低频电子线路习题详解(1-3章)khdaw
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d 课
低频电子线路习题
第1章
1-1本征半导体与杂质半导体有什么区别？解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度
与温度有关。
kT
E i g e
T A n 22
300?
=杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与成正
2
i n 比，即与温度有很大的关系。若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。
1-2试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？
解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。
1-3半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？
解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流
1-4在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。1-5将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。
（1）二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。正向电阻很小，而反向电阻
很大。
（2）二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。1-6在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时，发现R 10档测出的阻×值小，而用R 100档测出的阻值大，为什么？
×解：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上，当流过电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效直流电阻之和联合决定。
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通常万用表欧姆档的电池电压为1.5V ，R ×10档时，表头满量程为100μA ，万用表的内阻为＝150Ω，R ×100档时万用表的内阻为。S
R ′?=′=150010S S R R 用万用表测二极管所构成的电路如题图1-6（a ）所示，图中虚线框内所示电路为万用表的等效电路。由图可得管子两端的电压V 和电流I 之间有下列关系：
R ×10档：S
R I V ′?=5.1R ×100档：
S
S R I IR V ′?=?=105.15.1这两个方程式在V-I 坐标系中均为直线，如图（b ）所示；从二极管本身的特性看，管子的电压和电流应满足特性曲线所表示的规律。因此，同时受这两种关系约束的电压和电流必定在特性曲线与直流负载线的交点上。用R ×10档测量时，交于图中A 点，万用表读数为V 1／I 1；用R ×100档测时，交于图中B 点，万用表读数为V 2／I 2。显然前者的阻值较小，而后者的阻值大。
1-18在300K 下，一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm －3，受主原子
数等于3×1014cm －3。
（1）试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是N 型还是P 型锗？它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现？［提示］若N a ＝受主原子（负离子）浓度，
N d ＝施主原子（正离子）浓度，
则根据电中性原理，可得
p
N n N d a +=+又
2
i n np =（300K 下，锗的n i ＝2.4×1013cm －3）
由上二式可求出n 、p 之值。
（2）若N a ＝N d ＝1015cm －3，重做上述内容。
（3）若N d ＝1016cm －3，N a ＝1014cm －3，重做上述内容。
解：（1）由与n ＋N a ＝P ＋N d 可得2
i p n n =0)(2
2=??+i a d n p N N p 解之得
????
??+?±??=
22
4)()(21i a d a d n N N N N p 由于p ＞0，故上式根号前应取“＋”号，已知
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n i ＝2.4×1013cm －3，N a ＝3×1014cm －3，N d ＝2×1014cm －3
代入上式得[]
3
142132
141410055.1)104.2(410)32(10)32(21?×=??
???
?
×+×?+×??=
cm p n ＝p ＋（N d －N a ）＝1.055×1014＋（2－3）×1014＝5.5×1012cm －3
由此可知n ＜p 因而是P 型锗。
（2）由于N a ＝N d ，因而由n ＋N a ＝p ＋N d 得
n ＝p ＝n i ＝2.4×1013cm －3
这是本征锗。
（3）由于N a ＜＜N d ，因而可得n ＞＞p n ≈N d =1016cm －3
n ＞＞p ，故为N 型锗。
3
1016
2132
1076.510)104.2(?×=×==cm
n n p i 1-20若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在T ＝300K 时自由电子和空穴热平衡浓度值，掺杂前后半导体的电导率之比。
解：T ＝300K 时，n 0≈N d ＝（4.96×1022／105）cm －3＝4.96×1017cm －3＞＞n i ＝1.5×1010cm －3
则
3
202
01053.4?×≈=cm n n p i
本征半导体电导率σ本＝（μn ＋μp ）n i q ＝5.04×10－6S/cm 杂质半导体电导率σ杂≈μn n 0q ＝119S/cm 因此σ杂／σ本＝238×105
1-21在室温（300K ）情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA ，问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压。设二极管的指数模型为,
)1(?=T
D mV S D e I i υ其中m ＝1，V T ＝26mV 。
解：将代入公式得
1115.0＞＞ ，，，T
D V S D e
nA I m mA i υ===S
D
T D S D V I i V I i e T D ln
=?=υυV I i V S
D
T D 34.0ln
≈=υ1-25二极管的正向伏安特性曲线如题图1-25所示，室温下测得二极管中的电流为20mA ，试确定二极管的静态直流电阻R D 和动态电阻r d 的大小。
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答案
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解：（1-25）
从图中可见，I DQ =20mA 、V DQ =0.67V ，所以静态直流电阻R D 为
?=×=
=
?5.3310
2067
.03
DQ
DQ D I V R 从图中可见，，因而在静态工作点处其交流电阻为
mA I D 201030=?=??==?=
3.120
26
D T d I V r 1-26由理想二极管组成的电路如题图1-26所示，试求图中标注的电压V 和电流I 的大小。
解：在图（a ）电路中D 2管优先导通，输出端电压=＋3V ，D 1截止，通过1k Ω电阻的电流I=8mA ；
题图1-26（b ）的变形电路如右图所示，从图中可见：假定D 1截止D 2导通，则输出端的电压；由于D 2()()V 33.3101010
51010+=?+×+??=是理想二极管，则A 点电压也为＋3.33V ，显然，假定D 1截止是错误的。
若D 1导通，A 点电压为零，则输出端电压也为零V ＝0，则通过D 1的电流为
()mA I 110
100510=???=1-27二极管电路如题图1-27所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输出电压V o 。设二极管的导通压降为0.7V 。
解：判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断开（图中A 、B 两点之间断开），然后求该二极管阳极与阴极之间承
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受的电压。如果该电压大于导通电压，则说明该二极管处于正向偏置而导通，两端的实际电压为二极管的导通压降；如果该电压小于导通电压，则二极管处于反向偏置而截止。在判断过程中，如果电路中出现两个以上二极管承受大小不相等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压降，然后再用上述方法判断其余二极管的状态，具体分析如下：
①在图题1-27（a ）中，首先将二极管D 断开，求二极管两端将承受的电压V AB ＝V A －V B ＝－5V －（－10V ）＝5V 。显然，二极管接入以后处于正向偏置，工作在导通状态。如果设二极管是理想器件，正向导通压降V D ＝0V ，则输出电压V O ＝V A －V D ＝－5V 。若考虑二极管的正向压降V D(on)＝0.7V ，则输出电压V O ＝V A －V (on)D ＝－5V －0.7V ＝－5.7V 。
②在图题1-27（b ）中，断开二极管V D ,有V AB ＝V A －V B ＝－10V －（－5V ）＝－5V 。可见，二极管V D 接入以后，将承受反向电压，D 处于截止状态（相当于断开），电路中电流等于零（设反向饱和电流为零），R 上的电压降等于零，故V O ＝V B ＝－5V 。
③在图题1-27（c ）中，首先将D 1和D 2断开，求两管将承受的电压为：V D1：V B1A =V B1－V A ＝0V －（－9V ）＝9V V D2：V B2A ＝V B2－V A ＝－12V －（－9V ）＝－3V 二极管接入以后，V D1因正偏处于导通，则V O ＝V A ＝V B1－V VD1＝0V －0.7V ＝－0.7V
而V B2A ＝－12V －（－0.7V ）＝－11.3V ，所以，V D2因反偏处于截止状态。④在图题1-27（d ）中，首先将V D1和V D2断开，求得两管将承受的电压。V D1：V AB1＝V A －V B1＝15V －0V ＝15V V D2：V AB2＝V A －V B2＝15V －（－10V ）＝25V
二极管接入以后，因V D2承受的正向电压较V D1高，优先导通；使A 点的电位V A ＝V B2＋V D2（on ）＝－10V ＋0.7V ＝－9.3V 。D 1因承受电压而截止。故
V O ＝V A ＝－9.3V
1-28题图1-28所示电路中稳压管的稳压值为6V ，稳定电流为10mA ，额定功率为200mW ，试问
（1）当电源电压在18V ~30V 范围内变化时，输出V o 是多少？稳压管是否安全？
（2）若将电源电压改为5V ，电压V o 是多少？
（3）要使稳压管起稳压作用，电源电压的大小应满足什么条件？
解：由于稳压管的额定功率为200mW ，而V Z 为6V ，则通过稳压管的最大允许电流为
mA
I Z 3.336
200
max ==（1）当电源电压在18～30V 范围内变化时，输出电压V o ＝6，而通过稳压
管的电流I Z 为＜，所以稳压管是安全的。mA I Z 2410
16
303
=×?=max Z I （2）若电源电压改为5V ，电压V o ＝5V （不稳压）。
（3）V V V V I I 3.3916103.3310
16
101033
3＜＜＜＜
?××?
