单向晶闸管及其应用
可控硅-晶闸管的几种典型应用电路
可控硅-晶闸管的几种典型应用电路描述：ＳＣＲ半波整流稳压电源。
如图４电路，是一种输出电压为＋１２Ｖ的稳压电源。
该电路的特点是变压器Ｂ将２２０Ｖ的电压变换为低压（１６～２０Ｖ），采用单向可控硅ＳＣＲ半波整流。
ＳＣＲ的门极Ｇ从Ｒ１、Ｄ１和Ｄ２的回路中的Ｃ点取出约１３．４Ｖ的电压作为ＳＣＲ门阴间的偏置电压。
电容器Ｃ１起滤波和储能作用。
在输出ＣＤ端可获得约＋１２Ｖ的稳压。
晶闸管，又称可控硅（单向ＳＣＲ、双向ＢＣＲ）是一种４层的（ＰＮＰＮ）三端器件。
在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。
在这里，笔者介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。
１．锁存器电路。
图１是一种由继电器Ｊ、电源（＋１２Ｖ）、开关Ｋ１和微动开关Ｋ２组成的锁存器电路。
当电源开关Ｋ１闭合时，因Ｊ回路中的开关Ｋ２和其触点Ｊ－１是断开的，继电器Ｊ不工作，其触点Ｊ－２也未闭合，所以电珠Ｌ不亮。
一旦人工触动一下Ｋ２，Ｊ得电激活，对应的触点Ｊ－１、Ｊ－２闭合，Ｌ点亮。
此时微动开关Ｋ２不再起作用（已自锁）。
要使电珠Ｌ熄灭，只有断开电源开关Ｋ１使继电器释放，电珠Ｌ才会熄灭。
所以该电路具有锁存器（Ｊ－１自锁）的功能。
图２电路是用单向可控硅ＳＣＲ代替图１中的继电器Ｊ，仍可完成图１的锁存器功能，即开关Ｋ１闭合时，电路不工作，电珠Ｌ不亮。
当触动一下微动开关Ｋ２时，ＳＣＲ因电源电压通过Ｒ１对门极加电而被触发导通且自锁，Ｌ点亮，此时Ｋ２不再起作用，要使Ｌ熄灭，只有断开Ｋ１。
由此可见，图２电路也具有锁存器的功能。
图２与图１虽然都具有锁存器功能，但它们的工作条件仍有区别：（１）图１的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其Ｊ线圈和Ｌ的电流，但图２中，是利用ＳＣＲ自身导通完成锁存功能。
（２）图１的Ｊ与控制器件Ｌ完全处于隔离状态，但图２中的ＳＣＲ与Ｌ不能隔离。
所以在实际应用电路中，常把图１和图２电路混合使用，完成所需的锁存器功能。
２．单向可控硅ＳＣＲ振荡器。
图３电路是利用ＳＣＲ的锁存性制作的低频振荡器电路。
单向晶闸管与双向晶闸管的区别
单向晶闸管与双向晶闸管的区别
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摘要: 晶闸管是回一个可以控导点开关，能以弱电去控制强电的各种电路。
晶闸管常用于整流，调压，交直流变化，开关，调光等控制电路中。
具
有提交小，重量轻，耐压高，容量大，效率高，控制灵敏，寿命长，而且操
作非常方便等...
