内存相关知识总结

BC#/A12 DQ TDQS, TDQS#
ZQ DQU, DQL, DQS,DQS#, DQSU,DQSU#,DQSL,DQSL#
VDDQ/VDD/VREFDQ/VREFCA VSSQ/VSS
4.内存基本时序
Initialization
初始化 预充电
Setting MR/EMLeabharlann Baidu(1-2)
(E)MRS
100/133/167/200 400/533/667/800 256/512/1Gb/2Gb x4/x8/x16 4/8 ODT (optional) 差分/单端
1.5V
100/133/167/200 800/1066/1333/1600 1Gb/2Gb x4/x8/x16 8 ODT 差分/单端 Master Reset
NEC
Toshiba（东芝） Siemens（西门子） Mitsubishi（三菱）
http://www.necel.com/
http://www.toshiba.com/ http://www.siemens.com/ http://www.mitsubishi.com/ghp_japan
Fujitsu（富士通）
VDDQ/VDDL/VDD/VREF VSSQ/VSSDL/VSS
Data strobe: ×4 DQ S/DQ S# ×8 DQ S/DQ S# RDQ S/RDQ S#(可配置为一对或两对选通) ×16 UDQ S/UDQ S#(对应DQ8-DQ15) LDQ S/LDQ S#(对应DQ0-DQ7)
内 存 的 仓 库 解 释
2. 内存种类
DIMM内存条
168Pin SDRAM 两个卡口 工作电压 3.3V
184Pin DDR 工作电压 2.5V
240 pin DDR2 工作电压 1.8V
SODIMM内存条
144Pin SDRAM 工作电压 3.3V
200 pin DDR 工作电压 2.5V
向上述表格中信号写入不同的值即实现了对各个 寄存器命令的写入
初始化



上电时，CKE=ODT=Low，VDD/VDDL/VDDQ来自同一Power Source，VTT<0.95V， VREF=VDDQ/2，待VDDQ>VDDQmin时，完成上电。 启动时钟，在VDD/VDDL/VDDQ/VREF/VTT稳定后至少200us，CK/CK#稳定，执行NOP， 并将CKE=High。 400us后，执行Precharge All。 EMRS to EMR(2).(BA0=BA2=Low，BA1=High) EMRS to EMR(3).(BA2=Low，BA0=BA1=High) EMRS—〉使能DLL。 MRS—〉reset DLL。 Precharge all. Auto-refresh 2 or more. MRS（A8=Low）.初始化 Device。 OCD Calibration，exit OCD Calibration mode。 DDR2 SDRAM 初始化完成。
DDR2 内存基本时序(JESD79-2E)


BA2
DDR2 SDRAM内部有4个模式配置寄存器： MR/EMR(1)/EMR(2)/EMR(3) 向4个寄存器中写入相应的值，也就是命令，即配置了DDR2 SDRAM 的工作参数。 命令的写入是通过地址线和BA片选线实现。
BA1 BA0 A13A15 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0





位宽：内存芯片颗粒的数据线位数，目前常用有x4，x8， x16三种。 BANK：颗粒内部的存储阵列，一个阵列就是一个BANK， 目前主要有4BANK和8BANK。 RANK：处理器和内存能够进行一次完整的数据读取所需 要的颗粒数目组成一个RANK。如64位处理器，一次完整 的数据读取分别需要16个x4，8个x8，16个x4的颗粒组成 一个RANK。 PAGE：在一个RANK中，相同逻辑地址的BANK（分属 于不同颗粒）同一行地址所包含的列的存储单元数目称 为一个PAGE。 频率：如DDR2等效工作频率400/533/667/800对应实际 时钟频率为100/133/166/200MHz
CK/CK# CKE CS# I I
Type
Description1
差分时钟 时钟使能 片选
RAS# CAS# WE#
DM LDM/UDM BA0/BA1 A0—A13 DQ DQS LDQS/UDQS VDDQ/VDD/VREF
I
I I I I/O I/O 电源 地
行地址选通 列地址选通 写使能
DQ Mask.写屏蔽 For x16：LDM/UDM For x8/x4:DM BANK 片选 地址线 数据线 数据选通 For x16：LDQS/UDQS For x8/x4:DQS
BA0-BA2
A0-A15
BANK SELECT
Address input:提供行地址，列地址，读写命令的预充电位 在预充电命令期间，A10为低，只对一个BANK充电；A10为高时，对所有 BANK预充电 Data input/output
DQ
DQ S/DQ S# RDQ S/RDQ S# UDQ S/UDQ S# LDQ S/LDQS#
200 pin DDR2 工作电压 1.8V
Micro-DIMM内存条
用于笔记本
172 pin DDR 工作电压 2.5V
214 pin DDR2 工作电压 1.8V
MINI Registered DIMM内存条 用于笔记本
244 pin DDR2 工作电压 1.8V
内存主要厂商
内存芯片及内存条生产 厂商 厂商网址
RAS#
CS# CAS# WE# DQM,DQML/DQMH
I
I I I I
行地址选通
片选 列地址选通 写使能 DQ Mask.写屏蔽 For x16：DQML/DQMH For x8/x4:DQM
DQ(x:0)
VCC/VCCQ VSS/VSSQ
I/O
Power GND
数据信号
DDR信号描述
Symbol
Hitachi（日立） TI（德州仪器）
http://www.fujitsu.com/
http://www.hitachi.com/ http://www.ti.com/
内存代码含义




