双结砷化镓太阳能电池(GaAs)
进出口专业英语词汇（G1）_财务英语词汇
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镀锌焊缝钢管galvanized barbed roofing nail 镀锌刻花瓦楞钉galvanized bolt 镀锌螺栓galvanized bunched thick pipe 镀锌束接厚管galvanized bunched thin pipe 镀锌束接薄管galvanized chain 镀锌链条galvanized chainlink fence 镀锌链结栅galvanized coil 镀锌板卷galvanized common round iron wire nail 镀锌普通圆铁钉galvanized corrugated steel 镀锌瓦楞薄钢板galvanized curtain rod 镀锌窗帘棍galvanized double-j bolt 镀锌双钩螺栓galvanized elbow 镀锌弯头galvanized electric welded mesh 镀锌电焊网galvanized flange 镀锌法兰盘galvanized flexible conduit 镀锌蛇皮管galvanized flexible iron tube 镀锌蛇皮铁管galvanized flexible joint 镀锌活接头galvanized flexible tube 镀锌软管galvanized heavy iron hook and eye for gate and shutter 镀锌粗铁门窗钩galvanized hexagonal wire mesh 镀锌六角金属丝网galvanized hexagonal wire netting 镀锌六角铁丝网galvanized insulator bolt with nut 带螺丝帽镀锌瓷瓶穿钉galvanized iron barbed wire 镀锌刺铁丝galvanized iron brace 镀锌铁撑脚galvanized iron bucket 镀锌铁桶galvanized iron concealed hinge 镀锌铁暗铰galvanized iron conduit 镀锌铁管galvanized iron corn head screw 镀锌尖头螺丝galvanized iron curved washer 镀锌弯铁垫圈galvanized iron drum 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镀锌扁铁丝galvanized straight shackle 镀锌直型卸扣galvanized stranded wire 镀锌钢绞线galvanized strip 镀锌带材galvanized swanneck bolt 镀锌弯钩螺栓galvanized tee 镀锌三通管galvanized thick pipe 镀锌厚管galvanized transpostition plate 镀锌交叉铁板galvanized turnbuckle 镀锌螺丝接头galvanized washer 镀锌垫圈galvanized welded tube 镀锌焊缝管galvanized welded wire mesh 镀锌电焊网galvanized wire netting 镀锌窗纱galvanized wire rope clip 镀锌钢丝绳卡头galvanized wire rope thimble 镀锌索具套环galvanized wire rope 镀锌钢丝绳galvanized wire 电镀线材galvanized wire-receiving machine 镀锌收线机galvanizer 电镀器galvanizing preparation 电镀制剂galvanometer amplifier 电流计放大器galvanometer light modulator 电流计式光调制器galvanometer recorder 电流计式记录器galvanometer shunt 检流计式分流计galvanometer type relay 电流计式继电器galvanometer 检流计galvanoscope 验电器galvanum 格尔瓦纳姆铝合金galway 戈尔韦粗法兰绒galy electric iron 嘉利牌电熨斗gamaphex 林丹gamatin 丹美双混剂gambier 黑儿茶gambiered canton gauze 香云纱gambiered canton silk 拷绸gambo hemp 洋麻gamboge for painting 绘画用藤黄gamboge 藤黄gambroon 甘布龙布game card 游戏卡game watch 比赛计时表gamelotte fibre 加梅洛特纤维games 野味类gamfexine 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camera γ射线针孔摄影机gamma-ray spectrograph γ射线摄谱仪gamma-ray spectrometer γ射线分光计gamma-ray spectrometric analyzer γ射线光谱分析仪gamma-ray stock gauge γ射线料线测量仪gamma-ray thickness gauge γ射线厚度仪gamma-ray thickn ess recorder γ射线测厚记录仪gammalin 林丹gammex 林丹gammexane γ六氯化苯gammexane 林丹gamsa 甘姆萨绸gancia 干霞味美思酒gandeling 肝得灵gang capacitor 同轴电容器gang cutter 组合铣刀gang disc plough 多体圆盘犁gang drill 排式钻床gang mandrel 串叠心轴gang plank 跳板gang plough 多铧犁gang potentiometer 同轴电位器gang press 排式压床gang printer 排字印刷机gang punch 排式冲床gang rooter 联犁机gang saw 排锯gang selector 同轴选择器gang shears 多刀剪切机gang slitting machine 多圆盘纵切机gang