51单片机控制Nand Flash读写的两种方法
FLASH的读写原理
FLASH的读写原理Flash存储器是一种非易失性存储器，它是一种通过电子擦除和写入的方式来存储和擦除数据的技术。
Flash存储器在电子设备中广泛应用，比如计算机、手机、相机、USB闪存盘等等。
它具有高速度、低功耗和较高的耐用性等特点，但它的读写原理相对复杂，涉及到多种物理和电子原理。
Flash存储器通过在浮动栅层中存储电荷来存储数据。
Flash存储器由一系列的存储单元组成，每个存储单元被称为一个位或一个闪存单元。
Flash存储器中的每个闪存单元可以存储多个比特的数据，这是通过设置不同数量的电荷量实现的。
Flash存储器的读取是通过测量闪存单元上存储的电荷量来实现的。
当一个位被设置为1时，闪存单元中存储的电荷量很少；当一个位被设置为0时，闪存单元中存储的电荷量很多。
读取数据时，Flash存储器将近端的源线和远端的位线保持在不同的电压下，这样就会产生漏电流。
根据闪存单元中存储的电荷量的不同，漏电流的大小也不同。
通过测量漏电流的大小，Flash存储器可以确定存储在闪存单元中的数据是1还是0。
Flash存储器的写入是通过改变闪存单元中的电荷量来实现的。
Flash存储器有两种主要的写入方式：擦除和编程。
擦除是将一个闪存块中的所有闪存单元的电荷量恢复为相同的初始值，从而实现数据的擦除。
编程是将特定的闪存单元的电荷量设置为所需的值，从而实现数据的写入。
擦除操作通常需要较长的时间，并且只能在整个闪存块中进行。
在擦除过程中，闪存块中的所有存储单元都被同时擦除，因此在进行擦除操作之前需要将整个闪存块中存储的数据备份到其他存储器中。
为了减少擦除操作的次数，Flash存储器通常将数据存储在多个闪存块中，这样在发生写入操作时，只需要将被改变的闪存单元的数据进行编程，而不需要进行擦除操作。
编程操作是将指定的闪存单元的电荷量设置为所需的值。
编程操作通常使用浮动栅加载技术来实现。
浮动栅加载技术是通过施加特定的电压脉冲，使得部分电荷从源线传输到了浮动栅层，在浮动栅层上进行存储。
单片机片内存储器如何烧写几种烧写方式介绍
单片机片内存储器如何烧写几种烧写方式介绍单片机片内存储器烧写是将程序代码或数据写入单片机的内部存储器中的过程。
单片机的内部存储器包括闪存、EEPROM、RAM等。
这些存储器可以通过不同的烧写方式进行烧写。
下面将介绍几种常见的单片机片内存储器烧写方式。
1.并行编程方式并行编程方式是最早出现的一种单片机烧写方式。
这种方式使用编程器通过并行接口将烧写数据传输到单片机的内部存储器中。
这种方式的优点是烧写速度较快，但需要使用专用的编程器和并行接口，且操作相对复杂。
2.串行编程方式串行编程方式是目前最常用的一种单片机烧写方式。
这种方式使用编程器通过串行接口将烧写数据逐位传输到单片机的内部存储器中。
串行编程方式主要有两种实现方式：采用串行同步通信协议的方式和采用串行异步通信协议的方式。
(1)采用串行同步通信协议的方式采用串行同步通信协议的方式一般需要使用专用的编程器和串行接口，例如，ST公司的ST计算机系统和IAR公司的I-jet等。
这种方式的特点是通信速度快，支持多种烧写功能，如烧写程序代码、擦除存储器、校验数据等。
(2)采用串行异步通信协议的方式采用串行异步通信协议的方式一般使用通用的串行通信接口，如USART、SPI、I2C等。
这种方式的特点是通信速度较快，支持多种烧写功能，如烧写程序代码、擦除存储器、校验数据等。
同时，由于使用通用的串行通信接口，烧写设备的硬件成本相对较低。
3.仿真器烧写方式仿真器烧写方式是一种通过仿真器将程序代码或数据写入单片机内部存储器的方式。
这种方式一般需要使用仿真器和对应的开发环境，例如Keil、IAR等。
仿真器主要有两种类型：软件仿真器和硬件仿真器。
(1)软件仿真器软件仿真器是一种利用开发环境提供的仿真功能，通过软件模拟单片机内部运行状态，实现对单片机的烧写操作。
这种方式的优点是无需额外的硬件设备，烧写过程安全可控，能够对烧写过程进行调试和监控。
但缺点是烧写速度较慢，不适合大批量生产。
51单片机 引脚 读 写 函数
51单片机引脚读写函数51单片机是一种常见的微控制器，它有多个引脚用于连接外部设备和执行各种功能。
在使用51单片机时，我们通常需要编写读取和写入引脚的函数来控制外部设备或与其他设备进行通信。
首先，让我们来看看如何编写一个读取引脚状态的函数。
在51单片机的编程中，我们可以使用特定的语言（比如C语言）来编写这样的函数。
一个简单的读取引脚状态的函数可能如下所示：c.int readPin(int pinNumber) {。
return P0 & (1 << pinNumber);}。
在这个函数中，我们使用了P0寄存器来读取引脚的状态。
我们通过将1左移pinNumber位来创建一个掩码，然后使用按位与操作来获取该引脚的状态。
这个函数可以根据具体的引脚编号来读取相应引脚的状态。
接下来，让我们来看看如何编写一个写入引脚状态的函数。
一个简单的写入引脚状态的函数可能如下所示：c.void writePin(int pinNumber, int value) {。
if (value == 1) {。
P0 |= (1 << pinNumber);} else {。
P0 &= ~(1 << pinNumber);}。
}。
在这个函数中，我们同样使用了P0寄存器来写入引脚的状态。
根据传入的value参数，我们使用按位或操作或按位与非操作来设置或清除相应的引脚位。
需要注意的是，以上的示例函数是针对51单片机的特定引脚操作的示例，实际使用时需要根据具体的引脚编号和端口寄存器进行相应的修改。
同时，还需要考虑到引脚的输入输出模式、上下拉电阻等其他因素。
