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辐射抗干扰
脉冲调制波抗干扰
静电放电
电快速瞬变脉冲群
５．OC,OD是什么电路？输出要注意什么？
OC门、OD门又称集电极开路（漏极开路）与非门门电路；实现“线与逻辑”；
3W原则:
这里3W是线与线之间的距离保持3倍线宽。
是为了减少线间串扰，应保证线间距足够大，如果线中心距不少于3倍线宽时，则可保持70%的线间电场不互相干扰，称为3W规则。如要达到98%的电场不互相干扰，可使用10W规则。针对EMI
20H原则：
是指电源层相对地层内缩20H的距离，当然也是为抑制边缘辐射效应。在板的边缘会向外辐射电磁干扰。将电源层内缩，使得电场只在接地层的范围内传导。有效的提高了EMC。若内缩20H则可以将70%的电场限制在接地边沿内；内缩100H则可以将98%的电场限制在内。针对EMC
解：a、开关电源是直流电转变为高频脉冲电流，将电能储存到电感、电容元件中，利用电感、电容的特性将电能按预定的要求释放出来来改变输出电压或电流的；线性电源没有高频脉冲和储存元件，它利用元器件线性特性在负载变化时瞬间反馈控制输入达到稳定电压和电流的。
b、开关电源可以降压，也可以升压；线性电源只能降压。
CH1，用通道1信号为触发源
CH2，用通道2信号为触发源
Line，以当地电网交流电信号(50/60Hz)为触发源
Ext：有用户提供的外部信号，接到外部触发输入端上的信号为触发源
７．闩锁效应是那种器件独有的一种失效特性？
CMOS工艺独有
5、RS232、RS485的区别？
RS232：串行物理接口标准，属单端信号传送，存在共地噪声和不能抑制共模干扰等问题，因此一般用于20m以内的通信（3线全双工点对点通信，距离20米左右）
RS485：串行总线标准，具有抑制共模干扰的能力，采用半双工工作方式，任何时候只能有一点处于发送状态（2线半双工点对多分布式网络通信，距离可达 1200米）
差分信号走线原则：走线必须等长；将差分线彼此靠近布线；线距必须在全线为常数
１０．产品可靠性指标（要求写３个），你在设计中如何确保产品的可靠性？
平均寿命时间MTTF（不可修复产品）或者平均故障时间MTBF（可修复产品），还有安全性、维修性和检测性等方面的指标，有效度，有效寿命，
谐波电流
电压波动与闪烁
EMS测试指标：
天线输入端差模电压抗干扰
射频电压抗干扰
天线输入端射频电流抗干扰
电源，噪声系数，是否是rail-to-rail（运算放大器的输出电压，最高可以达到正电源电压，最低可以低至负电源电压，这就叫rail-to-rail。以前的运放做不到这一点，因为输出级晶体管会有压降）
3、一般你采用那种放大电路？有什么优点？为什么采用？
反向放大或者差动放大 输入阻抗大，能够检测小信号
SDRAM：同步动态随机存储器
传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量
９．PCB 走线的３W原则是什么？差分信号的走线原则；
注意问题：a、需外接一个负载电阻RＰ和电源Ec才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
６．示波器的触发方式（要求写３种）？同时测量高．低频两种信号应采用那种触发方式？
通常有三种触发源：内触发(INT)、电源触发(LINE)、外触发EXT)
１．常见的信号完整性问题有：（过冲）.（反射）.（串扰）．（延时）．（震荡）（噪声）（他提示一个，要求填３个）；
２．选择题：最适合用来滤除高频噪音的电容是：A钽电容（滤高频改波性能极好）B铝电解（宜用于电源滤波或者低频电路中）C陶瓷电容（不能使用在脉冲电路中）；
３．线形电源与开关电源的区别（），（），（）；
ES:0000H
