扩散炉
扩散炉原理
扩散炉原理
扩散炉是一种重要的核反应堆,它利用核裂变产生的中子来维持链式反应,从
而产生热能。
扩散炉原理主要涉及中子的产生、中子的传输与中子的吸收三个方面。
首先,让我们来了解中子的产生。
中子是一种无电荷的粒子,它可以通过核裂
变或核衰变的方式产生。
在扩散炉中,通常采用铀-235或钚-239等核燃料作为裂
变材料,当这些核燃料受到中子轰击时,会发生核裂变反应,释放出大量的中子。
这些中子将成为维持链式反应的“火种”。
接下来,让我们来看中子的传输。
中子在核反应堆中的传输过程中,会与反应
堆结构材料发生碰撞,从而失去能量。
为了提高中子的传输效率,通常会在反应堆中填充一些中子减速剂,如重水、轻水或石墨等,通过与中子的碰撞来减慢中子的速度,从而增加中子与核燃料发生裂变反应的几率。
最后,让我们来探讨中子的吸收。
在扩散炉中,中子与核燃料发生裂变反应后,会释放出大量的能量,同时产生新的中子。
除此之外,部分中子也会被反应产物或其他核素吸收,从而减少中子的数量,控制核反应的速率。
这种吸收作用是扩散炉实现稳定运行的重要机制。
总的来说,扩散炉的原理涉及中子的产生、传输和吸收三个方面。
通过合理设
计反应堆结构和控制中子的数量,可以实现扩散炉的稳定运行,并产生大量的热能。
这种热能可以用于发电、供暖等多种领域,对人类社会的发展具有重要意义。
高温氧化扩散炉的工作原理
高温氧化扩散炉的工作原理高温氧化扩散炉是一种用于集成电路(IC)制造过程中的重要设备,它主要用于在硅片上形成氧化层、掺杂杂质和扩散杂质等工艺步骤。
下面将详细介绍高温氧化扩散炉的工作原理。
高温氧化扩散炉由炉膛、加热装置、气氛调节系统、控制系统和监测系统等组成。
其工作原理可分为三个主要步骤:预热、氧化和冷却。
首先,预热阶段。
在使用高温氧化扩散炉之前,需要对炉膛进行预热,使其达到工作温度。
预热一般分为两个阶段,首先是室温到400C之间的低温预热,其目的是预防因温度快速升高造成的炉膛损坏;然后是400C左右到工作温度的高温预热,这个阶段主要是为了使炉膛的温度稳定在工作温度。
其次,氧化阶段。
这个阶段是在工作温度下进行的,目的是在硅片表面形成一层氧化层。
工作温度一般在800C到1200C之间,具体温度取决于所需的氧化层厚度。
通常情况下,氧化阶段会持续一段时间,以确保氧化层的稳定性和质量。
在氧化过程中,氧气和惰性气体(如氮气)被搅拌并送入炉膛,氧气与硅片表面发生化学反应,生成二氧化硅(SiO2)薄膜。
氮气的作用是稀释氧气,防止氧气浓度过高,避免氧化层产生缺陷。
最后,冷却阶段。
在完成氧化过程后,炉膛需要冷却至室温,以便取出硅片。
冷却过程一般是逐渐降温,以避免快速温度变化对硅片的影响。
炉膛内部会通过风扇或其他冷却装置进行散热,以加快冷却速度。
冷却完毕后,可打开炉门取出硅片,经过下一步工艺处理。
在高温氧化扩散炉的工作过程中,温度、气氛和时间是三个主要的工艺参数。
温度控制是通过加热装置,如电阻丝或加热器等,将炉膛体系加热至设定温度,并通过温度传感器进行实时监测和控制。
气氛调节系统则通过气流控制和阀门调节,确保氧化过程中气氛的稳定性。
时间控制则是通过控制系统中的定时器或计时器实现,根据工艺要求设定氧化时间。
总结来说,高温氧化扩散炉的工作原理是通过施加高温、控制气氛和时间,实现在硅片表面形成氧化层,并完成杂质掺杂和扩散等工艺。
扩散炉文档
扩散炉1. 引言扩散炉是半导体工业中常用的一种设备,用于在半导体材料上进行掺杂和扩散等工艺步骤,以改变半导体材料中的杂质浓度分布和电性能。
目前,扩散炉已成为半导体制造过程中不可或缺的重要工具之一。
本文将介绍扩散炉的原理、工作流程、应用领域以及常见的扩散炉类型。
2. 原理扩散炉利用高温下杂质的扩散现象,将掺杂材料转移到半导体材料中,从而改变半导体材料的导电性能。