×??w w
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1-29题图1-29中给出实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是否处于正常工作状态？如果不正常，是短路还是断路？如果正常，是工作于放大状态，截止状态还是饱和状态？
解：三极管的三种工作状态的偏置特点为：
放大状态——发射结正偏、集电结反偏；饱和状态——发射结正偏、集电结正偏；截止状态——发射结反偏、集电结反偏。正偏时三极管的发射结电压为：硅管0.7V 、锗管0.3V 。若违反以上特点，则考虑管子是否损坏。
综合分析后得：（a ）放大状态；（b ）发射结断路；（c ）放大状态；（d ）发射结短路；（e ）截止状态；（f ）饱和状态；（g ）发射结断路；（h ）放大状态。
1-32已知电路如题图1-32所示，试判断下列两种情况下电路中三极管的状态：
（1）V CC =15V R b ＝390k ΩR c ＝3.1k Ωβ＝100
（2）V CC ＝18V R b ＝310k ΩR c ＝4.7k Ωβ＝100
解：（1）
A R V V I b
BEQ
CC BQ μ7.3610
3907
.0153
≈×?=
?=
mA
I I BQ CQ 67.3107.361006=××==?βV
R I V V c CQ CC CEQ 6.34.1115=?=?=因为V CEQ ＞1V ，所以T 处于放大状态（2）
假设放大管处于饱和状态，令V CES
≈0
则
mA R V V I c
CES
CC CS 83.3
≈?
=
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A I I CS
BS μβ
3.38==BS B I A I ＞μ8.5510
3107
.0183
≈×?=
所以T 处于饱和状态。
1-34某三极管的输出特性曲线如题图1-34所示，从图中确定该管的主要参数：I CE0、P CM 、V （BR ）CE0,β（在V CE ＝10V ，I C ＝4mA 附近）。
答案：I CE0＝0.2mA ；P CM ＝40mW ；V CE0=25V ；β＝50
1-36若测得某半导体三极管在I B ＝20μA 时，I C ＝2mA ；I B ＝60μA 时，I C ＝5.4mA ，试求此管的β、I CE0及I CB0各为多少？
解：根据三极管电流分配关系I c ＝βI B ＋I CE0和已知条件，有
2000μA ＝20·β＋I CE0
5400μA ＝60·β＋I CE0由此解得β＝85I CE0＝300μA 又I CE0＝（1＋β）I CB0,所以I CB0≈3.5
μA
1-38已知半导体三极管静态工作点电流
I CQ =2mA ，β＝80，|V A |＝100V ，，试画出
0=′b b r 器件的混合π型等效电路，并求其参数、g m 和r ce 值。
e b r ′解：混合π型等效电路如图所示。由于，则I EQ ＝I CQ ／α＝2.025mA 9876.01=+=
β
β
a 因此，，?=+=′1040)
1(EQ T
e b I V r βmS r g e b m 77==′β?==k I V r CQ
A ce 501-42N 沟道JFET 的输出特性如题图1-42所示。漏源电压的V DS ＝15V ，
试确定其饱和漏电流I DSS 和夹断电压V P 。并计算V GS ＝－2V 时的跨导g m 。
解：由图可得：饱和漏电流I DSS ≈4mA ，夹断电压V P ≈－4V ，V GS ＝－2V 时，用作图法求得跨导近似为：＝mS i g GS D m )
2(14
.16.2????≈≈
υ△△1.2mS 第2章
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2-1什么叫放大器？试述题图2-1放大电路中各元件的作用？
2-2根据放大电路的组成原则，判断题图2-2所示各电路能否正常放大。
题图2-2
解答：图（a ）电源电压为负值，晶体管没有合适的工作点，电路不能正常放大；
图（b ）电容C b 隔断了直流，晶体管处于截止状态，电路不能正常放
大；
图（c ）电容C b 将输入信号短路，电路不能正常放大；
图（d ）晶体管的集电极为交流地电位，所以，电路不能正常
=o υ放大；
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图（e ）晶体管处于截止状态，电路不能正常放大；图（f ）电路有放大作用
2-3画出题图2-3放大电路的直流通路和交流通路以及的波E E B B i i υυ、、、形图（设，放大器处于线性状态工作，而且在工作频BE sm sm s V V t V ＜＜,sin ωυ=率下耦合电容和C e 足够大，它们所呈现的阻抗很小，可视为短路）。
b C 题图2-3
题图2-4
解：题图2-3
2-4
在题图
2-4
所示的电路中，已知管子的
mA
17.2,7.0,100)(?=?==CQ on BE I V V βr ce 不计，信号源设试求三极管各极电
。，?==k R V t s s 10)(sin 1.0ωυ'0,bb r =w w
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压和电流值、、、。B i BE υC i CE υ解：
∵I CQ ＝－2.17mA ∴A
I I CQ BQ μβ
7.21?==
()
?=×=+=′k I V r CQ
T
e b 21.198.111011β)
(sin 92.8A t r R i e
b s s
b μωυ=+=
′则i B ＝I BQ ＋i b ＝（－21.7＋8.92sin ωt ）μA υBE ＝V BE(on)＋υbe ＝（－0.7＋0.01sin
ωt ）V
i C ＝I CQ ＋i C ＝（－2.17＋0.892sin ωt ）mA υCE ＝V CEQ +υo ＝（－7.66＋0.27sin ωt ）
V
2-8试用估算法确定题图2-8所示放大电路的Q 点。已知三极管的。50β=题图2-8
解：
()()e
b BEQ
c BQ CC BQ R R V R I V I ββ++?+?=
111）()()
A
R R R V V I e c b BEQ
CC BQ μβ541=+++?=
2）I CQ ＝βI BQ ＝2.7mA
3）V CEQ ＝V CC －（I C ＋I B ）（R c ＋R e ）＝3.46V
2-10
设计一个如题图2-10所示的分压式偏置电路。已知
它的静态工作点。试选
V V CC 1250==，βV V V V mA I BEQ CEQ CQ 7.05.41===，，择R b1、R b2、R c 和
R e 。
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解：因为V BQ ＝（3～5）V ，这里取V BO ＝4V ，所以V BQ ＝V BQ －0.7V ＝3.3V
?=×=
≈
=
k I V I V R CQ
EQ EQ EQ e 3.310
13
.33
取标称值R e ＝3.3k Ω又因为A I I CQ
BQ
μβ2050
1013
=×==?取I 1＝（5～10）I BQ ＝（100～200）μA ，这里取I 1≈I 2＝200μA
所以
?=×=
=
?k I V R BQ
b 2010
2004
6
22取标称值R b2＝20k Ω
?