晶闸管是回一个可以控导点开关，能以弱电去控制强电的各种电路。
晶闸管常用于整流，调压，交直流变化，开关，调光等控制电路中。
具有提交
小，重量轻，耐压高，容量大，效率高，控制灵敏，寿命长，而且操作非常
方便等优点。
晶闸管的种类很多，有单/双向晶闸管，可关断晶闸管，快速晶闸管，光控晶闸管等多种，而目前应用最多的就是单向晶闸管和双向晶闸管
两种；常用的两种晶闸管到底有什幺不同之处呢，下面来详细做一些对比说明：
1.单向晶闸管
单向晶闸管是由4 块半导体材料P1，N1,P2，N2 构成的3 个PN 结，并分别用J1，J2，J3 表示，从P1 引出的引脚是阳极的，用A 表示；从N2 引出的是阴极的，用K 表示；从P2 引出的是门极，用G 表示（文字符号用。
晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用
上海交通职业技术学院学生毕业论文毕业论文题目晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用专业港口物流设备与自动控制学号0910032姓名指导老师目录目录 (1)摘要 (2)1 绪论 (3)1.1 课题背景及发展方向 (3)1.2 本文主要工作 (3)2 晶闸管元件 (4)2.1晶闸管元件简介 (4)2.1.1.单向晶闸管的工作原理和主要参数 (4)2.1.2 双向晶闸管的工作原理和主要参数 (7)3.晶闸管的应用 (10)3.1 单相半波可控整流电路 (11)3.1.1电阻性负载 (11)3.1.2电感性负载及续流二极管 (13)3.1.3反电动势负载 (17)结束语 (19)参考文献 (20)致谢 (21)晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用李坤清摘要：晶闸管是晶体闸流管的简称，俗称可控硅整流器（SCR ,SiliconControlled Rectifier）,简称可控硅，其规范术语是反向阻断三端晶闸管。
晶闸管是一种既具有开关作用，又具有整流作用的大功率半导体器件，应用于可控整流变频、逆变及无触点开关等多种电路。
对它只要提供一个弱点触发信号，就能控制强电输出。
所以说它是半导体器件从弱电领域进入强电领域的桥梁。
目前为止，晶闸管是电子工业中应用最广泛的半导体器件，尽管有各种不同的新型半导体材料不断出现，但半导体材料中98%仍是硅材料，硅材料仍是集成电路产业的基础，其中晶闸管具有体积小、重量轻、功率高、寿命长等优点而得到广泛应用。
晶闸管的作用主要有以下几种，1.变流整流，2.调压，3. 变频，4.开关（无触点开关）。
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。
如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。
在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。
这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。
晶闸管的发展及其应用
目 录第一章 电力电子技术简介及其器件发展 (1)第二章 晶闸管 (2)2.1 晶闸管的产生及符号 (2)2.2晶闸管的导通与关断条件 (3)2.3 晶闸管的工作原理 (4)2.4 晶闸管的阳极伏安特性 (5)2.5 晶闸管的主要参数 (6)2.5.1 晶闸管的重复峰值电压 (7)2.5.2晶闸管的额定通态平均电流额定电流T I （AV ） (7)2.6 通态平均电压T U （AV ） (8)2.7 门极触发电压GT U 和门极触发电流GT I (8)2.8 维持电流H T (9)2.8 掣住电流L I (9)2.9 断态电压临界上升率du ／dt (9)2.10 通态电流临界上升率di ／dt (10)第三章 双向晶闸管及其派生晶闸管 (11)3.1 双向晶闸管 (11)3.2 快速晶闸管 (12)3.4 光控晶闸管 (13)第四章 晶闸管的保护与串并联使用 (14)4.1 过电压保护 (14)4.1.1操作过电压 (14)4.1.2雷击过电压 (15)4.1.3换相过电压 (15)4.1.4关断过电压 (15)4.2 过电压保护措施 (15)4.2.1操作过电压的保护 (15)4.2.2浪涌（雷击）过电压的保护 (15)4.2.3 过电流保护 (17)4.4 晶闸管的串、并联 (18)第五章 晶闸管应用实例 (19)5.1 单相全控桥式整流电路 (19)5.2 三相全控桥式整流电路 (20)总结 (22)参考文献 (23)第一章电力电子技术简介及其器件发展第一章电力电子技术简介及其器件发展电力电子技术，即由国际电工委员会命名的，一门将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域，利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路进而实现电能的变换和控制的完整学科。