其中,杂质通过炉膛中的气氛传输到半导体材料的表面,然后通过热扩散进入半导体材料内部。
半导体材料被放置在炉膛中,通过加热使其达到适当温度,此时杂质会从高浓度区向低浓度区扩散。
3. 工作流程一般情况下,扩散炉的工作流程包括以下几个步骤:3.1. 加热在工作开始之前,首先需要将炉膛加热到设定的温度。
一般扩散炉采用电阻加热或辐射加热的方式。
炉膛内的半导体材料会随着加热温度的提高逐渐达到设定的工作温度。
3.2. 清洗清洗是非常重要的一步,它可以去除炉膛和载物台表面的杂质和污染物,以确保后续工艺步骤的顺利进行。
3.3. 载入样品当炉膛温度达到设定值后,将需要处理的半导体样品(通常是硅片)放置在炉膛内的载物台上。
加载样品时需要注意避免与其他样品或器件发生接触或损坏。
3.4. 控制气氛控制炉膛内的气氛非常重要。
不同的掺杂要求不同的气氛,这一步骤确保炉膛内的气氛符合工艺要求。
常用的气体有氮气、氢气、氩气等。
3.5. 控制温度和时间根据具体的工艺要求,控制炉膛温度和工作时间,使扩散过程发生在特定的条件下。
温度和时间是扩散过程中影响掺杂效果的重要因素之一。
3.6. 冷却扩散过程完成后,需要将炉膛冷却到室温。
冷却过程需要逐渐降温,以避免由于急剧温差引起的热应力对材料的损伤。
4. 应用领域扩散炉在半导体工业中应用广泛,主要用于以下几个方面:4.1. 掺杂扩散炉可以用于对半导体材料进行掺杂,改变其电学特性。
掺杂可以增加或减少半导体的导电性能,由此改变器件的性能。
4.2. 薄膜生长扩散炉可用于半导体材料的薄膜生长。
扩散炉体工作原理
扩散炉体工作原理
扩散炉是一种用于在半导体工艺中进行扩散过程的设备。
它通过控制温度和浓度梯度,使材料中的杂质扩散到所需深度,从而改变材料的电学性质。
扩散炉的工作原理可以分为以下几个步骤:
1. 温度控制:首先,扩散炉通过加热器将炉体内的温度提高到所需的操作温度。
扩散过程通常需要高温,因为高温有利于杂质在晶格中的扩散。
2. 杂质供应:在扩散炉的某个位置,通常是在炉底的特定区域,添加杂质源。
杂质源可以是液体、气体或固体态的物质,根据材料的不同选取不同的杂质源。
杂质源中的杂质会在高温下挥发或溶解,并通过炉体内的气流传递到待处理的材料表面。
3. 扩散过程:一旦杂质被供应到待处理材料的表面,扩散过程将开始。
在高温下,杂质原子会从高浓度(杂质源)向低浓度(待处理材料)的区域扩散。
扩散的速度取决于杂质和材料的性质,以及温度和时间等因素。
4. 控制参数:在整个扩散过程中,控制温度是非常重要的。
温度的控制可以通过炉体内的加热器和传感器来实现。
此外,炉体内的气氛也需要控制,以保持适当的氧化还原性。
这些参数的控制是为了确保扩散过程的准确性和一致性。
通过控制温度、时间和杂质浓度等参数,扩散炉可以实现不同
类型的扩散过程,如掺杂-扩散(Doping-Diffusion)、氧化、
化学气相沉积等。
扩散炉在半导体器件制造中起着重要的作用,可用于制备各种器件,如晶体管、太阳能电池和传感器等。
扩散炉使用说明
高温扩散炉使用说明书北京中联科利技术股份有限公司目录1.概述 (2)1.1产品特点 (2)1.2主要用途及适用范围 (2)1.3品种、规格 (2)1.4型号的组成及其代表意义 (2)2.结构特征与工作原理 (3)2.1总体结构 (3)2.2分部件结构 (3)2.3系统控制原理 (7)2.4系统各主要单元功能结构及工作原理 (7)3.主要性能指标 (10)4.安装、调试 (11)4.1安装条件 (11)4.2安装程序及注意事项 (11)4.3调试程序及注意事项 (12)4.4 SiC桨及石英炉门的装调 (13)4.5调试恒温区的方法及验收判据 (14)4.6工艺试运行 (15)5.使用、操作 (15)5.1温控仪的使用 (15)5.2恒温槽的操作使用 (16)5.3计算机的操作使用 (16)5.4操作过程中应注意事项 (16)6.常见故障分析与排除 (17)7.安全 (19)1.概述1.1产品特点本设备加热部分选用进口炉丝以及耐高温保温材料,炉体使用寿命长,保温性能好。