=×?=
?=
?k I V V R BQ
CC b 40102004
125
1
1取标称值R b1＝39k Ω
?=×??=
??=
?k I V V V R CQ
EQ
CEQ CC c 2.410
13
.35.4123
取标称值R c ＝4.3k Ω
2-13已知题图2-13所示放大电路中三极管的参数为，
?==′30040b b r ，β试估算它的工作点及电压增益，如果放大器输出端外接的负载，问这时放大4k ?器的电压增益下降到多少？
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题图2-13
题图2-14
解：（1）静态工作点依据题意有
()()V
V R R R V CC b b b BQ 1.2127
.4227.4211
?=?×+=?+=
mA R V V R V I e
BEQ
BQ e EQ
EQ 9.110
12
.01.23
?=×+?=
?=
=
A I I EQ
BQ
μβ4642
109.113
?≈×?=+=?mA
I I BQ CQ 84.11046406?=××?==?βV
R I R I V V e EQ c CQ CC CEQ 5.519.15.284.112?=×+×+?=???=（2）电压增益
因为
()()?
===
68.139
.12626mA I mV r EQ e ()2
.11668
.134130010254013
001?≈×+××?=++?=′e b b c r r R A ββυ当放大器输出端外接4k Ω的负载时，由于R L ＝4k Ω，()?=×+××==′k R R R C L L 538.110
45.21045.2//3
6
所以()46
.7168
.134130010538.14013
002
?=×+××?=++′?=′e b b L r r R A ββυ2-14
题图2-14所示电路，属于何种组态？若输入信号波形为正弦波，试定性画出及的波形，并说明与的相位关
BE E C CB i i υυ、、、o υ
o υi υ系。
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解：该电路属于共基组态
2-24由N 沟道耗尽型场效应管组成的源极输出器电路如题图2-24，设静态值V GS ＝－0.2V ，g m ＝1.2mA /V ，试求：
（1）静态值I D 和V DS ；
（2）电压放大倍数A υ，输入电阻R i 和输出电阻R o 。
解：（1）求静态值I D 和V DS 由该电路的直流通路可求得：
V
V R R R V DD G G G G 42
12
=+=
题
又
V G －V GS ＝I D R S
所以
题图2-24
mA k R V V I S GS G D 42.0102
.04=?+=?=
V DS ＝V DD －I D R S ＝15.8V
（2）计算电压放大倍数A υ，输入电阻R i 和输出电阻R o
先画出微变等效电路如图所示由微变等效电路可得
()()86
.0//1//1=+=′+′=′+′=+==
L S m L S m L m L
m L
gs m gs L gs m o gs o i o R R g R R g R g R g R g R g A υυυυυυυυυR i ＝R g ＋R g1//R g2＝1M Ω＋2M Ω
//500k Ω＝1.4M Ω
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输出电阻R o 的求法：将输入端信号源短路，断开负载电阻R L ，输出端外加交流υo ，则υgs ＝－υo ，从而输出电阻为
?
==+=?=?=
k g R g R g R I I R m
S o m S
o o gs m S o o D R o o S 77.01
//υυυυυυυ第3章
3-3在题图3-3所示的差分放大器中，已知υi1＝5.01V ，υi2＝4.98V ，β
＝100，V BE ＝0.7V ，试求T 1和T 2管的集电极静态电流I CQ ，共模输入电压υic 和差模输入电压υid 。
（答：I CQ =0.52mA ，υic ＝4.995V ，υid ＝30mV ）
解：由于，则mA R V V I EE EE BE 04.10=??=
mA
I
I I CQ CQ 52.02
021=≈=995.42
2
=+=
i ic ic υυυυid ＝υi1－υi2＝30mV
3-4在题图3-4所示共发-共基组合差分放大器电路中，V B 为共基管T 3、T 4
提供偏置。设超β管T 1、T 2的β1＝β2＝5000，T 3、T 4的β3＝β4＝200，设T 3、
T 4管的|V A |→∞。试求差模输入电阻R id ，双端输出时的差模电压增益。
d A υ解：由于I CQ1＝I CQ2≈
=13.25μA ，则2
5C I ()?
=+=′M I V
r CQ T e b 8.91111β因此
()?
=+=′M r R R e b id 6.192115
.23911
11331133
121?=+?≈?++?
==′′′′e b c e b c e b e b d r R R
r R r R r A A A ββββυυυw w
w .
k h d
a w .c o m
课
后
答
案
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3-6比例式电流源电路如题图3-6所示，已知各三极管特性一致，V BE ＝
0.7V ，β＝100，|V A |＝120V ，试求I C1、I C3和T 3侧的输出交流电阻R o3。
解：参考电流
mA
R R V I on BE C 26
04
2)(2=++?=
则
mA I R
R
I C C 13.121==
mA R R I I C C 33.33
2
2
3==输出交流电阻()?
≈?????
?++++≈′k R r R r R R r R e e b ce o 1016//1224333
33β其中()
?==?==?=+=′k I V r I V
r I V r C A ce C T e C T e b 36,13,78013
32233β3-7题图3-7所示为有源负载差分放大器，已知各管参数相同，V BE ＝0.7V ，
β＝100，|V A |＝100V ，试画出差模交流通路和等效电路，并求差模输入电阻R id 、差模输出电阻R od 、差模电压增益＝υod /υid 。
d A υw w
w .
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题图3-7
解：1）
2）由于
mA
R V I on BE C 113
)
(5=?=
则，mA I I I C C 5.02021===()?=+===′′′k I V
r r r C T e b e b e b 25.511
421β因此
?
==′k r R e b id 5.1021由于()?
≈??
????++++=′k R r r r R R r R e ce e b ce o 2960//1131422
44β其中，?==
==k I V r r r C A ce ce ce 2001
421?==
521
3C T
e I V r 因此
，?≈=k R r R o ce od 180//42()7
.182//2
==
′e b od L d r R R A βυ3-9电路如题图3-9所示，T 1与T 2管为超β管，电路具有理想的对称性。
选择合适的答案填入空内。
（1）该电路采用了__________C_______________。
w w
w .k h d
a w .c o m
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A 共集－共基接法
B 共集－共射接法
C 共射－共基接法（2）电路所采用的上述接法是为了___________C_________________.
A 增大输入电阻
B 增大电流放大系数
C 展宽频带（3）电路采用超β管能够________B________.