突出对“电力”的变换，变换的功率可以大到数百甚至数千兆瓦，也可以小到几瓦或更小。
电力电子技术包括电力电子器件、变流电路和控制技术3个部分，其中电力电子器件是基础，变流电路是电力电子技术的核心。
可控硅的使用-可控硅用法-可控硅（晶闸管）的特性与使用方法
可控硅的使用-可控硅用法-可控硅（晶闸管）的特性与使用方法对单向可控硅(晶闸管)来说，当栅极电压达到门限值ＶＧＴ且栅电流达到门限值ＩＧＴ时，可控硅(晶闸管)被触发导通。
当触发电流的脉宽较窄时，则应提高触发电平。
当负载电流超过单向可控硅(晶闸管)的闩电流ＩＬ时，即使此时的栅电流减为零，可控硅(晶闸管)仍能维持导通状态。
为了保证电路在环境最低温度下也能正常工作，则要求驱动电路能提供足够高的电压、电流及占空比的控制信号。
高灵敏度的单向可控硅(晶闸管)，会在高温下因阳－阴极间的漏电流而误触发，应确保不超过ＴＪＭＡＸ。
可靠地关断单向可控硅(晶闸管)，负载电流必须降到低于保持电流ＩＨ，并维持一定的时间。
标准的双向可控硅(晶闸管)既可被栅极的正向电流触发，也能被栅极的反向电流触发，它可以在四个象限内导通。
在负载电流为零时，最好用反相的直流或单极性脉冲的（栅极）电流触发。
在通常的交流相位控制电路中，如电灯调光器和家用马达调速器等，可控硅(晶闸管)Ｇ与ＭＴ２的极性要一致，在设计可控硅(晶闸管)时要避免在３＋区域内工作（ＭＴ２为－，Ｇ为＋）。
值得注意的是，双向可控硅(晶闸管)可能在一些意想不到的情况下触发导通，其后果有些问题不大，而有些则有潜在的破坏性。
１．栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过ＶＧＴ，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。
应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。
当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。
在然后Ｇ与ＭＴ１之间加一个１ｋΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个１００ｎＦ的电容，来滤掉高频噪声。
２．关于转换电压变化率当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。
当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。
所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。
如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而被迫使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。
第八章 晶闸管及其应用
第三节 晶闸管的触发电路
（2）当 vC 下降到使 vE = vC < VV 时，单结晶体管截止，放电 结束。以后电容又充电，重复上述过程。
第三节 晶闸管的触发电路
3．波形图
移相：调节 RP 值可以调整电容充电的快慢，从而改变输出脉 冲的频率，也即改变触发脉冲产生的时间，这一过程称为移相。
第三节 晶闸管的触发电路
v A [ Rb1 / ( Rb1 Rb2 )]vBB vBB
：称为分压比， 一般在 0.3 ~ 0.9 之间。
第三节 晶闸管的触发电路
4．伏安特性 （1）vE ≤ vA ，PN 结反偏， 单结晶体管处于截止状态。 （2） vE > vA ，若 vE vBB 0.7 V VP 则单结晶 体管 导通，VP 称为单结晶体管的峰值电 压。以后随着 vE 减小，电流 iE 反而 增加，呈现负阻特性。 （3）当 vE 减小至 Vv 后，随着电流 iE 的进一步增加， vE 开 始增加但增加速度慢，单结晶体管进入饱和区。
稳压削波作用：一是可以使单结晶体管的电源电压相对稳定， 以提高触发脉冲的稳定性。二是可以增大移相控制的范围。
第三节 晶闸管的触发电路