送片系统采用丝杠、导轨及SiC桨悬臂式推拉舟机构,可确保进出舟运行平稳,同时能有效地防止因磨擦而产生的粉尘污染。
温控部分采用了内外联合的控温方式,炉体内置5段控温热电偶,实时实地检测和控制炉内温度,从根本上保证了恒温区的精度和稳定性,彻底改变了常规扩散炉(炉外单控模式)必须靠不断拉恒温区,校准炉外温控仪与炉内实际温度的偏差来保证恒温区的控温方式。
气路部分的关键件均采用进口件,并具有完善的安全保护措施,可靠性好。
整机由计算机控制,各部分软、硬件联锁;操作部分采用先进的触摸屏技术,工艺参数的设置及运行均可在触摸屏上直接进行;自动化程度高、操作简便、可靠性好。
1.2主要用途及适用范围本设备主要用于6英寸、8英寸太阳能晶体硅电池片的扩散、氧化工艺;也可用于半导体器件制造中的扩散、氧化、退火及合金工艺,同时还适用于对其他材料的特殊温度处理。
1.3使用环境要求1.3.1 环境温度5~40℃。
半导体制备扩散炉
半导体制备扩散炉:工艺、应用与发展一、引言随着科技的飞速发展,半导体产业已成为当今世界最为重要的产业之一。
在半导体产业链中,扩散炉是关键设备之一,其制备工艺和应用对于半导体的性能和可靠性具有至关重要的影响。
本文将对半导体制备扩散炉的工艺、应用和发展进行深入探讨。
二、半导体制备扩散炉的工艺1.扩散原理在半导体制造过程中,扩散是一种重要的工艺技术。
通过扩散工艺,可以将杂质元素掺入到半导体材料中,从而改变其导电性能。
扩散的原理基于原子或分子的迁移和分布,通过高温和化学反应实现。
2.扩散炉的构成半导体制备扩散炉通常由以下几个部分组成:加热系统、气氛控制系统、温度控制系统、传送系统等。
其中,加热系统是扩散炉的核心部分,它负责提供高温环境以促进杂质的扩散。
气氛控制系统负责控制炉内的气氛,如氧气、氮气等。
温度控制系统则负责对炉内温度进行精确控制。
传送系统则负责将硅片送入和取出炉膛。
3.扩散工艺流程半导体制备扩散的工艺流程主要包括以下步骤:清洗硅片、源气体处理、装片、抽真空、加热、扩散反应、冷却和取出硅片。
在这个过程中,每一个步骤都有其特殊的作用和要求,都需要精确控制和操作。
三、半导体制备扩散炉的应用1.在集成电路中的应用在集成电路制造中,扩散工艺是必不可少的环节。
通过扩散工艺,可以将不同元素掺入到硅片中,形成不同性质的半导体区域,从而实现电路的划分和连接。
扩散炉在集成电路制造中的应用广泛,是保证芯片性能和可靠性的关键设备之一。
2.在太阳能电池中的应用太阳能电池是一种利用光生伏特效应将太阳能转化为电能的装置。
在太阳能电池制造中,扩散工艺也是关键环节之一。
通过扩散工艺,可以将磷元素掺入到硅片中,形成PN结,从而实现光生电流的收集和输出。
扩散炉在太阳能电池制造中的应用也十分广泛。
四、半导体制备扩散炉的发展趋势随着科技的不断发展,半导体制备扩散炉也在不断进步和完善。
未来,半导体制备扩散炉的发展将主要集中在以下几个方面:1.高温扩散技术的研究与应用:高温扩散技术可以提高杂质元素的激活率,从而提高半导体的性能。
Ct扩散炉结构简介
接线柱
Spike TC
CMS(机器安 全系统)
Spike TC
超温监控
Spike TC 供电
温度测 量模块
炉丝及炉管
Spike TC(包含两根热偶, 一根用于超温报警,一根 用于工艺控温)
Spike TC
Hale Waihona Puke 工艺气体进 气管炉丝与接线柱 接口设计
尾气管放 置 石英管
Paddle TC 放置口
炉门控制系统-TGA
Centrotherm的 传送皮带
皮带传 送电机
3.lift的运动方式:centrotherm的lift能实现上下和前后运动,石英舟的左右运动则是依 靠下方的传送带实现;
