巴陵石化己内酰胺改扩建项目开工
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反 应 产 生 电 子 ， 晶 体 中载 流 子 浓 度 的 主 要 来 源 ｌ 。 是 ｌ ６ ］
ａ 从 实 验 结 果 和 颜 料 的 测 试 分 析 来 看 ， 过 共 ） 通
沉淀 法 可成 功制 备 出 Ｃ Ｚ Ｓ半 导体颜 料 。 ｄｎ ｂ 烧 结 温 度 和 掺 杂 含 量 对 半 导 体 颜 料 涂 层 光 ） 学性 能 有决 定 性 作 用 ， 当烧 结 温度 为 １０ ０℃ 、 ｄ ０ Ｃ／
由 图 ５ 知 ，随 着 Ｃ ／ ｎ物 质 的 量 比 的 增 加 ， 可 ｄＺ
Ｚ ｎ物质 的量 比为 １：１时 ， 获得 的 Ｃ Ｚ Ｓ半导 体 颜 ｄｎ
料涂 层 红 外 发 射 率 可 达 ０ ６ ， 有 较 佳 的 应 用 ． ６具
前景。
参考文 献：
颜料 涂层 红 外 发 射 率 开 始 下 降 ，当 Ｃ ／ ｎ物 质 的 ｄＺ 量 比为 １： １时 ，涂 层 红 外 发 射 率 达 到 最 低 ，继 续 增 大 Ｃ ／ ｎ物 质 的 量 比，涂 层 红 外 发 射 率 开 始 上 ｄＺ 升 。 当 Ｃ ／ ｎ物 质 的量 比较 小 时 ，填 隙 原 子 的量 ｄＺ 较 少 ，电离 程度 较低 ，载 流子 浓度 不 高 ，此 时颜料 涂层 的红 外 发 射 率 较 高 ；随 着 Ｃ ／ ｎ物 质 的量 比 ｄＺ 的增加 ，填 隙原 子 电离产 生 的电子 数量 增 加 ，使得
外 发 射 率 研 究 Ｅ］ Ｊ ．功 能 材 料 ，０ ４ ３ ） ８ —２ ５ ２ ０ ，（ ５ ：２ ３ ８ ．
Ｃ Ｚ Ｓ晶体 中 的 载 流 子 浓 度 不 断 变 大 ，涂 层 红 外 ｄｎ
发 射率 开始 下 降 ，在 Ｃ ／ ｎ物 质 的量 比 为 １：１时 ｄＺ 其 涂层 红外 发 射 率 达 到 最 低 ；继 续 增 大 Ｃ ／ ｎ物 ｄＺ 质 的 量 比，过 量 的 Ｃ ｄ掺 杂 会 加 大 颜 料 的 晶 格 畸 变 ，降低 了载流子 的迁移 率． 时随着 掺 杂量 的增 ，同 大 ，电子散 射 增 加 ，在 这 ２种 作 用 下 Ｃ Ｚ Ｓ颜 料 ｄｎ 涂层 红外 发 射率 开始 升 高 。
产品。
随 着烧结 温 度提 高 ， 隙原 子不 断增 加 ， 电离 程度 填 其 也增 大 ， 载流 子浓度 呈 上升趋 势 。烧 结温 度 在 １０ ０ ０ 。 Ｃ附近 时 ， 晶体结 构生 长 已经非 常完 整 ， 隙原 子达 填 到饱 和 ， 时 晶体 中载 流子 浓度 最 高 ， 涂层 红 外发 此 其 射 率为最 低 。
４ —４３ ０ ．
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０≯ ： 审
巴 陵石 化 己 内酰 胺 改 扩 建 项 目开 工
近 日， 巴陵石 化 己 内酰胺装 置 挖潜 改 造项 目开工 建设 ， 计 明年底 建成 投产 。该 项 目总投 资 ４ ９ 亿 元 ， 预 ．７ 为 巴 陵石 化 “ 五改 七建 一 配套 ” 色化 工建 设 的重要 子 项 目， 用 中 国石 化 自主知 识产 权 、 特 采 具有 国际 领先水 平 的第 二代 己内酰胺 绿 色环 保新 技术 ， 现 有年 产 １ ０ｋ 己 内酰胺 装置 实行 挖潜 改造 至年 产 ２ ０ｋ ， 将 ４ ｔ ０ ｔ成为 国 内 最 大 的同类装 置 。该 项 目将新 建 ８ ｔａ环 己 酮单 元 ， ０ｋ ／ ０ｋ ／ ７ ｔａ环 己酮 肟 单 元 ，０ ｔａ双氧 水 单 元 ， １ ０ｋ／ 并对 整 个 流程进 行 填平 补齐 。项 目建 成 投产后 ， 将加 快生 产 技术 的升 级换 代 。近 年来 ， 陵石化 采用 新技 术对 己内 巴 酰 胺实施 扩 产技 术改 造 ， 己 内酰 胺装 置 生产 能力 提 高到 １ ０ｋ／ 将 ４ ｔａ改造 完成 后 ， 经过 产 品质量 攻关 和局 部工 艺 整改完 善 ， 己内酰胺 新装 置产 品优级 品率 稳 定 达 到 １ ０ ， ０ 主要 质 量 指 标挥 发 性 碱创 历 史 最 优 ， 过 国 际 超 同类 产 品 的质量 指标 ， 功 应 用 于 高 速 纺 行 业 ， 陵石 化 鹰 王 牌 己 内酰 胺 已 成 为 国 内 同类 企 业 质 量 最 优 成 巴