总之，编写51单片机引脚的读写函数需要考虑到具体的引脚编号、端口寄存器的操作以及引脚的输入输出模式等因素，以确保准确可靠地控制引脚的状态。
希望这个回答能够帮助你更好地理解51单片机引脚的读写函数。
NANDFLASH读写
NANDFLASH读写NAND FLASH读写HY27UF081G2A:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory设备操作:3.1 Page Read.打开电源之后，芯片默认处于读状态。
也可以在写入4字节地址之后，写入命令00h和30h到命令寄存器，使能读操作。
In two consecutive(连续) read operations, the second one does need 00h command, which four address cycles and 30h command initiates that operation. Second read operation always requires setup command if first read operation was executed(执行) using also random data(随机读取) out command.Two types of operations are available: random read. The random read mode is enabled when the page address is changed. The 2112 bytes (X8 device) or 1056 words (X16 device) of data within the selected page are transferred to the data registers in less than 25us(tR). The system controller(控制器) may detect(检测) the completion of this data transfer (tR) by analyzing(分析) the output of R/B pin. Once the data in a page is loaded into the dataregisters(一旦一页的数据被加载到数据寄存器中), they may be read out in 30ns cycle time (3.3V device) by sequentially pulsing RE. The repetitive(重复) high to low transitions of the RE clock make the device output the data starting from the selected column address up to the last column address.The device may output random data in a page instead of the consecutive sequential data by writing random data output command. The column address of next data, which is going to be out, may be changed to the address which follows random data output command.1.命令输入 Command Input (CLE=1，ALE=0)ALE(0),CE(0) -> CLE(1) -> WE(0)->Command(输入并保持),在Command 保持时拉高WE（1）WE上升沿锁存Command->CE(1)->CLE(0)->ALE(1)根据时序图所得示意程序伪码void write_com(uint8 com){ALE=0;CE=0; delay 20ns;CLE=1;delay 15ns;WE=0;delay 15ns;IO7-0=com;delay 5ns;WE=1;delay 15ns;CE=1;CLE=0;ALE=1;}2.地址输入 Address Input（CLE=0，ALE=1）3.数据输入 Data Input (CLE=0，ALE=0)4.数据读出 Data Output (CLE=0，ALE=0)5.读状态寄存器(Read Status Register)6.页读取(Page Read)7.任意地址数据读取 (Random DATA Output)command 0x00->address 4字节（该页首地址）-> command 0x30->判别忙信号delay15ns->顺序读取或者command0x05->address 2字节（所要读的数据所在地址）->开始读出数据注意：注意图中的Column Address 对应Dout N的地址,0x50后是2字节在该页中的地址页写入(Page Program)command 0x80 -> address 4字节（该页首地址）->顺序写入最多2112字节->command 0x10结束写->判别忙信号->command 0x70读状态寄存器->IO0为0写成功任意地址数据写入(Random DATA Input)command 0x80 -> address 4字节（该页首地址）->顺序写入或者command0x85->写入数据->command0x10结束写入->判别忙信号->command0x70读状态->IO0为0写成功复制写入(Copy-Back Program)这个模式下，可以不用外部存储介质，直接在芯片内部快速准确地完成数据的复制重写入。