slitting shears 多圆盘式剪切机gang socket 连接插座gang stitcher 多头骑马订书机gang summary punch 总计穿孔机gang switch 联动开关gang tuning capacitor 联动调谐电容器gang variable condenser 同轴可变电容器ganga 大麻gangboard 跳板ganged switch 联动开关ganglefene 更利芬gangway 舷梯gannet 塘鹅ganocide 敌菌酮ganoderma ginseng wine 灵芝人参酒ganoderma lucidum 灵芝ganoderma pill 灵芝丸ganodermal drop 灵芝糖gantline 滑车索gantron 甘特朗亮光织物gantry crane charger 龙门起重加料机gantry crane for three purpose 三用龙门起重机gantry crane with crab 绞车式龙门起重机gantry crane with jib crane 带悬臂吊车的龙门起重机gantry crane with level luffing crane 带俯仰式吊车的龙门起重机gantry crane with man-trolley 带司机小车的龙门起重机gantry crane with rope-trolley 牵索吊运车式龙门起重机gantry crane with shuttle girder 滑伸式龙门起重机gantry crane with slewing man-trolley 带司机小车的旋臂龙门起重机gantry crane 门式起重机gantry cross truck 龙门跨车gantry cutting machine 龙门式切割机gantry elevator 龙门式升降机gantry loading system 门式进料系统gantry material cutter 龙门式裁料机gantry slinger 行车式抛砂机gantry tower 门型铁塔gantry traveller 移动式龙门起重机gantry type milling machine 龙门式铣床gantry 雷达天线gantry-travelling type coordinate measuring machine 移动龙门型座标测量机gantry-type planer 龙门式刨床ganza cotton 甘扎棉ganzfeld stimulator 甘茨菲尔备氏刺激器gap adjusting safe brake 间隙可调式安全制动器gap arrester 气隙放电器gap bridge 马鞍gap choke 空气隙铁心扼流圈gap eliminator 间隙消除装置gap frame press 开式机架压床gap gauge 间隙量规gap lathe 马鞍车床gap plate 补隙板gap press with fixed bed 单柱固定台压力机gap press 开式单臂压力机gap shears 开式剪切机gap sleeve blouse 反袖口上衣gap-bed lathe 马鞍车床gap-filler radar 填隙雷达gapicomine 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砷化镓太阳能电池研究报告
砷化镓太阳能电池研究报告英文回答：Research Report on Gallium Arsenide Solar Cells.Introduction:Gallium arsenide (GaAs) solar cells have gained significant attention in recent years due to their high efficiency and potential for use in various applications. In this research report, I will discuss the advantages, challenges, and future prospects of GaAs solar cells.Advantages of GaAs Solar Cells:1. High Efficiency: GaAs solar cells have a higher conversion efficiency compared to traditional silicon-based solar cells. This is due to the direct bandgap of GaAs, which allows for efficient absorption of sunlight and higher energy conversion.2. Wide Spectral Range: GaAs solar cells can convert a broader range of the solar spectrum into electricity, including both visible and infrared light. This makes them suitable for use in space applications where sunlight is limited.3. Temperature Stability: GaAs solar cells exhibit better temperature stability compared to silicon-based solar cells. They can maintain their efficiency even at high temperatures, making them suitable for use in hot climates.4. Flexibility: GaAs solar cells can be fabricated on flexible substrates, allowing for the production of lightweight and flexible solar panels. This makes themideal for applications where weight and portability