孙 国亮 等
Ｃ Ｚ Ｓ半 导 体 颜 料 涂 层 红 外 发 射 率 的 研 究 ｄｎ
・ ７ １ ・
高 。随着 烧结 温度 的升高 ， 颜料 晶体 结构 不 断完 整 ，
当烧 结 温 度 升 高 到 ～ 定 程 度 时 ， ｄ ｎ 晶 体 内 部 的 ＣＺＳ
综 合 上述 分 析 ， 了获 得 较低 的颜 料 涂层 红 外 为
Ｅ ３ 曹 义 ， 海 峰 ， 文 伟 ， ．基 于红 外 热 像 仪 的 涂 层 波 ５ 程 郑 等 段 发 射 率 测 量 ［］ Ｊ．红 外 技 术 ，０ ７ ２ （） ３ ６ １ ． ２０ ， ９ ６ ： １ —３９ Ｅ ］ 顾 冰 芳 ，徐 国 跃 ，任 菁 ， ． ｄ — Ｚ Ｘ ６ 等 Ｃ ｌＸ ｎ Ｓ三 元 系 颜 料 红 外 性 能 研 究 ［］ Ｊ ．兵 器 材 料 科 学 与 工 程 ，０ ７ ０ ５ ： ２ ０ ，３ （ ）
０ ｝ ‘ ÷ ０ ‘ ‘ Ｉ 蠊 ‘ ｚ ０
Ｅ ］ 徐 国跃 ，王函 ， ４ 翁履谦 ， 等．纳米硫化物半 导体颜料 的
制备及其红外发 射率 研究 ［］ Ｊ ．南 京 航 空 航 天 大 学 学
报 ，０ ５ ７ １ ２ ０ ，３ （ ）：１ ５—１ ９ ２ ２．
发 射 率 ， 要 将 Ｃ Ｚ Ｓ半 导 体 颜 料 的 烧 结 温 度 控 制 需 ｄｎ 在 １０ ０ ℃ 附 近 ， ｄ Ｚ ０ Ｃ ／ ｎ物 质 的 量 比 控 制 在 １ ：１ 为宜 。
３ 结 语
硫会 向晶界 或 晶体表 面偏 析 ， 而 造 成 晶体 内部 硫 从 的空 位 ， 成 空穴 导 电 ， 形 过剩 的 锌或 镉原 子 容易进 入 结构 中的间 隙位置 ， 生 间隙型 原子 缺 陷 ， 隙 的锌 产 填 或镉 原子 在结 构 中相 当 于杂 质 能 级 ， 以通 过 电离 可
Ｅ ｉ 贾 宝平 ， 跃 辉 ， 建 成 ， ．Ｚ Ｓ掺 杂 技 术 研 究 及 应 ｌ 贺 唐 等 ｎ 用 现 状 ［］ Ｊ ．材 料 导 报 ，０ ２ １ （） ２ ２ ０ ， ６ ８ ： Ｏ一２ ． ３ Ｅ ］ 任 菁 ．低 发 射 率 硫 化 物 半 导 体 颜 料 的 制 备 及 机 理 研 究 ２ Ｅ］ Ｄ ．南 京 航 空 航 天 大 学 硕 士 学 位 论 文 ．２ ０ ． ０７ Ｅ Ｊ 王 函 ， 国跃 ，翁 履 谦 ， ．微 米 级 硫 化 物 半 导 体 的红 ３ 徐 等
ａ 从 实 验 结 果 和 颜 料 的 测 试 分 析 来 看 ， 过 共 ） 通
沉淀 法 可成 功制 备 出 Ｃ Ｚ Ｓ半 导体颜 料 。 ｄｎ ｂ 烧 结 温 度 和 掺 杂 含 量 对 半 导 体 颜 料 涂 层 光 ） 学性 能 有决 定 性 作 用 ， 当烧 结 温度 为 １０ ０℃ 、 ｄ ０ Ｃ／
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参考文 献：
颜料 涂层 红 外 发 射 率 开 始 下 降 ，当 Ｃ ／ ｎ物 质 的 ｄＺ 量 比为 １： １时 ，涂 层 红 外 发 射 率 达 到 最 低 ，继 续 增 大 Ｃ ／ ｎ物 质 的 量 比，涂 层 红 外 发 射 率 开 始 上 ｄＺ 升 。 当 Ｃ ／ ｎ物 质 的量 比较 小 时 ，填 隙 原 子 的量 ｄＺ 较 少 ，电离 程度 较低 ，载 流子 浓度 不 高 ，此 时颜料 涂层 的红 外 发 射 率 较 高 ；随 着 Ｃ ／ ｎ物 质 的量 比 ｄＺ 的增加 ，填 隙原 子 电离产 生 的电子 数量 增 加 ，使得