NAND flash读写擦除操作
NAND flash读写擦除操作本文主要介绍SAMSUNG公司的S3C2410处理器和K9F1208NAND flash的读写擦除操作。
一、K9F1208NAND flash芯片介绍S3C2410处理器集成了8位NAND flash控制器。
因NAND flash K9F1208、K9F1G08的数据页大小分别为512B、2KB，在寻址方式上有一定的差异，所以程序代码并不通用。
K9F1208的器件存储容量为64M字节和2048K字节的spare存储区，8位I/O 端口采用地址、数据和命令复用的方法。
该器件的引脚图如下所示该器件的引脚功能描述如下表所示引脚名称英文描述描述I/O0～I/O7Data input/outputs数据输入输出CLE Command latch enable命令锁存使能ALE Address latch enable地址锁存使能CE#Chip enable片选RE#Read enable读使能WE#Write enable写使能WP#Write protect写保护R/B#Ready/Busy output准备好/忙碌输出VCC Power(+2.7V~3.6V)电源(+2.7V~3.6V)VSS Ground地N.C No connection空引脚NAND flash的数据是以bit的方式保存在memory cell。
一般一个cell中只能存储一个bit。
这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte（X8）/word（X16），这就是NAND device的位宽。
这些line组成page，page再组织形成一个block。
K9F1208的相关数据如下：1block=32page；1page=528byte=512byte(main area)+16byte(spare area)总容量为=4096(block)*32(page/block)*512(byte/page)=64MBNAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。
51单片机读写内部EEPROM详解
ISP_CONTR=0x81;
ISP_CMD= 0x01;/用户可以对"Data Flash/EEPROM区"进行字节读ISP_ADDRL = addr;
ISP_ADDRH=addr>>8;
EA= 0;
ISP_TRIG=0x46;
ISP_TRIG=0xB9;
_nop_();
dat=ISP_DATA;
Q0();
return dat;
}//取出数据
//关闭ISP/IAP
/*
函数：关闭ISP/lAP操作
*/
void Q0()
ISP_CONTR= 0;关闭IAP功能
ISP_CMD=0;/待机模式，无ISP操作
ISP_TRIG=0;关闭IAP功能,清与ISP有关的特殊功能寄存器}
/*
STC89C52R内部EEPROM羊细地址表:
#define uint unsigned int
#endif
/**********************************
PIN口定义
**********************************
#define LCD1602_DATAPINS P0
sbit LCD1602_E二P 2八7;
xcx(0x2002,6);//对EEPROM区2002h写入6
*/
/*
函数：擦除某一扇区(每个扇区512字节)
入口：addr=某一扇区首地址
*/
void cc(uint addr)
//打开IAP功能(ISP_CONTR.7)=允许编程改变Flash设置Flash操作等待时 间
//0x83(晶振v5M)0x82(晶振v10M)0x81(晶振v20M)0x80(晶振<40M)
51单片机烧写方法
51单片机烧写方法一、引言51单片机是一种常用的单片机，广泛应用于各种电子设备中。
烧写是将程序代码写入51单片机的过程，是使用单片机的基础操作。
本文将介绍51单片机的烧写方法，帮助读者了解如何正确地进行烧写操作。
二、烧写工具准备进行51单片机的烧写操作，首先需要准备以下工具：1. 51单片机烧写器：一种专门用于将程序代码写入51单片机的设备，常见的有USB转串口烧写器和ISP烧写器两种；2. 电脑：用于连接烧写器，并通过烧写软件进行烧写操作；3. 烧写软件：根据烧写器的型号选择相应的烧写软件，常见的有STC-ISP、Flash Magic等。
三、烧写步骤1. 连接烧写器：将烧写器通过USB或串口连接到电脑上，并确保连接正常；2. 打开烧写软件：根据烧写器的型号选择相应的烧写软件，并打开软件；3. 设置烧写参数：在烧写软件中选择正确的单片机型号，并设置好烧写参数，如烧写速度、烧写模式等；4. 导入程序代码：将需要烧写的程序代码导入烧写软件中，通常是通过选择文件或拖拽文件的方式导入；5. 连接单片机：将51单片机通过编程接口连接到烧写器上，确保连接正常；6. 擦除单片机：在烧写软件中选择擦除操作，将单片机中原有的程序代码擦除，以便写入新的程序代码；7. 烧写程序代码：点击烧写软件中的烧写按钮，开始将程序代码写入单片机中；8. 等待烧写完成：等待烧写软件提示烧写完成，此时烧写操作已经完成；9. 断开连接：断开51单片机与烧写器之间的连接，完成烧写过程。
四、烧写注意事项1. 确认单片机型号：在烧写操作之前，要确认所使用的单片机型号，选择正确的烧写软件和参数设置；2. 确保连接正常：在进行烧写操作之前，要检查烧写器与电脑、单片机之间的连接是否正常，避免烧写失败；3. 备份程序代码：在擦除单片机之前，建议先备份原有的程序代码，以便需要时恢复；4. 不要中断烧写过程：在烧写过程中，不要随意中断电源或断开连接，以免造成单片机损坏；5. 验证烧写结果：在烧写完成后，可以通过读取单片机中的程序代码，与原始代码进行比对，以验证烧写结果的准确性。
