高压陶瓷贴片电容
低中高压瓷片陶瓷电容器资料规格书
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3. Stable capacitance change over the specified temperature.
Product Type
3. ( S - C ) 682PF ~ 224PF measured at 1KHz±10%, 0.1V rms, 25℃
Temp. Range
- 25 ℃ to + 85 ℃
Taping (Radial) -- Lead Spaciபைடு நூலகம்g F = 2.5 / 5.0 / 6.35 / 7.5 ± 0.8
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Straoghe
≦7.0%
≦7.0%
+22% ~ -56% +22% ~ -82%
高压瓷片电容
高压瓷片电容
高压瓷片电容居于电子元件技术中的一个重要部分，它可用于滤波抑制电磁波，并作为利用变压的电容器，具有多种实用功能。
高压瓷片电容，又被称为多层陶瓷片电容器，顾名思义，是由多层陶瓷片、连
接回路与外殼组成而成，特点是小巧轻便，尺寸安装方便，是电子元件技术的重要组成元素之一。
高压瓷片电容通常采用陶瓷材料与金属剥片，具有耐高电压、阻变小、容量大、尺寸小、无汞元素化学污染各种优点，使得它在高压电路动态调节、隔离保护、
滤波抑制电磁波等方面有着得天独厚的优势。
此外，高压瓷片电容还可用于减少波动，电源反激定子、滤波功率电路，高压
通断脉冲电路，回路与线路电磁兼容抑制、功率稳定等众多用途。
高压瓷片电容也可用于脉冲条件严苛的火花放电系统，以及电力变压器的次级联结。
作为高科技产品，高压瓷片电容受到众多行业的青睐，在工业自动化控制、通
信电路以及音响领域的应用越来越广泛，受到用户的一致认可，是一款非常受欢迎的电子元件。
总之，高压瓷片电容在一些挑战环境中具有重要的作用，它在解决电子技术中
存在的问题方面发挥了独特的作用，而且也受到众多行业领域的应用，受到用户的一致好评。
北京联发高频高压陶瓷介电容
北京联发高频高压陶瓷介电容是一种常用的电子元器件，它具有高电容量、低损耗、高频响应速度快等特点，在电源电路、放大器、振荡器等设备中有着广泛的应用。
首先，让我们了解一下高频高压陶瓷介电容的基本原理。
它利用陶瓷作为介质材料，通过在电极上形成电场，当有电流通过时，会在陶瓷内部产生电场，从而形成电容效应。
这种电容的特点是电容量大、绝缘性能好、稳定性高，适用于高频和高压环境。
那么，为什么高频高压陶瓷介电容在电源电路、放大器、振荡器等设备中得到广泛应用呢？首先，它在这些设备中扮演着重要的角色，如电源滤波、信号耦合、隔直等。
其次，高频高压陶瓷电容具有高稳定性和可靠性，能够满足各种复杂电路的要求。
此外，它的体积小、重量轻、易于集成等特点也使其在电子产品中具有广泛的应用前景。
在选择和使用高频高压陶瓷介电容时，需要注意以下几点：1. 确定合适的规格型号：根据电路的需求选择合适的电容量和耐压值。
2. 安装注意事项：应确保电容的极性正确，避免损坏电容或导致电路故障。
3. 使用环境要求：高频高压陶瓷电容需要适应一定的温度和湿度环境，以保证其性能稳定。
4. 维护保养：定期检查电容的状态，如发现异常应及时处理。
接下来，我们来分析一下市场上的主要品牌和产品特点。
目前市场上，高频高压陶瓷介电容的主要品牌包括联发、村田、揖斐电等。
这些品牌的产品具有较高的品质和可靠性，性能稳定，价格合理。
其中，联发品牌的产品尤其注重技术研发和品质控制，在市场上具有一定的竞争优势。
与其他电容类型相比，高频高压陶瓷介电容具有独特的优势和特点。
首先，它适用于高频和高压环境，能够满足现代电子设备的特殊需求。
其次，它的体积小、重量轻、易于集成，有利于提高产品的性能和降低成本。
此外，高频高压陶瓷电容的制造工艺和技术不断进步，未来有望在性能和可靠性方面取得更大的突破。
总之，北京联发高频高压陶瓷介电容是一种重要的电子元器件，在电源电路、放大器、振荡器等设备中有着广泛的应用。
高压瓷片电容 高压贴片电容
高压瓷片电容高压贴片电容
高压瓷片电容和高压贴片电容是两种不同类型的电容器，它们的主要区别在于使用场合和电介质材料。
高压瓷片电容通常是指以陶瓷材料为电介质，在高压电路中使用的电容器。
由于陶瓷材料的介电常数较高，因此这种电容器具有较高的电容量，通常用于高电压、大容量滤波、储能、隔直等电路中。
而高压贴片电容则是一种表面贴装型电容器，其电介质通常是聚酯、聚丙烯、聚苯乙烯等薄膜材料。
这种电容器的特点是体积小、容量大、稳定性好，并且具有良好的自愈性能，因此广泛应用于各种电子设备中，如电子电源、通信设备、计算机主板等。
总的来说，高压瓷片电容和高压贴片电容都是非常重要的电子元件，它们在电路设计中发挥着重要的作用。
具体使用哪种电容器，需要根据电路的要求和特点来选择。
高压陶瓷电容知识大全
高压陶瓷电容知识大全本文摘至网络，原作者不详，如原作者不愿公开请联系本人（hlg-1@）删除。
高压陶瓷电容、简介：高压陶瓷电容器，即使用在电力系统中的高压陶瓷电容器，一般如电力系统的计量，储能，分压等产品中，都会用到高压陶瓷电容器。
高压陶瓷电容在LED灯行业已有广泛的应用和不轻的地位，高压陶瓷电容是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
高压陶瓷电容、作用：高压陶瓷电容具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。
高压瓷片电容只要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。
在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。
近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。
高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。
高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。
因为电力系统的特殊性：交流电压高，高频，处于室外环境中(-40度到+60度)，雷击电压/电流大，等等各种因素，造成了高压陶瓷电容器在研发和生产中一直处于困境:环境的恶劣，要求电容具有超强的稳定性，即变化率要小；同时，计量，储能，分压等产品要求高精密度，这对处于这种环境下的高压陶瓷电容器的局放，即局部放电量有着极为苛刻的要求：局放为零。
高压陶瓷电容、优点：1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构.高压陶瓷电容、差别：·高压陶瓷电容和高压瓷片电容的特点对比：高压陶瓷电容的特点1.不需要认证2.超高压可以达到7KV在高就罕见了，3.打印方式和Y电容比不用把各国认证打在产品表面，4电压最低可以到16V5，耐压最高2.5倍一般生产是1.5倍的标准测A型材料的交流击穿电压特性外面用环氧树脂模压包封的陶瓷电容器的击穿电压厂。
贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)
AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
容量精度在5％左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF以下，100PF-1000PF也能生产但价格较高介质损耗最大0。
15%封装DC=50V DC=100V0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
高压陶瓷电容作为y电容的原因
高压陶瓷电容作为y电容的原因高压陶瓷电容是一种特殊的电容器，具有许多独特的特性和优势，因此在某些特定场合下，被选作y电容。
下面将从以下几个方面来说明高压陶瓷电容作为y电容的原因。
高压陶瓷电容具有较高的绝缘强度。
这是由于高压陶瓷电容采用了陶瓷材料作为电介质，而陶瓷材料具有良好的绝缘性能。
相对于其他类型的电容器，高压陶瓷电容能够承受更高的电压，有效防止电容器在高压下击穿，保证电路的稳定性和安全性。
高压陶瓷电容具有较小的体积和重量。
这对于一些对空间和重量要求较高的场合来说非常重要。
相对于其他类型的电容器，高压陶瓷电容能够在相同电容值的情况下，提供更小的体积和重量。
这使得高压陶瓷电容在一些小型电子设备和集成电路中得到广泛应用。
高压陶瓷电容具有较低的失真和稳定性。
失真是指电容器在工作过程中产生的非线性变化，会影响电路的性能。
高压陶瓷电容采用高质量的陶瓷材料制造，具有较低的失真，能够提供较高的信号传输质量。
同时，高压陶瓷电容的电容值相对稳定，不受温度和频率的影响，能够保持较好的性能稳定性。
高压陶瓷电容具有较长的使用寿命。
由于高压陶瓷电容采用了高质量的陶瓷材料和先进的制造工艺，具有较好的耐久性和稳定性。
相对于其他类型的电容器，高压陶瓷电容的使用寿命更长，能够在恶劣的环境条件下工作，减少更换和维修的频率，降低维护成本。
高压陶瓷电容具有较低的成本。
相对于其他类型的电容器，高压陶瓷电容的制造成本较低，能够提供更具竞争力的价格。
这使得高压陶瓷电容在大规模应用中具有较大的优势，能够满足大量生产和低成本的需求。
高压陶瓷电容作为y电容的原因主要包括较高的绝缘强度、较小的体积和重量、较低的失真和稳定性、较长的使用寿命以及较低的成本。
这些特点使得高压陶瓷电容在一些特定场合下成为最佳选择，为电路的稳定性和可靠性提供了保障。
贴片高压陶瓷电容材料安全资料表MSDS
材料安全资料表MATERIAL SAFETY DATA SHEET1、产品及公司证明产品名称：贴片高压陶瓷电容类似：X7R、C0G化学式：无产品名称：贴片电容供应商名称：紧急联络方式：原料信息组成原料CAS数字百分比BaTio3 Cu Ni Sn 12047-27-77440-50-87440-02-07440-31-595% 、3%1%1%2.危险性鉴别紧急概况：NA不利人体健康因素：NA环境因素：NA物质及化学危险：NA具体危险：NA3.急救测验吸入物：NA吞食：需联系医生医治皮肤接触：用清水冲洗眼睛接触：用清水冲洗保护急救人员：医生笔记口述：4.测验消防工作扑灭传播：NA火焰及爆炸危险：NA特殊消防程序：NA保护消防人员的特殊设备：NA测验免除意外个人预防措施：NA环境预防措施：NA去污程序：NA5.移动与储存轻装轻卸，防止包装损坏,不应与潮湿物品混合堆置,放在通风干燥处。
