电磁波屏蔽用膜和电子部件的覆盖方法与相关技术
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方法的纵剖面图。
图9是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第七实施方式的纵剖面图。 图10是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第八实施方式的纵剖面
图。
图11是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第九实施方式的纵剖面
图。
图12是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第十实施方式的纵剖面
图。
图13是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第十一实施方式的纵剖面
作为这样的电磁波屏蔽用膜，例如开发了具有由绝缘性材料构成 的基材层、和叠层于基材层的一个或两个面的金属层的电磁波屏蔽用
膜(例如，参照专利文献1)。
然而，如专利文献1所述，在电磁波屏蔽用膜具有金属层的情况
下，存在无法应对近年来要求不断提高的轻量化、薄型化的问题。
现有技术文献
专wk.baidu.com文献
专利文献1：日本特开2006－156946公报
图。
图14是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第十二实施方式的纵剖面
图。
具体实施方式
下面，根据附图所示的优选实施方式，详细说明本技术的电磁波 屏蔽用膜、以及电子部件的覆盖方法。
本技术的电磁波屏蔽用膜是用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽 用膜。该电磁波屏蔽用膜包括基材层和叠层于该基材层的一个面侧的
电磁波遮断层而构成。上述基材层的特征在于150℃时的贮藏弹性模量 为2.0E+05～5.0E+08Pa。
＜电磁波屏蔽用膜＞
首先，对于本技术的电磁波屏蔽用膜进行说明。
＜第一实施方式＞
图1是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第一实施方式的纵剖面图。 其中，在以下的说明中，为了方便说明，将图1中的上侧称为“上”， 将下侧称为“下”。
本技术的电磁波屏蔽用膜是用于覆盖基板5上的凸部61的电磁波
屏蔽用膜。
如图1所示，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100包括基材层1 和电磁波遮断层3而构成。电磁波遮断层3在基材层1的下面(一个 面)侧与基材层1接触并叠层。
覆盖的基板的设计自由度，且实现轻量化、薄型化。此外，对于具有 具备凸部的基板的电子部件，能够发挥良好的形状追随性。
附图说明
图1是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第一实施方式的纵剖面图。
图2是用于说明使用图1所示的电磁波屏蔽用膜覆盖电子部件的
方法的纵剖面图。
图3是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第二实施方式的纵剖面图。 图4是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第三实施方式的纵剖面图。 图5是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第四实施方式的纵剖面图。 图6是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第五实施方式的纵剖面图。 图7是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第六实施方式的纵剖面图。 图8是用于说明使用图7所示的电磁波屏蔽用膜覆盖电子部件的
(6)如上述(3)～(5)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中， 上述第三层的25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000[ppm/℃]。
(7)如上述(3)～(6)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中， 上述第三层的厚度T(B)为5μm以上、100μm以下。
(8)如上述(3)～(7)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中， 上述第二层的25～150℃时的平均线膨胀系数为400以上[ppm/℃]。
(9)如上述(3)～(8)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中， 上述第二层的厚度T(C)为10μm以上、100μm以下。
(10)如上述(3)～(9)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其 中，上述第一层的厚度T(A)、上述第三层的厚度T(B)和上述第二 层的厚度T(C)满足下述关系式(I)：
0.05＜T(C)/(T(A)+T(B))＜10 ···(I)。
(11)如上述(1)～(10)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其 中，上述电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量为1.0E+05～1.0E +09Pa。