A 增大输入级耐压值
B 增大放大能力
C 增大带负载能力（4）T 1与T 2管的静态管压降V CEQ 约为_________A___________
A .0.7V B. 1.4V C.不可知
3-20在题图3-20中，已知V CC ＝15V ，R 4＝R 5＝0.5Ω，R L ＝8Ω，三极管的饱和压降均为2V ，在输入电压足够大时，求：
（1）最大不失真输出电压的有效值V om ；（2）负载电阻R L 上的电流的最大值I L max 。（3）最大的输出功率P omax 和效率η。解：（1）题图3-20所示电路中，
V V R R R V V V L
CES CC R 76.05.08
5.02
15444=×+?=
×+?=
故有
V
V V V V V R CES CC om 65.8414.176
.02152
4
≈??=
??=
（2）A A R V V V I L
R CES CC L 53.18
76
.02154
max ≈??=
??=（3）()()W
W R V V V
P L
R CES CC
om
36.98
276.021522
2
4≈×??=??=
()
()%
6415
476.01314.344≈×?×=
??=
CC
R CES CC V V V V πη3-22在题图3-22所示电路中，已知二极管的导通电压V D(on)＝0.7V ，三
极管导通时的V BE ＝0.7V ，T 2和T 3管发射极静态电位V EQ ＝0。试问：
w w
w .
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（1）T 1、T 3和T 5管基极的静态电位各为多少？
（2）设R 2＝10kΩ，R 3＝100Ω。若T 1和T 3管基极的静态电流可忽略不计，则T 5管集电极静态电流约为多少？静态时υi 为多少？
（3）若静态时I B1＞I B3，则应调节哪个参数可使I B1＝I B3?如何调节？
（4）电路中二极管的个数可以是1、2、3、4吗？你认为哪个最合适？为什么？
题图3-22
解：（1）在题图3-22所示电路中，V EQ ＝0，故有V B1＝V BE1＋V BE2=(0.7＋
0.7)V=1.4V ，V B3＝－0.7V ，V B5＝V BE5＋（－V CC ）＝（0.7－18）V ＝－17.3V
（2）mA mA R V V I B CC C 66.110
4
.118215≈?=?=
V
V B i 3.175?=≈υ（3）若静态时i B1＞i B3，则可以向电阻增大方向调节电阻R 3使i B1＝i B3。（4）在电路中采用题图3-22的方式就很好，即用两支二极管和一个小电阻相串联，因为这样可以调整小电阻的阻值以满足要求。如果采用三支二极管相串联也可以，因为晶体管T 1与T 3之间刚好有三个PN 结。
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低频电子线路课程设计
课题函数发生器设计 一、设计任务 设计一个能产生正弦波、方波和三角波的简易函数发生器，该发生器的输出频率可调，幅值可调。输出的信号波形完整不失真，输出阻抗不大于100欧。 二、课题要求 （1）输出波行：正弦波、方波和三角波 （2）输出频率：300HZ--10KHZ可调 （3）输出幅值：30mv-3v可调 （4）输出阻抗不大于100欧 三、电路设计参考结构 分析以上设计任务可知，该设计可以有多种实现方案，下面给出三种电路结构供参考。 参考方案一 该方案（图1.1）特点是：先产生正弦波，而后比较器产生方波；再通过积分器或其它电路产生三角波；最后通过幅值控制和功率放大电路输出信号。此电路的正弦波发生器的设计要求频率连续可调，方波输出要有限幅环节，积分电路的时间参数选择很重要，保证电路不出现积分饱和失真。 图1.1 简易函数发生器参考方案一
参考方案二 方案2见图1.2，其特点是先产生方波，而后通过积分器或其它电路产生三角波，再用有源滤波器产生正弦波；最后通过幅值控制和功率放大电路输出信号。此电路的方波发生器的设计要求频率连续可调，输出要有限幅环节，积分电路的时间参数选择保证电路不出现积分饱和失真。 有源滤波 图1.2 简易函数发生器参考方案二 参考方案三 方案3见图1.3，特点是也先产生方波，而后通过积分器或其它电路产生三角波，再用无源滤波器产生正弦波；最后通过幅值控制和功率放大电路输出信号。此电路的方波发生器的设计要求频率连续可调，输出要有限幅环节，积分电路的时间参数选择保证电路不出现积分饱和失真。 图1.3 简易函数发生器参考方案三
四、报告要求 1、课题的任务和要求。 2、课题的不同方案设计和比较，说明所选方案的理由。 3、电路各部分原理分析和参数计算。 4、测试结果及分析： （1）实测输出频率范围，分析设计值和实测值误差的来源。 （2）对应输出频率的高、中、低三点，分别实测输出电压的峰－峰值范围，分析输出电压幅值随频率变化的原因。 （3）频率特性测试，在低频端选定一个输出幅值，而后逐步调高输出频率，选12～15个测试点，用示波器观测输出对应频率下的输出幅值，填入自己预做的表格，画出电路的幅频特性。 注意：输出幅值一旦选定，在调节输出测试频率点过程中，不能再动！ （4）画出示波器观测到的各级输出波形，并进行分析；若波行有失真，讨论失真产生的原因和消除的方法。 5、课题总结 6、参考文献
低频电子线路思考题答案
1、二极管电路如题图所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输出电压V o。设二极管的导通压降为0.7V。 解：判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断开（图中A、B两点之间断开），然后求该二极管阳极与阴极之间承受的电压。如果该电压大于导通电压，则说明该二极管处于正向偏置而导通，两端的实际电压为二极管的导通压降；如果该电压小于导通电压，则二极管处于反向偏置而截止。在判断过程中，如果电路中出现两个以上二极管承受大小不相等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压降，然后再用上述方法判断其余二极管的状态，具体分析如下： ①在图（a）中，首先将二极管D断开，求二极管两端将承受的电压V AB＝V A－V B＝－5V－（－10V）＝5V。显然，二极管接入以后处于正向偏置，工作在导通状态。如果设二极管是理想器件，正向导通压降V D＝0V，则输出电压V O＝V A－V D＝－5V。若考虑二极管的正向压降V D(on)＝0.7V，则输出电压V O＝V A－V(on)D＝－5V－0.7V＝－5.7V。 ②在图（b）中，断开二极管V D,有V AB＝V A－V B＝－10V－（－5V）＝－5V。可见，二极管V D接入以后，将承受反向电压，D处于截止状态（相当于断开），电路中电流等于零（设反向饱和电流为零），R上的电压降等于零，故V O＝V B＝－5V。 ③在图（c）中，首先将D1和D2断开，求两管将承受的电压为： V D1：V B1A=V B1－V A＝0V－（－9V）＝9V V D2：V B2A＝V B2－V A＝－12V－（－9V）＝－3V 二极管接入以后，V D1因正偏处于导通，则 V O＝V A＝V B1－V VD1＝0V－0.7V＝－0.7V 而V B2A＝－12V－（－0.7V）＝－11.3V，所以，V D2因反偏处于截止状态。 ④在图（d）中，首先将V D1和V D2断开，求得两管将承受的电压。 V D1：V AB1＝V A－V B1＝15V－0V＝15V V D2：V AB2＝V A－V B2＝15V－（－10V）＝25V 二极管接入以后，因V D2承受的正向电压较V D1高，优先导通；使A点的电位V A＝V B2＋V D2（on）＝－10V＋0.7V＝－9.3V。D1因承受电压而截止。故 V O＝V A＝－9.3V
低频电路期末试卷A和答案
福建农林大学期末考试试卷（A）卷 2013 ——2014 学年第1 学期 课程名称：低频电子技术考试时间120分钟 专业年级班学号姓名 一、选择题（每小题1分，共10分） A的变1、某负反馈放大器3 10 A，由于外部因素影响，A的变化率为±10％，要求 f 化率±0.1％，则反馈系数F=（D）。 A．0.01 B．0.099 C．0.1 D．0.99 2、在长尾式差动放大电路中，两个放大管发射极公共电阻的主要作用是（D）。 A．提高差模输入电阻 B．提高差模电压放大倍数 C．提高共模电压放大倍数 D．提高共模抑制比 3、反映场效应管放大能力的一个重要参数是（D ） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 4、双端输出的差分放大电路主要（D ）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 5、典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（A ）。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断