6.宣传管制/个人防护估计工程：NA管理因素：NA价值标准范围：NA生物学标准：NA个人防护装备：手套呼吸保护：NA手防护：测试电压及接触产品时戴白纱手套或绝缘手套眼睛防护：NA皮肤与身体防护：NA7物质与化学性质静止物质：固体表格／格式颜色： 浅黄色/浅褐色气味：无臭酸碱值: 中性沸点：ＮA分解温度：约1200℃内燃点和使用方法：N A自然温度：NA 爆炸性质：NA最大爆炸压力：NA 蒸汽密度：NA密度：NA 溶解性：NA8、稳定性与活动性稳定性：在正常温湿度及压力范围内其稳定性好具体情况下可能发生危险的反应：NA预防情形：NA预防材料：强酸与强碱分解危险的产品：NA9、毒物资料严重毒性：NA局部效果：NA过敏化作用：NA慢性或长期毒性：NA具体结果：NA10、生态通知不影响生态环境11、清除原因清除方法以安全和环境优先：参照相关法规进行处理、回收使用12、运输资料国际管制：NAUN级别数字：NA运输具体的预防考验和状态：NA13、管理资料NA14、其它资料NFPA Ratings: NALabcl Hazard Warning: NALiterature References: NA。
常用高压贴片和大容量贴片电容规格
常用高压贴片和大容量贴片电容规格LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容规格高压陶瓷贴片电容-可代替传统插件电容缩小电源体积(LED电源专用) 规格主要有:102/1KV 1206封装222/1KV 1206封装472/1KV 1206封装103/1KV 1206封装2.2u/100V 1812封装473/250V 1206封装473/630V 1206封装10u/16V 1206封装10u/25V 1210封装22u/10V 1206封装22U/16V 1210封装以上都为X7R或X5R材质，容量精度为10%LED阻容降压用-（代替插件CBB）250V 224 1812封装250V 334 1812封装250V 474 1812封装250V 684 1812封装250V 105 1812封装500V 224 1812封装400V 105 2220封装以上都为X7R材质，耐125度高温无极灯我司专业生产高压高频贴片电容-高频无极灯专用(代替CBB) 规格主要有:1KV NP0 101 221 331 471 102。
100P 3KV NP0 1808/1812封装220P 3KV NP0 1808或1812封装-820P 2KV NP0 1812封装102 2KV NP0 1812封装100P 1KV NP0 1206封装220P 1KV NP0 1206封装470P 1KV NP0 1206封装102 1KV NP0 1206封装0.47u 100V X7R 1206封装0.68u 100V X7R 1206封装节能灯高压贴片电容-代替插件瓷片和薄膜电容缩小体积(节能灯专用) 规格主要有:223/100V 1206封装102/1KV 1206封装332/1KV 1206封装222/1KV 1206封装250V/473 1206封装400V/104 1210封装HID灯常用高压贴片电容和大容量贴片电容规格如下：1KV 100p 1206封装1KV 221 1206封装1KV 102 1206封装1KV 222 1206封装1KV 472 1206封装1KV 103 1206封装630V 104 1812封装10U/25V 1210封装10U/50V 1210封装以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。
贴片电容及电阻的识别方法
贴片元件的识别方法贴片元件的识别方法贴片元件由于体积小、自感系数小，安装容易(底板不需打孔)，因而被广泛采用。
但由于体积小，故型号或数值不可能完全标出，只能用代码表示。
下面向读者简要介绍几种贴片元件的识别方法。
一、贴片电阻贴片电阻有矩形和圆柱形两种(见图1)其中矩形贴片电阻基体为黄棕色，其阻值代码用白色字母或数字标注。
标注方法主要有两种：1．三位数字标注法这种标注阻值的方法是：其中第1、2位数字为有效数字，第3位数字表示在有效数字的后面所加“0”的个数，单位：Ω。
如果阻值小于10Ω，则以“R”表示Ω。
举例见表1。
2．一个字母和一位数字标注法这种标注方法是：在电阻体上标注一个字母和一个数字。
其中字母表示电阻值的前两位有效数字。
(详见表2)，字母后面的数字表示在有效数字后面所加“0”的个数，单位是“Ω”。
举例如表3所示。
关于圆柱形贴片电阻的阻值标注方法与传统带引线电阻的色环表示法完全相同，在此不再赘述。
二、贴片电容贴片电容的外形与贴片电阻相似，只是稍薄(见图2)。
一般贴片电容为白色基体，多数钽电解电容却为黑色基体，其正极端标有白色极性。
贴片电容像贴片电阻一样，也有片形和圆柱形两种，其中圆柱形贴片电容酷似贴片柱形电阻，只是通体一样粗，而电阻则两头稍粗。
贴片电容的数值标注方法主要有三种：1．一个字母和一个数字表示法这种方法是：在白色基线上打印一个黑色字母和一个黑色数字(或在方形黑色衬底上打印一个白色字母和一个白色数字)作为代码。
其中字母表示容量的前两位数字，详见表4。
后面的数字则表示在前面二位数字的后面再加多少个“0”。
单位“pF”。
举例见表5。
2．颜色和一个字母表示法这种方法是用电容上标一颜色加一个字母的组合来表示电容量。
其字母的含义仍见表4，其颜色则表示在字母代表的容量后面再添加“0”的个数，单位为“pF”，详见表6。
例如：红色后面还印有“Y”字母，则表示电容量为8．2×100=8．2pF，黑色后面带印有“H”字母，则表示电容量为2．0×10的1次方=20pF，白色后面加印有“N”字母，则表示该电容数值为3．3×10的3次访=3300pF。
贴片电容的计算方法
贴片电容的计算方法贴片电容在主板、高压板中、采用的主要有贴片陶瓷电容和钽电容。
电容一般多为黄色，电解电容稍大，陶瓷电容很小。
有的电容在，其中间标出有两个字符表示容量，大部分电容则未标出其容量。
主板、高压板中的电解电容，在其一端有一较窄的暗条，表示该端为其正极。
1、贴片陶瓷电容的容量标识码一般由1个或2个字母及1位数字组成。
当标识码是2个字母时，第一个字母标识生产厂商代码，例如，当第一个字母是K时，表示此陶瓷电容是由Kemet 公司生产的。
3位代码的第二个字母或两位代码的第一个字母代表电容容量中的有效数字，字母有效数字的对应关系见下表。
代码中最后的数字代表有效数字乖以10幂次，最后计算结果得到的电容量单位为PF。
例如，当电容上标识是S3时，查表可知“S”所对应的有效数字为4.7，“3”表示103，因此，S3表示此电容的容量为4.7×103PF，或4.7nF，面制造商不明。
再如，电容上的标识为KA2，K表示电容由Kemet公司生产，A2表示1.0×102PF，即100PF。
2、有些贴片电容采用3位数表示，单位为PF，前两位数字为有效数字，后一位数为有效数字乘以10的幂次。
若有小数点，则用P表示，如1P5表示1.5PF。
100表示10PF等。
误差用字母表示，C为±0.25PF，D为±0.5PF，F为±1%，J为±5%，K为±10%，M为±20%，I为－20%~80%。
3、贴片电解标示方法，采用3位数进行标注，单位为PF。
前两位为有效数，后一位数为有效数乘以10的幂次，如475表示4700000PF，即4.7uF。
直接进行标示，标出的参数主要有容量和耐压值，如10V6代表电解电容的容量为10uF，耐压为6V。
使用代码法，通常由1个字母和3个数字组成，字母表示电解电容的耐压值，而数字用来标明电解电容的电容量，单位为PF。
前两位数字代表电容量有有效数字，第3位数字代表有效数字乘以10的幂次。
陶瓷贴片电容破裂的原因
陶瓷贴片电容破裂的原因哎呀，说到陶瓷贴片电容，真的是让人又爱又恼啊！这个小小的东西，怎么看怎么不起眼，放在电路板上一点儿都不吸引眼球，但要是它出问题了，别说电路板啥都不干，整台机器都得“罢工”。
最让人头疼的就是，它突然裂开了！一个小小的裂纹，就能把整个系统搞得乱七八糟。
到底是怎么回事呢？哎，说来话长。
陶瓷贴片电容的破裂其实跟它的材质有关系。
大家可能不知道，陶瓷这个材料，脆是脆的，虽然看起来挺坚固，但一旦受到外力的冲击，它就会像玻璃一样，不留情面地碎裂。
就比如你用力摔了一下手机，它摔的角度对了，屏幕就裂了。
陶瓷电容也是一样，稍微碰一下，受力不均匀，它就爆裂了。
而且它受的力还不一定是直接打击，比如热胀冷缩，或者是电流冲击，这些都有可能导致电容“脆弱”发作。
你有没有遇到过那种电容看着正常，结果突然在电路板上爆了？这就是所谓的“过压”。
很多时候，电容的破裂和电压过高直接挂钩。
电路设计没做好，或者电流一时冲击太强，电容就承受不住了。
电压一过大，陶瓷材料就会开始承受极大的压力，这时候就很容易出现裂纹了。
这个时候，它可能就会爆裂，就像是我们忍不住被压力压得喘不过气来一样，直接崩溃。
有些人可能会忽略一点，那就是焊接问题。
你可能觉得“焊接一下嘛，能有啥事？”可实际操作起来，焊接不当也会让陶瓷电容破裂。
比如温度控制不好，或者焊接时间过长，这些都可能导致电容受到热应力的影响，从而产生裂缝。
有的时候，焊接时如果电容加热过度，或者突然冷却，也会让陶瓷电容内的微小结构发生变化，进而导致破裂。
说到这里，有没有一种“天啊，原来这么多原因！”的感觉？不过，陶瓷电容还容易裂开的原因其实也跟它的尺寸、使用环境息息相关。
我们知道，陶瓷电容一般是小巧精致的那种，外观看起来啥也没问题，但它的尺寸小，内部结构非常复杂，负担一旦加大就容易受损。
比如环境温度变化大，电容受冷热交替的影响，逐渐累积压力，也可能会导致它裂开。
如果电容工作在高温环境中，温度过高，陶瓷材料的性能就会下降，材料本身的结构变弱，也就更容易破裂。
风华中高压贴片电容规格书
MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR(:)DC Medium-voltage MLCCDC medium-voltage MLCC has good high-voltage reliability,it is made in special design that based on the MLCC technology and equipments.It is suitable for surface-mounting ,can improve the properties of circuits.New monolithic structureThe size of the capacitor is small,yet has high electrostatic capacitance,can operate at high-voltage levels.Has good solderability.Technology Parameter (refer to the picture below):DC-DC converter.The circuit filter and vibration bell of telephone,electrograph and modem.Snubber circuit for switching power supply.FeaturesApplicationsProduct Part Number Expression1206CG100J202NTWMULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORCapacitance RangeOutside DimensionWMULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORMULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORMULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORX7R 1808 (V)10018122225200 200 200 5001000 2000 3000 4000 100 500 1000 2000 3000 4000 100 500 1000 2000 3000 4000 5000 /250 /250 /250100PF 150PF 330PF 470PF 680PF 1000PF 1nF 2.2nF 3.3nF 4.7nF 6.8nF 10nF 12nF 15nF 22nF 27nF 33nF 39nF 47nF 56nF 68nF 100nF 120nF 150nF 220nF 270nF 330nF 470nF 680nF 1 F 2.2 F 3.3 F 10 F 22 F75【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】ItemX7R Medium-voltage MLCCDielectric 1808 1812 2225 Size Rated 100 200 5001000 2000 3000 4000 100 200 500 1000 2000 3000 4000 100 200 500 1000 2000 3000 4000 5000 /250 /250 Volatage(V) /250 Capacitance 100PF 150PF 330PF 470PF 680PF 1000PF 1nF 2.2nF 3.3nF 4.7nF 6.8nF 10nF 12nF 15nF 22nF 27nF 33nF 39nF 47nF 56nF 68nF 100nF 120nF 150nF 220nF 270nF 330nF 470nF 680nF 1 F 2.2 F 3.3. F 10 F 22 F76【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORY5V 0603 (V) 100 100 0805 200 250 100 1206 200 250 100 1210 200 250 100 1812 200 250 100 2225 200 2501000PF 1.5nF 2.2nF 3.3nF 4.7nF 6.8nF 10nF 12nF 15nF 22nF 27nF 33nF 39nF 47nF 56nF 68nF 100nF 150nF 220nF 270nF 330nF 390nF 470nF 680nF 820nF 1 F 2.2 3.3 10 F F F77【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】ItemY5V Medium-voltage MLCC 1210 100 200 250 100 1812 200 250 100 2225 200 250Dielectric 0603 0508 1206 Size Rated Volatage(V) 100 100 200 250 100 200 250 Capacitance 1000PF 1.5nF 2.2nF 3.3nF 4.7nF 6.8nF 10nF 12nF 15nF 22nF 27nF 33nF 39nF 47nF 56nF 68nF 100nF 150nF 220nF 270nF 330nF 390nF 470nF 680nF 820nF 1 2.2 3.3 10 F F F F78【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORCOG1-551251. 2. 3. 2 4. , , , , , 105.3 4 :HP4278A 1. 2. 5 (D.F.) 3. HP4284 25 5 :30% 75% 1.0 0.2V C<1000PF,1.0 0.1MHz; C 1000PF,1.0 0.1KHZ :10( :SF2511) >500V6I.R. 500V: , 60 5>1 5 7 >1 2 >1 21000V 1000V 2000V 2000V50mA 50mA 10mA 150+0/-10 60 55S 5S 5S824 2 -55 125 25975235 5 5 2 0.5 150+0/-10 5% 0.5PF, 10 1 D.F. 24 2 265 5 24 2 25 2.5mm/ : 25 2.5mm/ 60 524510I.R.1 2100 170120 2001 179【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】Middle and high Voltage COG MLCC reliability test methodNumber 1 Item Operating Temperature Range Appearance -55 Standard 125 Test Method21.Good ceramic body color continuity. 2.The chips have no visual damages and must be very smooth. 3.No exposed innerelectrode, no cracks or holes. 4.The outer electrode should have no cracks, holes, damages or surface oxidation. 5.Outer electrode no prolongation or the prolongation is less than half of that of the termination width. Within the specified dimensions Within the specified toleranceCr 5PF 0.56% -4 5PF Cr 50PF 1.5[(150/Cr)+7] 10 Cr 50PF 0.15%Check by using microscope10.3 4Dimensions Capacitance Dissipation Factor (DF) Insulation ResistanceUsing micrometer or vernier calipers Measuring Equipment:HP4278 capacitance meter,HP4284 capacitance, Measuring Conditions: 1.Measuring Temperature:25 5 .Humidity: 30%~75%. 