指令队列缓冲器：清除
CPU从内存FFFF0H单元中读取指令执行
c、开关电源效率高；线性电源效率低。
d、线性电源控制速度快，波纹小；开关电源波纹大
４．EMC指标：（要求写５条）
解பைடு நூலகம்EMC（电磁兼容）=EMI（电磁干扰）+EMS（抗电磁干扰）
EMI测试指标：
辐射骚扰场强
可靠度、有效度、平均无故障工作时间、平均修复时间
1、c51的指针有几位？数据存贮类型有几类？
8位，
直接寻址片内数据存储，可位寻址片内数据存储，间接寻址片内数据存储，分页寻址外部数据存储，片外数据存储，代码存储。
2、选择运放的标准？
带宽，开环放大倍数，共模抑制比，输入输出阻抗
4、DSP、8086和51的区别？
DSP数字信号处理器，一般采用多总线结构（即哈佛结构）主要应用于大量浮点或定点运
算场合特别是数字信号处理
8086是intel推出的第一款通用微处理器，采用冯诺伊曼传统计算机结构
51是intel推出的第一款单片机，主要应用于控制
8、了解硬件描述语言VHDL的程度？（问题有深有浅？）
这个得视个人情况自己回答
我的回答是熟练掌握，有应用经验，呵呵
9、8086复位后的状态？各存储器的状态?
CS:FFFFH
IP:0000H
FR:清除
DS:0000H
SS:0000H
电源端骚扰电压
天线端骚扰电压
骚扰功率
射频输出端有用信号和骚扰信号电平
辐射骚扰功率
6、有关DSP的内核？
CPU模块
系统配置寄存器
中断模块
存储器和I/O空间
数字输入输出I/O
7、51的片外程序存储器、数据存储器如何访问？有什么区别？
一个用movc，一个用movx
MOVC只能读不能写，MOVX既能读也能写
CMOS工艺：CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元
８．DDR 与SDRAM有什么区别？DDR典型电路（选择，不太记得图了）；
DDR：双倍速率同步动态随机存储器
脉冲调制波抗干扰
静电放电
电快速瞬变脉冲群
５．OC,OD是什么电路？输出要注意什么？
OC门、OD门又称集电极开路（漏极开路）与非门门电路；实现“线与逻辑”；
3W原则:
这里3W是线与线之间的距离保持3倍线宽。
是为了减少线间串扰，应保证线间距足够大，如果线中心距不少于3倍线宽时，则可保持70%的线间电场不互相干扰，称为3W规则。如要达到98%的电场不互相干扰，可使用10W规则。针对EMI
20H原则：
是指电源层相对地层内缩20H的距离，当然也是为抑制边缘辐射效应。在板的边缘会向外辐射电磁干扰。将电源层内缩，使得电场只在接地层的范围内传导。有效的提高了EMC。若内缩20H则可以将70%的电场限制在接地边沿内；内缩100H则可以将98%的电场限制在内。针对EMC
解：a、开关电源是直流电转变为高频脉冲电流，将电能储存到电感、电容元件中，利用电感、电容的特性将电能按预定的要求释放出来来改变输出电压或电流的；线性电源没有高频脉冲和储存元件，它利用元器件线性特性在负载变化时瞬间反馈控制输入达到稳定电压和电流的。
b、开关电源可以降压，也可以升压；线性电源只能降压。
CH1，用通道1信号为触发源
CH2，用通道2信号为触发源
Line，以当地电网交流电信号(50/60Hz)为触发源
Ext：有用户提供的外部信号，接到外部触发输入端上的信号为触发源
７．闩锁效应是那种器件独有的一种失效特性？
CMOS工艺独有
5、RS232、RS485的区别？
RS232：串行物理接口标准，属单端信号传送，存在共地噪声和不能抑制共模干扰等问题，因此一般用于20m以内的通信（3线全双工点对点通信，距离20米左右）
RS485：串行总线标准，具有抑制共模干扰的能力，采用半双工工作方式，任何时候只能有一点处于发送状态（2线半双工点对多分布式网络通信，距离可达 1200米）