6、差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（D ） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 7、负反馈放大电路以降低电路的（C ）来提高电路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 8、为了使运放工作于线性状态，应（D ） A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈 9、在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（B ）。 A. àF=1 B. àF> C. àF<1 D. àF=1 10、振荡电路的振荡频率，通常是由（D ）决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数 二、填空题（每题2分，共20分） 结的基本特性是特性。 2．双极型晶体管（BJT）工作在放大区的偏置条件是。 3．射极跟随器具体、、等三个特性。 4．差分放大电路的基本功能是、。 5．在信号源内阻小，负载电阻大的场合，欲改善放大电路的性能，应采用反馈。6．为了消除基本共射极放大电路产生的饱和失真，应将静态工作电流。 7．乙类推挽放大电路主要失真是，要消除此失真，应改用。 8．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其反馈类型为。
2012—2013学年度低频电子线路A
武汉大学电子信息学院 2012—2013学年度第一学期期末考试试题 低频电子线路（A卷） 一．不定向选择题（每小题2分，共16分） 1．半导体的性质正确的说法有（） A、本征半导体在绝对零度时是绝椽体。 B、温度升高导电能力增强。 C、N型半导体的多子是电子。 D、掺入杂质导电能力提高。2． PN结在外加较大正向电压时（） A、直流电阻大于交流电阻。 B、直流电阻小于交流电阻。 C、扩散电流大于漂移电流。 D、漂移电流大于扩散电流。 3．温度升高时，共发射极放大器的描述中正确的有（） A、β值升高。 B、V 下降。 BE（ON） 降低。 C、集电极电流将下降。 D、饱合压降V CES 4．差分放大器的特点有（） A、放大倍数与输入方式无关。 B、可抑制零点漂移。 C、共模输入电阻很小。 D、共模放大倍数小。 5．负反馈放大器性能的影响或改善正确的说法有（） A、电压反馈使输出电阻减小。 B、电流反馈使输出电阻增大。 C、负反馈使放大器性能稳定。 D、负反馈可以减小放大器的失真。6．关于电流源的说法中正确有 A、具有较小的直流电阻和较大的交流电阻。 B、可作为负载使用。 C、具有较大的直流电阻和较小的交流电阻。 D、可用作偏置电路使用。7．放大器的非线性失真主要有：（） A、频率失真。 B、截止失真。 C、 饱合失真。 D、幅度失真。 8．图示为输出与输入信号电压的波 形。问该电路为（） A、过零比较器。 B、积分器。 C、微分器。 D、滞回电压比较器。 二、填空题（每空1分，共14分） 1．在N型半导体中，多数载流子的浓度主要取决于；少数载流子的浓度主要取决于。 2．已知晶体管的α值为0.98，则晶体管的β＝；若要得到9.8mA的集电极电流，基极电流I B＝。 3．晶体三极管用来放大信号时，应使发射结处于偏置，集电结处
高频电子线路(电子) 试卷 (期中)答案
高频电子线路（电子）试卷（期中） 一、填空题（共35分） 1．LC串联谐振回路中，当工作频率小于谐振频率时，回路呈容性，LC并联谐振回路中，当工作频率小于谐振频率时，回路呈感性（2分） 2. LC串联谐振回路中，当工作频率大于谐振频率时，回路呈感性，LC并联谐振回路中，当工作频率大于谐振频率时，回路呈容性。（2分） 3.衡量高频小信号放大器选择性的指标有矩形系数和抑制比。（2分） 4. 要观察调谐放大器的谐振曲线，需要的仪器是扫频仪。（1分） 5. 小信号调谐放大器的主要技术指标有增益、通频带、选择性、工作稳定性和噪声参数。（2分） 6. 单调谐放大器经过级联后电压增益增大、通频带变窄、选择性变好。（3分）7．丙类高频功率放大器空载时工作于临界状态，当加上10kΩ负载时，其电流 I c0和输出功率变化情况为I c0略有增大（基本不变），P o减小。（2分） 8. 发射机的中间级高频功率放大器，应工作于过压状态。因为过压状态输出电压平稳且弱过压时，效率最高。（2分） 9. 高频功率放大器的三种工作状态，分别为过压、临界、欠压。欲使功率放大器高效率地输出最大功率，应使放大器工作在临界状态；为了兼顾效率和功率，一般高频功率放大器的通角θ选为_700。（4分） 10. 发射机的末级高频功率放大器，应工作于临界状态，因为临界状态输出功率最大。（2分） 11. 丙类高频功率放大器原工作于临界状态，当其负载断开时，其电流I c0、I c1和功率变化情况为I c0减小，I cm1减小，P o减小。（3分）12．三端式振荡电路是LC正弦波振荡器的主要形式，可分为电容三端式和电感三端式两种基本类型。（2分） 13. 皮尔斯晶体振荡器中，石英晶体等效为电感元件。（1分）
电子线路期末试卷及答案
(1)在半导体内部，只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 (3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。 A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。 A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。 A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A．同相位 B．相位差90° C．相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。 A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。 A．增大 B．反向 C．中断 （9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是( )。 A．放大电流 B．调节偏置电流I BQ C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。 （10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三．填充题（2’×10） (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V C≈V G，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。
低频电子电路习题答案及指导
1-8 在题图1-4所示的硅二极管电路中，输入交流信号V im 为5mV ，问输出交流电压V om 为多少？设电容C 对交流信号的容抗可忽略不计。 【分析思路】 （1）从电路结构出发，在两个电源作用下，电路中每个元器件的电压和电流原则上均包含两部分响应，即不变的直流和变化的交流；（2） 具体说来，电容所在支路因电容的存在不可能含直流电流的流动，即Ω25电阻上无直流电 压降；（3）考虑到交流电压的变化范围较小，由此在各元件上引起的变化电压和电流也不会大，即相对于直流属于小信号。综合起来，该题可以采用在直流工作点下的小信号分析方法。 【解答】（1）在令交流电压源为零条件下，画出原电路的直流通路如图1-8-1（a ）所示。 （a ）题图1-4在V im =0时的电路图 （b ）直路分析图 （c ）二极管分析模型 图1-8-1 题图1-4的直流通路获取 在只提供二极管为“硅管”信息条件下，我们能采用的最精确二极管模型也只有图1-8-1（c ）的模型了。据此，得V 3.57.06直o =-=V ，mA 04.11.5/3.5直D ==I ；管子处于 导通状态。 （2）在令原图中直流电压源为零条件下，画出原电路的交流通路如图1-8-2（a ）所 示，在二极管用小信号电阻替代，容抗为零的电容用短路线替代后得小信号等效图（c ）。 （a ）令原图直流源为零时的电路 （b ）整理后的交流通路 （c ）小信号等效图 图1-8-2 题图1-4的交流分析图获取 题图1-4