nand flash读写原理
nand flash读写原理
NAND Flash是一种非易失性存储器，存储数据的方式采用了NAND门的逻辑结构。
其读写原理如下：
读取数据：
1. 首先，控制器会向NAND Flash发送要读取的数据的地址信息。
2. NAND Flash读取到地址信息后，开始查找所需的数据，将数据以页的形式发送给控制器。
3. 控制器对收到的数据进行校验，确保读取的数据没有错误。
写入数据：
1. 接收到数据后，控制器会将要写入的数据分成数据块，并分别进行处理。
2. 控制器将数据块写入NAND Flash中。
3. NAND Flash先将原有的数据进行擦除，并将新数据写入擦除后的空页面。
4. 写入操作结束，控制器对写入的数据进行校验，确保写入的数据没有错误。
需要注意的是，NAND Flash是按页进行读写操作的，一个页面的大小一般为512字节或1KB，因此每次读写操作的数据都必须是页面的整数倍。
同时，每次写入操作会导致该页面的原有数据被擦除，因此需要谨慎选择写入时机。
51单片机中flash读写原理
51单片机中flash读写原理51单片机是一种常用的嵌入式微控制器，其内部集成了Flash存储器，用于存储程序代码和数据。
本文将介绍51单片机中Flash的读写原理。
我们需要了解Flash存储器的基本原理。
Flash存储器是一种非易失性存储器，它可以在通电和断电的情况下保持数据的存储。
它采用了电子擦除和编程的方式来实现数据的写入和擦除。
在51单片机中，Flash存储器被划分为若干个扇区，每个扇区又被划分为若干个页。
每个页的大小通常为512字节或1KB。
在写入数据之前，我们需要先将整个扇区擦除，然后再将数据写入。
Flash的读取操作比较简单，我们只需要给出要读取的地址，就可以读取相应的数据。
读取操作不会影响存储器中的数据。
Flash的写入操作相对复杂一些。
首先，我们需要将整个扇区擦除，这个过程需要一定的时间。
擦除完成后，我们需要将要写入的数据按页写入。
写入时，我们需要将数据写入到一个临时缓冲区中，然后再将缓冲区中的数据复制到目标页。
写入操作也需要一定的时间。
在51单片机中，我们可以通过编程来控制Flash的读写操作。
通过向特定的寄存器写入控制命令，可以实现擦除、写入和读取操作。
当我们想要擦除某个扇区时，需要将擦除命令写入相应的寄存器，然后等待擦除完成。
当我们想要写入数据时，需要将数据写入缓冲区，并将写入命令写入寄存器，然后等待写入完成。
当我们想要读取数据时，只需要将读取命令写入寄存器，并等待读取完成即可。
需要注意的是，Flash存储器有一定的使用寿命，每个扇区可以擦除和写入的次数是有限的。
当达到了擦除和写入次数的限制时，该扇区将不能再进行擦除和写入操作，但仍然可以读取其中的数据。
51单片机中的Flash存储器是一种非易失性存储器，可以用于存储程序代码和数据。
它的读写操作是通过编程控制来实现的，需要注意擦除和写入操作的时间和次数限制。
了解这些原理可以帮助我们更好地使用51单片机中的Flash存储器。
51单片机的程序存储器和数据存储器
51单片机的程序存储器和数据存储器51单片机是一种常见的嵌入式微控制器，具备程序存储器和数据存储器，广泛应用于各个领域。
程序存储器用于存储和执行程序，而数据存储器用于储存运行过程中的变量和数据。
本文将详细介绍51单片机的程序存储器和数据存储器的特点和使用方法。
一、程序存储器程序存储器是51单片机中用于存储程序代码的地方。
它通常在芯片内部，有多种形式，常见的有ROM（只读存储器）和Flash（闪存）两种。
1. ROM存储器ROM存储器可以被写入一次，之后不能再改变。
它通常用于存储经常使用的不变的代码，例如启动程序、中断向量表等。
ROM存储器具有较高的稳定性和可靠性，在操作过程中不易出错。
但是，由于其只能被写入一次，因此对于频繁需要修改的程序代码来说，使用ROM存储器并不方便。
2. Flash存储器Flash存储器是一种可擦写的存储器，它可以多次写入和擦除。
这使得在51单片机的开发过程中，可以方便地修改和更新程序代码。
Flash存储器的优点是灵活性高，容易更新，但相对而言，稳定性较差，可能会出现擦除错误或写入错误的情况。
在使用Flash存储器时，需要注意以下几点：（1）在写入过程中，应该保证电源的稳定性，避免写入过程中电压异常导致写入错误。
（2）应该合理规划Flash存储器的中存储空间的物理布局，以方便程序的定位和管理。
（3）由于Flash存储器的写入次数是有限的，因此要尽量减少对其频繁的擦写。
二、数据存储器数据存储器是51单片机中用于存储程序运行中的变量和数据的地方。
它可以读取和写入，是程序运行和数据处理的重要组成部分。
数据存储器通常分为RAM（随机访问存储器）和SFR（特殊功能寄存器）两种。
1. RAM存储器RAM存储器是一种易读写的存储器，其存储空间较大，可以存储较多的变量和数据。
RAM存储器的读写速度较快，对于频繁读写的数据可以更快地进行处理。
但是，RAM存储器对电源的稳定性要求较高，断电会导致存储的数据丢失。
Nand Flash数据存储规则与数据读写方法
谈到Nand Flash的数据存储方式，关于NAND Flash的数据读写方法方面的文章不多，这篇文章详细讲述了Nand Flash数据存储方式和数据读写方法，并用具体的芯片为例作了详细的解释。
NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。