2.Measuring Voltage:1.0 0.2V. 3.Measuring Frequency:C<1000PF 1.0 0.1MHz C 1000PF 1.0 0.1KHz Measuring Equipment:Insulation resistance meter (such as Sf2511 insulation resistance). Measuring Method:Must measure at rated voltage, and if Ur>500V,then just use 500V,measure the IR within 60 1 seconds. Ur Max. Current Measuring Time 1000V 1000V 2000V 2000V 50mA 50mA 10mA 5S 5S 5S56C<10nF,IR 5 10 C>10nF,IR CR 500S10Withstanding Voltage 7Requirement >1.5Ur >1.2Ur >1.2Ur8Must meet the capacitor Capacitance temperature coefficient Temperature requirements within the Characteristics operating temperature range. Solderability Tin coverage 75% should be of the outer electrode covered by Tin Appearance Cap. Change ratio No defects visible 5% or 0.5PF whichever is bigger Same as original standard Same as original standardFirst, pre-heat: heat treat 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Measure the capacitance at 55~125 or 55~85 , the capacitance change ratio comparing to that of 25 must be within the specified range. Dip the capacitor into ethanol or colophony solution, and then dip it into 235 5 eutectic solder solution for 2 0.5 seconds. Dipping speed: 25 2.5mm/second. First pre-heat: heat treat for 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Then pre-heat the capacitance according to the following chart. Dip the capacitor into 265 5 eutectic solder solution for 10 1 seconds. Then set it for 24 2 hours at room temperature, then measure. Dipping speed: 25 2.5mm/second. Preheat conditions: Stage Temperature Time 1 2 100 170 120 200 1minutes 1minutes9 Resistance to Soldering10DFIR80【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR1 10N11 10N,10 1 :1.0mm/ 11.5mm 10 D.F. 12 55Hz10 55Hz 10Hz 2 6 123 420 mmmm3mm mm mm mmmm150+0/-10 14 24 260 524 281【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItem Adhesive Strength of TerminationStandard No removal of the termination or other defect shall occurTest Method Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.1 using a eutectic solder.Then apply a 10N force inthe direction shown as the arrowhead.The soldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as heat shock,etc.11Fig.1 Vibration Resistance10N,10 1s Speed:1.0mm/s Glss epoxy resin board12Appearance No defects or Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin abnormities board). The capacitor should be subjected to a simple harmonic motion having a total amplitude of 1.5mm, the Capacitance Within the frequency being varied uniformly between the specified approximate limits of 10 and 55Hz, shall be traversed tolerance range (from 10 Hz to 55 Hz then 10 Hz again) in approximately 1 minute.This motion shall be applied for a period of 2 DF Same as hours in each 3 mutually perpendicular directions original (total is 6 hours). standardFig.2 Bending Resistance No cracks or other defects shall occur Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.3 using a eutectic solder. Then apply a force in the direction shown in Fig.4. The soldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as heat shock, etc. mmmm13mmmm mmmmTemperature Cycle 14Appearance No defects or abnormitiesPre-treatment: Heat-treat the capacitor for 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Perform five cycles according to the four heat treatments listed in the following table. Set it for 24 2 hours at room temperature, the measure.82【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR2.5% 0.25PF, min. 14 D.F. I.R. 10000M 1 2 3 4 2 3 30 2 30 2 3 3 3 34029095 24 2500+24/-05% 0.5PF, 15 ( ) D.F. I.R. 10000M1.5 50mA ( 5% 0.5PF, 16 .) >2000V100012 24 21.2D.F. I.R. 10000M83【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItems Temperature CycleStandard Cap. Change ratio 2.5% or 0.25PF whichever is larger Same as original standard More than 10000M Heat-treatment:Test MethodD.F. 14 I.R.Stage Temperature Time 1 lowest operating temperature 3 30 2 2 Room Temperature 3 Highes operating temperature 2 30 4 Room Temperature 2min. 3 3 3 3Humidity Steady State 15AppearanceNo defects or abnormities 5% or 0.5PF whichever is larger Same as original standard More than 10000M No defects or abnormities 5% or 0.5PF (whichever is larger) Same as original standard More than 10000MSet the capacitor for 500+24/-0 hours at the condition of 40 2 and 90-95% humidity. Then remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.Cap. Change ratioD.F.I.R. Life Test AppearanceCap. Change ratio 16Apply 1.5 times rated voltage to the capacitor for 1000 12 hours at the upper temperature limits, the charging current should be less than 50mA. Remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.(If Ur>2000V,apply 1.2times Ur to test)D.F.I.R.84【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORX7R1-551251. 2. 3. 2 4. , , , , , 105.3 4 : HP4278A HP42845(D.F.)25010-41.255:30% 75% 2. 