are important, such as portable chargers and wearable devices.Challenges of GaAs Solar Cells:1. Cost: GaAs solar cells are more expensive to producecompared to silicon-based solar cells. The high cost is mainly attributed to the complex manufacturing process and the use of expensive materials like gallium and arsenic.2. Limited Availability: Gallium and arsenic, the key materials used in GaAs solar cells, are relatively rare and expensive. This limits the availability and scalability of GaAs solar cell production.3. Toxicity: Arsenic, a component of GaAs solar cells, is highly toxic and poses environmental risks during the manufacturing and disposal processes. Proper handling and disposal measures are necessary to mitigate these risks.Future Prospects:Despite the challenges, GaAs solar cells hold great promise for the future of solar energy. Ongoing research and development efforts are focused on addressing the cost and availability issues associated with GaAs solar cells. For example, researchers are exploring alternative materials and manufacturing techniques to reduce productioncosts. Additionally, advancements in nanotechnology may enable the development of more efficient and cost-effective GaAs solar cells.In conclusion, GaAs solar cells offer several advantages over traditional silicon-based solar cells, including higher efficiency, wider spectral range, temperature stability, and flexibility. However, they also face challenges such as high production costs, limited availability of materials, and toxicity concerns. With continued research and technological advancements, GaAssolar cells have the potential to revolutionize the solar energy industry and contribute to a more sustainable future.中文回答：砷化镓太阳能电池研究报告。
砷化镓太阳能电池研究报告 材五第三组
砷化镓太阳能电池研究报告摘要：美国的阿尔塔设备公司使用外延层剥离技术，用砷化镓制造出了最高转化效率达28.4%的薄膜太阳能电池。
这种电池不仅打破了此前的转化效率，其成本也低于其他太阳能电池。
该太阳能电池效率提升的关键并非是让其吸收更多光子而是让其释放出更多光子，未来用砷化镓制造的太阳能电池有望突破能效转化记录的极限。
目前效率最高的商用太阳能电池由单晶硅圆制造，最高转化效率为23%。
砷化镓虽然比硅贵，但其收集光子的效率更高。
就性价比而言，砷化镓是制造太阳能电池的理想材料。
1.砷化镓结构及光电性能砷化镓属于Ⅲ－Ⅴ族化合物，是一种重要的半导体材料，化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃。
在300 K 时，砷化镓材料禁带宽度为1.42 eV，如图1。
图1砷化镓能带结构简图砷化镓在自然条件下的结晶态通常具有两种晶体结构：闪锌矿结构或正斜方晶结构。
其中．正斜方晶结构的GaAs只能在高压下获得，闪锌矿结构是室温下GaAs 的最稳定构型。
闪锌矿的晶体构如图2所示。
图2 砷化镓晶体闪锌矿结构闪锌矿的GaAs晶体结构属立方晶系F43m空间群，晶格常数a=O 56535nm．配位数Z=4。
如图2所示的GaAs结构是立方面心格子，Ga2+位于立方面心的结点位置．As交错地分布于立方体内的l／8小立方体的中心，每个Ga2+周围有4个As与之成键．同样，每个As2-。
周围有4个Ga2+，阴阳离子的配位数都是4。
如果将As2-看成是作立方紧密堆积，则Ga2+充填于l／2的四面体空隙。
而正斜方晶结构在高压下才能获得，在温度为300K时，随着压强的增加，GaAs发生从闪锌矿结构GaAs 到正斜方晶GaAs．II的相变。
图3砷化镓能带结构图砷化镓是典型的直接跃迁型能带结构，其能带结构如图3所示。
砷化镓的价带极大值位于布里渊区中心k＝O处；导带极小值也位于k＝0的逊，等能面为球面。
砷化镓在光伏中的应用
砷化镓在光伏中的应用砷化镓（GaAs）是一种半导体材料，它具有良好的电子和热导性能，高热稳定性，以及特殊特性，如可见光到紫外线的吸收和发射。
这使得它成为一种理想的材料，可用于光伏电池（PV），即用于将太阳能转化为电能（采用太阳能的技术称为太阳能）的电池。
太阳能电池的组成部分是被称为太阳能转换元件的物质。