(12)如上述(1)～(11)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其
中，上述电磁波遮断层由反射层和吸收层构成，上述电磁波遮断层是
该反射层和该吸收层从上述基材层的上述一个面侧依次叠层而得到的 叠层体。
(15)如上述(14)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述绝缘层
和上述电磁波遮断层形成为从上述基材层的上述一个面侧依次叠层而 成的叠层体。
(16)如上述(14)或(15)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上
述绝缘层由具有热塑性的绝缘树脂构成。
(17)如上述(14)～(16)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜， 其中，上述绝缘层的厚度T(D)为3μm以上、50μm以下。
7.如权利要求3～6中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述第三层的厚度T(B)为5μm以上、100μm以下。
8.如权利要求3～7中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述第二层的25～150℃时的平均线膨胀系数为400以上 [ppm/℃]。
9.如权利要求3～8中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
件的覆盖方法。
权利要求书
1.一种电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
其为用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽用膜，
该电磁波屏蔽用膜包括基材层和叠层于该基材层的一个面侧的电 磁波遮断层而构成，
所述基材层的150℃时的贮藏弹性模量为2.0E+05～5.0E+08Pa。
2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
(18)一种电子部件的覆盖方法，其特征在于，包括：
贴附工序，将上述(1)～(17)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜
以使上述电磁波遮断层与电子部件粘接的方式贴附于上述基板上的上 述凸部；和
剥离工序，上述贴附工序之后，将上述基材层从上述电磁波遮断 层剥离。
技术的效果
根据本技术，通过使电磁波屏蔽用膜所具备的基材层的150℃时的 贮藏弹性模量为2.0E+05～5.0E+08Pa，能够提高由电磁波屏蔽用膜
(3)如上述(1)或(2)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述基
材层为从另一个面侧依次叠层有第一层、第二层和第三层的形成三层 结构的叠层体。
(4)如上述(3)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述第一层的 25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000[ppm/℃]。
(5)如上述(3)或(4)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述第 一层的厚度T(A)为5μm以上、100μm以下。
另外，本技术的电子部件的覆盖方法的特征在于，包括：贴附工
序，将上述电磁波屏蔽用膜以使上述电磁波遮断层与作为凸部的电子 部件粘接的方式贴附于上述基板上；和剥离工序，上述贴附工序之后， 将上述基材层从上述电磁波遮断层剥离。
在使用这样的电磁波屏蔽用膜覆盖基板上的凸部时，通过在上述 贴附工序中，一边加热电磁波屏蔽用膜，一边以电磁波屏蔽用膜和基 板互相接近的方式按压，由此基材层作为电磁波遮断层对于凸部具有 形状追随性的基材发挥功能。由此，能够将电磁波遮断层以追随凸部 形状的状态压入凹部。其结果，能够将该设置有凸部的基板用电磁波 遮断层可靠地覆盖。因此，通过该电磁波遮断层，设置有凸部的基板 的电磁波屏蔽性提高。
因此，本技术的目的在于提供一种电磁波屏蔽用膜，其能够提高 基板的设计自由度，且实现轻量化、薄型化，并且对于具有具备凸部 的基板的电子部件，具有良好的形状追随性。本技术的另一个目的在 于提供使用上述电磁波屏蔽用膜的电子部件的覆盖方法。
用于解决课题的方法
这样的目的通过下述(1)～(18)所述的本技术实现。
于：
在温度150℃、压力2MPa、时间5分钟的条件下，将该电磁波屏 蔽用膜热压接于所述基板上的所述凸部时的形状追随性为500μm以 上、3,000μm以下。
14.如权利要求1～13中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在
于：
还包括叠层于所述基材层与所述电磁波遮断层之间的绝缘层。
15.如权利要求14所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
技术内容
技术所要解决的课题
此外，在现有技术中，除了上述问题以外，想要用电磁波屏蔽用 膜覆盖具有具备凸部的基板的电子部件时，存在该电磁波屏蔽用膜对 于凸部的形状追随性不良的问题。因此，对于具有具备凸部的基板的
电子部件，实施了使用由铝或SUS形成的金属罐屏蔽的屏蔽方法。但