3. : :1.0 :1.0 0.2V 0.1KHz ( :SF2511 ) >500V , 60 56I.R.C 25nF,IR 10000M C>25nF,R C 500S 500V:>1 5 7 >1 2 >1 21000V 1000V 2000V 2000V50mA 50mA 10mA5S 5S 5S150+0/-10 24 8 25 -55 125 2605235 9 75 245 5 25 2.5mm/ 2 0.5585【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】General X7R MLCC reliability test methodNumber 1 Item Operating Temperature Range Appearance -55 Standard 125 Test Method21.Good ceramic body color continuity. 2.The chips have no visualdamages and must be very smooth. 3.No exposed inner- electrode, no cracks or holes. 4.The outer electrode should have no cracks, holes, damages or surface oxidation. 5.Outer electrode no prolongation or the prolongation is less than half of the termination width. Within the specified dimensions Within the specified tolerance 250 10-4Check by using microscope10 .3 4Dimensions Capacitance Dissipation Factor (DF)5Using micrometer or vernier calipers Measuring Equipments: HP4278 capacitance meter, HP4284 capacitance, Measuring Conditions: 1.Measuring Temperature: 25 5 . Humidity: 30% 75%. 2.Measuring Voltage: 1.0 0.2V. 3.Measuring Frequency:1.0 0.1KHz Measuring Equipment: Insulation resistance meter (such as Sf2511 insulation resistance). Measuring Method: Must measure at rated voltage, and measure the IR within 60 1 seconds. Ur 1000V 1000V 2000V Max. Current Measuring Time 50mA 50mA 10mA 5S 5S 5SInsulation Resistance 6C 25nF,IR 10000M C>25nF,R C 500SWithstanding Voltage 7Requirement >1.5Ur >1.2Ur >1.2Ur2000V8Capacitance Temperature CharacteristicsMust meet the capacitor character temperature coefficient requirements within the operating temperature range. 75% of the outer electrode should be covered by TinFirst, pre-heat: heat treat 60 5 minutes at 150+0/-10 ,then set it for 24 2 hours at room temperature. Measure the capacitance at -55 125 ,the capacitance change ratio comparing to that of 25 must be within the specified range. Dip the capacitor into ethanol or colophony solution,and then dip it into 245 5 eutectic solder solution for 2 0.5 seconds. Dipping speed:25 2.5mm/second.Solderability 986【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR150+0/-10 10% D.F. 10 I.R. 25 : 10 1 24 2 26560 5 24522.5mm/1 2100 170120 2001 1110N11 10N,10 1 :1.0mm/ 11.5mm 10 D.F. 55Hz 55Hz 10Hz 1 2 12 6 1023 13 ( ) 487【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItemStandardTest Method First pre-heat: heat treat for 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Then pre-heat the capacitance according to the following chart. Dip the capacitor into 265 5 eutectic solder solution for 10 1s. Then set it for 24 2 hours at room temperature, then measure. Dipping speed: 25 2.5mm/second. Preheat conditions: Stage Temperature Time 1 2 100 170 120 200 1minute 1minuteResistance to Appearance No defects visible Soldering Cap. Change Within 10% ratio DF 10 IR Same as original spec. Same as original spec.Adhesive Strength of TerminationNo removal of the terminations or other defect shall occur11Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.1 using a eutectic solder. Then apply a 10N force in the direction shown as the arrowhead. The soldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as heat shock, etc. 10N,10 1s Speed:1.0mm/s Glss epoxy resinboardFig.1 Resistance to Soldering Appearance No defects visible or abnormities Capacitance Within the specified tolerance range D.F. 12 Same as original spec.Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board). The capacitor should be subjected to a simple harmonic motion having a total amplitude of 1.5mm, the frequency being varied uniformly between the approximate limits of 10 and 55Hz, shall be traversed (from 10 Hz to 55 Hz then 10 Hz again) in approximately 1 minute. This motion shall be applied for a period of 2 hours in each 3 mutually perpendicular directions (total is 6 hours).Fig.2 Bending Resistance No cracks or other defects shall occur Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.3 using a eutectic solder. Then apply a force in the direction shown as Fig.4. The soldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as heat shock, etc.1388【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR20 mmmmmm13mmmmmmmmmin. 20% 1 2 14 D.F. I.R. 3 4 2 3 30 2 30 2 3 3 3 340 20% 15 ( ) D.F. I.R.29095 48 2500+24/-01.5 20% .) 