2．触发移相控制 如果 RP 调小，电容 C 充电就加快， vC上升到 VP 的时间就变 短，出现第一个脉冲的时间就提前， 角变小， 角变大，晶闸 管输出电压的平均值 VO 就增大。反之， RP 调大， VO 就减小。
控制极触发电压vg和触发电流ig四晶闸管的型号及含义用a??i表示04??12v范围正反向重复峰值电压等级额定通态平均电流系列普通的反向阻断型表示晶体管kp通态平均电压组别共9级第一节单向晶闸管一单向半波可控整流电路第二节单向晶闸管的应用1
第八章
单向晶闸管等效电路-概述说明以及解释
单向晶闸管等效电路-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容：单向晶闸管（SCR），又称为可控硅，是一种广泛应用于电力电子领域的器件。
它具有可控性强、可靠性好、耐高压等特点，被广泛应用于电压和电流控制、能量转换以及电力传输等领域。
单向晶闸管的出现，使得电力系统的控制和调节更加灵活方便。
本文旨在深入研究和探讨单向晶闸管的等效电路模型，以了解其在电路中的作用和工作原理。
通过对单向晶闸管的原理、等效电路模型以及其特点的总结，我们可以进一步探讨其在电力电子技术领域的应用前景和发展趋势。
在接下来的正文部分，我们将首先介绍单向晶闸管的原理，包括其基本结构和工作原理。
然后，我们会重点讨论单向晶闸管的等效电路模型，以便更加清楚地描述其在电路中的行为和特性。
通过深入了解单向晶闸管的等效电路模型，我们可以更好地理解其在电力电子系统中的应用和控制方法。
最后，文章将总结单向晶闸管的特点和优势，并展望其在电力电子技术领域的应用前景。
随着科技的不断发展，单向晶闸管在能量转换、电力传输和电路控制等领域将发挥越来越重要的作用。
对于电力系统的稳定运行和能源的高效利用，单向晶闸管的进一步研究和应用具有重要的意义。
本文的目的是通过对单向晶闸管的原理和等效电路模型的介绍，帮助读者了解和掌握单向晶闸管在电力电子领域的应用。
希望读者能够通过本文的学习，对单向晶闸管有更深入的认识，并进一步探索其在电力电子技术领域中的创新应用。
文章结构部分的内容主要是介绍整篇文章的组织结构，以帮助读者理清思路和掌握文章的脉络。
下面是文章结构部分的内容：1.2 文章结构本文共分为三个部分：引言、正文和结论。
下面将对每个部分的内容进行简要介绍。
引言部分（第1节）主要对单向晶闸管等效电路的研究背景和意义进行概述。
首先介绍晶闸管在电力电子领域中的重要性，以及单向晶闸管作为一种重要的电子元器件在各个领域中的广泛应用。
然后引出本文的研究目的，并简要阐述文章的结构和各个部分的主要内容。
第9章 晶闸管电路及其应用..
二、晶闸管的主要参数
1. 晶闸管的电压参数
（1）正向转折电压UBO（Forward break over voltage）
在额定结温（100A以上为115℃，50A以下为100℃）和门 极开路的条件下，阳极和阴极间加正弦半波正向电压使器件由 阻断状态发生正向转折变成导通状态所对应的电压峰值。
（2）断态重复峰值电压UDRM（Blocking recurrence peak voltage） 指门极开路，晶闸管结温为额定值，允许重复施加在晶 闸管上的正向峰值电压。重复频率为每秒50次，每次持续时 间不大于10ms，其值为 UDRM = UBO—100V
（3）反向转折电压UBR 就是反向击穿电压。 （4）反向重复峰值电压URRM 指门极开路，晶闸管结温为额定值，允许重复施加在晶 闸管上的反向峰值电压。
U M和URRM中较小者，再取相应于标准电压等级 中偏小的电压值作为晶闸管的标称额定电压。在1000V以下， 每100V一个等级；在1000~3000V，则是每200V一个等级。为 了防止工作中的晶闸管遭受瞬态过电压的损害，通常取电压安 全系数为2~3，例如器件在工作电路中可能承受到的最大瞬时 值电压为UTM，则取额定电压UT=（2~3）UTM。 （6）通态正向平均电压UF
流），在不同的门极触发电流IG作用下经不同的转折电压UBO
和负阻区（电流增加，电压减小），到达正向导通状态（低 电压，大电流）。
正向导通特性和一般二要管的正向导通特性一样，门极
触发电流IG越大，转折电压UBO越低。
当IG=0时，晶闸管正向电压UAK增大到转折电压UBO前，器 件处于正向阻断状态，其正向漏电流随UAK电压增高而逐渐增 大，当UAK达到UBO时管子将突然从阻断状态转为导通状态， 导通后器件的特性与整流二极管正向伏安特性相似。 当通入门极电流IG且足够大时，正向转折电压降至极小， 使晶闸管像整流二极管一样，一加上正向阳极电压就导通，这
单向可控硅及其应用电路分析
