SN8200 智能双电池管理控制芯片 P0.5中文版

0.1
V
IDD
静态电流
VBATA = VBATB = 4.2V 适配器无连接
VBATA = VBATB = 4.2V 适配器连接
100
μA
5
mA
tD
VTH1 切换延时
应用条件见第 11 页
ICH
内部集成充电器充电 电流
2
s
120
150
180
mA
VOVP
内部集成充电器过压 保护电压
RDS (ON) tSW
SN8200
智能双电池电源管理芯片
简介
SN8200 是一款支持双电池智能切换功能的管理芯片， 可用于带皮套电池或者内置电池的手机等应用（皮套 电池和内置电池等应用）。它集成了一个可切换的充电 电路，节省了外部二极管，可直接选择电源通路系统 并对双电池的切换进行管理。
SN8200 可对双电池充电过程进行管理，控制 PMIC 为正在使用中的电池充电，芯片同时通过内部集成的 充电器提供小电流为未使用的电池充电，直到电池充 满，则内部充电器自动关闭。
0.2 VC
ISENS
CHRIN
PMIC
VBAT GATDRV
Other Device
SN8200 BATA
BATA_ID BATB
BATB_ID SEL
D1
5,7 Zener
VA
10 F
20
D2
10,11 Zener
VB
10 F
1
2
A-BAT A_ID
B-BAT B_ID
图 1 典型应用电路图（基本应用）
- 接地。
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供应信息
产品型号 SN8200I320E SN8200 □ □
封装形式
包装规格
QFN-20
2500 片/盘
□□ 环保代码 E: 无铅
工作温度范围 -40°C ~ +85°C
引脚代码 20: 20 引脚
封装形式 3: QFN，3mm × 3mm
温度代码 I: 工业标准，-40°C ~ +85°C
符号
参数
条件
最小值 典型值 最大值 单位
VCC VTH1
内部电源电压 切换阈值电压 1
2.4
5.5
V
配置寄存器（01h）的 VTH1 位置“0” 3.45
3.5
3.55
V
VTH2 切换阈值电压 2
配置寄存器（01h）的 VTH2 位置“0”
3.2
V
VHY VTH1 的切换迟滞电压 配置寄存器（01h）的 HV 位置“0”
应用
皮套电池 手机 掌上电脑、游戏机和其他掌上电子设备
典型应用电路图
4 VCC
1 F 12 GND
18 INTB
16 SDA
17 SCL
14 AD0
15 AD1
19 RSTB
3,13 AC
D3 Zener
8,9 VBAT
D4 Zener
AC Adapter / Charge In
CBAT 10 F
如果器件工作条件超过上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅仅是工作条件的极限值，不建议器件工作在推 荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。
电气特性
测试条件：VCC = 2.4V ~ 5.5V，TA = -40°C ~ +85°C（除非有特殊说明）。典型测试值为 TA = 25°C。(注释 5)
BATA_ID
散热片
I/O
描述
I
B-BAT的BAT-ID，内置上拉电阻。若B-BAT电池无 ID脚，需通过10kΩ电阻下拉到地。
控制外部PMOS管输入。当适配器插入，且无电池 O 连接时，PMOS开启，由适配器直接为系统供电。
低电平有效。
I 适配器输入。
- 内部电源引脚。
I/O 接A-BAT阳极。
- 无连接。
主控器件通过 I2C 串行总线读取电池的连通状态。只 要两个电池的连通状态发生变化，SN8200 将会发送 中断信号给主控器件，从而实现对双电池连通状态的 监控。当主电池的电压降低到一定阈值时，电源系统 会自动切换到副电池，确保手机不会掉电关机。
SN8200 的工作电压在 2.4V~5.5V，使用 QFN-20（3mm × 3mm）封装，工作在-40°C ~ +85°C 的温度下。
注释 7: 主控器件必须对SDA提供至少300ns的保持时间 (提到SCL信号的逻辑低电平)用来补偿SCL下降沿未定义的区域。
注释 8: Cb为pF级的总线上的电容值。ISINK ≤ 6mA. tR 和 tF在0.3 × VDD 到 0.7× VDD条件下测定。 注释 9: 输入滤波器在SDA和SCL噪声尖峰抑制上至少50ns。
符号
参数
条件 最小值 典型值 最大值 单位
fSCL 连续时钟频率
400
kHz
tBUF “开始”条件和“停止”条件间的空闲时间
1.3
μs
tHD, STA 重复“开始”条件的保持时间
0.6
μs
tSU, STA 重复“开始”条件的启动时间
0.6
μs
tSU, STO “停止”条件的启动时间
0.6
μs
tHD, DAT 数据保持时间
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引脚结构
封装形式
引脚结构(俯视图)
SN8200
20 BATA_ID 19 RSTB 18 INTB 17 SCL 16 SDA
QFN-20
BATB_ID 1 SEL 2 AC 3 VCC 4
BATA 5
15 AD1 14 AD0 13 AC 12 GND 11 BATB
NC 6 BATA 7 VBAT 8 VBAT 9 BATB 10
引脚描述
引脚号
1
2
3, 13 4
5, 7 6
8, 9 10, 11
12 14 15 16 17 18
19
20
引脚名
BATB_ID
SEL
AC VCC BATA NC VBAT BATB GND AD0 AD1 SDA SCL INTB
RSTB
ns
tF, TX SDA线传输的下降时间
(注释 8)
20 + 0.1Cb 250
ns
tSP 尖峰抑制脉宽
(注释 9)
50
ns
Cb 每条总线的容性负载
400
pF
tW RSTB脉宽
500
ns
tRSTB RSTB到“开始”条件的启动时间
1
μs
注释 5: 所有的参数都在TA = 25°C的条件下测试。设计保证温度规格。 注释 6: 设计保证。