这些元件不仅仅是用于捕获太阳能，而且还负责将太阳能转化为电能。
砷化镓正是这些方面的理想材料：它可以捕获并将可见光和紫外线能量转换为电子和空穴，从而实现电能转换。
砷化镓对太阳能电池的影响既显著又多样。
首先，它具有较高的光电转换效率。
根据研究，太阳能电池和太阳能转换元件使用的砷化镓的光电转换效率可达40％。
该效率比太阳能电池使用的其他材料（如硅）高得多。
此外，砷化镓具有高光衰减量和良好的稳定性，对太阳能电池发挥重要作用。
其次，砷化镓具有低成本和高性能的优势，可有效提高太阳能电池的性价比。
太阳能电池使用砷化镓片可将成本降低一半，同时保持高效率。
此外，砷化镓还具有良好的热稳定性，可以有效防止太阳能电池过热，因此可以提高太阳能市场的竞争力和节能效果。
此外，砷化镓还具有高可靠性和高稳定性。
太阳能电池使用的砷化镓元件可以维持高的稳定性，可以有效防止太阳能电池的可靠性下降，从而可以使太阳能发电更加经济高效。
总之，砷化镓作为太阳能电池的主要材料，具有低成本、高效率和可靠性，因而在光伏行业中具有重要意义。
砷化镓不仅可以提高太阳能电池的光电转换效率，还可以降低成本，提高可靠性，有效抵抗太阳能电池过热，可以有效提高太阳能电池的工作效率。
砷化镓将深刻影响太阳能电池的发展，并促进光伏行业的发展。
砷化镓 前景
砷化镓前景砷化镓（GaAs）是一种半导体材料，具有广泛的应用前景。
以下是砷化镓在不同领域的前景。
1. 光电子学砷化镓是光电子学领域中的关键材料之一。
由于其能隙匹配与光的能量范围，砷化镓被广泛应用于光电探测器、光电二极管、光电倍增管等器件中。
它具有良好的光电转换效率和快速的响应速度，可用于光通信、光纤传感和光电显示等领域。
2. 太阳能电池砷化镓太阳能电池具有光电转换效率高、能量损失小等优点，已成为太阳能领域的热门研究方向。
砷化镓太阳能电池在高光照度和室温下表现出色，并且对光谱范围较宽，可在较高温度下运作。
因此，砷化镓太阳能电池有望成为替代传统硅太阳能电池的高效能源选择。
3. 通信和雷达系统砷化镓在通信和雷达系统中的应用已得到广泛验证。
它具有高频高速度的特性，可用于高速数据传输、卫星通信和雷达系统。
砷化镓集成电路与频率可达60 GHz及以上，可以实现更高效的通信和雷达系统。
4. 微波集成电路砷化镓广泛应用于微波集成电路中。
它的高电子迁移率、高饱和漂移速度和良好的线性特性使得砷化镓电路在射频和微波应用中具有竞争力。
砷化镓微波集成电路可用于无线通信、高速数据处理和雷达系统等领域。
5. 传感器技术由于砷化镓具有高电子迁移率和高饱和漂移速度，它在传感器技术中具有广泛应用前景。
砷化镓传感器对温度、压力、光强度和气体浓度等物理量的检测具有高灵敏度和快速响应的特点，可应用于环境监测、生物医学和军事领域。
总之，砷化镓作为一种优良的半导体材料，在光电子学、太阳能电池、通信和雷达系统、微波集成电路和传感器技术等领域具有广阔的应用前景。
随着科学技术的不断发展，砷化镓的性能和应用将进一步得到优化和拓展。
多结砷化镓效率
多结砷化镓效率介绍多结砷化镓（GaAs）是一种半导体材料，具有优异的电子传输性能和光电转换效率。
本文将探讨多结砷化镓效率的相关内容，包括其定义、影响因素、提高方法等。
定义多结砷化镓效率是指多结砷化镓器件在特定工作条件下的能量转换效率。
它是通过将光能转化为电能或将电能转换为光能的过程中，所获得的输出能量与输入能量之比来衡量。
影响因素多结砷化镓效率受到多种因素的影响，以下是几个主要因素的介绍：材料品质砷化镓材料的纯度和晶格完整性对多结砷化镓效率起着重要的影响。
高纯度的砷化镓材料和完整的晶格结构可以提高载流子的迁移率，从而减少能量损失。
结构设计多结砷化镓器件的结构设计是影响效率的关键因素。
通过优化结构设计，可以提高光电转换效率。
例如，合理选择多结砷化镓的层数、厚度和能带结构等参数，可以增强电子和光子的耦合效率。
光吸收多结砷化镓器件对入射光的吸收率直接影响其效率。
提高光吸收率的方法包括增加光程、增强材料的吸收能力等。
例如，使用纳米结构或表面纳米纹理技术可以增加多结砷化镓器件的光吸收能力。
载流子损失多结砷化镓器件中的载流子损失是效率降低的主要原因之一。
载流子损失可以通过优化电子和光子的传输路径、减少载流子复合等方法来减少。
提高方法为了提高多结砷化镓器件的效率，可以采取以下一些方法：1.材料优化：通过提高砷化镓材料的纯度和晶格完整性，可以减少能量损失。
2.结构优化：优化多结砷化镓器件的结构设计，提高光电转换效率。
3.光吸收增强：采用纳米结构或表面纳米纹理技术，增加多结砷化镓器件的光吸收能力。
4.载流子损失减少：优化电子和光子的传输路径，减少载流子复合，降低载流子损失。
结论多结砷化镓效率是衡量多结砷化镓器件性能的重要指标。
通过优化材料、结构和光吸收等方面，可以提高多结砷化镓器件的效率。
未来，随着技术的不断进步，多结砷化镓器件的效率有望进一步提高，为光电转换领域的应用带来更多可能性。
参考文献•Smith, J. L., & Johnson, N. M. (1991). The efficiency of multijunction semiconductor photocells. Journal of Applied Physics, 70(6), 3189-3196.•Green, M. A., & Zhao, J. (2018). Efficient solar cells from high-efficiency III-V multijunctions to low-cost thin film technologies.Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 26(7), 557-564.•Bett, A. W., Dimroth, F., & Kurtz, S. (2016). Next-generation multijunction solar cells for terrestrial concentrator and spaceapplications. Nature Energy, 1(7), 16032.。
GaAs
特点（与Si相比）
光电转换效率高： GaAs禁带宽度比 Si大、光谱响应特性和空间太阳 光谱匹配能力亦比Si强，因此转化效率高 可制成薄膜和超薄型太阳电池： GaAs 为直接禁带半导体，光吸收率 高于Si，因此GaAs太阳能电池可制成薄膜型，质量大幅度减小 耐高温性能好 抗辐射性能好
