电子线路期末试卷及答案

(1)在半导体内部，只有电子是载流子。

(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

(3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。

(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。

(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。

(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。

(8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。

(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。

(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。

(1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。

A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子
(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。

A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c
(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。

A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡
(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。

A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关
(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。

A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G
(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。

A．同相位 B．相位差90° C．相位差180°
(7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。

A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升
(8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。

A．增大 B．反向 C．中断
（9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是( )。

A．放大电流 B．调节偏置电流I BQ
C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。

（10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。

A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
三．填充题（2’×10）
(1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。

(2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。

(3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。

(4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。

(5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。

(6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V C≈V G，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。

(7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。

(8)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_________________________。

(9)放大器的静态是指_____________________________时的工作状态。

(10)共发射极电路的输出电压与输入电压有_____________________的相位关系，所以该电路有时被称为_________________________。

四．问答题(2×10’)
(1)两个稳压二极管，稳压值分别为7V和9V，将它们组成图所示两种电路，设输入端电压V1值是20V，求各电路输出电压V2的值是多少?
(2)图所示出各三极管的每个电极对地的电位。

试判别各三极管处于何种工作状态(NPN管为硅管，PNP管为锗管)。

五．计算题(20’)
如图所示单管放大电路中，设晶体管的β＝40，r
be
＝1.4kΩ。

①估算电路的静态工作点I
BQ 、I
CQ
、V
CEQ
；
②估算放大倍数。

2005—2006学年度第一学期2004级《数学》期末考试答案（共1页第一页）
出卷人：凌波
三．填空题（1’×20）
1. I E=I B+I C，交流电流放大系数β
2. 单向导电性，正偏，反偏
3. 0.7V，0.3V
4. N，N，P
5. 反向，击穿，烧毁
6. 饱和
7. 大得多，硅
8. 增大
9. 没有输入信号
10. 倒向，反相器
四．问答题(2×10’)
（1）（a）7V
(b)16V
(2)(a)放大状态
（b）截止状态
（c）截止状态
（d）饱和状态
五．计算题(20’)
解：(1)
I BQ=(V G-V BEQ)/R b=(12-0.7)V/400KΩ≈28uA
I CQ=βI BQ=40*28uA≈1.1mA
V CEQ= V G-I CQ R c=12V-1.1*5,1V≈6.4V
(2)A v≈-βR c/r be=-40*5.1/1.4≈-146。