单向可控硅及其应用电路分析可控硅全称“可控硅整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），简写为SCR，别名晶体闸流管（Thyristor），是一种具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件。
可控硅体积小、结构简单、功能强，可起到变频、整流、逆变、无触点开关等多种作用，因此现已被广泛应用于各种电子产品中，如调光灯、摄像机、无线电遥控、组合音响等。
其原理图符号如下图所示：从可控硅的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，只是多了一个控制极G，正是它使得可控硅具有与二极管完全不同的工作特性。
可控硅是可以处理耐高压、大电流的大功率器件，随着设计技术和制造技术的进步，越来越大容量化。
可控硅的基本结构如下图所示：三个PN结（J1、J2、J3）组成4层P1-N1-P2-N2结构的半导体器件对外有三个电极，由最外层P型半导体材料引出的电极作为阳极A，由中间的P型半导体材料引出的电极称为控制极G，由最外层的N 型半导体材料引出的电极称为阴极K，它可以等效成如图所示的两只三极管电路。
下面我们来看看可控硅的工作原理：如下图所示，初始状态下，电压V AK施加到可控硅的A、K两个端，此时三极管Q1与Q2都处于截止状态，两者地盘互不侵犯。
此时V AK电压全部施加到A、K两极之间，这个允许施加的最大电压V AK即断态重复峰值电压V DRM（Peak Repetitive Off-StateVoltage），相应的有断态重复峰值电流I DRM（Peak Repetitive Off-StateCurrent）如下图所示，电压V GK施加到G、K两极后，Q2的发射结因正向偏置而使其导通，从而产生了基极电流I B2，此时Q2尚处于截止状态，可控硅阳极电流I A为0，Q1的基极电流I B1也为0，电阻R2上也没有压降，因此Q2的集电极-发射电压V CE2为V AK，这个电压值通常远大于V BE2，即使是在测试数据手册中的参数时，V AK也至少有6V，实际应用时V AK会有几百伏，因此，三极管Q2的发射结正偏、集电结反偏，开始处于放大状态。
单相晶闸管无触点开关电路
单相晶闸管无触点开关电路1.引言1.1 概述概述单相晶闸管无触点开关电路是一种广泛应用于电力控制领域的电路，通过使用单相晶闸管作为电源开关元件，实现了无触点开关的功能。
它在工业自动化、电力系统和电子设备中具有重要的应用价值。
这种电路的工作原理是利用单相晶闸管的导通和关断特性来控制电路的通断状态。
单相晶闸管通过施加控制信号来控制其通断状态，而无需机械触点的接触和分离。
因此，它具有可靠性高、寿命长、响应速度快等优势。
相比于传统的机械开关电路，单相晶闸管无触点开关电路具有许多优势。
首先，它具有更好的电气性能，具有更低的接触电阻、更高的开关速度和更小的开关电弧。
其次，它的可靠性更高，可以承受更大的电流和电压负载，并且无需经常维护和更换触点。
另外，它还可以实现远程控制，更方便地实现自动化控制和远程操作。
单相晶闸管无触点开关电路在许多领域都有广泛的应用。
在工业自动化领域，它可以用于控制电机、电炉、加热器等设备的启动和停止。
在电力系统中，它可以实现电网的电气控制和保护。
在电子设备中，它可以用于电源开关和信号控制等方面。
总之，单相晶闸管无触点开关电路具有许多重要应用和优势。
它在提高电路可靠性、降低能耗、提高系统效率等方面发挥着重要作用。
随着科技的不断进步，它的应用前景将更加广阔，可能会在更多领域得到应用和发展。
1.2 文章结构文章结构：本文分为引言、正文和结论三个部分。
1. 引言部分：引言部分主要包括概述、文章结构和目的三个方面。
首先，我们将概括性地介绍单相晶闸管无触点开关电路的基本概念和作用。
接着，对于本文的结构进行简要说明，以便读者了解全文框架。
最后，明确本文的目的，即要探讨单相晶闸管无触点开关电路的优势以及其在实际应用中的意义。
2. 正文部分：正文部分将详细介绍单相晶闸管的基本原理和无触点开关电路的优势。
首先，我们将解释单相晶闸管的基本原理，包括其工作原理和特点。
其次，我们将深入探讨无触点开关电路的优势，包括提高开关效率和可靠性、减少能耗和维护成本、适应性强等方面的优点。
单向晶闸管的基础常识
单向晶闸管的基础常识
晶闸管(Thyristor)是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。