制备技术
国外技术的发展
单结GaAs/Ge太阳能电池
多结GaAs太阳能电池
双结GaAs太阳能电池
三结GaAs太阳能电池
四结GaAs太阳能电池
单结GaAs/Ge 太阳能电池 :为克服GaAs／GaAs太阳电池 单晶材料成本高、机械强度较差，不符合空间电源低 成本、高可靠要求等缺点，1983 年起逐步采用 Ge单晶 替代GaAs制备单结GaAs电池 GaAs/Ge太阳能太阳电池的特点是：具有GaAs／GaAs太 阳能电池的高效率、抗辐照和耐高温等优点， Ge单晶 机械强度高，可制备大面积薄型电池，且单晶价格约 为GaAs的30%。单结GaAs电池结构如图所示
砷化镓LED
目前制作LED都是采用MOCVD外延工艺，以半导体砷化镓材 料作为衬底，外延生长AIGaAs三元或AIGalnP 四元系外延 层结构，可用于制造红、橙、黄光LED。
用于制造LED的砷化镓衬底材料为掺硅的N型低阻材料，为 区别于半绝缘砷化镓材料，一般也可称之为半导体砷化镓 材料。单晶的晶向为(100)偏(111)A面15°，载流子浓度为 10 5~40x ／cm3，迁移度大于1500cm2／V·S，位错密度小 于5000／cm2。
神九采用三结砷化镓太阳能电池
砷化镓太阳能充电器
GaAs太阳能电池的发展
GaAs（砷化镓）
GaAs（砷化镓） Power Amplifier（功率放⼤器 PA）的世界⼀线⼚商的细节看法1.GaAs是⼀种⾼度定制的⼯艺，⼚商可以根据⾃⼰的需要特殊定制元件。
⽐如电感。
图中的这个电感不同于传统foundry库中的元件（⽐如WIN的电感为MET1与MET2两层⾦属共同绕圈，⽽在每边的中点会采⽤单层⾦属的做法，有助于穿层⾦属model的模式化），⽽S公司的库中，采⽤了⽴体⾛法，即⽤MET1和MET2共同组成电感通路。
这样的好处主要还是减⼩了芯⽚⾯积，相对于WIN的电感，其增⼤了寄⽣电阻。
但由于不是在信号通路，不参与阻抗匹配，问题不严重。
⽽在在末级电路的输⼊端，作为第⼆级与末级间的的匹配元件，S公司就⽤了和WIN相同的电感。
2-4.PA的Power cell。
三级都⽤了基本的RC稳定结构，对于S公司⾃⼰的HBT单元，内部即存在基极串联稳定电阻即发射级稳定电阻，可以参考S公司的马蹄型HNT单元专利。
但我感觉这两个电阻可以在实际电路中去掉，因为对增益和功率消耗很严重。
还有⼀点，三级的串联电容按从第⼀级到末级的顺序，依次减⼩；⽽并联的镇流电阻却依次变⼤。
根据发射极⾯积对应WIN的库中，应该是202。
5.这是正偏与反偏的⼆极管。
⼆极管在功放设计中主要⽤于钳位保护与ESD，可以看出图中的⼆极管正偏远多于反偏，说明这个PAD上加有正电压。
通过正偏的⼆极管数量判断加在PAD上的电压⼤致在3V左右。
另外除了图中这种，还有⼀种正偏与反偏的⼆极管数量⼀致，说明此PAD没有直流加载，⽐如整个功放的输⼊端。
另外，⼆极管在光刻过程中要多N个步骤，价钱确实也会⾼很多，⽐如某公司的SD层，就会加4000美⾦，所以能⽤Diode连接的HBT就⽤吧。
6.这是R公司的HBT单元，发射极与基极在HBT管的两端，这样⾮常好Layout。
图中的这款芯⽚是R公司在2002发布的⼀款GSM功放芯⽚，在芯⽚内部完全⽤的很简单的偏置（双Diode叠加偏置）与单管功率控制单元。
砷化镓电池结构
砷化镓电池结构砷化镓电池是一种高效率、高性能的太阳能电池，其结构设计和材料选择对其性能起着至关重要的作用。
砷化镓电池主要由多个层次的结构组成，包括衬底、n型掺杂层、p型掺杂层、活性层和透明导电氧化物层等。
砷化镓电池的衬底通常采用镓基衬底，如镓砷化铟（GaAs）或镓磷化铟（InP）。
这些衬底具有良好的晶体结构和电学性能，能够提供良好的基底支撑和电子传输性能，从而提高电池的效率和稳定性。
砷化镓电池中的n型掺杂层和p型掺杂层分别用于形成n-p结构。
n型掺杂层通常采用硅（Si）或硒（Se）等材料，用于提供自由电子。
而p型掺杂层通常采用锌（Zn）或镓（Ga）等材料，用于提供空穴。
这样，通过n型和p型掺杂层的结合，形成了电池的正负极，实现了光生电荷的分离和电流的输出。
在砷化镓电池的活性层中，主要采用砷化镓（GaAs）材料。
砷化镓具有较高的吸收系数，能够有效吸收太阳光谱中的光子，并将其转化为电子-空穴对。
同时，砷化镓还具有良好的电子迁移性能和较高的光电转换效率，能够提高电池的光电转换效率和输出功率。
砷化镓电池的透明导电氧化物层通常采用氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）等材料。
这些材料具有良好的透明性和导电性，能够有效地传输光电子，并提高电池的光电转换效率。
同时，透明导电氧化物层还可以保护电池表面免受外界环境的影响，延长电池的使用寿命。
总的来说，砷化镓电池的结构设计和材料选择对其性能起着至关重要的作用。
通过合理设计各层结构和优化材料选择，可以提高电池的效率、稳定性和寿命，推动太阳能光伏技术的发展和应用。
希望未来能够进一步优化砷化镓电池的结构，提高其性能，实现更广泛的应用和推广。
砷化镓太阳能电池
砷化镓太阳能电池
砷化镓太阳能电池是一种利用砷化镓材料制造的高效率光电转换设备。
砷化镓
材料具有优秀的光电性能，使得砷化镓太阳能电池在太阳能转换效率方面具有巨大优势。
砷化镓太阳能电池的结构
砷化镓太阳能电池的基本结构包括p型和n型半导体材料的层叠组合。
在制造过程中，首先在高纯度的砷化镓基片上生长n型砷化镓外延层，接着在外延层上
生长p型砷化镓外延层。
形成p-n结后，通过薄表面氧化层来增强电场，提高光
电转换效率。
砷化镓太阳能电池的优势
1.高效率：砷化镓太阳能电池的转换效率高于其他材料制成的太阳能
电池，可以在光照较弱的情况下获得更高的输出功率。
2.稳定性：砷化镓材料具有良好的抗辐照性能，不易受环境影响，具
有长期稳定的特点。
3.薄膜制备：砷化镓太阳能电池可以采用薄膜制备技术，使得制造成
本较低且适合大面积生产。
砷化镓太阳能电池的应用前景
砷化镓太阳能电池在光伏领域有着广泛的应用前景。
随着清洁能源需求的增长，研究人员正在不断改进制备工艺和材料性能，以提高砷化镓太阳能电池的效率和稳定性。
未来，砷化镓太阳能电池有望在城市建筑、无人机、航天等领域得到广泛应用，为减少对传统能源的依赖和减少环境污染做出重要贡献。
结语
砷化镓太阳能电池作为一种高效率、稳定性强的光电转换设备，具有巨大的应
用潜力。
随着技术不断进步和成本不断降低，砷化镓太阳能电池将在未来的清洁能源领域发挥重要作用。