是，该使用金属罐屏蔽的屏蔽方法，无法对基板上的各部件分别地实 施，而是对于按照种类配置的部件集合体实施。因此，基板上的各部 件的配置受到制约，因而基板的设计自由度从功能方面来看并不能说 一定是最优的。
将所述基材层的120℃时的贮藏弹性模量设为A[Pa]、所述基材 层的150℃时的贮藏弹性模量设为B[Pa]时，满足0.02≤A/B≤1.00
的关系。
3.如权利要求1或2所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述基材层为从另一个面侧依次叠层有第一层、第二层和第三层 的形成三层结构的叠层体。
4.如权利要求3所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
使所述电磁波遮断层与电子部件粘接的方式贴附于所述基板上的所述 凸部；和 剥离工序，所述贴附工序之后，将所述基材层从所述电磁波遮断 层剥离。
说明书 电磁波屏蔽用膜和电子部件的覆盖方法 技术领域
本技术涉及电磁波屏蔽用膜和电子部件的覆盖方法。
背景技术
以往，在便携电话、医疗设备这样易于受到电磁波影响的电子部 件或半导体元件等放热性电子部件、以及电容器、线圈等各种电子部 件、或者将这些电子部件安装于电路基板而得到的电子设备中，为了 减轻因电磁波造成的噪声的影响，在其表面贴附电磁波屏蔽用膜。
(1)一种电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
其为用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽用膜，
该电磁波屏蔽用膜包括基材层和叠层于该基材层的一个面侧的电 磁波遮断层而构成，
上述基材层的150℃时的贮藏弹性模量为2.0E+05～5.0E+08Pa。
(2)如上述(1)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，将上述基材层 的120℃时的贮藏弹性模量设为A[Pa]、上述基材层的150℃时的贮 藏弹性模量设为B[Pa]时，满足0.02≤A/B≤1.00的关系。
所述第二层的厚度T(C)为10μm以上、100μm以下。
10.如权利要求3～9中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在
于：
所述第一层的厚度T(A)、所述第三层的厚度T(B)和所述第二 层的厚度T(C)满足下述关系式(I)：
0.05＜T(C)/(T(A)+T(B))＜10···(I)。
11.如权利要求1～10中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在
所述第一层的25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000 [ppm/℃]。
5.如权利要求3或4所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述第一层的厚度T(A)为5μm以上、100μm以下。
6.如权利要求3～5中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述第三层的25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000 [ppm/℃]。
于：
所述电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量为1.0E+05～1.0E +09Pa。
12.如权利要求1～11中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在
于：
所述电磁波遮断层由反射层和吸收层构成，所述电磁波遮断层是 该反射层和该吸收层从所述基材层的所述一个面侧依次叠层而得到的 叠层体。
13.如权利要求1～12中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在
本技术的电磁波屏蔽用膜为用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽用膜，该电磁波屏蔽用膜包括基材层和叠
层于该基材层的一个面侧的电磁波遮断层。上述基材层的150℃时的贮藏弹性模量为2.0E+05～5.0E+08Pa。
本技术提供一种电磁波屏蔽用膜，能够提高基板的设计自由度，且实现轻量化、薄型化，并且对于具有
500μm以上的凸部的电子部件，具有良好的形状追随性。本技术还提供使用上述电磁波屏蔽用膜的电子部
(13)如上述(1)～(12)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其 中，在温度150℃、压力2MPa、时间5分钟的条件下，将该电磁波屏 蔽用膜热压接于上述基板上的上述凸部时的形状追随性为500μm以 上、3,000μm以下。
(14)如上述(1)～(13)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其
中，还包括叠层于上述基材层与上述电磁波遮断层之间的绝缘层。
所述绝缘层和所述电磁波遮断层形成为从所述基材层的所述一个 面侧依次叠层而成的叠层体。
16.如权利要求14或15所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述绝缘层由具有热塑性的绝缘树脂构成。
17.如权利要求14～16中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征
在于：