SDRAM （以时钟频率来命名） PC100 PC133 DDR（DDR/DDR2/DDR3以数据传输率命名，单位 MB/s） PC 1600---〉 DDR200 (64bit×100MHz×2÷8＝1600MB/s) PC 2100---〉 DDR266 （64bit×133MHz×2÷8＝2128MB/s） PC 2700---〉 DDR333 PC 3200 ---〉DDR400 DDR2 PC2-4300---〉 DDR2 533 PC2-5300---〉 DDR2-667 PC2-6400---〉 DDR2 -800 DDR3 PC3-6400---〉 DDR3 800 PC3-8500---〉 DDR3-1066 PC3-10600---〉 DDR3 -1333 PC3-12800---〉 DDR3 -1600
KINGMAX（胜创）
HyunDai（现代） Kingston(金士顿) Adata(威刚)
http://www.kingmax.com/
http://kcs.hei.co.kr/models/ http://www.thethirdmedia.com/pc/dnyjcs/www.kingston.com http://www.thethirdmedia.com/pc/dnyjcs/www.adata.com.tw
(-55)-125 TSOP/FBGA
0-70
(-40)-85
0-85
(-40)-95 FBGA
(-55)-100 FBGA
TSOP/FBGA
SDR信号描述
Symbol A[n:0] BA0(A13) BA1(A12) CLK CKE Type I I I I Description1 地址信号 BANK片选与地址复用 时钟 时钟使能
内存设计相关知识总结
RD中心SBC组 王海
内容
内存相关名词解释 内存种类 内存区别及信号描述 内存基本时序 内存设计 Example

1.名词解释

RAM：随机存储器 ROM：只读存储器 SRAM：Static RAM 静态随机存储器，利用双稳态触发器保存信息。 DRAM：Dynamic RAM 动态随机存储器，利用电容充放电保存信息，需要 不断的充电，也叫刷新(Refresh)。 SDRAM：Synchronous DRAM 同步动态随机存储器，64位带宽，3.3V工作 电压。 DDR：Double Data Rate SDRAM 双倍速率同步动态随机存储器。 DDR2： Double Data Rate2 SDRAM 4倍速率同步动态随机存储器。 DDR3： Double Data Rate3 SDRAM 8倍速率同步动态随机存储器。 SIMM：single inline memory module 单列直插内存模组，内存条两侧金手 指提供相同信号，一次最高传输32bit数据。 DIMM：dual inline memory module 双列直插内存模块，金手指两侧各自独 立传输信号。
3. 几种内存的区别及信号描述
SDR/DDR/DDR2/DDR3区别
SDR DDR DDR2 DDR3
工作电压(V)
CLOCK 频率(MHz) 数据传输率(MHz) 密度(Mb) 位宽(bit) BANK Termination DATA Strobe System Synchronization 储存温度(摄氏度) 封装
3.3 (LVTTL标准)
66/100/133 66/100/133 64/128/256/512 x4/x8/x16/x32 4 无 无
2.5 (SSTL2标准)
100/133/167/200 200/266/333/400 256/512/1Gb x4/x8/x16 4 无 单端
1.8 (SSTL_18)
POWER GND
DDR3信号描述
信号 描述
CK/CK#
CKE CS# ODT RAS#，CAS#，WE# DM DMU/DML BA0-BA2 A0-A15
CLOCK Input
Clock Enable RANK Select On die termination 可通过设置寄存器EMR(1)使能内部端接电阻 行选通，列选通，写输入使能 Write data mask: DM for ×4 ×8 DMU/DML for ×16 BANK SELECT Address input:提供行地址，列地址，读写命令的预充电位 在预充电命令期间，A10为低，只对一个BANK充电；A10为高时，对所有 BANK预充电 Burst chop Data input/output Termination Data Strobe: for ×8 Reference Pin for ZQ calibration Data strobe: POWER GND
VSSQ/VSS
DDR2信号描述
信号 CK/CK# CKE CS# 描述 CLOCK Input Clock Enable RANK Select
ODT
RAS#，CAS#，WE# DM UDM/LDM
On die termination 可通过设置寄存器EMR(1)使能内部端接电阻
行选通，列选通，写输入使能 Write data mask: DM for ×4 ×8 UDM/LDM for ×16
All Banks Precharged
ACT
REF
Refreshing
BANK激活
读写
Activating
Command: (E)MRS REF ACT WR RD WRA RDA RD
预充电
Writing
WR
Bank Active
Reading
WRA RDA
详细内容见JESD相关规范
Precharging
Infineon(英飞凌)
LGS（高士达） Micron（麦康） Samsung（三星）
http://www.thethirdmedia.com/pc/dnyjcs/www.infineon.com/cn
http://www.lg-semicon.com/ http://www.micron.com/ http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/