Centrotherm的lift, 只能上下和前后 运动
装载系统下的传 送带
4.储存架的位置数量:centrotherm的储存架位于lift同一位置,一共七个(由于储存架尚未安 装,此数量是从store架的形状看出);
centrotherm净化风 机所放位置
centrotherm净化风 机外部
Gas cabinate—centrotherm
Centrotherm气源柜可以分为如下几个功能区:尾气瓶放置区,bubbler放置区,磷源温度 和液位监视区,气体控制区,热排,酸排,冷却水供给及净化区。其位置如图所示。
4. Cell controller 其中包含用于创建和管理recipe的软件 CCC-RM(Centrotherm Cell Control Recipe Manager),用于 对CESAR电脑进行集中遥控。
5. Temperature controller 采用REG97温度控制器,硬件部分由 controller,transducer,pulse skipping unit组成。
扩散炉操作规则扩散炉操作规则
20. 在温区-SV“数据录入” 界面上点击“炉体保 温”,再点击“确定”按 钮,完成温度600℃设定 。
开机操作(十一)
21.按下各管操作面板的“加热开”
12
按钮,“加热开”的指示灯亮, 开始升温。
注意
单台扩散只能两 管同时加热!
开机操作(十二)
22.将气柜内恒温水槽的黑色
13
开关由“切”拨为“入”, 启动恒温水槽。
关机操作(四)
7. 按下各管操作面板
的“加热关”按钮, “加热关”的指示 灯亮,开始降温。
8 关闭源瓶阀门,依 次松开进、出气口 的螺母,拔出进出 气管,并分组包扎 捆好。
关机操作(五)
9. 将内恒温水槽的黑色 开关由“入”拨为 “切”,关闭恒温水槽。
10.在“状态设置”界面点击“退 出”按钮,弹出“操作提示” 界面。
M511-4W/UM闭管扩散炉 开机、关机培训
2009.06.10
开机操作(一)
1. 打开墙壁面板上压缩空气相
2
应的手动阀,并调节相应的 调压阀使其压力为: 0.7±0.1MPa。
2. 打开墙壁面板上氮气相应的 手动阀,并调节相应的调压 阀使其压力为0.4±0.1MPa。
开机操作(二)
3. 打开墙壁面板上氧气相应的 手动阀,并调节相应的调压 阀使其压力为0.4±0.1MPa。
23.检查并设定温度20℃,按
下“启动”按 钮,启动 恒温水槽 。
24.设备炉温升值设定值,待
生产。
二:关机操作
关机操作(一)
1. 检查并确定各管 工艺已运行结束。
2. 在状态界面上点 击“推舟速度”显 示框,弹出“数据 录入”界面。
关机操作(二)
3. 在“数据录入”界
扩散炉介绍
扩散炉结构原理
炉体各技术参数:
1.1可配石英管最大外经: φ300mm 1.2工作温度范围: 400~1100℃ 1.3恒温区长度及精度: 工作温度:600℃~1100℃ 1070mm /±1℃ 1.4单点温度稳定性: 工作温度:600℃~1100℃ ±2℃/24h 1.5升温时间:(从室温升至1100℃) ≤60min 1.6温度斜变能力: 最大可控升温速度: 15℃/min 最大降温速度(1100~1000℃ ) 5℃/min 1.7最大升温功率: 43KVA/每管 1.8保温功率: 15KVA/每管 1.9送料装置: 行程: ~2160mm 速度: 20~1000mm/min 承重: 15Kg
扩散炉结构原理
扩散炉结构原理 2.2控制柜
控制柜是整个设备的控制核心,所有的操作动作都在控制柜中实现
控制器功能简介
