化成箔的制备方法及其应用的制作流程

本技术涉及化成箔的制备方法及其应用，具体提出了化成箔的制备方法，该方法包括：将腐蚀箔在己二酸铵水溶液中进行三级化成处理；将三级化成处理后的腐蚀箔在磷酸水溶液中进行浸渍处理；将浸渍处理后的腐蚀箔在己二酸铵水溶液中进行第四级化成处理；将第四级化成处理后的腐蚀箔进行第一热处理；将第一热处理后的腐蚀箔进行第五级化成处理，以便获得所述化成箔，所述第五级化成处理是在有机膦酸和离子液体的醇类溶液中进行的。相比现有技术中的化成箔，该方法制备的化成箔在到达电压基本一致的情况下，比容没有衰减，同时耐水性显著增强。

技术要求

1.一种化成箔的制备方法，其特征在于，包括：

将腐蚀箔在己二酸铵水溶液中进行三级化成处理；

将三级化成处理后的腐蚀箔在磷酸水溶液中进行浸渍处理；

将浸渍处理后的腐蚀箔在己二酸铵水溶液中进行第四级化成处理；

将第四级化成处理后的腐蚀箔进行第一热处理；

将第一热处理后的腐蚀箔进行第五级化成处理，所述第五级化成处理是在有机膦酸和离

子液体的醇类溶液中进行的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子液体为羧基功能化离子液体；

任选地，所述羧基功能化离子液体中，阳离子为1-羧甲基-3-甲基咪唑阳离子或1-羧乙基-3-甲基咪唑阳离子，阴离子为硝酸离子、双(三氟甲烷磺酰)亚胺离子或硫酸氢根离子；

优选地，所述离子液体包括选自1-羧乙基-3-甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐、1-羧乙基-3-甲基咪唑硝酸盐、1-羧乙基-3-甲基咪唑硫酸氢盐、1-羧甲基-3-甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐、1-羧甲基-3-甲基咪唑硝酸盐或1-羧甲基-3-甲基咪唑硫酸氢盐的至少之一；

任选地，所述有机膦酸包括选自次氮基三亚甲基三膦酸、羟基亚乙基二膦酸或二乙烯三

胺五亚甲基膦酸的至少之一；

任选地，所述醇类包括选自乙二醇、丙三醇、1,2-丙二醇，1,3-丙二醇、苯甲醇或环己醇的至少之一。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机膦酸：所述离子液体：所述醇类的质量比为1～3：5～8：89～94。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一热处理为真空热处理；

任选地，所述第一热处理中，真空度不高于200Pa；

任选地，所述第一热处理是在温度为400～550℃的条件下进行的；

任选地，所述第一热处理的时间为5～10min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：将第五级化成处理后的腐蚀箔进行第二热处理。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二热处理是在氩气氛围下进行的；

任选地，所述第二热处理是在温度为200～300℃的条件下进行的；

任选地，所述第二热处理的时间为5～10min。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三级化成处理中，第一级化成处理是在电压为8～12V的条件下进行的，

任选地，第二级化成处理是在电压为18～25V的条件下进行的，

任选地，第三级化成处理是在电压为32～36V的条件下进行的；

任选地，所述第四级化成处理是在电压为32～36V的条件下进行的；

任选地，所述第五级化成处理是在电压为32～36V的条件下进行的；

任选地，所述第一级化成处理、第二级化成处理、第三级化成处理和第四级化成处理是在温度为70～80℃的条件下进行的；

任选地，所述第五级化成处理是在温度为50～70℃的条件下进行的；

任选地，所述第一级化成处理、第二级化成处理、第三级化成处理和第四级化成处理的时间为5～10min；

任选地，所述第五级化成处理的时间为4～8min；

任选地，所述浸渍处理是在温度为30～50℃的条件下进行的；

任选地，所述浸渍处理的时间为4～8min。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述己二酸铵水溶液中，己二酸铵的质量分数为5～10％；

任选地，所述磷酸水溶液中，所述磷酸的质量分数为1～3％。

9.一种化成箔，其特征在于，根据权利要求1～8任一项所述的方法制备得到。

10.一种电解电容器，其特征在于，包括：权利要求9所述的化成箔。

技术说明书

化成箔的制备方法及其应用

技术领域

本技术涉及铝电解电容器用阳极腐蚀化成箔领域，具体地，本技术涉及化成箔的制备方法及其应用。

背景技术

随着电子设备整机小型化的发展，对铝电解电容器的体积缩小和比容提高提出了迫切需要，阳极化成箔作为铝电解电容器中的核心材料，对电容器的各种特性起决定性作用。现有的低压阳极箔化成工艺一般是在硼酸和硼砂的溶液、己二酸盐水溶液中进行三级化成、高温热处理，四级化成，最后磷酸二氢铵溶液中浸渍处理。在低压铝电解电容中，电解液的水分含量较高，电极箔表面的氧化膜和水发生水合反应，生产水合氧化铝或者氢氧化铝，导致电极箔的耐受电压降低，漏电流增大。水合反应的同时也会产生氢气，造成电容器壳内压上升，导致电容器起鼓漏液甚至爆壳，影响电容器以及电子产品的工作寿命，造成安全问题。

中国专利CN201811533670.4公开了一种提高化成箔耐水性的工艺方法，在特征在于，包括以下步骤：1.将化成箔浸泡为磷酸水溶液中，然后用离子水冲洗；2.将步骤1冲洗后的化成箔进行高温热处理；3.将步骤2进行高温热处理后的化成箔浸泡为已二酸铵和磷酸二氢铵的混合液中，用离子水清洗；4.将冲洗后的化成箔浸泡为聚丙稀酸钠中，然后用离子水清洗；5.将步骤4冲洗后的化成箔进行常温热处理；6.待步骤5热处理后的化成箔降温完毕后取出处理后的化成箔。

中国专利CN 201711084924.4公开了一种提高低压电极箔耐水性的处理方法和应用，其特征在于，包括以下步骤：该方法将腐蚀处理后的铝箔置于壬二酸和壬二酸盐的水溶液中，化成水洗后放入钛酸丙酯水溶液中浸渍后，再置于壬二酸及壬二酸盐的水溶液中，化成水洗后放入磷酸水溶液，在温度为30～45℃，进行钝化处理，然后在400～600℃进行热处理，水洗后的铝箔置于磷酸钛水溶液中，化成水洗后烘干，得到低压电极箔。

上述现有技术公开的制备方法得到的低压化成箔的耐水性能仍然较差，存在进一步改进的空间。

技术内容

本申请是基于技术人对以下事实和问题的发现和认识作出的：