16 D.F. I.R 50mA ( >2000V100012 24 21.289【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItem Bending ResistanceStandardTest Methodmmmmmm13mm mmmmTemperature CycleAppearanceNo defects or abnormities 20%Cap. Change Within ratio 14Stage Temperature Time min. 1 Min. Operating Temperature 3 30 3 2 Room Temperature 2 3 3 Max. Operating Temperature 2 30 3 4 Room Temperature 2 3D.F.Same as original Specification Same as original Specification No defects or abnormities 20% Set the capacitor for 500+24/-0 hours at the condition of 40 2 and 90-95% humidity. Then remove and set it for 48 2 hours at room temperature, then measure.I.R.Humidity Steady StateAppearanceCap. Change within ratio D.F.15 I.R. Life Test AppearanceSame as original Specification Same as original Specification No defects or abnonrmities 20% Apply 1.5 times rated voltage to the capacitor for 1000 12 hours at the upper temperature limits, the charging current should be less than 50mA. Remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.(If Ur>2000V,apply 1.2Ur to test.)Cap. Change within ratio 16 D.F.Same as original specification Same as original specificationI.R.90【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORY5V1-25~851. 2. 3. 2 4. 5. , , , , ,103 4 : HP4278A 1. 5 (D.F.) 500 10-4HP4284 25 5 75% 0.2V 0.1kHz:30% 2. 3. : :1.0 :1.06I.R.C 25nF,IR 40000M C>25nF,R C 500S( : ,: SF2511 60 5)7>300V >400V >500V100V 200V 250V50mA 50mA 50mA5S 5S 5S150+0/-10 8 24 -25 85 2605 25975235 25 0.52455 25 2.5mm/91【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】General Y5V MLCC reliability test methodNumber 1 Item Operating Temperature Range Appearance -25 85 Standard Test Method21.Good ceramic body color continuity. 2.The chips have no visualdamages and must be very smooth. 3.No exposed inner- electrode, no cracks or holes. 4.The outer electrode should have no cracks, holes, damages or surface oxidation. 5.Outer electrode no prolongation or the prolongation is less than half of that of the termination width. Within the specified dimensions Within the specified tolerance 500 10-4Check by using microscope10.3 4Dimensions Capacitance) Dissipation Factor (DF)Using micrometer or vernier calipers Measuring Equipments: HP4278 capacitance meter, HP4284 capacitance, Measuring Conditions: 1.Measuring Temperature: 25 5 . Humidity: 30% 75%. 2.Measuring Voltage: 1.0 0.2V. 3.Measuring Frequency: 1.0 0.1KHz Measuring Equipment: Insulation resistance meter (such as Sf2511 insulation resistance). Measuring Method: Must measure at rated voltage, and measure the IR within 60 5seconds. Ur 1000V 1000V 2000V Max. Current Measuring Time 50mA 50mA 10mA 5S 5S 5S5Insulation Resistance 6C 25nF,IR 40000M C>25nF,R C 500SWithstanding Voltage 7Requirement >1.5Ur >1.2Ur >1.2Ur2000VCapacitance Temperature Characteristics 8Must meet the capacitor temperature coefficient requirements within the operating temperature range.First, pre-heat: heat treat 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Measure the capacitance at 55 125 or 55 85 ,the capacitance change ratio comparing to that of 25 must be within the specified range. Dip the capacitor into ethanol or colophony solution,and then dip it into 235 5 (or 245 5 leadless eutectic solder solution) eutectic solder solution hanging lead for 2 0.5seconds. Dipping speed: 25 2.5mm/second.Solderability 975% of the outer electrode should be covered by Tin92【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR150+0/-10 30% D.F. I.R. 10 60 5 24 22655 24 2 25 2.5mm/ :1011 2100 170120 200 11 110N11 10N,10 1 :1.0mm/ 11.5mm D.F. 10 55Hz 12 55Hz 10Hz 1 2 6 1023 ( 13 ) 493【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItemStandardTest Method First pre-heat: heat treat for 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Then pre-heat the capacitance according to the following chart. Dip the capacitor into 265 5 eutectic solder solution for 10 1s. Then set it for 24 2 hours at room temperature, then measure. Dipping speed: 25 2.5mm/second. Preheat conditions: Stage Temperature Time 1 2 100 170 120 200 1minute 1minuteResistance to Appearance No defects visible Soldering Cap. Change Z5U, Y5V: within ratio DF 10 IR30%Same as original spec. Same as original spec.Adhesive Strength of TerminationNo removal of the terminations or other defects shall occur11Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.1 using a eutectic solder. Then apply a 10N force in the direction shown as the arrowhead. The soldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as heat shock, etc. 10N,10 1s Speed:1.0mm/s Glss epoxy resinboardFig.1 Resistance to Soldering Appearance No defects visible or abnormities Capacitance Within the specified tolerance range D.F. 12 Same as original spec.Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board). The capacitor should be subjected to a simple harmonic motion having a total amplitude of 1.5mm, the frequency being varied uniformly between the approximate limits of 10 and 55Hz, shall be traversed (from 10 Hz to 55 Hz then 10 Hz again) in approximately 1 minute. This motion shall be applied for a period of 2 hours in each 3 mutually perpendicular directions (total is 6 hours).Fig.2 Bending Resistance No cracks or other defects shall occur Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.3 using a eutectic solder. Then apply a force in the direction shown as Fig.4. The soldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as heat shock, etc.1394【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR20 mm mmmm13mm mmmmmm30%min. 1 2 3 4 3 2 30 2 30 2 3 3 3 3D.F. 14 I.R.40 30%29095 48 2500+24/-015()D.F. I.R.30% 16 D.F. I.R 48 21.5 50mA10001295【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItem Bending ResistanceStandardTest Methodmmmm13mmmmmmmmTemperature CycleAppearanceNo defects or abnonrmities 2.5Cap. Change Within ratio 14Stage Temperature Time 30 1 Min. Operating Temperature 3 2 Room Temperature 2 3 Max. Operating Temperature 2 30 4 Room Temperature 2min. 3 3 3 3D.F.Same as original spec. Same as original spec. No defects or abnonrmities Set the capacitor for 500+24/-0 hours at the condition of 40 2 and 90-95% humidity. Then remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.I.R.Humidity Steady State 15AppearanceCap. Change within 30% ratio Same as D.F. original spec. I.R. Same as original spec. No defects or abnonrmities 30%Life TestAppearanceCap. Change within ratio 16 D.F.Same as original spec. Same as original spec.Apply 1.5 times rated voltage to the capacitor for 1000 12 hours at the upper temperature limits, the charging current should be less than 50mA. Remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.I.R.96。
贴片电容承认检验规格书
2、外观要求：
2.1、检查来料电容的包装方式。
2.2、样品电容的外形及颜色应与图纸所描述的相一致；电容本体无磨损，破裂，变形等不良现象；电容的电极（用于焊接的端子）应无氧化，脏污，断裂等不良现象。
4.4.1、测试前测试电容的初始阻值，DF值和绝缘电阻；
4.4.2、用耐压测试仪测试其耐压值(耐压值的大小和测试条件参考图纸)，记录测试情况．测试方法：用耐压机(型号:19053或相近精度的仪器型号)的探针接触电容两端施以电压；
4.4.3、试验后电容外观无损伤，烧毁现象且电气特性也没有破坏，即其电容量，DF值和绝缘电阻在图纸规定的范围内；
2、委派经培训合格的检验人员进行测量和实验工作。
3、配备合适且经过校对合格的检验仪器和相关的工具和夹具。
4、准备所需要的文件、资料(如图纸、规格书、数据记录表格等等)，理解清楚后方可进行检验工作。
四、一般规格：
1、功能要求：零件的设计、结构和尺寸按照相应的零件图纸；
2、存储环境：密封包装，温度40℃以下，相对湿度：75%以下；
4.7、冷热冲击：
试验前测试贴片电容的初始容量，DF值和绝缘电阻，然后将电容放入冷热冲击箱中，温度:电容型号：NPO、X7R、X5R设置-55℃±3℃,30分钟（Y5V:-25,Z5U:+10）；再转换至标准大气条件2~3分钟；再转换到电容型号：NPO、X7R、X5R设置125℃±3℃,30分钟（Y5V\Z5U:85℃）；再转换至标准大气条件2~3分钟；转换时间:最久5分钟；暴露次数:5次.物品应置于标准大气条件中24±1H后再进行测量动作。
2.3、样品电容的材质应与图纸所描述的相一致。
赫威斯高压陶瓷电容
赫威斯高压陶瓷电容
赫威斯（Hermetic）高压陶瓷电容通常指的是一种密封性能优良的高压陶瓷电容器。
这些电容器通常用于需要长期稳定性和可靠性的高压应用，例如电源电路、医疗设备、军事设备等领域。
以下是关于赫威斯高压陶瓷电容的一些特点和优势：
1.密封性能：赫威斯高压陶瓷电容具有优异的密封性能，能够有效地防止外部环境中的湿气、灰尘等物质侵入电容器内部，从而保证其长期稳定的性能。
2.高压性能：这种类型的电容器能够承受较高的工作电压，通常可达到数千伏甚至数十千伏的电压等级，适用于高压电源和电路的应用。
3.稳定性：赫威斯高压陶瓷电容具有良好的温度稳定性和频率稳定性，能够在广泛的温度范围和频率范围内保持其性能。
4.耐久性：由于其密封性能和材料特性，这种类型的电容器通常具有较长的使用寿命和良好的耐久性，能够在恶劣的环境条件下工作。
5.应用领域：赫威斯高压陶瓷电容广泛应用于需要高压稳定性和可靠性的领域，例如医疗设备、通信设备、航空航天器件、高压电源和电路等。
总的来说，赫威斯高压陶瓷电容在各种高压应用中发挥着重要作用，其优异的性能和可靠性使其成为许多领域的首选元件之一。
贴片陶瓷电容耐压
+/-5% +/-5% +/-5% +/-10% +/-10% +/-10% +/-10% +/-10% +80-20% +80-20% +80-20% +80-20%
50V 25V 16V 50V 25V 16V 10V 6.3V 50V 25V 16V 10V
到0.01UF.
0805的贴片电容X7R 材质最高容量只能做 到4.7UF.
容量范围 1PF~9PF 1PF~9PF 10PF~220PF 270PF~470PF 120PF~4700PF 5600PF~8200PF 0.01UF~0.022UF 0.027UF~0.1UF
容量偏差 工作电压 +/-0.25PF +/-0.5PF +/-5% +/-5% +/-10% +/-10% +/-10% +/-10% 50V 50V 50V 25V 50V 25V 16V 10V 50V 25V 16V 10V
尺寸 0402 0402 0402 0402 0402 0402 0402 0402 0402 0402 0402 0402 尺寸 0603 0603 0603 603 0603 0603 0603 0603 0603 0603 0603 0603 0603 尺寸 0805 0805
材质 NPO NPO NPO NPO X7R X7R X7R X7R Y5V Y5V Y5V Y5V 材质 NPO NPO NPO NPO X7R X7R X7RO NPO
0603的贴片电容X7R 材质最高容量只能做 到1UF耐壓16V
18000PF~0.068UF +/-10%
高压瓷片陶瓷电容
高压瓷片陶瓷电容
高压瓷片陶瓷电容是一种新型的电容器，主要用于高压应用，尤其是高压电机和调压器。
其特点是其容量大、损热少、抗振性能佳、绝缘性能可靠等优点。
高压瓷片陶瓷电容的主要的特点，首先它的尺寸小、重量轻，容易安装，而且它的绝缘性能优良，耐压也非常高，一般可达2KV以上，能满足大多数应用场合的要求。
此外，它的耐暴露性能优良，可以把焊接后电容暴露在空气中，只要在操作中注意防止水分、增加夹子的数量，就能保证良好的绝缘效果。
此外，高压瓷片陶瓷电容的其他优点还包括低介电常数，不但可以减少元件有效容量，而且还能降低系统内部阻抗，使得电路电阻变小，从而提高高频谐振电路的容量，更好地达到电路的设计效果。
最后，高压瓷片陶瓷电容还具有抗振、一次放电性能稳定，可以有效防止设备接触器烧坏、磨损、短路，从而可以提高设备使用寿命和使用可靠性，是高压电机和调压器的理想电容器。