Ω≈=≈ 25mA 04.1mV 26DQ T d 常温 I V r () ()[] mV 5.225//105.125 //105.12533 im om ≈???+= V V 【结论】 在二极管直流压降V 3.5直D =V ，交流压降mV 5.2m d =交V 条件下，可知满足计 算前的“小信号分析”假设条件，因此分析合理，即mV 5.2om ≈V 。 1-9 请思考下列说法是否正确：（1）二极管的结电容越大二极管允许的最高工作频率越高；（2）二极管的结电容与外加电压的关系是线性的；（3）二极管的结电容由势垒电容和扩散电容组成；（4）在反偏时主要由扩散电容起作用。 1-10 在某电路保持不变的条件下，温度为20℃时测得二极管的电压V D =0.7V 。当温度上升到40℃时，则V D 的大小将增加还是减小。 1-11 如何用万用表来判断二极管好坏、极性。 1-12 电路如题图1-5所示，请在选用图1-3-7（b ）的二极管模型，以及on 0.6V V =时，画出电路输入输出电压关系曲线。 题图1-5 1-13 电路如题图1-6所示，已知稳压管VD Z 的稳压值V Z ＝10V ，稳定电流的最大值I Zmax = 20mA ，稳定电流的最小值I Zmin = 5mA ，负载电阻R L ＝2k Ω。要求当输入电压V I 由正常值发生±20%波动时，输出电压基本不变。试求：电阻R 和输入电压V I 的正常值。 解： 【分析思路】：根据精度选择的不同得到两种结果： 题图1-6
低频电子线路实验报告
实验报告 实验课程：低频电子线路实验 学生姓名：付容 学号：6100212236 专业班级：电气信息I类126班 2013年12月26日
目录 实验一、仪器放大器设计与仿真 (3) 实验二、逻辑电平信号检测电路设计与仿真 (8) 实验三、三极管β值分选电路设计与仿真 (13) 实验四、宽带放大电路设计与仿真 (22)
南昌大学实验报告 学生姓名： 付容 学 号： 6100212236 专业班级：电一126班 实验类型：□ 验证 ■ 综合 □ 设计 □ 创新 实验日期： 2013.12 实验成绩： 实验一 仪器放大器设计与仿真 一、实验目的 1、 掌握仪器放大器的设计方法 2、 理解仪器放大器对共模信号的抑制能力 3、 熟悉仪器放大器的调试功能 4、 掌握虚拟仪器库中关于测试模拟电路仪器的使用方法，如示波器，毫伏表信号发生器等虚拟仪器的使用 二、实验原理 仪器放大器是用来放大差值信号的高精度放大器，它具有很大的共模抑制 比，极高的输入电阻，且其增益能在大范围内可调。 下图是由三个集成运放构成的仪器放大器电路。其中，集成运放U3组成减法电路，即差值放大器，集成运放U1和U2各对其相应的信号源组成对称的同相放大器，且 。 图中所示是有三个运放构成的仪器放大器。其中，集成运放U3组成差值方法器，集成运放U 1和U4组成对称的同相放大器，且R 1=R 2，R 3=R 5，R 4=R 6。由于v -错误！未找到引用源。v +，因而加在RG （即R1)两端的电压为错误！未找到引用源。，相应通过RG 的电流i G =错误！未找到引用源。，由于i -错误！未找到引用源。0，因而
高频电子线路第三章习题答案
习题 高频功率放大器的主要作用是什么应对它提出哪些主要要求 答：高频功率放大器的主要作用是放大高频信号或高频已调波信号，将直流电能转换成交流输出功率。要求具有高效率和高功率输出。 为什么丙类谐振功率放大器要采用谐振回路作负载若回路失谐将产生什么结果若采用纯电阻负载又将产生什么结果 答：因为丙类谐振功率放大器的集电极电流i c为电流脉冲，负载必须具有滤波功能，否则不能获得正弦波输出。若回路失谐集电极管耗增大，功率管有损坏的危险。若采用纯电阻负载则没有连续的正弦波输出。 高频功放的欠压、临界和过压状态是如何区分的各有什么特点 答：根据集电极是否进入饱和区来区分，当集电极最大点电流在临界线右方时高频功放工作于欠压状态，在临界线上时高频功放工作临界状态，在临界线左方时高频功放工作于过压状态。 欠压状态的功率和效率都比较低，集电极耗散功率也较大，输出电压随负载阻抗变化而变化，较少使用，但基极调幅时要使用欠压状态。 临界状态输出功率大，管子损耗小，放大器的效率也较高。 过压状态下，负载阻抗变化时，输出电压比较平稳且幅值较大，在弱过压时，效率可达最高，但输出功率有所下降，发射机的中间级、集电极调幅级常采用过压状态。 分析下列各种功放的工作状态应如何选择 (1) 利用功放进行振幅调制时，当调制的音频信号加到基极或集电极时，如何选择功放的工作状态 (2) 利用功放放大振幅调制信号时，应如何选择功放的工作状态 (3) 利用功放放大等幅度信号时，应如何选择功放的工作状态 答：(1) 当调制的音频信号加到基极时，选择欠压状态；加到集电极时，选择过压状态。 (2) 放大振幅调制信号时，选择欠压状态。、 (3) 放大等幅度信号时，选择临界状态。 两个参数完全相同的谐振功放，输出功率P o分别为1W和，为了增大输出功率，将V CC提高。结果发现前者输出功率无明显加大，后者输出功率明显增大，试分析原因。若要增大前者的输出功率，应采取什么措施 答：前者工作于欠压状态，故输出功率基本不随V CC变化；而后者工作于过压状态，输出功率随V CC明显变化。在欠压状态，要增大功放的输出功率，可以适当增大负载或增大输入信号。 一谐振功放，原工作于临界状态，后来发现P o明显下降，C反而增加，但V CC、U cm和u BEmax 均未改变（改为：V CC和u BEmax均未改变，而U cm基本不变（因为即使Ucm变化很小，工作状态也可能改变，如果Ucm不变，则Uce不变，故工作状态不应改变）），问此时功放工作于什么状态导通角增大还是减小并分析性能变化的原因。 答：工作于过压状态（由于Ucm基本不变，故功率减小时，只可能负载增大，此时导通角不变）；导通角不变 某谐振功率放大器，工作频率f =520MHz，输出功率P o=60W，V CC=。(1) 当C=60%时，试计算管耗P C和平均分量 I的值；(2) 若保持P o不变，将C提高到80%，试问管耗P C减小多 c0 少 解：(1) 当C=60%时，
低频电子线路模拟试题及答案试卷
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为 。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于 状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500μV, u i2=500μV，则差模输入电压u id为μV，共模输入信号 u ic为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最； 组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受 最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE减小 B. β和I CBO增加，u BE减小 C．β和u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的茶分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。 A.变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
低频电子线路复习题一
低频电子线路复习题一 1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是 [ ] A. NPN 型硅管 B. PNP 型硅管 C. NPN 型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V 1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ] A. 饱和 B. 放大 C. 截止 图1.2 D. 已损坏 1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定 图1.3 1.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。当温度为20O C 时测得二极管的电压 U D =0.7V 。当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是 [ ] A.仍等于0.7V B.大于0.7V C. 小于0.7V D.不能确定 图1.4 1.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ] A.I CBO B.I CES C.I CER D.I CEO 1.7二极管的主要特性是 [ ] A.放大特性 B.恒温特性
