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2、功率MOS管的选择: RDSON小,Qg较小MOS管
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D类功放原理与设计
1 概述
能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率 放大电路,简称功放。
功放既不是单纯追求输出高电压,也不是单纯追求 输出大电流,而是追求在电源电压确定的情况下,输出 尽可能大的功率。
功放电路的要求: Pomax 大,三极管极限工作 = Pomax / PV 要高
失真要小
2 D类功放电路结构与工作原理
Functional Block Diagram
Typical Connection
充电二极管:肖特基二极管
自举电容:钽电解
20
3.5 输出滤波电路设计
输出滤波器通常选择二阶巴特沃斯LC低通滤波器。 归一化传递函数
(1) 半桥LC滤波器设计
(2) 全桥LC滤波器设计
给定RL和fc, L 、C 参数表
2.3 输出PWM信号频谱与低通滤波器
(1) 输出PWM信号的频谱
(2) 二阶巴Hale Waihona Puke 沃斯低通滤波器fc=1KHz
fc=8KHz
3 D类功放单元电路设计
3.1 D类功放总体架构
3.2 PWM调制电路
三角波产生电路: 专用芯片 运放构成的三角波产生电路
三角波频率:300KHz~600KHz
比较器:集成电压比较器LM311
2.1 D类功放电路结构
(1) 信号调制电路:模拟信号转换为脉宽与信号幅度成正比 的方波(PWM)。 (2) 开关放大电路:将输入方波进行功率放大。 (3) 低通滤波电路:滤除高次谐波,将放大后的信号加到负载 上。。
2.2 D类功放工作原理
简化的D类功放电路结构
fs=1KHz; fT=20KHz
(3) 实际的全桥LC滤波器
这两个小电容用来滤除高频噪声,取值为20%的CL。
4 性能分析与改善
(1)
(3)
(5)
(2)
(4)
功率MOS管栅极驱动信号的时序误差是输出信号非线性 失真的主要来源。
驱动信号的死区时间是其中最主要的因素。
1、功率MOS管驱动芯片的选择: 上升,下降时间短,死区时间较短的驱动芯片
3.2 功率输出电路
(1) 半桥功率输出电路
(2) 全桥功率输出电路
(3) 实验室现有的功率MOSFET
IRF540
IRF640
IRF3710
3.4 MOSFET驱动电路
通常采用专用的驱动芯片。实验室现有IR公司的 驱动芯片,具体型号: IR2104, IR2110, IR2111……..
以IR2104为例说明使用方法。
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D类功放原理与设计
1 概述
能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率 放大电路,简称功放。
功放既不是单纯追求输出高电压,也不是单纯追求 输出大电流,而是追求在电源电压确定的情况下,输出 尽可能大的功率。
功放电路的要求: Pomax 大,三极管极限工作 = Pomax / PV 要高
失真要小
2 D类功放电路结构与工作原理
Functional Block Diagram
Typical Connection
充电二极管:肖特基二极管
自举电容:钽电解
20
3.5 输出滤波电路设计
输出滤波器通常选择二阶巴特沃斯LC低通滤波器。 归一化传递函数
(1) 半桥LC滤波器设计
(2) 全桥LC滤波器设计
给定RL和fc, L 、C 参数表
2.3 输出PWM信号频谱与低通滤波器
(1) 输出PWM信号的频谱
(2) 二阶巴Hale Waihona Puke 沃斯低通滤波器fc=1KHz
fc=8KHz
3 D类功放单元电路设计
3.1 D类功放总体架构
3.2 PWM调制电路
三角波产生电路: 专用芯片 运放构成的三角波产生电路
三角波频率:300KHz~600KHz
比较器:集成电压比较器LM311
2.1 D类功放电路结构
(1) 信号调制电路:模拟信号转换为脉宽与信号幅度成正比 的方波(PWM)。 (2) 开关放大电路:将输入方波进行功率放大。 (3) 低通滤波电路:滤除高次谐波,将放大后的信号加到负载 上。。
2.2 D类功放工作原理
简化的D类功放电路结构
fs=1KHz; fT=20KHz
(3) 实际的全桥LC滤波器
这两个小电容用来滤除高频噪声,取值为20%的CL。
4 性能分析与改善
(1)
(3)
(5)
(2)
(4)
功率MOS管栅极驱动信号的时序误差是输出信号非线性 失真的主要来源。
驱动信号的死区时间是其中最主要的因素。
1、功率MOS管驱动芯片的选择: 上升,下降时间短,死区时间较短的驱动芯片
3.2 功率输出电路
(1) 半桥功率输出电路
(2) 全桥功率输出电路
(3) 实验室现有的功率MOSFET
IRF540
IRF640
IRF3710
3.4 MOSFET驱动电路
通常采用专用的驱动芯片。实验室现有IR公司的 驱动芯片,具体型号: IR2104, IR2110, IR2111……..
以IR2104为例说明使用方法。