单向晶闸管是其中的一种，通常也叫可控硅或整流元件，它既有单向导电的整流作用,又有可以控制的开关作用.利用它可用较小的功率控制较大的功率。
以下内容，我们主要看看晶闸管有什么特性及作用。
单向晶闸管的特性及作用
单向晶闸管属于PNPN 四层半导体器件，共有三个电极，即控制极(门极) G、阳极A 和阴极K，只能单向导通。
单向晶闸管种类很多，常用的有3CT 系列和KP 系列，广泛地用于可控整流、交流调压、逆变器和开关电源电路中。
常见单向晶闸管的外形见图1(a)，其内部结构及电路符号见图(b)。
单向晶闸管的导通条件是：除在阳、阴极间加上一定大小的正向电压外，还要在控制极和阴极间加正向触发电压。
一旦管子触发导通，控制极即失去控制作用，即使控制极电压变为零，单向晶闸管仍然保持导通。
要使单向晶闸管关断，必须去掉阳极正向电压，或者给阳极加反向电压，或者降低阳极正向电压，使通过单向晶闸管的电流降低到维持电流(单向晶闸管导通的最小电流)以下。
单向晶闸管按功率大小，可分为小功率、屮功率和大功率三种。
一般从外观上即可进行识别：小功率管多采用塑封或金属壳封装;中功率管控制极引脚比阴极引脚细，阳极带有螺栓;大功率管控制极上带有金厉编织套，像一条辫子。
一般额定电流小于200A 的多为螺栓形晶闸管，大于200A 的多为平板形晶闸管。
由于螺栓形和平板形单向晶闸管的三个电极外部形状有很大的区别，因此可。
晶闸管介绍及应用
二、 门极伏安特性 如图1—6所示，晶闸管的门极伏安特性是指门极与阴极之间J3结的伏安特性，同一电流系 列的晶闸管，其门极伏安特性分散性很大,并非一条曲线，而是极限高阻门极伏安特性和极限 低阻门极伏安特性之间的一个区域，又称门极伏安特性区域。触发电路提供的触发电压、触 发电流和触发功率都应限制在门极伏安特性曲线中的可靠触发区域内。
式中 α 1、α 2 是V1、V2晶体管的电流放大倍数，I co 是晶闸管的漏电流。
1）Ig=0，由于α 1、α 2都很小，α 1+α 2≈0， 则I a= I co，只有漏电流，晶闸管阻断。
2）Ig>0，α 1、α 2增大，α 1+α 2≈1， 则I a≈∞，形成电流正反馈，晶闸管导通。
晶闸管导通的正反馈过程为：
1
I d=
2
2
0 3 I md t
= Im 3
I =
1 2
2 0
3 I m 2d t
= Im 3
波形系数
I
Kf =
Id
允许电流平均值
Id = 1.57I TAV Kf
1 .57
Id = 1.57I TAV =100A 1.57
Id = 1.57I TAV =70.7A
2.22
2.22
100A器件只能当70A使用
Id = 1.57I TAV =141.4A
1.11
1.11
100A器件可当141.4A使用
Id = 1.57I TAV =90.7A
1.73
1.73
100A器件可当90.7A使用
输出波形的面积增加到原来的2倍，平均值增加到原来的2倍，有效值增加到原来的 2
单向可控硅和双向可控硅的区别及应用电路讲解
单向可控硅和双向可控硅的区别及应⽤电路讲解可控硅⼜叫晶闸管，是⼀种常⽤的半导体器件，是⼀种能像闸门⼀样控制电流的⼤⼩元器件。
因此，可控硅也具有开关控制电压调整和整流等功能。
可控硅的种类较多，强电电路中采⽤的可控硅主要有单向可控硅和双向可控硅两种。
(1)单向可控硅⽤符号:单向可控硅缩写为SCR，引脚符号是K、G、A，其中G极为门极，也是控制极，A极为阳极，k极为阴极。
⼯作状态: 单向可控硅若⽤于直流电路，⼀旦触发信号开通，并保持⼀定幅度的流通电流的话，可控硅会⼀直保持开通状态。
除⾮将电源关断⼀次，才能使其关断。
若⽤于交流电路，则在其承受正向电压期间，若接受⼀个触发信号，则⼀直保持导通，直到电压过零到来，因⽆流通电流⽽关断。
在承受反向电压期间，即使送⼊触发信号，可控硅也同A、k之间电压反向，⽽保持截⽌状态。
单向可控硅应⽤电路1例下图:上图，单向可控硅直流电路，触摸控制灯开、关(2)双向可控硅⽤符号图:双向可控硅为3CTsI，双向可控硅引脚符号是T1、T2(或A1A2)、G，其中G为门极，另外两个端⼦因为可以双向单通，所以不区分为阴极和阳极(单向可控硅分阴极和阳极)，都是主端⼦，⽤T1、T2表⽰。
双向可控硅其特点是: 当G极和T2极相对于T1的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。
反之，当G极和T2相对于T1的电压为负时，T2为阴极，T1变为阳极。
双向可控硅由正反向特性曲线具有相对称性，所以它可以在任何⼀个⽅向导通。