2.2.1采用进口智能控制器,对炉温、阀门进行自动控制,并管理全部工艺时序。每 个炉管有一套独立的控制系统。 a具有可编程的升、降温功能。 b具有PID自整定功能。 c可输出四个开关量。 d具有超温报警、工艺结束报警功能。 e具有极限超温报警功能,同时能自动切断炉丝加热电源。 f可存储十条工艺曲线。每条工艺曲线最多有十五步。曲线间可以任意链接、重 复。 g可同时显示控制热偶温度值及PROFILE热偶温度值。 h留有通讯接口,可通过专用软件进行工艺编制和数据采集。 2.4.2 流量控制与监测系统: 选用英国进口智能控制器及流量报警控制电路对质量流量控制器进行工艺气体的 实时,控制与监测具有在线报警与调节功能,同时能对每一路气体阀门很方便的 进行手动,自动切换,并留有通讯接口,可通过电脑显示与设定流量。
扩散炉使用说明
高温扩散炉使用说明书北京中联科利技术股份有限公司目录1.概述 (2)1.1产品特点 (2)1.2主要用途及适用范围 (2)1.3品种、规格 (2)1.4型号的组成及其代表意义 (2)2.结构特征与工作原理 (3)2.1总体结构 (3)2.2分部件结构 (3)2.3系统控制原理 (7)2.4系统各主要单元功能结构及工作原理 (7)3.主要性能指标 (10)4.安装、调试 (11)4.1安装条件 (11)4.2安装程序及注意事项 (11)4.3调试程序及注意事项 (12)4.4 SiC桨及石英炉门的装调 (13)4.5调试恒温区的方法及验收判据 (14)4.6工艺试运行 (15)5.使用、操作 (15)5.1温控仪的使用 (15)5.2恒温槽的操作使用 (16)5.3计算机的操作使用 (16)5.4操作过程中应注意事项 (16)6.常见故障分析与排除 (17)7.安全 (19)1.概述1.1产品特点本设备加热部分选用进口炉丝以及耐高温保温材料,炉体使用寿命长,保温性能好。
送片系统采用丝杠、导轨及SiC桨悬臂式推拉舟机构,可确保进出舟运行平稳,同时能有效地防止因磨擦而产生的粉尘污染。
温控部分采用了内外联合的控温方式,炉体内置5段控温热电偶,实时实地检测和控制炉内温度,从根本上保证了恒温区的精度和稳定性,彻底改变了常规扩散炉(炉外单控模式)必须靠不断拉恒温区,校准炉外温控仪与炉内实际温度的偏差来保证恒温区的控温方式。
气路部分的关键件均采用进口件,并具有完善的安全保护措施,可靠性好。
整机由计算机控制,各部分软、硬件联锁;操作部分采用先进的触摸屏技术,工艺参数的设置及运行均可在触摸屏上直接进行;自动化程度高、操作简便、可靠性好。
1.2主要用途及适用范围本设备主要用于6英寸、8英寸太阳能晶体硅电池片的扩散、氧化工艺;也可用于半导体器件制造中的扩散、氧化、退火及合金工艺,同时还适用于对其他材料的特殊温度处理。
1.3使用环境要求1.3.1 环境温度5~40℃。
扩散炉工作原理
扩散炉简介
CUC 扩散炉简介
• • • •
扩扩扩扩
散散散散
炉炉炉炉
各总主工
组体要作
成结性原
部构 能理
分
采用SiC桨悬臂自动送片机构,舟速20~ 500mm/min连续可调;
定位精度:≤±2mm,SiC桨最大载片承 重:16Kg,建议不超过14Kg。 • 炉门当悬臂完全进入炉管,达到极限位置的时候 会自动关闭。 • 工艺过程由工控计算机全自动控制,直接在触摸 屏上操作。
扩散炉总体结构
• 设备总体结构图 • 主要组成部分
扩散炉总体结构图
扩散炉平面图
• 电气控制部分、加热炉体部分、推舟净化 机构和气源部分
扩散炉各组成部分
• 电气控制部分 • 推舟净化机构 • 加热炉体部分 • 气源部分
扩散炉——电气控制部分
电 气 控 制 部 分
控 制 柜
电气控制柜
• 整个控制柜分为四层,工控机控制部分分 为上、中和下层3个独立部分,每层分别控 制对应层的舟、炉温及气路部分,是整个 系统的控制中心。
• 电控柜的前面板相应层,各安装一台触摸 液晶显示器和各管独立的控制按钮。
电 气 控 制 部 分
控 制 柜
推舟净化部分
加热炉体部分
气 源 控 制 部 分
气 源 控 制 部 分
扩散炉软件界面图
谢谢大家!