所述绝缘层的厚度T(D)为3μm以上、50μm以下。 18.一种电子部件的覆盖方法，其特征在于，包括： 贴附工序，将权利要求1～17中任一项所述的电磁波屏蔽用膜以
图9是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第七实施方式的纵剖面图。 图10是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第八实施方式的纵剖面
图。
图11是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第九实施方式的纵剖面
图。
图12是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第十实施方式的纵剖面
图。
图13是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第十一实施方式的纵剖面
作为这样的电磁波屏蔽用膜，例如开发了具有由绝缘性材料构成 的基材层、和叠层于基材层的一个或两个面的金属层的电磁波屏蔽用
膜(例如，参照专利文献1)。
然而，如专利文献1所述，在电磁波屏蔽用膜具有金属层的情况
下，存在无法应对近年来要求不断提高的轻量化、薄型化的问题。
现有技术文献
专wk.baidu.com文献
专利文献1：日本特开2006－156946公报
图。
图14是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第十二实施方式的纵剖面
图。
具体实施方式
下面，根据附图所示的优选实施方式，详细说明本技术的电磁波 屏蔽用膜、以及电子部件的覆盖方法。
本技术的电磁波屏蔽用膜是用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽 用膜。该电磁波屏蔽用膜包括基材层和叠层于该基材层的一个面侧的
电磁波遮断层而构成。上述基材层的特征在于150℃时的贮藏弹性模量 为2.0E+05～5.0E+08Pa。
＜电磁波屏蔽用膜＞
首先，对于本技术的电磁波屏蔽用膜进行说明。
＜第一实施方式＞
图1是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第一实施方式的纵剖面图。 其中，在以下的说明中，为了方便说明，将图1中的上侧称为“上”， 将下侧称为“下”。
本技术的电磁波屏蔽用膜是用于覆盖基板5上的凸部61的电磁波
屏蔽用膜。
如图1所示，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100包括基材层1 和电磁波遮断层3而构成。电磁波遮断层3在基材层1的下面(一个 面)侧与基材层1接触并叠层。
覆盖的基板的设计自由度，且实现轻量化、薄型化。此外，对于具有 具备凸部的基板的电子部件，能够发挥良好的形状追随性。
附图说明
图1是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第一实施方式的纵剖面图。
图2是用于说明使用图1所示的电磁波屏蔽用膜覆盖电子部件的
方法的纵剖面图。
图3是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第二实施方式的纵剖面图。 图4是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第三实施方式的纵剖面图。 图5是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第四实施方式的纵剖面图。 图6是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第五实施方式的纵剖面图。 图7是表示本技术的电磁波屏蔽用膜的第六实施方式的纵剖面图。 图8是用于说明使用图7所示的电磁波屏蔽用膜覆盖电子部件的
(6)如上述(3)～(5)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中， 上述第三层的25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000[ppm/℃]。
(7)如上述(3)～(6)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中， 上述第三层的厚度T(B)为5μm以上、100μm以下。
(8)如上述(3)～(7)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中， 上述第二层的25～150℃时的平均线膨胀系数为400以上[ppm/℃]。
(9)如上述(3)～(8)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中， 上述第二层的厚度T(C)为10μm以上、100μm以下。
(10)如上述(3)～(9)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其 中，上述第一层的厚度T(A)、上述第三层的厚度T(B)和上述第二 层的厚度T(C)满足下述关系式(I)：
0.05＜T(C)/(T(A)+T(B))＜10 ···(I)。
(11)如上述(1)～(10)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其 中，上述电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量为1.0E+05～1.0E +09Pa。