ISINK = 6mA ISINK = 5mA
4.1
4.3
V
100
mΩ
120
150
180
ns
1.4
V
0.4
V
-0.2
0.2
μA
10
pF
180
mV
180
mV
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时序特性(注释 6)
测试条件：VCC = 2.4V ~ 5.5V，TA= -40°C ~ +85°C（除非有特殊说明）。典型测试值为 VCC = 3.6V，TA = 25°C。
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详细介绍
I2C 通信接口
SN8200 使用两条符合 I2C 通信协议的串行传输线 SDA 和 SCL 来控制芯片的功能。SN8200 使用 7 位的 从地址（A7:A1），A0 位为读写标志位。A0 置“0” 为写入数据；A0 置“1”为读出数据。A2 位和 A1 位 由芯片 AD1/AD0 引脚的连接决定。
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图 2 典型应用电路图（功能扩展） 注释 1： 当基带系统需要同时精确监测 A-BAT 和 B-BAT 电池电压时，可使用两路 ADC 检测电路接入 VA、VB 来检测电池电压。
若只有一路 ADC，可选择接入 VC 电压点，即可实时监测使用中电池的电压状态。此电路可选择不接。 应用于 MTK 平台时，R1=R3=470kΩ，R2=R4=30ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱkΩ；应用于展讯平台时，R1=R3=470kΩ，R2=R4=100kΩ。 注释 2：当适配器插入，且无电池连接时，S0 开启，由适配器直接为系统供电。此电路可选择不接。推荐配置见第 12 页。 注释 3：Base Band 可通过 I2C 串行总线控制和读取双电池的连通状态，具体功能见第 9 页。此电路可选择不接，若不接，寄存 器配置为上电默认配置。 注释 4：若使用双接口电池，BATA_ID 和 BATB_ID 引脚需接 10kΩ 电阻下拉到地，建议使用三接口电池。
MOSFET 阻抗 开关切换延时
数字逻辑控制电平特性 (SDA, SCL, AD0, AD1, RSTB)
VIH VIL IIH, IIL CIN VOLSDA
_______
VOL I N T
逻辑“1”输入电压 逻辑“0”输入电压 输入尖峰电流 输入电容 (注释 6) SDA 输出低电压 INT 输出低电压
SN8200
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绝对最大额定范围
供电电压，AC，BATA，BATB ---------------------------------------------------------------------------------------- -0.3V ~ +7.0V 引脚电压 --------------------------------------------------------------------------------------------------------------- -0.3V ~ +7.0V 引脚温度 (焊接10s) ------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 260°C 存储温度范围 ------------------------------------------------------------------------------------------------------- -65°C ~ +150°C 工作温度范围 --------------------------------------------------------------------------------------------------------- -40°C ~ +85°C 结温度 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 150°C ESD HBM ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 8kV
O 电池输出供电引脚。
I/O 接B-BAT阳极。
- 接地。
I 器件从地址引脚。
I 器件从地址引脚。
I/O I2C串行数据线。
I I2C串行时钟线。
O 电池中断输出，低电平有效。
I
硬件复位输入，低电平有效，双电池供电通路同时 断开，内置上拉电阻。
I
A-BAT的BAT-ID，内置上拉电阻。若A-BAT电池无 ID脚，需通过10kΩ电阻下拉到地。
完整的从地址为：
表格 1 从地址
位
A7:A3 A2
A1
A0
设定值 10111 AD1 AD0 0/1
AD1/AD0 接 VDD 时，AD1/AD0 = 1； AD1/AD0 接 GND 时，AD1/AD0 = 0；
I2C 总线支持数据双向传输。SCL 为单向端口；SDA 为双向端口，开漏输出驱动，需外接上拉电阻（典型 值为 4.7kΩ）。最大时钟频率由 I2C 的标准频率 400kHz 决定。在这种情况中，主控器件为单片机等控制器， 从器件为 SN8200。
(注释 7)
0.9
μs
tSU, DAT 数据设定时间
100
ns
tLOW 时钟线高电平周期
1.3
μs
tHIGH 时钟线高电平周期
0.7
μs
tR 时钟信号和数据信号的上升时间，接收状态 (注释 8)
20 + 0.1Cb 300
ns
tF 时钟信号和数据信号的下降时间，接收状态 (注释 8)
20 + 0.1Cb 300
特性
2.4V 到 5.5V 的工作电压 400kHz 的 I2C 串行接口 智能双电池电源切换管理 双电池状态监控 支持电池热插拔，中断管理 内部集成充电转换电路 内部集成小电流充电器 兼容单电池应用方案 硬件复位功能 8kV HBM ESD 可工作在-40°C ~ +85°C 的温度范围内 QFN-20（3mm × 3mm）封装