这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。
这些Line 会再组成Page，(Nand Flash 有多种结构，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Byte，每32 个page 形成一个Block，Sizeof(block)=16kByte 。
1 block=16kbyte，512Mbit=64Mbyte，Numberof(block)=4096 1block=32page, 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)Nand flash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。
按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：--Block Address -- Page Address --Column Address 。
对于NAND Flash 来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8 位。
512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half和2nd half,各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address。
32 个page 需要5bit 来表示，占用A[13:9]，即该page 在块内的相对地址。
Block的地址是由A14 以上的bit 来表示，例如512Mb 的NAND，共4096block，因此，需要12 个bit 来表示，即A[25:14]，如果是1Gbit 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:24]表示。
51单片机io口的用法
51单片机io口的用法51单片机是一种经典的单片机系列，广泛应用于各种嵌入式系统中。
其IO口是单片机最基本的输入输出功能，可以用来连接外部设备和实现与外界的交互。
本文将介绍51单片机IO口的用法，并提供相关参考内容，帮助读者更好地理解和应用。
一、51单片机IO口简介51单片机的IO口是通过P0、P1、P2、P3四个寄存器来控制的。
其中P0口为8位双向I/O口，P1、P2、P3口为8位I/O 口，可以通过配置将其设置为输入（IN）或输出（OUT）模式。
在51单片机中，IO口的状态（高电平或低电平）决定了其在电路中的功能。
二、IO口的输入模式通过将IO口设置为输入模式，可以实现对外部信号的读取。
以下是51单片机IO口输入模式的几种常见应用：1. 按键输入：通过将IO口与按键连接，读取按键的状态（按下或松开）。
2. 传感器输入：通过将IO口与传感器连接，读取传感器的输出信号，如光线强度、温度等。
3. 外部信号输入：通过将IO口与其他设备连接，读取外部设备的状态或数据。
在使用IO口作为输入时，需要设置对应端口的引脚为输入模式，并读取相应寄存器的值进行判断。
三、IO口的输出模式通过将IO口设置为输出模式，可以实现对外部设备的控制。
以下是51单片机IO口输出模式的几种常见应用：1. LED显示：通过将IO口与LED连接，控制LED的闪烁、亮灭。
2. 电机驱动：通过将IO口与电机驱动芯片连接，控制电机的转动方向、速度。
3. 继电器控制：通过将IO口与继电器连接，控制继电器的开关状态。
在使用IO口作为输出时，需要设置对应端口的引脚为输出模式，并将相应寄存器的值设置为高电平或低电平。
四、IO口的控制方法有两种常见的方式可以控制51单片机的IO口：位操作和寄存器读写。
1. 位操作：通过对相应寄存器的位进行操作来控制IO口的状态。
例如，要将P1口的第0位设置为高电平，可以使用以下代码：P1_0 = 1;要将P1口的第1位设置为低电平，可以使用以下代码：P1_1 = 0;2. 寄存器读写：通过读写相应寄存器的值来控制IO口的状态。
51单片机读写内部EEPROM详解
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
特殊功能寄存器声明****************
sfr ISP_DATA=0xe2;
sfr ISP_ADDRH=0xe3;
sfr ISP_ADDRL=0xe4;
uchar dat;
ISP_CONTR=0x81;
ISP_CMD= 0x01;/用户可以对"Data Flash/EEPROM区"进行字节读ISP_ADDRL = addr;
ISP_ADDRH=addr>>8;
EA= 0;
ISP_TRIG=0x46;
ISP_TRIG=0xB9;
_nop_();
dat=ISP_DATA;
uchar dcx(uint addr);
voidQ0();
/*
*/
/*
void main(void)
uchar V;
V = dcx(0x2002);//开机读取EEPROM区2002h数据，还原关电前LED的亮灭 状况
if(V==2){LED1=0;LED2=1;}
else if(V==6){LED1=0;LED2=0;}
验证第二、第三个程序时需按程序内主程序中的操作说明进行烧录单片
机，以验证是否成功操作单片机内部EEPROM。
程序1：
/***************************************************************
作品：EEP ROM实验，开机还原关电前LED的亮灭状况
ISP_ADDRH=addr>>8;