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Ｃ Ｚ Ｓ晶体 中 的 载 流 子 浓 度 不 断 变 大 ，涂 层 红 外 ｄｎ
发 射率 开始 下 降 ，在 Ｃ ／ ｎ物 质 的量 比 为 １：１时 ｄＺ 其 涂层 红外 发 射 率 达 到 最 低 ；继 续 增 大 Ｃ ／ ｎ物 ｄＺ 质 的 量 比，过 量 的 Ｃ ｄ掺 杂 会 加 大 颜 料 的 晶 格 畸 变 ，降低 了载流子 的迁移 率． 时随着 掺 杂量 的增 ，同 大 ，电子散 射 增 加 ，在 这 ２种 作 用 下 Ｃ Ｚ Ｓ颜 料 ｄｎ 涂层 红外 发 射率 开始 升 高 。
产品。
随 着烧结 温 度提 高 ， 隙原 子不 断增 加 ， 电离 程度 填 其 也增 大 ， 载流 子浓度 呈 上升趋 势 。烧 结温 度 在 １０ ０ ０ 。 Ｃ附近 时 ， 晶体结 构生 长 已经非 常完 整 ， 隙原 子达 填 到饱 和 ， 时 晶体 中载 流子 浓度 最 高 ， 涂层 红 外发 此 其 射 率为最 低 。
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巴 陵石 化 己 内酰 胺 改 扩 建 项 目开 工
近 日， 巴陵石 化 己 内酰胺装 置 挖潜 改 造项 目开工 建设 ， 计 明年底 建成 投产 。该 项 目总投 资 ４ ９ 亿 元 ， 预 ．７ 为 巴 陵石 化 “ 五改 七建 一 配套 ” 色化 工建 设 的重要 子 项 目， 用 中 国石 化 自主知 识产 权 、 特 采 具有 国际 领先水 平 的第 二代 己内酰胺 绿 色环 保新 技术 ， 现 有年 产 １ ０ｋ 己 内酰胺 装置 实行 挖潜 改造 至年 产 ２ ０ｋ ， 将 ４ ｔ ０ ｔ成为 国 内 最 大 的同类装 置 。该 项 目将新 建 ８ ｔａ环 己 酮单 元 ， ０ｋ ／ ０ｋ ／ ７ ｔａ环 己酮 肟 单 元 ，０ ｔａ双氧 水 单 元 ， １ ０ｋ／ 并对 整 个 流程进 行 填平 补齐 。项 目建 成 投产后 ， 将加 快生 产 技术 的升 级换 代 。近 年来 ， 陵石化 采用 新技 术对 己内 巴 酰 胺实施 扩 产技 术改 造 ， 己 内酰 胺装 置 生产 能力 提 高到 １ ０ｋ／ 将 ４ ｔａ改造 完成 后 ， 经过 产 品质量 攻关 和局 部工 艺 整改完 善 ， 己内酰胺 新装 置产 品优级 品率 稳 定 达 到 １ ０ ， ０ 主要 质 量 指 标挥 发 性 碱创 历 史 最 优 ， 过 国 际 超 同类 产 品 的质量 指标 ， 功 应 用 于 高 速 纺 行 业 ， 陵石 化 鹰 王 牌 己 内酰 胺 已 成 为 国 内 同类 企 业 质 量 最 优 成 巴
孙 国亮 等
Ｃ Ｚ Ｓ半 导 体 颜 料 涂 层 红 外 发 射 率 的 研 究 ｄｎ
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Ｅ ］ 徐 国跃 ，王函 ， ４ 翁履谦 ， 等．纳米硫化物半 导体颜料 的
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发 射 率 ， 要 将 Ｃ Ｚ Ｓ半 导 体 颜 料 的 烧 结 温 度 控 制 需 ｄｎ 在 １０ ０ ℃ 附 近 ， ｄ Ｚ ０ Ｃ ／ ｎ物 质 的 量 比 控 制 在 １ ：１ 为宜 。
３ 结 语
硫会 向晶界 或 晶体表 面偏 析 ， 而 造 成 晶体 内部 硫 从 的空 位 ， 成 空穴 导 电 ， 形 过剩 的 锌或 镉原 子 容易进 入 结构 中的间 隙位置 ， 生 间隙型 原子 缺 陷 ， 隙 的锌 产 填 或镉 原子 在结 构 中相 当 于杂 质 能 级 ， 以通 过 电离 可
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