≤±0.5℃/1080mm (801~1100℃) ≤±1.0℃/1080mm (400~800℃) • 单点温度稳定性: ≤±1℃/4h (880℃时) • 升降温速率可控范围:
北方华创立式扩散炉使用手册
北方华创立式扩散炉使用手册
立式扩散炉是北方华创生产的一种高温电炉,可以应用于各种金属材料,玻璃,陶瓷等材料的高温氧化气氛处理。
立式扩散炉使用手册是立式扩散炉使用的最重要的参考资料之一1.炉膛温度:当扩散炉温度高于900°C时,炉膛内的高温气体(通常为空气)需要在冷却条件下排除。
2.电极:在使用立式炉管时,可以直接把电极插入石墨管中进行加热。
3.加热方式:用电-热电方式对金属材料进行加热,可以实现对不同元素的选择性氧化。
4.操作规程:1 •操作人员必须熟悉本设备的工作原理,并掌握必要的操作技能。
2- 为了保证设备正常运转和安全操作,应经常检查设备各部位(特别是电热元件)及加热器绝缘情况并作好记录;对于易损坏处应及时更换;发现设备有异常现象应及时处理。
3•当发现设备出现烧损、开裂等现象。
2024年扩散炉市场发展现状
2024年扩散炉市场发展现状引言随着工业化和城镇化的快速发展,扩散炉作为一种重要的工业设备,在现代工业生产中起着举足轻重的作用。
扩散炉广泛应用于金属加工、化工、电子、玻璃等行业,在提高生产效率、改善产品质量等方面具有重要作用。
本文将对当前扩散炉市场的发展现状进行分析,以期为相关行业提供参考。
扩散炉技术概述扩散炉是一种用于加热和处理材料的设备,在加热炉中,材料通过扩散过程与周围环境中的热量交换,以达到所需温度。
扩散炉可分为多种类型,如气体扩散炉、真空扩散炉和氢气扩散炉等,根据材料和加工要求的不同选择不同类型的扩散炉。
扩散炉市场概述目前,全球扩散炉市场呈现出稳步增长的趋势。
主要驱动因素包括制造业的快速发展、科技进步促进了各行业的技术升级以及市场对产品质量要求的不断提高等。
扩散炉市场涉及的行业广泛,包括金属加工、化工、电子、玻璃等。
2024年扩散炉市场发展现状分析1. 北美市场在北美地区,扩散炉市场保持着稳定的增长。
制造业的发展是北美扩散炉市场的主要驱动力,特别是汽车制造业对扩散炉需求的增加。
此外,新能源产业的发展也为扩散炉市场提供了新的机遇。
2. 亚太市场亚太地区是全球扩散炉市场的最大消费地区。
中国、日本、韩国等国家在亚太地区的扩散炉市场中占据重要地位。
亚太地区的制造业蓬勃发展,特别是电子、光电、半导体行业的快速增长,为扩散炉市场的发展提供了巨大的机会。
3. 欧洲市场欧洲市场的扩散炉市场增长相对较慢,主要受到经济增长乏力和产业结构调整等因素的影响。
然而,欧洲地区的工业技术水平高、环保要求严格,对高质量、高效率的扩散炉有着较高的需求。
4. 其他市场除了以上几个主要市场外,拉丁美洲、中东和非洲等地区的扩散炉市场也在逐步发展。
这些地区的制造业正在迅速崛起,对扩散炉的需求也在增加。
扩散炉市场面临的挑战和机遇在扩散炉市场发展过程中,面临着一些挑战和机遇。
挑战包括环境保护压力增加、制造业的转型升级以及竞争对手的持续增多。
扩散炉炉膛制作方法
扩散炉炉膛制作方法1.引言1.1 概述概述:扩散炉是一种用于扩散材料的热处理设备,广泛应用于半导体、光电子、磁性材料等领域。
其炉膛是扩散炉的重要组成部分,扮演着扩散过程中材料的加热和反应的关键角色。
本文将重点介绍扩散炉炉膛的制作方法,包括设计思路、选材和制作工艺等方面的内容。
在扩散炉的炉膛制作中,关键因素有很多,如炉膛的耐高温性能、温度分布的均匀性以及对材料扩散过程的影响等。
