TCAD指导实例与教程

TCAD范例速成指南

第1章: 简介

该指南手册针对首次应用SILVACO TCAD软件的新用户。它旨在帮助新用户在几分钟时间内快速并成功安装和运行该软件。

该指南也演示如何快速有效查看手册，查找仿真器中使用的所有参数的解释和定义。它也参照相应章节，来理解等式以及其使用的根本规则。

关于进一步的阅读和参考，用户可参照SILVACO网站的技术支持部分，那里有丰富的技术材料和发表文献。

第2章: 快速入门

2.1: DeckBuild运行时间环境窗口

"DeckBuild"是富含多样特征的运行时间环境，它是快速熟悉SILVACO的TCAD 软件的关键。 Deckbuild 主要特征包括：自动创建输入文件、编辑现有输入文件，创建DOE，强大的参数提取程序和使得输入文件中的参数变量化。

更重要的是，DeckBuild包含好几百个范例，涵盖多种电学、光学、磁力工艺类型，便于首次使用该工具的用户。

使用入门

用户可打开一个控制窗口，创建一个目录，用于保存该指南范例将创建的临时文件。例如，要创建或重新部署一个名为"tutorial," 的目录，在控制窗口键入：

mkdir tutorial cd tutorial

然后键入下列命令开启deckbuild运行环境：

deckbuild

屏幕上将出现类似于图2.1的DeckBuild运行时间环境。

GUI界面包括两部分：上部窗口显示当前输入文件，而下部显示运行输入文件时创建的输出。

图2.1 DeckBuild 运行时间界面GUI

2.2: 载入和运行范例

输入文件可以由用户创建或者从范例库中加载。为了熟悉软件语法，最好载入第一个实例中范例。要从deckbuild运行时间环境的GUI载入范例，可点击：

Main Control... Examples(范例)...

屏幕将弹出一个窗口显示一列47个类别的范例。图2.2显示首15个类型范例。要查看剩余的类别，则使用窗口右侧的滑动条滚动选择。

图2.2 首15个类别的DeckBuild 范例

只需双击该类别，即可查看每个类别的范例。如果双击首个类别"MOS1: MOS Application Examples，" 则得到如图2.3显示的列表。该类别有15个范例。

图2.3 MOS 应用范例列表

双击任何期望的范例，即可查看其解释。双击首个范例"NMOS : Id/Vgs and Threshold Voltage Extraction"，可查看该范例的解释。结果如图2.4显示。滚动拉下窗口可浏览全部解释。

图2.4 范例描述窗口

为了在DeckBuild运行环境中载入特定范例，点击"DeckBuild: Examples" 窗口右上部的"Load Example" 按钮。 DeckBuild主窗口如图2.5显示。

图2.5 DeckBuild已载入输入文件

按下"run" 按钮即可运行范例。运行完成后，屏幕出现两个图。第一个为显示仿真过程中网路掺杂的彩色轮廓图，第二个则是简单的阈值电压Vg 相对 Id 图。它们分别为如图2.6和图2.7所示。一旦选中"Load Example" 按钮，结构文件和线图既加载在当前工作目录中，因此不必运行仿真即可浏览结果。

图2.6 显示网路掺杂的工艺仿真结构

图2.7显示Vg相对Id的器件仿真线图

2.3: 查看结果

SILVACO的浏览工具"TonyPlot"是一个功能丰富的绘图工具。该指南中仅介绍它的某些基本性能。当SILVACO的TCAD软件包中保存一个结构文件或一个线图时，创建结构文件或线图的所有参量将自动包含仅该文件，供绘图之用。

例如在结构文件绘图中，如果想要绘制其他变量如"Donor Concentration", 则如下点击：

Plot... Display... Define... Contours...

然后向下滚动选择"Quantity:" 方框，得到一组可绘制变量。如果按照该顺序执行，将出现两个另外的GUI 显示，如图所示2.8。选择新的参量并点击"Apply"。

图2.8 选中可绘制变量的相关GUI

运行时常需要查看一个图表的"cutline"片断。这时，关闭其它相关绘图相关视窗，点击"OK," 然后返回主要视图和选择下列命令：

Tools... Cutline...

现在将使用默认"vertical cutline"方框，但在"cutline" GUI中也可以选择水平或交叉的cutline方框。返回主图，在cutline起点处点击并按住鼠标左键。竖向直拖动鼠标，到cutline终点处松开鼠标。松开左键后，cutline图表将自动显示当前现实的参量的cutline。完成操作后点击cutline方框上的"OK" 键。

要在新cutline图上覆盖显示其他变量，则左击线图，使之变为当前视图（图表的白色边框表示它为激活现行图表）。然后点击：

Plot... Display...

来选择要覆盖在线图上的其它参量。例如，如果在线图上添加Arsenic, Boron 和Phosphorus，它应该显示在图2.9上。 Vg 相对Id 曲线也有相似命令，使它可以在线图上覆盖显示其它电学参量。

图2.9 Cutline图

总的来说，在终端或控制窗口键入"tonyplot "，可绘制一个文件；或者在DeckBuild中，通过高亮文件名并按下列顺序操作命令，直接绘制结构。

Tools... Plot... Plot Structure

要自动绘制一个仿真中创建的结构文件，只需简单添加语句：

structure outfile=

tonyplot

至输入文件，仿真器将保存创建的器件文件直至输入文件中该点。仿真器在达到该点之后，即自动绘制结构。用户可在仿真过程中的任意点绘制任意数目的结构文件。

章节2.4: 自动创建和编辑输入文件

现在，您应该已经了解如何加载、运行和查看TCAD 范例的结果。接下来演示如何简便创建自己工艺仿真输入文件或者修改已有文件。

输入文件为简单的ASCII文本格式，因此它可使用任何ASCII 编辑器创建。但是，DeckBuild 包含一个简单的GUI，可自动创建工艺仿真输入文件。

为了简化程序，而不必每次从头来创建工艺仿真输入文件，这里将演示如何在现有的输入文件中添加几行代码。通过在每个工序中重复该步骤，该方法同样用于创建整个输入文件。

一旦使用"line"和"init" 语句（参见载入范例的首几行）定义了仿真空间和初始衬底，工艺仿真则仅包含很多连续的扩散、植入、蚀刻和淀积步骤。其中每一步均可使用DeckBuild自动编写。

回到输入文件的范例中，假设打算在第一步之后添加一个低能量10keV "P-Well Implant"。鼠标左击DeckBuild 顶部视窗中首个P-well 植入之后的一行。然后如下点击：

Commands... Process... Implant

屏幕将出现 "DeckBuild: ATHENA Implant" 视窗。创建额外的注入语句行只需填充该方框而已，其方法是使用滑动条、或者填充数值后按下回车键。对于10keV 硼注入, 剂量1e11/cm2 ，垂直夹角7 度，主平面旋转27度，其注入GUI 如图2.10所示。完成输入信息后，点击"Write"，输入文件中则出现一个新行。