单向双向可控硅两种符号表⽰图:双向可控硅应⽤电路⼀例下图:上图，双向可控硅电源插座控制灯开、关以上讲述单、双向可控硅的区别之处在于: 单向可控硅有阴极和阳极之分，双向可控硅因两个端⼦都双向导通，则没有阴极和阳极之分，双向具有正反向对称牲，它可在任何⼀个⽅向导通。
第六章晶闸管及其应用ppt课件
• 整流〔交流 直流） • 逆变〔直流 交流）
• 变频〔交流 交流） • 斩波〔直流 直流）
此外还可作无触点开关. 等。
一、晶闸管的结构、符号
构造
A〔阳极）
三
P1
四
个
层
N1
PN
半
结
导
P2
体
G〔控制极）
符号
N2
. K〔阴极）
A
A
+
A
P1
P
IA
P1 N1
N1
NN
P2 T1
G
P2 G
G
PP
IG
0.45U21c2oαs
由公式可知：ILU RL L0.4U 5 R2 L1c 2o αs
改变控制角 ，可改变输出电压Uo。
.
2、 单相半控桥式整流电路
1. 电路 2. 工作原理 (1)电压u 为正半周时
T1和D2承受正向 电压。 T1控制极加触 发电压, 则T1和D2导 通，电流的通路为
a T1 RL D2
.
晶闸管导通的条件： 1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向
电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向
电压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反
馈，晶闸管仍可维持导通状态。
晶闸管关断的条件： 1. 降低阳极与阴极间的电压，使通过晶闸管的
电流小于维持电流IH 2. 阳极与阴极间的电压减小为零 3.将阳极和阴极间加反相电压
.
§6.2 晶闸管整流电路
一、 单相可控整流电路
1、单相半波可控整流电路
（1〕电路及工作原理uG
A
矿产
矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。
矿产
矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。
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《电子线路》陈振源主编第九章
第4章 直流稳压电源 晶闸管及其应用电路
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作业
• •
1.可控硅导通条件的电路分析。 2.可控硅管脚的判别及触发特性的检测。
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（2）PN结特性测量。控制极G和阴极K之间，是一个简单的PN结。用万用表
测量其正反向电阻，如果两者有很明显的差别，则说明该PN结是好的。若两次测 的电阻均很大或很小，则说明控制极G和阴极K之间开路或短路。 阳极A与控制极G及阴极K之间为PN结反向串联。测量正反向电阻，正常时均应 接近无穷大。
7
《电子线路》陈振源主编第九章
(b)检测步骤二
②用黑表笔在不断开阳极的同时接触控制极g，万用表指针向右偏转到低阻值 ，表明晶闸管能触发导通，如图 (b)所示。 ③在不断开阳极a的情况下，断开黑表笔与控制极g的接触，万用表指针应保持 在原来的低阻值上，表明晶闸管撤去控制信号后仍将保持导通状态。
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第4章 直流稳压电源 晶闸管及其应用电路
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4．单向晶闸管的简易检测
（1）判别电极 万用表置于R×1 k挡或R×100挡，用万用表黑表笔接其中
一个电极，红表笔分别接另外两个电极 。假如有一次阻值小，而另一次阻值大， 就说明黑表笔接的是控制极G.在所测阻值小的那一次测量中，红表笔接的是阴极K ，而在所测阻值大的那一次，红表笔接的是阳极A.若两次测量的阻值不符合上述 要求，应更换表笔重新测量。
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• 可控硅应用电路 • 家用调光台灯
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第4章 直流稳压电源 晶闸管及其应用电路
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教学难点： 晶闸管形成强烈正反馈的工作特性。