希望通过持续的研究和创新，能够推动砷化镓太阳能电池技术的发展，实现可持续能源的目标。
薄膜太阳能电池 砷化镓 毒
薄膜太阳能电池砷化镓毒
薄膜太阳能电池是一种半导体光伏电池，采用了薄膜技术制成。
其中，砷化镓是一种常用的薄膜太阳能电池材料。
砷化镓（GaAs）是一种具有极高导电性和光吸收能力的半导体材料。
它具有非常优异的太阳能电池特性，包括高转换效率、长寿命等。
因此，在太阳能电池行业中，砷化镓被广泛应用于高效、高性能的薄膜太阳能电池中。
然而，虽然砷化镓具有优异的电池特性，但它也具有一定的毒性。
砷化镓的毒性主要体现在其化学成分和物理性质上。
首先，砷化镓是一种含有砷元素的半导体材料。
砷是一种有毒元素，具有剧毒和致癌性。
因此，直接接触砷化镓物质可能对人体健康造成不良影响。
其次，砷化镓在制备过程中会释放出有害气体。
例如，在GaAs的生长过程中，会释放出有毒气体arsine（AsH3），这种气体对人体的呼吸系统产生刺激性作用，甚至可能导致窒息。
再者，砷化镓具有易挥发性。
在处理砷化镓材料时，很容易产生微粒或热蒸发物，这些挥发物会污染环境、影响人类健康。
为了降低砷化镓的毒性，当前工业上采取了多种措施。
例如，在生产过程中，可以采用闭合系统、防爆装置等措施，有效减少对工人的伤害。
同时，在对砷化镓进行处理时，放置在高效的通风系统下，将产生的有毒气体排出室外，也可以避免对环境造成污染。
此外，为了保护人类健康和环境，相关行业在制定标准时也采取了严格措施。
例如，制定了限制砷化镓浓度、防止砷化镓污染环境的标准和法规，加强了工艺和设备的监管和管理。
砷化镓太阳能电池
砷化镓太阳能电池砷化镓太阳能电池百科名片中文名称：砷化镓太阳能电池英文名称：galliumarsenidesolarcell定义：以砷化镓为基体材料的太阳能电池。
近年来，太阳能光伏发电在全球获得长足发展。
常用光伏电池通常为多晶硅和单晶硅电池，然而由于原材料多晶硅的供应能力非常有限，加之国际炒家的炒，引致国际市场上多晶硅价格一路飙升，最近一年来，由于受到经济危机影响，价格有所上涨，但这种盘整的现状给光伏产业的身心健康发展增添困难。
目前，技术上化解这一困难的途径存有两条：一就是使用薄膜太阳电池，二就是使用聚光太阳电池，增大对原料在量上的倚赖程度。
常用薄膜电池转化率较低，因此新型的高倍共聚光电池系统受研究者的注重[1]。
聚光太阳电池就是用凸透镜或抛物面镜把太阳光著眼至几倍、几十倍，或几百倍甚至上千倍，然后感知至太阳电池上。
这时太阳电池可能将产生出来适当倍数的电功率。
它们具备转化率低，电池占地面积大和耗材太少的优点。
高倍共聚光电池具备代表性的就是砷化镓（gaas）太阳电池。
gaas属于iii-v族化合物半导体材料，其能隙与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温。
与硅太阳电池相比，gaas太阳电池具有较好的性能。
砷化镓电池与硅光电池的比较砷化镓的禁带较硅为阔，使它的光谱积极响应性和空间太阳光谱相匹配能力较硅不好。
目前，硅电池的理论效率大概为23%，而单结的砷化镓电池理论效率达至27%，而多结的砷化镓电池理论效率更少于50%。
常规上，砷化镓电池的耐温性要好于硅光电池，有实验数据表明，砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常工作，但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。
3、机械强度和比重砷化镓较硅质在物理性质上要更脆，这一点使得其加工时比容易碎裂，所以，目前常把其制成薄膜，并使用衬底（常为ge[锗]），来对抗其在这一方面的不利，但是也增加了技术的复杂度。
砷化镓电池的技术发展现状gaas太阳电池的发展从上世纪50年代已经开始的，至今已有尚无50多年的历史。
砷化镓太阳电池技术的进展与前景
砷化镓太阳电池技术的进展与前景介绍了砷化镓( GaAs) 太阳电池的特点,并比较了液相外延(L PE) 和金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 两种外延生长技术。
叙述了国外单结、双结与三结GaAs 太阳电池的结构、性能、研制及生产情况,分析了GaAs 太阳电池的发展方向。
最后根据国内GaAs 太阳电池的研制进展和空间试用情况,提出了发展我国GaAs太阳电池的设想和建议。
GaAs 太阳电池的发展已有40 余年的历史。
20世纪50 年代首次发现GaAs 材料具有光伏效应后,LOFERSKI 确立了太阳电池光电转换效率与材料禁带宽度Eg 间的关系,即Eg = 1. 4～1. 6 eV 的材料光电转换效率高。
而GaAs 材料的Eg = 1. 43 eV ,能获得较高的转换效率。
J ENN Y等首次制成GaAs太阳电池,其效率为6. 5 %。
60 年代GOBAT 等研制了第1 个掺锌GaAs 太阳电池,但转换效率仅为9 %～ 10 % , 远低于27 % 的理论值。
70 年代,WOODAL 等采用L PE 技术,在GaAs 表面生长一层宽禁带Al x Ga12 x As 窗口层,大大减少了表面复合,转换效率提高至16 % ,开创了高效率砷化镓太阳电池的新纪元。
20 世纪80 年代后, GaAs 太阳电池技术经历了从L PE 到MOCVD ,从同质外延到异质外延,从单结到多结叠层结构的几个发展阶段,其发展速度日益加快,效率也不断提高,最高效率已达到29 %。
与硅太阳电池相比, GaAs 太阳电池具有更高的光电转换效率、更强的抗辐照能力和更好的耐高温性能,是公认的新一代高性能长寿命空间主电源。
从80 年代至今, GaAs 太阳电池在空间主电源领域的应用比例日益增大。
一、特点GaAs 太阳电池是一种Ⅲ2 Ⅴ族化合物半导体太阳电池,与Si 太阳电池相比,其特点为:a) 光电转换效率高GaAs 的禁带宽度较Si 为宽,GaAs 的光谱响应特性和空间太阳光谱匹配能力亦比Si 好,因此, GaAs 太阳电池的光电转换效率高。
砷化镓在光伏中的应用
砷化镓在光伏中的应用近年来，全球能源市场的发展越来越迅速。
特别是可再生能源的发展变得更加火热，因为可再生能源可以为人类提供持久而可持续的能源。
其中，光伏技术成为可再生能源技术中最重要的一部分，目前已经广泛应用于家庭和工业设施。
其中，砷化镓（GaAs）作为一种性能出色的PV材料，也被广泛应用于日益增长的光伏行业。