综上所述，高压瓷片陶瓷电容具有极好的特性，提高了高压应用的性能，在高压电机和调压器应用中表现出极好的效果，受到越来越多用户的认可与青睐。
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EIA CC2220 [C5750]
C0G 代码
103 123 153 183 223 273 333 J:±5%
3A (1KV)
标称厚度 2.80 mm
为了能够更加正确、安全地使用产品，请务必索取能进一步确认详细特性、规格的采购规格书。 记载内容可能因为产品改良等原因不经预告而更改，恕不另行通知。
目录型号 C1608C0G1E103J(080AA) C1608C0G1E103J080AA
交货型号 （交货标签上的标识） C1608C0G1E103JT000N C1608C0G1E103JT000N
20160829 / mlcc_reminders.fm
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MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS
注意 ： 伴随网站的更新， 由于系统限制的原因以及统一产品目录型号的需要， 从 2013 年 1 月开始， TDK 将在产品目录中 使用新型号。 新目录型号将在以后所有根据产品目录订货时使用， 但不适用于 OEM 订购。目录型号的最后 5 个与 产品标签上的交货型号 （内部控制编号） 不同， 请注意。 详细信息请联系当地 TDK 销售代表。 ( 构成例 ) 产品目录发行日期 2012 年 12 月以前 2013 年 1 月及以后
3F (3KV)
标称厚度 1.30 mm 1.60 mm
K:±10% M:±20%
2.00 mm 2.30 mm 2.50 mm
电容 范围图
电容范围图 温度特性 : C0G (0±30ppm/ ℃ ) 额定电压 : 1KV (3A) 电容 电容容差 (pF)
10,000 12,000 15,000 18,000 22,000 27,000 33,000
200
C0G CH JB X7R
0±30 ppm/ 0±60 ppm/ ±10% ±15%
-55 to +125 -25 to +85 -25 to +85 -55 to +125
(
3A 3D
)
1,000V 2,000V 3F 3,000V
(pF)
Ex. 100=10pF 101=100pF 333=33,000pF
JB 3A (1KV)
X7R 3D (2KV) 3A (1KV)
3F (3KV)
标称厚度 0.85 mm 1.10 mm 1.30 mm
K:±10% M:±20%
1.60 mm 2.00 mm
为了能够更加正确、安全地使用产品，请务必索取能进一步确认详细特性、规格的采购规格书。 记载内容可能因为产品改良等原因不经预告而更改，恕不另行通知。
形状与尺寸
L
W
T
L W T B G 主体长度 主体宽度 主体高度 端子宽度 端子间距
G B
C 4532 X7R 3
L x W (mm)
C3225 C4520 C4532 C5750 3.20 ± 0.40 4.50 ± 0.40 4.50 ± 0.40 5.70 ± 0.40 2.50 ± 0.30 2.00 ± 0.30 3.20 ± 0.40 5.00 ± 0.40 0.20 min. 0.20 min. 0.20 min. 0.20 min.
100 120 150 180 220 270 330 2,200 4,700 10,000
EIA CC1812 [C4532]
C0G 代码
101 121 151 181 221 271 331 222 472 103 K:±10%
CH 3F (3KV) 3D (2KV)
JB 3A (1KV)
X7R 3D (2KV) 3A (1KV)
F J K M
± 1pF ± 5% ± 10% ± 20%
085 110 130 160 200 230 250 280
0.85 mm 1.10 mm 1.30 mm 1.60 mm 2.00 mm 2.30 mm 2.50 mm 2.80 mm
A K
178mm 178mm
4mm 8mm
A C
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August 2016
积层贴片陶瓷片式电容器
C 系列 一般等级 高耐压 （1000V and over
Type:
C3225 [EIA CC1210] C4520 [EIA CC1808] C4532 [EIA CC1812] C5750 [EIA CC2220]
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MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS
20160829 / mlcc_commercial_highvoltage_zh.fm
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MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS
电容 范围图
电容范围图 温度特性 : C0G (0±30ppm/ ℃ )、 CH (0±60ppm/ ℃ )、 JB (±10%)、 X7R (±15%) 额定电压 : 3KV (3F)、 2KV (3D)、 1KV (3A) 电容 电容容差 (pF)
20160829 / mlcc_commercial_highvoltage_zh.fm
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MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS
电容 范围图
电容范围图 温度特性 : C0G (0±30ppm/ ℃ ) 额定电压 : 1KV (3A) 电容 电容容差 (pF)
1,000 1,200 1,500 1,800 2,200 2,700 3,300 3,900 4,700 5,600 6,800 8,200 10,000 12,000 15,000 18,000 22,000
EIA CC1210 [C3225]
C0G 代码
102 122 152 182 222 272 332 392 472 562 682 822 103 123 153 183 223 J:±5%
用途
• • • • • •
带液晶背光的逆变电路 LAN 网卡 一般高耐压电路 电源噪音旁通 LAN 收发机 集线器等
注意事项
• 建议在电路板上预留 1mm 的缝隙， 方便在焊接后清除多余的助焊剂。 • 确保清洗后使产品完全干燥。 • 因为本产品会承受高压， 只能使用低活性松香助焊剂 （氯含量最多为 0.2％） 。 • 因为热应力级别高， 在铝电路板上使用本产品时应作为特殊应用。 • 使用铝电路板时， 请与本公司联系。
20160829 / mlcc_commercial_highvoltage_zh.fm
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MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS
电容 范围表
种类 1 （温度补偿用） 温度特性 : C0G （-55 ～ +125 ℃、 0±30ppm/ ℃）
电容 10 pF 12 pF 15 pF 18 pF 22 pF 27 pF 33 pF 39 pF 47 pF 56 pF 68 pF 82 pF 100 pF 120 pF 150 pF 180 pF 220 pF 270 pF 330 pF 1 nF 1.2 nF 1.5 nF 1.8 nF 2.2 nF 2.7 nF 3.3 nF 3.9 nF 4.7 nF 5.6 nF 6.8 nF 8.2 nF 10 nF 12 nF 15 nF 18 nF 22 nF 27 nF 33 nF 尺寸 4520 4520 4520 4520 4520 4520 4520 4520 4520 4520 4520 4520 4520 4532 4532 4532 4532 4532 4532 4532 3225 3225 3225 3225 3225 3225 3225 3225 3225 3225 3225 3225 3225 5750 3225 5750 3225 5750 3225 5750 3225 5750 5750 5750 厚度 （mm） 0.85 ± 0.15 0.85 ± 0.15 1.10 ± 0.20 1.10 ± 0.20 1.10 ± 0.20 1.60 ± 0.20 1.60 ± 0.20 1.60 ± 0.20 1.60 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 1.60 ± 0.20 1.60 ± 0.20 1.60 ± 0.20 1.60 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.30 ± 0.20 2.50 ± 0.30 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.00 ± 0.20 2.30 ± 0.20 2.50 ± 0.30 2.80 ± 0.30 2.50 ± 0.30 2.80 ± 0.30 2.50 ± 0.30 2.80 ± 0.30 2.50 ± 0.30 2.80 ± 0.30 2.50 ± 0.30 2.80 ± 0.30 2.80 ± 0.30 2.80 ± 0.30 电容容差 ± 1pF ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 10% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% ± 5% 目录型号 额定电压 Edc: 3KV