
此后，该公司一直在发展和优化这一概念--最终形成了现在的第六代TriCore。
由于TriCore系列具有高实时性能、嵌入式安全和安保功能，它是广泛的汽车应用的理想平台。
这些应用包括动力系统的发动机管理和变速器、电动和混合动力汽车、底盘域、制动系统、电动助力转向系统、安全气囊、智能网联和驾驶辅助系统，以支持自主、清洁和互联汽车的趋势。
基于TriCore的产品还具有工业、CAV和运输领域所需的多功能性，在优化电机控制应用和信号处理方面表现出色。
英飞凌广泛的产品组合允许工程师从各种存储器、外围设备、频率、温度和封装选项中进行选择。
而这一切都具有跨时代的高度兼容性。
TriCore的成功故事随着AURIX TC2xx多核系列的推出而继续。
AURIX在一个高度可扩展的产品系列中结合了易于使用的功能安全支持、强大的性能和经过验证的未来安全解决方案。
在性能方面的下一个自然演进是AURIX TC3xx，它采用40纳米嵌入式闪存技术制造，为在恶劣的汽车环境中实现终极可靠性而设计。
和以前的AURIX一样，双前端的概念确保了持续供应。
一个广泛的生态系统可用，包括英飞凌自2005年以来一直在开发的AUTOSAR库。
此外，还提供安全软件，帮助制造商满足SIL/ASIL安全标准。
本文将简单介绍AURIX TC3xx系统架构和相关知识，欢迎大家一起学习。
1.功能安全和信息安全 SMU 和HSM在功能安全领域，SMU（Safety Monitoring Unit）和HSM （HardwareSecurity Module）是两个不同的概念和组件。
SMU（Safety MonitoringUnit）：SMU是功能安全系统中的一个模块或单元，主要用于监控系统的安全性和运行状态。
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Lowbeam Indicator Park Optional Fog
55W
27W 10W 2x 55W
Park Indicator Lowbeam Highbeam
10W 27W 55W
65W
Highbeam 65W
Lowbeam 55W
Indicator 27W
Left Front-Light
Control
Right Front-Light
Control
LEDs
Relays
m n
Low-Side Driver
HITFET ™ BTS3110/18
BTS3134 BTS3160D
Interior Light
LED Driver
Basic LED Driver without Status
BCR40x
Basic LED Driver TLE424x
Power System ICs
C Smart Power C System Integration
– ABS/Airbag – Powertrain – Body
Infineon® Embedded Power ICs
C Single Package C Smart Power and
Controller Integration
System Basis Chip TLE826xE TLE826x-2E
Optional: DC/DC Regulator
TLF50281
Single or Dual High-Side Driver
Supply
Communication
32-bit Multicore/Lockstep
Microcontroller AURIX™
PROFET ™ BTS5016SDA BTS5016-1
Single or Dual High-Side Driver
Optional Gateway
FlexRay TRX TLE9221SX
CAN TRX TLE7250G TLE6251-3G TLE6251D
XC22xx Family (optional)
16/32-bit Microcontroller
XC22xx
LIN Bus
CAN Bus 1x..3x LIN Bus
CAN Bus +12V from Battery
LIN Transceiver TLE7259-2GE
TLE7258LE TLE7269G
CAN Transceiver TLE6254-3G TLE6251-3G TLE6251D
Auto LEPROFET™/SPOC C Protected High-Side Switches
HITFET™ C Protected Low-Side Switches
TEMPFET™ C Temperature Protected Switches
Integration
IL(sat) Iq IQ QG RIS RDS(on)
RDS(on) path
DC Drain Current Gate Source Threshold Voltage Current Sense Output Current Load Current Limit Load Current (Ta = 85°C, specified PCB) Saturation Load Current Quiescent Current in OFF-State Output Current Total Gate Charge Current Sense Resistor Typical Drain Source Resistance in ON-State @ 25°C (multiply by 2 for Max @ 150°C) Typical Drain Source Resistance in ON-State @ 25°C of both High-Side and Low-Side
SPOC FL BTS5461SF, BTS5481SF
SPOC+ BTS54220-LBA/LBE1)
Multichannel High-Side Driver
Body Control Module
SPIDER TLE723x/4x
Option: Fog 55W
Park or Daylight 10W
RthJC VCE VCE(sat) VDS VDS(AZ) VGS(th) VQ VS VS(AZ) VS(op.) Inverse
PWM Reverse
Thermal Resistance Junction to Case Collector Emitter Voltage Saturation Collector Emitter Voltage Drain Source Voltage Drain Source Voltage (Active Zener) Gate Threshold Voltage Output Voltage Supply Voltage Supply Voltage (Active Zener) Operation Supply Voltage Normal VS Polarity and Inverse Load Current Pulse Width Modulation Reverse VS Polarity and Reverse Load Current
The ultimate power to control your applications including automotive, transportation, industrial, lighting and motor control.
Symbols
ID IGS(TH) IIS IL(lim) IL(NOM)
2
Automotive Applications
Electric Sunroof HVAC
Airbag
Electric Mirrors
Body Control Module/Gateway Starter Alternator Lighting Hybrid
Automotive Power Components Used in Other Applications
Agriculture
Transportation/Navigation
2–4 Wheeler
Suspension Window Lift Power Seat Power Door
Steering Throttle Control Engine Control Transmission
Brake System
4
Contents
Typical Body Applications Typical Powertrain Applications Typical Safety Applications Automotive MOSFETs Small Signal MOSFETs Power MOSFETs TEMPFET ™: Temperature Protected Switches HITFET ™: Low-Side Protected Switches Smart Multichannel Switches
Our commitment to quality is demonstrated through our focus on Automotive Excellence, the most rigorous zero defect program in the industry.
This Selection Guide provides an overview of our ICs and their packages, which are automotive qualified and available for your current and future electronic system designs.
Option: Fog 55W
Park or Daylight 10W
FlexRay CAN Bus
PROFET ™ BTS6143D BTS5008-1 BTS5010-1
PROFET ™ BTS5012SDA BTS5012-1 BTS5016-1
PROFET ™ BTS5020-2 BTS5030-2 BTS5045-2 BTS5090-2
For Body: SPIDER For Powertrain and Safety: Flex PROFET ™: Smart High-Side Switches SPOC: SPI Power Controller Infineon® Auto LED Drivers Motor Drivers Integrated Smart Power Motor Drivers Integrated High-Current Motor Drivers Gate Driver ICs for External MOSFETs Power Supply Automotive Transceivers System Basis Chips (SBCs) Powertrain System ICs Airbag System ICs Infineon® Embedded Power ICs Glossary Packages
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5
Body Applications
Body Control Module
Indicator 27W