C.单向导电特性 D.恒流特性 1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流I CBO 将[ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ] A.电流放大系数β B.最大整流电流I F C.集电极最大允许电流I CM D.集电极最大允许耗散功率P CM 1.10 温度升高时，三极管的β值将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ] A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和 电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ] A. 0.1 mA B. 2.5mA C. 5mA D. 15 mA 图 1.13 1.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ] A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点； B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET； C 场效应管工作时多子、少子均参与导电； D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 1.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的[ ] A.可变电阻区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是[ ]
(完整版)高频电子线路第三章习题解答
3-1 若反馈振荡器满足起振和平衡条件，则必然满足稳定条件，这种说法是否正确？为什么？ 解：否.因为满足起振与平衡条件后，振荡由小到大并达到平衡。但当外界因素(T 、V CC )变化时，平衡条件受到破坏，若不满足稳定条件，振荡器不能回到平衡状态，导致停振。 3-2 一反馈振荡器，欲减小因温度变化而使平衡条件受到破坏，从而引起振荡振幅和振荡频率的变化，应增大 i osc )(V T ??ω和ω ω???) (T ，为什么？试描述如何通过自身调节建立新平衡状态的过程（振幅和相位）。 解：由振荡稳定条件知： 振幅稳定条件： 0) (iA i osc
电子线路 非线性部分 (第四版)第一章 习题解答
1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P 。= 1000 W ，当集电极效率C 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D 和功率管耗散功率P C 各减小多少？ 解： 当C1 = 40 时，P D1 = P o / C = 2500 W ，P C1 = P D1 - P o =1500 W 当C2 = 70 时，P D2 = P o / C =1428.57 W ，P C2 = P D2 - P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D 下降，(P D1 - P D2) = 1071.43 W P C 下降，(P C1 - P C2) = 1071.43 W 1- 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a ）所示，已知V CC = 5 V ，试求下列条件下的P L 、P D 、C （运用图解法）：（1）R L = 10，Q 点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 ，I BQ 同（1）值，I cm = I CQ ；（3）R L = 5，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 ，Q 点在负载线中点，充分激励。 解：(1) R L = 10 时，作负载线(由V CE = V CC - I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ，I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 2642 1 cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ， C = P L / P D = 24 (2) 当 R L = 5 时，由V CE = V CC - I C R L 作负载线，I BQ 同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW 1562 1 cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ， C = P L / P D = 12 (3) 当 R L = 5 ，Q 在放大区内的中点，激励同(1)， 由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。 因为V cm = V CEQ3 - v CEmin = 1.2 V ，I cm = i Cmax - I CQ3 = 240 mA
电子线路试题及答案
电工与电子技术试题 一、填空题（每空1分） 1、若各门电路的输入均为A和B，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________，或非门 的输出为_________。 2、一个数字信号只有________种取值，分别表示为________ 和________ 。 3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的，数字信号在时间与幅值上是________的。 4、根据逻辑功能的不同特点，逻辑电路可分为两大类: ________ 和________。 5、二进制数A=1011010；B=10111，则A-B=＿＿＿＿。 6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关，而与________ 无关。 7、将________变成________ 的过程叫整流。 8、在单相桥式整流电路中，如果负载平均电流是20A，则流过每只晶体二极管的电流是 ______A。 9、单相半波整流电路，已知变压器二次侧电压有效值为22V，负载电阻RL=10Ω，则整 流输出电压的平均值是______；流过二极管的平均电流是______；二极管承受的最高反向 电压是______。 10、三极管是________控制元件，场效应管是________控制元件。 11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为_______。 12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 13、作放大作用时，场效应管应工作在区。 14、放大电路的静态工作点通常是指__、和_。 15、某三级放大电路中，测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是_。
(完整word)高频电子线路试卷B答案
