闪烁探测器 练习题

1.闪烁探测器是利用________________在核辐射的作用下会发光的特性探测辐射的，光电

器件将微弱的闪烁光转变为______，经过多次倍增放大后，输出一个______。

2.无机闪烁体的特点是：对带电粒子的阻止本领__（大或小），时间相应__（快或慢），发

光效率__(高或低)，能量线性相应__（好或差）。

3.发光效率C发光与光输出S成______(正比或反比)关系。

4.对于有机闪烁体而言，发光衰减时间有快、慢两种成分，其衰减规律表达式为：_________.

5.同一种有机闪烁体下发光曲线中慢成分的强度主要与入射核辐射的粒子______(能量或

种类)相关。

6.__________是用来描述光在闪烁体中的传输情况，标志着闪烁体所能使用的最大尺度的

一个量。

7.能量响应是表示____________与____________之间的关系，其理想的曲线是______(正态

分布、泊松分布或线性的)。

8.核辐射测量中经常用到NaI(Tl)探测γ射线，其中测量β辐射和中子选用____________，

也可以选用____________，测量α辐射一般选用____________，测量低能X射线和高能γ射线选用____________。（BGO闪烁体，塑料闪烁体，有机液体闪烁体，ZnS(Ag)闪烁体）

9.光学收集系统主要包括______，______和______。其中______可以减少光在交界面的全

反射，使光有效的传输到光电倍增管的阴极；______能够把闪烁体中各个方向发射的光有效的发射到光电倍增管的阴极上。

10.

上图是闪烁探测器的输出信号的过程示意图，请依照正确组成填写空白处。（闪烁体；

光电倍增管；前置放大器；阳极；放大器；直流偏压；光阴极；打拿级；）

11.NaI闪烁体探测器对于β和γ射线的平均电离能为______；半导体探测器Si和Ge的平

均电离能为______；气体探测器中气体的平均电离能为_______。(2eV，3eV，20eV，30eV，200eV，300eV)。

12.闪烁探测器从核辐射进入闪烁体到输出电压脉冲经历了一系列过程，其中间过程按照正

确的时间顺序为：__________________________，其中时间分辨是探测器对两组相继发生的事件的最小时间间隔，造成时间分辨的因素是时间的离散，那么时间离散的主要因素是______过程。

A：闪烁光子从发光地点到达光阴极的时间；

B：辐射粒子或引起的次级电子在闪烁体中耗尽能量的时间；

C：阳极收集电荷在输出回路上输出脉冲电压；

D：光电子的渡越时间；、

13. γ射线能谱中，单逃逸峰比双逃逸峰显著的是________；双逃逸峰比单逃逸峰显著的是

________；(康普顿仪；HPGe探测器；NaI闪烁体)

14. 反散射峰是由放射源γ射线与探测器中的________发生康普顿散射时，反散射的光子进入探测器发生________形成的。其能量总是在__________KeV范围内出现。

15. 碘逃逸峰是γ射线在NaI中发生光电效应是产生的，该峰对应的能量总是比入射能量小_______KeV.

16. 单逃逸峰和双逃逸峰是由于发生__________作用产生的，其能量相对于入射γ射线能量分别为______eV和_______eV。

17. 理想的闪烁体具有什么特点?