砷化镓在光伏领域中的应用主要体现在三个方面：首先，它在光伏电池中起着重要作用。
砷化镓具有优良的电学性能，可以提高太阳电池的效率，与其他太阳电池材料相比，砷化镓的太阳电池具有更高的转换效率、更小的光学衰减和更高的耐受性。
其次，它还可以用于生产高性能太阳电池。
砷化镓材料可以生产太阳电池，其中的太阳电池由砷化镓基太阳电池和多晶硅太阳电池组成，可以满足不同的应用需求。
砷化镓太阳电池的有效利用率可以达到22%，比常规太阳电池高6%以上。
最后，它还可以用于高效的太阳热集热器。
太阳热集热器的效率与材料的性能有关，砷化镓具有优良的光学性能，可以获得更高的太阳能收集效率，可以帮助企业节约能源。
砷化镓在光伏领域具有多项优势，但也存在一些技术上的局限性。
首先，砷化镓易受高温环境影响，在高温下，其化学特性可能会受到影响，导致太阳电池电路损坏，影响光伏系统的高效运行。
其次，砷化镓材料的生产成本很高，主要原因在于它们需要高温高压的热处理过程，以及原材料的收集及分离工艺十分复杂，使成本大大增加。
尽管砷化镓材料存在上述技术缺陷，但它仍将在未来的光伏发展中扮演重要的角色。
在未来，随着节能及环保意识的普及，可再生能源的应用会有更大的发展空间，特别是光伏技术。
针对此类发展，砷化镓将继续在太阳电池中发挥关键作用，为光伏行业提供实质性的支持。
同时，由于发展的技术，砷化镓材料将会面临更多的挑战，砷化镓材料的研发将更加重视太阳电池的成本和性能，以便更好地满足客户的需求。
综上所述，砷化镓（GaAs）是一种性能出色的太阳能电池材料，它在可再生能源领域中也有着广泛的应用，特别是在光伏行业中。
GaAs(砷化镓)
砷化镓太阳能电池
• 中文名称：
– 砷化镓太阳能电池
• 英文名称：
– gallium arsenide solar cell
• 定义：
– 以砷化镓为基体材料的太阳能电池。
• 砷化镓晶片发展前景 • 2010年5月，新一期英国《自然》杂志报告说，美国 研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术，克服 了成本上的瓶颈，从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良 的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业[2]。 • 美国伊利诺伊大学等机构研究人员报告说，他们开发 出的新技术可以生成由砷化镓和砷化铝交叠的多层晶体， 然后利用化学物质使砷化镓层分离出来，可同时生成多层 砷化镓晶片，大大降低了成本。这些砷化镓晶片可以像 “盖章”那样安装到玻璃或塑料等材料表面，然后可使用 已有技术进行蚀刻，根据需要制造半导体电路或太阳能电 池板。 • 不过，该技术目前还只能用于批量生产较小的砷化镓 晶片，如边长500微米的太阳能电池单元。下一步研究将 致力于利用新技术批量生产更大的砷化镓晶片。
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3 国外技术的进展 3. 1 单结GaAs 太阳电池 3. 1. 1 单结GaAs/ GaAs 太阳电池 20 世纪70～80 年代,以GaAs 单晶为衬底的单 结GaAs/ GaAs 太阳电池研制基本采用L PE 技术生 长,最高效率达到21 %。80 年代中期,已能大批量 生产面积为2 cm ×2 cm 或2 cm ×4 cm 的GaAs/ GaAs 电池,如美国休斯公司采用多片L PE 设备,年 产3 万多片2 cm ×2 cm 电池,最高效率达19 % ,平 均效率为17 %(AM0) ;日本三菱公司采用垂直分离 三室L PE 技术,一个外延流程可生产200 片2 cm × 2 cm GaAs 电池,最高效率达19. 3 % ,平均效率为 17. 5 %(AM0) 。此外,国外也用MOCVD 技术研制 GaAs/ GaAs 太阳电池,美国生产的GaAs/ GaAs 太阳 电池,批产的平均效率达到了17. 5 %(AM0) 。 3. 1. 2 单结GaAs/ Ge 太阳电池
砷化镓太阳能电池效率记录
砷化镓太阳能电池效率记录砷化镓太阳能电池是一种高效的光伏电池，具有优异的光电转换效率。
本文将从砷化镓太阳能电池的组成结构、优势和应用领域等方面对其效率进行记录和分析。
砷化镓太阳能电池是一种基于III-V族化合物半导体材料的太阳能电池，其主要组成部分是砷化镓（GaAs）材料。
砷化镓材料具有较窄的能带宽度和较高的载流子迁移率，能够有效地吸收太阳光谱中的可见光和近红外光，从而提高光电转换效率。
与传统的硅基太阳能电池相比，砷化镓太阳能电池在低光照条件下表现出更高的效率。
砷化镓太阳能电池的效率主要受到以下几个因素的影响：光吸收、电子传输和光电转换效率。
首先，砷化镓材料具有较高的光吸收系数，能够有效地吸收太阳光。
其次，砷化镓太阳能电池采用多层结构设计，能够提高电子传输效率，减少载流子的复合损失。
此外，砷化镓太阳能电池还采用了多结设计，通过在不同材料之间形成能带梯度，进一步提高了光电转换效率。
砷化镓太阳能电池的效率已经取得了显著的进展。
根据国际太阳能电池效率表（International Solar Cell Efficiency Tables）的数据，砷化镓太阳能电池的效率已经超过了45%，成为目前效率最高的太阳能电池之一。
与传统的硅基太阳能电池相比，砷化镓太阳能电池在高浓度太阳光和低光照条件下表现出更高的效率。
这使得砷化镓太阳能电池在空间航天、卫星通信和高效能光伏发电等领域具有广阔的应用前景。
砷化镓太阳能电池的高效率主要得益于其优异的光电特性。
砷化镓材料的直接带隙能够匹配太阳辐射光谱，使得其能够有效地吸收太阳光。
同时，砷化镓材料具有高载流子迁移率和较低的载流子复合速率，能够减少载流子的损失。
此外，砷化镓太阳能电池还采用了光子晶体结构、多层薄膜和表面纳米结构等技术，进一步提高了光电转换效率。
随着科学技术的不断进步，砷化镓太阳能电池的效率还有望进一步提高。
目前，砷化镓太阳能电池的研究重点主要集中在提高光电转换效率和降低制造成本方面。
砷化镓太阳能电池
砷化镓太阳能电池砷化镓简介一种重要的半导体材料。
由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。
用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。
砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。
虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。
据专家介绍，砷化镓可在一块芯片上同时处理光电数据，因而被广泛应用于遥控、手机、DVD计算机外设、照明等诸多光电子领域。
另外，因其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。
砷化镓单晶片的价格大约相当于同尺寸硅单晶片的20至30倍。
尽管价格不菲，目前国际上砷化镓半导体的年销售额仍在10亿美元以上。
２０世纪８０年代初，技术专家认为砷化镓将在制造半导体中最终取代硅。
这是因为电子在砷化镓中运动的速度比在硅中运动的速度快５至１０倍。
但砷化镓比较难于制造和加工，在它上面组装晶体管不能像在硅片上那样密集，价格也高。
以上来自百度百科GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高。
与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有较好的性能光电转化率砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。
目前，硅电池的理论效率大概为23％，而单结的砷化镓电池理论效率达到27％，而多结的砷化镓电池理论效率更超过50％。
目前全世界专业制作砷化镓聚光电池的工厂有美国的Emc ore，Spectr oLab（波音的子公司）和德国的Az urSpa ce等，中国的产业化推广还未成形。
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Load
V Vph
Generated power = lphʷ Vph
n–layer
Photoexcited minority carriers
hv
(electron and hole)
Electrode
Space charge region
Fig. 1ʵSchematic cross section of a pn junction solar cell under illumination with a load across the electrodes.
U.D.C. 621.383.51 : 523.9-7 : [546.681'62'19 : 546.681'19]
High-efficiency AlGaAs/GaAs Tandem Solar Cells
Ken Takahashi* Shigeki Yamada* Tsunehiro Unno*
ABSTRACT : The tandem solar cell concept, in which high-energy photons are converted into high electrical power, is proved with an A1GaAs/GaAs tandem solar cell. Although the potential to achieve high efficiency of over 30% was previously shown, the performance of the AlGaAs single-junction solar cell and power loss at the GaAs tunnel junction were problems. Improved quality for AlGaAs layers focusing on minority carrier lifetime has resulted in achieving a high efficiency with the singlejunction solar cell. An experiment to find thermally stable dopants in the GaAs layer reduced the power loss at the tunnel junction. Base on these results, AlGaAs/GaAs tandem solar cells were fabricated. The most efficient cell featured an excellent efficiency of 28.85% due to conversion of high energy photons into high photovoltage.
Production of solar cells was started using amorphous Si solar cells with an efficiency up to 8% for small devices, such as electronic calculators. Recently, crystalline Si solar cells with efficiency up to 17% have been used in photovoltaic power generation systems for individual homes with government subsidies. Tandem solar cells utilizing GaAs
If the photoexcited minority carriers (electrons in the p-layer and holes in the n-layer) are able to diffuse to the edges of the space charge region of the pn junction before they recombine, they are swept across the junction, giving rise to a photocurrent (Iph), photovoltage (Vph), and power into the load.
Efficiency (%)
40
Calculated
Experimental 30
˔�������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������