模电复习大纲分解

管道
增
强
型
各类MOSFET管的特性曲线
首页
N
沟
绝道
缘耗
栅尽
场 效 应
型P 沟
管道
耗
尽
各类MOSFET管的特性曲线
首页
各类JFET管的特性曲线
N
沟
结道 型耗
场尽
效 型P
应 管
沟
道
耗
尽
首页
7、场效应管是电压控制器件 8、能够熟练根据转移特性判别场效应管的类型
结型场效应管
N型：VGS＜0 VDS＞0夹断电压VP＜0 P型：VGS＞0 VDS＜0夹断电压VP＞0
2. 动态分析
图解法
任务:求Av, Avs ,Ri ，Ro
Av =
ΔvCE Δ vBE
交流负载线
分析方法
分析非线性失真 估算最大输出幅度
分析电路参数对静态工作点的影响
小信号模型法
首页
小信号模型法
+b ib
vbe -
ic c +
vce
e
求Av, Avs ,Ri ，Ro
b ib +
vbe
rbe
ic c +
7. FET—单极性晶体管(VCCS)
FET 场效应管
MOSFET
增强型
N沟道 P沟道
(IGFET) 绝缘栅型
耗尽型
N沟道 P沟道
JFET 结型
N沟道 （耗尽型）
P沟道
首页
3. FET—单极性晶体管(VCCS)
d
d
g
B
g
B
g
s
s
d
d
g
B
g
B
g
s
s
d
s d
s
首页
N
沟
绝道
缘增
栅强
场 效 应
型P 沟
考试时间:18周三(6月26日)8:00-10:00
周三选课同学考试地点:江安综合 C205、C203
周四选课同学考试地点:江安综合 C303
答疑时间： 17周周五周群、刘婕老师
9:30-11:30 14:00-16:00 18周周二贾老师、陈老师
14:00-16:00 答疑地点：N1-A2楼休息室
小信号
稳压二极管 三极管 场效应管
运放
击穿稳压 （其它特性 与二极管
相同）
应用：稳压 分析方法： 稳压电路须 确保工作于
放大信号
iC=βiB
iE=(1+β) iB
工作条件： 发射结正 偏；集电
极反偏 （PNP； NPN）。放 大区、饱 和区、截
放大信号
i
iD DI
IDSDSO((vVvVGPGTSS11))22
考试注意事项： 1、遵守考试纪律
2、带有效证件 3、全部答案写在答题纸上；
到正确的考室； 任课教师：周群
模拟电子技术复习课
本教材总体框架
第九章
信号发生器
第九章第二、四、五、六、七章第八章
信号滤波 放大器
功率放大
稳压电源
第三、十章
器件ห้องสมุดไป่ตู้
普通二极管
单向导电性
应用：整流 限幅 开关
分析方法： 理想模型 恒压模型
首页
放大电路的分析指标和分析参数
1. 静态分析
任务:确定静态工作点, 求出IBQ, ICQ和VCEQ。
近似估算的方法 输入回路的KVL
分析方法
发射极正偏采用
输出回路的KVL
恒压降模型
IC=IB
采用该方法分析静态工
图解法
作点，必须已知三极管
直流负载线
的输出特性曲线。
首页
放动大态电分路析的是分在析静态指分标析和的分基析础参上数进行的。
4、熟练掌握共射、共集、共基放大电路的工作 原理, 静态工作点及AV、Ri、R0的计算 复合管的作用 .
5、场效应电路的分析
βib vce
-
-
e
一般用测试仪测出
rbe
rbb
(1
)
26(mV) IEQ (mA)
首页
3、熟练掌握用估算法求电路的静态工作点Q
求Q点 直流负载线 交流负载线
图解法 分析非线性失真 饱和失真: 静态点过高 截止失真: 静态点过低 信号过大益过大引起的失真
确定最大输出电压幅度VOm(交流负载线)
形成——由于浓度差出现扩散运动，在中间形成空 间电荷区，又由于空间电荷区的内电场作 用，存在漂移运动
单向导电性 ——不外加电压，，iD=0 加正电压，扩散运动>漂移运动形成iD 加反向电压，扩散运动为0，只有很小的漂 移运动 形成反向电流
特性方程：iD=IS（eVo/VT-1） 特性曲线
4、理解二极管
单向导电性、特性方程及曲线与PN结相同 主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、
反向电流IR、 极间电容、最高工作频率
5、特殊二极管——稳压管（应反向连接）
反向偏置 且VI＞VZ 稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电 流变化都加于稳压管上，从而使输出稳定 参数：VZ、IZ、PZM、rZ
放大信号 虚断、虚
短
工作条件： 增强型栅 源电压大 于开启电
工作条件： 负反馈 （闭环）
压；加漏
源电压。
耗尽型栅
源电压大
器件
普通二极管 判断工作状态 计算电流、电压 画波形图 稳压二极管 判断工作状态 计算电流、电压 画波形图
三极管 场效应管
判断工作状态 管子类型
计算静态电流、 判断失真类
电压
型
直流通路 及解决办法
一、器 件
1、理解半导体中有两种载流子
电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，
共价键就留下一个空位，称为空穴
2、理解
N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流 子，但半导体呈中性
P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流 子，但半导体呈中性
少数载流子是由电子—空穴对产生而来，
3、熟练掌握PN结
6、理解半导体三极管
电流控制器件 iC=βiB iE=(1+β) iB 特性曲线 输入：
饱和区：发射结、集电结均正偏， VBE=0.7V, VCES=0.3V
输出： 放大区:发一正,集一反, VBE=0.7遵循iC=βiB
截止区: 发射结、集电结均反偏 VBE＜0.5V 时已进入截止区
参数：集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功 耗PCM
增强型MOS管
N型：VGS＞0 P型：VGS＜0
VDS＞O开启电压VT＞0 VDS＜O开启电压VT＜0
耗尽型MOS管
N型 VP＜0 VDS＞0 P型 VP＞0 VDS＜0
VGS可正、可负、可0
9、特点：场效应电路输入电阻很高
二、放 大 电 路
1、理解放大和放大电路的性能指标
(放大倍数、输入、输出电阻,最大电压输出幅度） 2、三种组态及特性
共射极 ——射极为输入输出的公共端 共基极 —— 基极为输入输出的公共端 共集电极 ——集电极为输入输出的公共端
放大的本质: 是实现能量的控制。 放大作用: 是小能量对大能量的控制作用。 放大的对象: 是变化量。 放大电路的核心元件: 是双极型三极管和场效应管。
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★ 放大电路组成原则
1.三极管必须工作在放大区。 2. vi 能够传送到三极管的基极回路,产生相应的ib 。 3. ic能够转化为电压量,并传送到放大电路的输出端。