(12)如上述(1)～(11)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其
中，上述电磁波遮断层由反射层和吸收层构成，上述电磁波遮断层是
该反射层和该吸收层从上述基材层的上述一个面侧依次叠层而得到的 叠层体。
(15)如上述(14)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述绝缘层
和上述电磁波遮断层形成为从上述基材层的上述一个面侧依次叠层而 成的叠层体。
(16)如上述(14)或(15)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上
述绝缘层由具有热塑性的绝缘树脂构成。
(17)如上述(14)～(16)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜， 其中，上述绝缘层的厚度T(D)为3μm以上、50μm以下。
7.如权利要求3～6中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述第三层的厚度T(B)为5μm以上、100μm以下。
8.如权利要求3～7中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述第二层的25～150℃时的平均线膨胀系数为400以上 [ppm/℃]。
9.如权利要求3～8中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
件的覆盖方法。
权利要求书
1.一种电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
其为用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽用膜，
该电磁波屏蔽用膜包括基材层和叠层于该基材层的一个面侧的电 磁波遮断层而构成，
所述基材层的150℃时的贮藏弹性模量为2.0E+05～5.0E+08Pa。
2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
(18)一种电子部件的覆盖方法，其特征在于，包括：
贴附工序，将上述(1)～(17)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜
以使上述电磁波遮断层与电子部件粘接的方式贴附于上述基板上的上 述凸部；和
剥离工序，上述贴附工序之后，将上述基材层从上述电磁波遮断 层剥离。
技术的效果
根据本技术，通过使电磁波屏蔽用膜所具备的基材层的150℃时的 贮藏弹性模量为2.0E+05～5.0E+08Pa，能够提高由电磁波屏蔽用膜
(3)如上述(1)或(2)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述基
材层为从另一个面侧依次叠层有第一层、第二层和第三层的形成三层 结构的叠层体。
(4)如上述(3)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述第一层的 25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000[ppm/℃]。
(5)如上述(3)或(4)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述第 一层的厚度T(A)为5μm以上、100μm以下。
另外，本技术的电子部件的覆盖方法的特征在于，包括：贴附工
序，将上述电磁波屏蔽用膜以使上述电磁波遮断层与作为凸部的电子 部件粘接的方式贴附于上述基板上；和剥离工序，上述贴附工序之后， 将上述基材层从上述电磁波遮断层剥离。
在使用这样的电磁波屏蔽用膜覆盖基板上的凸部时，通过在上述 贴附工序中，一边加热电磁波屏蔽用膜，一边以电磁波屏蔽用膜和基 板互相接近的方式按压，由此基材层作为电磁波遮断层对于凸部具有 形状追随性的基材发挥功能。由此，能够将电磁波遮断层以追随凸部 形状的状态压入凹部。其结果，能够将该设置有凸部的基板用电磁波 遮断层可靠地覆盖。因此，通过该电磁波遮断层，设置有凸部的基板 的电磁波屏蔽性提高。
因此，本技术的目的在于提供一种电磁波屏蔽用膜，其能够提高 基板的设计自由度，且实现轻量化、薄型化，并且对于具有具备凸部 的基板的电子部件，具有良好的形状追随性。本技术的另一个目的在 于提供使用上述电磁波屏蔽用膜的电子部件的覆盖方法。
用于解决课题的方法
这样的目的通过下述(1)～(18)所述的本技术实现。
于：
在温度150℃、压力2MPa、时间5分钟的条件下，将该电磁波屏 蔽用膜热压接于所述基板上的所述凸部时的形状追随性为500μm以 上、3,000μm以下。
14.如权利要求1～13中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在
于：
还包括叠层于所述基材层与所述电磁波遮断层之间的绝缘层。
15.如权利要求14所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
技术内容
技术所要解决的课题
此外，在现有技术中，除了上述问题以外，想要用电磁波屏蔽用 膜覆盖具有具备凸部的基板的电子部件时，存在该电磁波屏蔽用膜对 于凸部的形状追随性不良的问题。因此，对于具有具备凸部的基板的
电子部件，实施了使用由铝或SUS形成的金属罐屏蔽的屏蔽方法。但
是，该使用金属罐屏蔽的屏蔽方法，无法对基板上的各部件分别地实 施，而是对于按照种类配置的部件集合体实施。因此，基板上的各部 件的配置受到制约，因而基板的设计自由度从功能方面来看并不能说 一定是最优的。