STM32L051测试 (四、Flash和EEPROM的读写)
STM32L051 测试第 4 课，掉电数据保存的测试。
..修改文中以前的问题，增加后续问题说明（数据存储大小端模式）..增加后续问题2.4.3（STM32L071RBT6 EEPROM读写全字问题）..更新一下STM32L071 EEPROM读写全字问题最后解决说明•1、STM32L051内部存储模块地址范围•2、读写函数的设计▪ 2.1 读取函数▪ 2.2 EEPROM写函数▪ 2.3 Flash写函数▪ 2.4 读写EEPROM的后续问题•总结本文测试L051 flash的读写，用来处理以后应用中的掉电数据保存。
1、STM32L051内部存储模块地址范围开始找到F103的FLASH图复习了一遍，然后L051C8T6,64KB的flash，然后我惊奇的发现还有2KB的EEPROM。
发现L051系列的地址与F103完全不同，F103的flash每页的长度有1KB（小容量<=64KB）和2KB（大容量128KB起）查看各种资料，查了2个小时，还是不知道L051的flash 每页长度是128Byte 还是256Byte还是请教了一下大佬，发现直接在J-Flash中可以找到答案，先上个F103的图：然后来看个L051的图：图中64KB 的flash 和2KB的EEPROM都能都明显的看出地址，flash 512页，每页128bytes，EEPROM只有4页，每页512bytes.知道了基本的地址，就可以操作起来了。
最后还需要确定的一点事，最小擦除单元是128bytes，还是256bytes，按以前的认知，删除是按照一个Sector擦除的，也就是128bytes，但是我查看了一些网上的例子和资料，有的是说256bytes，所以后面需要自己确定一下其实在HAL库的stm32l0xx_hal_flash.h 文件中有过FLASH_PAGE_SIZE 的定义，就是128bytes ：#define FLASH_SIZE (uint32_t)((*((uint32_t *)FLASHSIZE_BASE)&0xFFFF) * 1024U)#define FLASH_PAGE_SIZE ((uint32_t)128U) /*!< FLASH Page Size in bytes * /对于flash的操作，有一些基础知识补充一下：Read interface organized by word, half-word or byte in every area • Programming in the Flash memory performed by word or half-page • Programming in the Option bytes area performed by word • Programmi ng in the data EEPROM performed by word, half-word or byte • Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option bytes)STM32L051写Flash必须字，读字节、半字、字都支持。
51单片机片内ram读写流程
51单片机片内ram读写流程在51单片机中，对内部RAM（Random Access Memory）的读写流程主要包括以下几个步骤：一、读取操作流程：1. 地址定位：首先需要将待读取的内部RAM单元地址送入地址寄存器（通过`MOV`指令将地址值加载到`DPTR`或者`R0/R1`、`R2/R3`等间接寻址寄存器对中，对于低128字节直接寻址区，可以直接使用`ACC`配合`@Ri`或直接用`MOV`指令从指定地址读取）。
2. 读取数据：1)一旦地址被正确加载到地址总线，CPU会自动根据当前的地址去访问相应的RAM单元。
2)使用`MOVX A,@DPTR`指令可以从间接寻址区读取数据到累加器A（对于高128字节特殊功能寄存器区域，通常有特定的指令如`MOV A, direct`来读取）。
3)对于低128字节的数据存储区，可以使用`MOV A, @Ri`直接读取。
3. 数据处理：将读取到的数据进行所需的计算或逻辑操作。
二、写入操作流程：1. 地址定位：同样首先需要确定要写入数据的目标RAM单元地址，并将其送入地址寄存器。
2. 准备数据：确保要写入的数据已经存在于累加器A或其他可立即使用的寄存器中。
3. 执行写入：1)对于间接寻址区，使用`MOVX @DPTR,A`指令将累加器A中的数据写入到指定的RAM单元。
2)对于低128字节的数据存储区，使用`MOV @Ri, A`直接写入。
3)如果是向特殊功能寄存器区域写入，例如P1口寄存器，可以使用类似`MOV P1, A`这样的指令。
以上即为51单片机对片内RAM进行读写的基本流程。
在实际编程过程中，还需要结合具体的程序需求和内存分布情况灵活运用不同的寻址方式和指令集。
FLASH 读写控制
FLASH 读写控制主要内容了解FLASH存储器的结构和工作原理掌握NOR型FLASH的读写时序编程控制开发板上面的FLASH进行读写操作原理FALSH简介Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND 结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
开发板上面使用的Am29lv160DB就是一款NOR型Flash存储器，它有如下特点：（1）体积小、容量大，目前可以达到十几MB（2）掉电数据不丢失，数据可以保存10～100 年（3）有独立的地址和数据总线，可以快速地通过总线读取数据。