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第4章 直流稳压电源 晶闸管及其应用电路
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晶闸管又称为可控硅(SCR)，它不仅具有硅整流 器的特性，更重要的是它的工作过程可以控制，能以 小功率信号去控制大功率系统，可作为强电与弱电的 接口，属于用途十分广泛的功率电子器件。在电子设 备里，晶闸管主要应用于：可控整流、交流调压、电 及其应用 子开关、逆变等。本节重点介绍单向晶闸管的工作特 性及检测识别。
第4章 直流稳压电源 晶闸管及其应用电路
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（3）触发特性测量 ①万用表置于R×10挡，红表笔接阴极k，黑表笔接阳极a，指针应接近∞ ，如 图(a)所示。
(a)检测步骤一 用万用表检测晶闸管质量
晶闸管外形
单向晶闸管结构与图形符号
选学：晶闸管工作特性分析
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第4章 直流稳压电源 晶闸管及其应用电路
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2．工作特性
在图（a）所示的电路中，晶闸管的 a、k极、指示灯HL、和电源VAA构成的 回路称为主回路。晶闸管的g、k极、开 关S和电源VGG构成的回路称为触发电路 或控制电路。
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练习
• 1．单向晶闸管导通的条件是什么？在理解导通的条件的基础上学会对 其他类型的晶闸管作出极性和质量判别的方法。
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小结
1．晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件， 属于半控型器件。 2．单向晶闸管触发导通的条件是：阳极—阴极间加正向电压，控制极 加正向触发电压；关断的方法是：阳极—阴极电压降至零或负值。 • 3.单向晶闸管管脚的判别及触发特性的测量的方法的掌握。
(c)触发导通
主回路加反向电压
(d)反向阻断
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晶闸管导通必须具备两个条件： 晶闸管阳极与阴极间接正向电压； 控制极与阴极之间也接正向电压。 关断晶闸管的方法有： 将阳极电压降低到足够小或加瞬间反向阳极电压； 将阳极瞬间开路。
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第一节 单向晶闸管及其应用
一、单向晶闸管 1．结构与符号
晶闸管的外形有小型塑封型(小功率)、平面型(中功率)和螺栓型(中、大功率)几 种，如图（a）所示。平面型和螺栓型使用时固定在散热器上。晶闸管是由四层半 导体P—N—P—N叠合而成，形成三个PN结，有三个电极：阳极Ａ、阴极K、和控制 极G。
(a)实验电路 开关断开
（1）正向阻断 在图（b）所示电路 中，指示灯不亮，这说明晶闸管加正向 电压，但控制极未加正向电压时，状态。
(b)正向阻断
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开关闭合
（2）触发导通 在图（c）所示电路中， 晶闸管加正向电压，在控制极上加正向触 发电压，此时指示灯亮，表明晶闸管导通， 这种状态称为晶闸管的触发导通。
（3）反向阻断 在图（d）所示电路 中，晶闸管加反向电压，即a极接电源负极， k极接电源正极，此时不论开关s闭合与否， 指示灯始终不亮。这说明当单向晶闸管加 反向电压时，不管控制极加怎样的电压， 它都不会导通，而处于截止状态，这种状 态称为晶闸管的反向阻断。
应用实例
右图是为晶闸管控制的照明不间 断电源。交流电源停电时，自动地 转换为直流电源供电。
照明不间断电源 《电子线路》陈振源主编第九章
第4章 直流稳压电源 晶闸管及其应用电路
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知识拓展 晶闸管及其应用电路
• • • • • 教学目的： 1. 熟悉晶闸管的图形符号和文字符号。 2. 理解单向晶闸管的工作原理及实现半控整流的特性。 教学重点： 1．晶闸管的组成及工作特性。
•
• • • ．
2．晶闸管的工作原理及管脚识别和PN结质量的判断。