将所述基材层的120℃时的贮藏弹性模量设为A[Pa]、所述基材 层的150℃时的贮藏弹性模量设为B[Pa]时，满足0.02≤A/B≤1.00
的关系。
3.如权利要求1或2所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述基材层为从另一个面侧依次叠层有第一层、第二层和第三层 的形成三层结构的叠层体。
4.如权利要求3所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
使所述电磁波遮断层与电子部件粘接的方式贴附于所述基板上的所述 凸部；和 剥离工序，所述贴附工序之后，将所述基材层从所述电磁波遮断 层剥离。
说明书 电磁波屏蔽用膜和电子部件的覆盖方法 技术领域
本技术涉及电磁波屏蔽用膜和电子部件的覆盖方法。
背景技术
以往，在便携电话、医疗设备这样易于受到电磁波影响的电子部 件或半导体元件等放热性电子部件、以及电容器、线圈等各种电子部 件、或者将这些电子部件安装于电路基板而得到的电子设备中，为了 减轻因电磁波造成的噪声的影响，在其表面贴附电磁波屏蔽用膜。
(1)一种电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
其为用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽用膜，
该电磁波屏蔽用膜包括基材层和叠层于该基材层的一个面侧的电 磁波遮断层而构成，
上述基材层的150℃时的贮藏弹性模量为2.0E+05～5.0E+08Pa。
(2)如上述(1)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，将上述基材层 的120℃时的贮藏弹性模量设为A[Pa]、上述基材层的150℃时的贮 藏弹性模量设为B[Pa]时，满足0.02≤A/B≤1.00的关系。
所述第二层的厚度T(C)为10μm以上、100μm以下。
10.如权利要求3～9中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在
于：
所述第一层的厚度T(A)、所述第三层的厚度T(B)和所述第二 层的厚度T(C)满足下述关系式(I)：
0.05＜T(C)/(T(A)+T(B))＜10···(I)。
11.如权利要求1～10中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在
所述第一层的25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000 [ppm/℃]。
5.如权利要求3或4所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述第一层的厚度T(A)为5μm以上、100μm以下。
6.如权利要求3～5中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述第三层的25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000 [ppm/℃]。
于：
所述电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量为1.0E+05～1.0E +09Pa。
12.如权利要求1～11中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在
于：
所述电磁波遮断层由反射层和吸收层构成，所述电磁波遮断层是 该反射层和该吸收层从所述基材层的所述一个面侧依次叠层而得到的 叠层体。
13.如权利要求1～12中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在
本技术的电磁波屏蔽用膜为用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽用膜，该电磁波屏蔽用膜包括基材层和叠
层于该基材层的一个面侧的电磁波遮断层。上述基材层的150℃时的贮藏弹性模量为2.0E+05～5.0E+08Pa。
本技术提供一种电磁波屏蔽用膜，能够提高基板的设计自由度，且实现轻量化、薄型化，并且对于具有
500μm以上的凸部的电子部件，具有良好的形状追随性。本技术还提供使用上述电磁波屏蔽用膜的电子部
(13)如上述(1)～(12)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其 中，在温度150℃、压力2MPa、时间5分钟的条件下，将该电磁波屏 蔽用膜热压接于上述基板上的上述凸部时的形状追随性为500μm以 上、3,000μm以下。
(14)如上述(1)～(13)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其
中，还包括叠层于上述基材层与上述电磁波遮断层之间的绝缘层。
所述绝缘层和所述电磁波遮断层形成为从所述基材层的所述一个 面侧依次叠层而成的叠层体。
16.如权利要求14或15所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述绝缘层由具有热塑性的绝缘树脂构成。
17.如权利要求14～16中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征
在于：
所述绝缘层的厚度T(D)为3μm以上、50μm以下。 18.一种电子部件的覆盖方法，其特征在于，包括： 贴附工序，将权利要求1～17中任一项所述的电磁波屏蔽用膜以