１．调制的描述（ C ） A．用载波信号去控制调制信号的某一个参数，使该参数按特定的规律发生变化。 Ｂ．用调制信号去控制载波信号的某一个参数，使该参数按特定的规律发生变化。 Ｃ．用调制信号去控制载波信号的某一个参数，使该参数随调制信号的规律发生变化。２.信号源内阻越小，谐振回路的选择性 B 。 A：越好； B：越差； C：无关。 ３．电容三点式LC正弦波振荡器与电感三点式LC正弦波振荡器比较，优点是（ B ）A．电路组成简单B．输出波形好 C．容易调节振荡频率D．频率稳定度高 ４．判断下图是哪一类振荡器（C） A．电感三点式 B．电容三点式 C．改进的电容三点式 D．变压器耦合式 ５．调幅波的信息包含在它的（ B ） A．频率变化之中B．幅度变化之中C．相位变化之中 ６、检波并经隔直电容后的信号成份有（D ）。 A．调幅波、低频、直流。B．等幅载波和上下边频。 C．等幅载波、低频、直流。D．低频信号 ７．若载波uC(t)=UCcosωCt,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调相波的表达式为（ B ）A．uPM(t)=UCcos（ωCt＋mfsinΩt）B．uPM(t)=UCcos（ωCt＋mpcosΩt） C．uPM(t)=UC（1＋mpcosΩt）cosωCt D．uPM(t)=kUΩUCcosωCtcosΩt ８．属于频谱的线性搬移过程的有（ A ） A．振幅调制B．频率调制C．相位调制D．角度解调 9．AGC电路的作用是（ C ） A．维持工作频率稳定B．消除频率误差 C．使输出信号幅度保持恒定或仅在很小的范围内变化 10．锁相环路电路的作用是（ B ）A．维持工作频率稳定B．实现无频率误差的频率跟踪 C．使输出信号幅度保持恒定或仅在很小的范围内变化 1、丙类谐振功率放大器根据集电极电流波形的不同，可分为三种工作状态，分别为欠压状态、临界状态、过压状态；欲使功率放大器高效率地输出最大功率，应使放大器工作在临界状态。 2．反馈式振荡器的振荡起振条件是∑Ф=2nп和T>1。 3、在大信号包络检波器中，若电路参数放电常数RC过大引起惰性失真。 4.调幅波的几种调制方式是普通调幅、双边带调幅和单边带调幅 6．调频有两种方法，分别称为直接调频和间接调频。
第三章 单极低频小信号放大器
课题3.1~3.2放大器的基本概念 课型 新课 授课班级17机电授课时数 2 教学目标 1．了解扩音机的方框图，知道放大器的放大倍数，会计算增益 2．了解单级低频小信号放大器的基本组成，明确电路中电压电流符号法则等 3．理解设置静态工作点的作用 教学重点 静态工作点的作用 教学难点 增益和静态工作点 学情分析 学生已经了解三极管的基本特点及作用教学方法 讲解法、读书指导法、讨论法 教后记 通过本次课的学习，学生对三极管的作用已有了一个基本认识，同时也能通过读图利用公式进行计算三极管的静态工作点和增益，但对于增益的求解还存在一些困难，主要是因为学生在对数学习这一块掌握不是很好
A ．引入 在电子线路中，能将微弱的电信号放大，转换或较强的电信号的电路，称为放大器。 B ．新授课 3.1 放大器的基本概念 3.1.1 放大器概述 一、晶体三极管的基本结构 1．方框图 2．特点 放大器： 1 输出功率比输入功率大。 2 有功率放大作用。 变压器的输入功率与输出功率相同，因此不能称为放大器。 3.1.2 放大器的放大倍数 一、放大倍数的分类 1．电压放大倍数A v i o v v A v = 2．电流放大倍数A i i o i i A i = 3．功率放大倍数A p v i p A A V I V I P P A ?=== i i o o o 1 二、放大器增益 放大倍数较大，可取对数，称为增益Ｇ。 单位为分贝（用dB 表示）。 1．功率增益G p = 10 lg A p （dB ） 2．电压增益G v = 20 lg A v （dB ） 3．电流增益G i = 20 lg A i （dB ） 例题： 1．放大电路第一级40 dB ，第二级 -20 dB ，求总的增益， （学生思考：变压器是否是放大器） （教师画电路图，讲解放大器的基本工作原理） （师生共同得出结论：变压器不是放大器） （教师讲解电压放大倍数，学生探讨研究电流和功率的放大倍数） （教师讲解放大倍数的增益表示法，学生练
高频电子线路第三章习题答案
习题 3.1 高频功率放大器的主要作用是什么?应对它提出哪些主要要求？ 答：高频功率放大器的主要作用是放大高频信号或高频已调波信号，将直流电能转换成交流输出功率。要求具有高效率和高功率输出。 3.2 为什么丙类谐振功率放大器要采用谐振回路作负载？若回路失谐将产生什么结果？若采用纯电阻负载又将产生什么结果？ 答：因为丙类谐振功率放大器的集电极电流i c为电流脉冲，负载必须具有滤波功能，否则不能获得正弦波输出。若回路失谐集电极管耗增大，功率管有损坏的危险。若采用纯电阻负载则没有连续的正弦波输出。 3.3 高频功放的欠压、临界和过压状态是如何区分的？各有什么特点？ 答：根据集电极是否进入饱和区来区分，当集电极最大点电流在临界线右方时高频功放工作于欠压状态，在临界线上时高频功放工作临界状态，在临界线左方时高频功放工作于过压状态。 欠压状态的功率和效率都比较低，集电极耗散功率也较大，输出电压随负载阻抗变化而变化，较少使用，但基极调幅时要使用欠压状态。 临界状态输出功率大，管子损耗小，放大器的效率也较高。 过压状态下，负载阻抗变化时，输出电压比较平稳且幅值较大，在弱过压时，效率可达最高，但输出功率有所下降，发射机的中间级、集电极调幅级常采用过压状态。 3.4 分析下列各种功放的工作状态应如何选择？ (1) 利用功放进行振幅调制时，当调制的音频信号加到基极或集电极时，如何选择功放的工作状态？ (2) 利用功放放大振幅调制信号时，应如何选择功放的工作状态？ (3) 利用功放放大等幅度信号时，应如何选择功放的工作状态？ 答：(1) 当调制的音频信号加到基极时，选择欠压状态；加到集电极时，选择过压状态。 (2) 放大振幅调制信号时，选择欠压状态。、 (3) 放大等幅度信号时，选择临界状态。 3.5 两个参数完全相同的谐振功放，输出功率P o分别为1W和0.6W，为了增大输出功率，将V CC提高。结果发现前者输出功率无明显加大，后者输出功率明显增大，试分析原因。若要增大前者的输出功率，应采取什么措施？ 答：前者工作于欠压状态，故输出功率基本不随V CC变化；而后者工作于过压状态，输出功率随V CC明显变化。在欠压状态，要增大功放的输出功率，可以适当增大负载或增大输入信号。 3.6 一谐振功放，原工作于临界状态，后来发现P o明显下降，ηC反而增加，但V CC、U cm 和u BEmax均未改变（改为：V CC和u BEmax均未改变，而U cm基本不变（因为即使Ucm变化很小，工作状态也可能改变，如果Ucm不变，则Uce不变，故工作状态不应改变）），问此时功放工作于什么状态？导通角增大还是减小？并分析性能变化的原因。 答：工作于过压状态（由于Ucm基本不变，故功率减小时，只可能负载增大，此时导通角不变）；导通角不变 3.7 某谐振功率放大器，工作频率f =520MHz，输出功率P o=60W，V CC=12.5V。(1) 当ηC=60%时，试计算管耗P C和平均分量 I的值；(2) 若保持P o不变，将ηC提高到80%，试问管耗 c0 P C减小多少？ 解：(1) 当ηC=60%时，
低频电子线路试题库
一．填空题（16分） 1．某放大电路中，晶体管的三个电极的电位如图所示，是判断管子的类 型为，三个电极：①为，②为，③为。 - ①②③ 5.7V 5v 8v 2．某放大电路空载输出电压为5v，接入3kΩ负载电阻后，输出电压变为2v， 该放大电路的输出电阻为。 3．多级放大器的耦合方式有。 4．一个输出功率为20w的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则选用额定功耗至 少应为的功率管个。 5．若有一对信号分别为80mv和30mv，则把它们分解为一对差模信号和一对 共模信号，则差模信号为mv，共模信号为。 6．当集成运放处于线性放大状态时，根据理想运放的性能，可从其两输入端得出和的性质。 7．三极管要处于放大状态，，发射结， 其外加电压必须满足使集电结 二．计算题（84分） 1．电路如图所示，设三极管的β=80，V BE=0.7v,I CEO,V CEO可忽略不计，试分析开关s 分别接通A,B,C三位置时，三极管工作在哪个区，并求出相应的集电极电流I C
二、（共12分）如题2图所示，晶体管分压式工作点稳定电路中，已知R b1 =5kΩ,R b2=15k Ω, Rc= 5.1 kΩ，Re = 2.3 kΩ, R L = 5.1 kΩ,Vcc= 12V, 三极管的 = 50, r bb` = 300Ω，U BEQ= 0.7V，试求:（1）电路的静态工作点；（2）r be；（3）电压放大倍数Au。 三、（共12分）如题3图所示，已知场效应管的低频跨导为g m ，r d s忽略，试写出电压放大倍数A u 、输入电阻R i、输出电阻R o的表达式。
四、（共12分）如题4图所示，A为理想运放，试问： （1）判断反馈组态，并说明对输入、输出电阻的影响； （2）求深度负反馈条件下的电压放大倍数A uf。 五、（共14分）如题5图所示，A 1 、A 2为理想运放，已知输入电压为U i1、U i2，试根据电路的工作原理推导出电路的输出电压U 01和U 0的表达式。 六、（共14分）由理想集成运放构成的比较器电路如题6图所示，其中稳压二极管V DZ 的稳定电压U Z=±5V，其正向压降可以忽略，试求： （1）电路的阈值电压U T； （2）画出电路的电压传输特性； （3）若U i = 5sinωt（V），画出比较器相应的输出电压u 0的波形。