差分信号走线原则：走线必须等长；将差分线彼此靠近布线；线距必须在全线为常数
１０．产品可靠性指标（要求写３个），你在设计中如何确保产品的可靠性？
平均寿命时间MTTF（不可修复产品）或者平均故障时间MTBF（可修复产品），还有安全性、维修性和检测性等方面的指标，有效度，有效寿命，
谐波电流
电压波动与闪烁
EMS测试指标：
天线输入端差模电压抗干扰
射频电压抗干扰
天线输入端射频电流抗干扰
电源，噪声系数，是否是rail-to-rail（运算放大器的输出电压，最高可以达到正电源电压，最低可以低至负电源电压，这就叫rail-to-rail。以前的运放做不到这一点，因为输出级晶体管会有压降）
3、一般你采用那种放大电路？有什么优点？为什么采用？
反向放大或者差动放大 输入阻抗大，能够检测小信号
SDRAM：同步动态随机存储器
传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量
９．PCB 走线的３W原则是什么？差分信号的走线原则；
注意问题：a、需外接一个负载电阻RＰ和电源Ec才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
６．示波器的触发方式（要求写３种）？同时测量高．低频两种信号应采用那种触发方式？
通常有三种触发源：内触发(INT)、电源触发(LINE)、外触发EXT)
１．常见的信号完整性问题有：（过冲）.（反射）.（串扰）．（延时）．（震荡）（噪声）（他提示一个，要求填３个）；
２．选择题：最适合用来滤除高频噪音的电容是：A钽电容（滤高频改波性能极好）B铝电解（宜用于电源滤波或者低频电路中）C陶瓷电容（不能使用在脉冲电路中）；
３．线形电源与开关电源的区别（），（），（）；
ES:0000H
指令队列缓冲器：清除
CPU从内存FFFF0H单元中读取指令执行
c、开关电源效率高；线性电源效率低。
d、线性电源控制速度快，波纹小；开关电源波纹大
４．EMC指标：（要求写５条）
解பைடு நூலகம்EMC（电磁兼容）=EMI（电磁干扰）+EMS（抗电磁干扰）
EMI测试指标：
辐射骚扰场强
可靠度、有效度、平均无故障工作时间、平均修复时间
1、c51的指针有几位？数据存贮类型有几类？
8位，
直接寻址片内数据存储，可位寻址片内数据存储，间接寻址片内数据存储，分页寻址外部数据存储，片外数据存储，代码存储。
2、选择运放的标准？
带宽，开环放大倍数，共模抑制比，输入输出阻抗
4、DSP、8086和51的区别？
DSP数字信号处理器，一般采用多总线结构（即哈佛结构）主要应用于大量浮点或定点运
算场合特别是数字信号处理
8086是intel推出的第一款通用微处理器，采用冯诺伊曼传统计算机结构
51是intel推出的第一款单片机，主要应用于控制
8、了解硬件描述语言VHDL的程度？（问题有深有浅？）
这个得视个人情况自己回答
我的回答是熟练掌握，有应用经验，呵呵
9、8086复位后的状态？各存储器的状态?
CS:FFFFH
IP:0000H
FR:清除
DS:0000H
SS:0000H
电源端骚扰电压
天线端骚扰电压
骚扰功率
射频输出端有用信号和骚扰信号电平
辐射骚扰功率
6、有关DSP的内核？
CPU模块
系统配置寄存器
中断模块
存储器和I/O空间
数字输入输出I/O
7、51的片外程序存储器、数据存储器如何访问？有什么区别？
一个用movc，一个用movx
MOVC只能读不能写，MOVX既能读也能写
CMOS工艺：CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元
８．DDR 与SDRAM有什么区别？DDR典型电路（选择，不太记得图了）；
DDR：双倍速率同步动态随机存储器