因此它具有和静态RAM 相同的读取速度，既可以作为数据存储器也可以作为程序存储器使用 （4）写入操作必须通过指令序列来完成，以字节（Byte）或字（Word）为单位，每写入一个Byte 或Word需十几μs（5）擦除也通过指令序列完成，以块（Block）为单位，通常块的大小为64K。
每擦除一个块需要十几ms。
Am29lv160DB FLASH的内部结构如下：管脚功能如下表：FLASH的读操作不需要写控制字，直接给地址就能出数据。
FLASH的写操作比较复杂，要先写控制字，具体操作方法如下表：具体的实例：在这里要通过实现一个比较简单的功能来验证FPGA对FLASH读写的控制，具体过程如下：系统上电复位后，通过指令，先对整个FLASH进行擦除操作，然后通过写指令向FLASH写入数据，再通过读取指令读取写入FLASH的数据，如果写入的数据和读出的数据一致，则用LED灯显示。
51单片机控制K9K8G08U0CNANDFlash读写程序
51单片机控制K9K8G08U0C NAND Flash读写程序#include#include#include/*********************************************************************/sbit NF_CLE=P0^3; //命令锁存使能（输出） CLE D3sbit NF_ALE=P3^4; //地址锁存使能（输出） ALE RSsbit NF_WE=P1^3; //NAND Flash写使能（输出） /WE DB4sbit NF_RE=P1^2; //NAND Flash读使能（输出） /RE DB3sbit NF_CE=P3^7; //NAND Flash片选使能（输出）/CE RDsbit NF_R_B=P3^5; //NAND Flash就绪/忙（输入）r/b R/D_LCDENsbit NF_WP=P3^6; //不用(已接到VCC) /WP#define NF_DATA P2/************************************************ **********************/sbit DIOLA=P2^5;/************************************************ *********************///unsigned int DataArray[10];/************************************************ *******************/// 12c5A60S2单片机初始化/************************************************ *******************/void MCU_Init(){P0M0=0x00;P0M1=0x00;P1M0=0x00;P1M1=0x00;P2M0=0x00;P2M1=0x00;P3M0=0x00;P3M1=0x00;AUXR=0x00;//TMOD=0x21;}/************************************************ *******************/void TimerInit(){TMOD=0x20; //设置定时器1为工作方式2 (0x22;)TH1=0xfd; //装入初值 (0xef;)TL1=0xfd; //装入初值 (0xef;)TR1=1; //启动定时器REN=1; //允许串口接收位SM0=1;SM1=0; //方式1SCON=0x50;///////EA=1;ES=1;// PCON=0x80;//PS=1;//PT0=0;} //晶振:22.1184M 波特率:19200/************************************************ *******************///延时/************************************************ *******************/void delay(unsigned int z)//延时参数（z）无反回值的子程序（void表示无反值）{unsigned int x,y;for(x=z;x>0;x--)for(y=100;y>0;y--);}/************************************************ ********************//模块名：51单片机控制K9K8G08U0C的读写程序//功能描述：NANDFLASH读写程序//兼容性 :适合大部分的NANDFLASH，如需要根据手册做简单修改即可//芯片型号: STC89C516RD STC12C5A60S2等。
MCS-51单片机指令系统“读-改-写”指令
MCS-51单片机指令系统“读-改-写”指令
单片机首先将欲修改的寄存器的内容读回ALU，对相应位进行修改，然后再整个写回原来的寄存器地址，完成该功能的指令就叫做“读-改-写”指令。
读锁存器和读引脚的区别
在51单片机中“读-修改-写”是单片机内部自己执行的，它发生在写IO口的时候，当写IO口的时候它先把IO的当前状态读回来，根据要写的数据修改读回来的数据，再写到IO口；读引脚是直接读引脚的当前状态，当前引脚是高电平，读回来的就是高电平，低电平时读回来的就是低电平
读的两种方式
在对并行口P0~P3操作时，这类指令从端口的锁存器读出数据而不是引脚处。
而MOV等非“读-改-写”指令，则是从端口的引脚处读数据。
单片机从端口读入数据的通道有两个，一个是从锁存器引入，一个是从输出引脚处引入，分别叫做“读锁存器”和“读引脚”。
单片机在进行端口输出时，经常要参考其上一次的输出状态。
例如，需要将连接到端口的LED闪烁。
编程序时往往需要从输出引脚读前一次的输出状态，将其求反后输出。
但如果上次是输出“1”使LED点亮，这时候虽然端口上输出逻辑是“1”，但是由于LED的二极管作用将输出高电平拉至“0”电平（0.7V左右），通过引脚读进来就是“0”而非“1”了。
这样，将“0”求反后输出还是“1”，就起不到使灯闪烁的目的了。
但是，如果这时读的不是端口而是锁存器的输出端Q，则实现闪烁的功能就正常。
上述例子很好地说明了为什么单片机在设置读端口功能后还要设置读锁存器这一功能。
读引脚由传送指令MOV实现
读锁存器用到的“读-改-写”指令用 ANL P0，A等实现。
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51单片机控制N a n d F l a s h读写的两种
方法
本文叙述了51单片机控制N a n d F l a s h读写的两种方法：总线方式和I/O模拟方式，并通过逻辑分析仪验证这两种方法均是符合N a n d F l a s h的读写时序的，最
后通过逻辑分析仪观察和汇编分析给出了这两种方法读效率的对比。
第一章 单片机与N a n d F l a s h总线连接 1N a n d F l a s h的总线时序分析
图1-1N a n d F l a s h总线操作要求
将N a n d F l a s h总线操作分为三类：写命令、写地址和数据操作（读数据与写数
据仅仅差别在n R和n W引脚，而且这两个引脚无法进行编址，故归为一类）。
根
据这三类的时序要求，选出引脚在这三类中变化的进行编址，n E引脚总是要求
低电平，不符合要求；A L和C L在这三类操作中有时是低电平有时是高电平，符
合要求。
2单片机读写外部数据存储器的时序分析
由图2和图3可以知道，51单片机在进行外部数据读写操作时要求A L E信号为低电平，这与N a n d F l a s h总线操作片选信号n E要求相同，因此可以将A L E与
n E相连。
为了能够利用N a n d F l a s h的保护功能，将n W P引脚与单片机的一个I/O 口相连。
3N a n d F l a s h与单片机的连接及编址
因为对于单片机仅仅M O V X 指令才能访问外部数据存储器，又因为单片机P 0口已经作为数据口与单片机相连，因此只能使用拥有高8位地址的P 2口。
P 2口仅仅在16位地址操作中才有用，因此编址采用16位形式，用不到的补零。
如表2所示，可知N a n d 的命令端口地址为：0×6000h ，地址端口地址为：o x A o o o h ，数据端口地址为：0×2000h 。
在C 程序中声明如下：
第二章 单片机与N a n d F l a s h I /O 直接
相连
1.N a n d 与单片机的连接
图1-1描述了N a n d F l a s h 操作的时序要求，根据该要求可以采用单片机的I /O 口与N a n d F l a s h 直接相连，通过I /O 口模拟的方式来控制N a n d F l a s h 的操作。
2.访问N a n d的指令编码
单片机与N a n d连接如图2-1所示，再根据图1-1便可以得到N a n d操作的指令编
码。
（图2-5）、读数据（图2-6）的C语言代码。
第三章 两种方法的检测
1 N a n d 写入命令时序：
A376543210 N a n d C L E#C E#W E A L E#R E R n B#W P
100->10111
表3-1-1逻辑分析
悬空为0，则当逻辑分析仪A3上显示：8E->A E时 表示向N a n d写入命令，图3-1-2表示用总线方式写入命令10h，图3-1-3表示用I/O方式写入80h。
2N a n d写入地址时序：
N a n d C L E#C E#W E A L E#R E R n B#W P
000->11111
表 3-2-1逻辑分析
悬空为0，则当逻辑分析仪A3上显示：1E->3E时 表示向N a n d写入地址。
图3-2-2与图3-2-3分表表示利用总线方式与I/O模拟方式写入地址50h的时序图。
3读取N a n d数据时序：
A376543210 N a n d C L E#C E#W E A L E#R E R n B#W P
00101->011
表3-3-1逻辑分析
悬空为0，则当逻辑分析仪A3上显示：2E->26时 表示读取N a n d中的数据。
图3-3-2表示采用总线方式读取N a n d数据F F h，图3-3-3表示采用I/O方式读取N a n d数据B B h。
4向N a n d中写入数据时序：
N a n d C L E#C E#W E A L E#R E R n B#W P
000->10111
悬空为0，则当逻辑分析仪A3上显示：0E->2E时 表示向N a n d写入数据。
图3-4-2表示用总线方式向N a n d中写入05h，图3-4-3表示用I/O方式向N a n d中写入B B h。
第四章 两种方法的比较—以读数为例 1.逻辑分析仪检测
图4-1-1逻辑分析仪检测结果
图4-1-1给出了读取一个字节时，两种方法所花的时钟周期数，可以明显看书采
用I/O方式要比采用总线方式快很多。
2.从汇编代码角度分析
图4-2-1总线读C语言代码
图4-2-2总线汇编语言源代码
图4-2-2的汇编代码是由图4-2-1C语言代码生成的。
由该汇编代码可以得出理
论上循环一次所花的时钟周期数是：67个，实际测得是61个。
图4-2-3I/O方式C语言代码
图4-2-4I/O方式汇编语言代码
图4-2-3C语言所生成的汇编代码如图4-2-4所示。
该汇编代码所需要的时钟周
期数是：43个时钟周期，实际测得是47个.。