为了满足这些要求,制作高质量的扩散炉炉膛需要仔细选择材料,并结合合理的设计和制作工艺。
首先,炉膛制作所选材料需要具有较高的耐高温性能。
因为在扩散过程中,炉膛需要承受高温环境下的热胀冷缩和高温气体的腐蚀,因此材料要能够保持稳定的性能和结构。
一般常用的炉膛材料有石英、陶瓷、硼酸钙等,这些材料具有优异的耐高温性能和化学稳定性。
其次,炉膛的温度分布需要具有良好的均匀性。
在扩散过程中,炉膛内的温度分布不均匀会导致反应的不均匀性,影响产品的质量。
因此,在炉膛的设计和制作中,需要注意考虑加热元件的布置和热量传导的控制,以实现温度的均匀分布。
最后,炉膛的制作工艺对扩散炉的性能和使用寿命也有重要影响。
炉膛的制作包括材料的加工和组装过程,需要严格保证每个环节的质量。
一些常用的制作工艺包括热处理、焊接、胶合等,这些工艺应根据具体情况来选择和优化。
总之,扩散炉炉膛的制作是扩散炉性能的重要保证,它直接影响着产品质量和生产效率。
通过选择合适的材料和制作工艺,并结合良好的设计思路,制作出高质量的炉膛是扩散炉制造中的关键环节。
本文将在接下来的内容中详细介绍扩散炉炉膛制作方法的具体步骤和注意事项。
1.2 文章结构文章结构本文将按照以下结构展开对扩散炉炉膛制作方法的讲解。
首先,在引言部分对本文的主要内容进行概述,总结扩散炉炉膛制作方法的重要性和应用领域。
接着,介绍文章的结构和各个章节的内容,以便读者能够清晰地了解整篇文稿的脉络。
其次,在正文部分,将详细介绍扩散炉炉膛制作方法的两个主要要点。
高温氧化扩散炉的工作原理
高温氧化扩散炉的工作原理高温氧化扩散炉是一种用于制备半导体器件的设备,其工作原理如下:1. 炉腔加热:高温氧化扩散炉的炉腔通常由石英或石英包覆的金属材料构成,可容纳待处理的半导体器件或衬底。
炉腔内壁周围有加热元件,如电阻丝或电热管,用于加热炉腔至所需的高温。
2. 氧化源和气体流量控制:高温氧化扩散炉通过进气口引入氧化源,通常是氧气(O2)或氮氧化物(如氮氧化物NO、二氧化氮NO2),将氧化源送入炉腔内。
同时,还会引入稀释气体,如氢气(H2),用于调节氧化源的浓度和扩散速度。
气体流量由流量控制器控制,以确保稳定的进气条件。
3. 氧化反应:一旦稳定的氧化源和稀释气体流入炉腔,其与待处理的半导体器件或衬底发生反应。
在高温下,氧化源中的氧化物分子会与半导体材料表面上的元素发生反应,形成一个薄的氧化层。
这个氧化层具有不同的厚度,可以控制或改变半导体器件的电学性质。
4. 温度控制和压力控制:高温氧化扩散炉通过加热元件和传感器实时监测和调节炉腔内的温度,以确保反应条件的稳定性和一致性。
此外,炉腔的压力也需要控制,通常通过排出炉腔内的废气并使用真空泵来维持恒定的压力。
5. 冷却和后续处理:完成氧化反应后,半导体器件或衬底需要冷却至室温。
冷却过程可以通过减少加热元件的能量输入或使用辅助冷却装置来实现。
一旦冷却完成,半导体器件可以进行后续的加工步骤,如清洗、薄膜沉积或电极定义等。
总体而言,高温氧化扩散炉通过加热炉腔、控制进气流量和温度,以及监测和调节压力,实现对半导体材料的氧化及扩散过程的控制。
这一过程对于半导体器件的性能和性质具有重要影响,因此高温氧化扩散炉在半导体工业中扮演着重要的角色。
扩散炉研究报告
扩散炉研究报告扩散炉是一种用于制造集成电路的重要设备,其作用是将材料中的掺杂物扩散到晶体内部,从而改变晶体的电学性质。
近年来,随着集成电路的不断发展,扩散炉的研究也日益受到人们的关注。
本文将对扩散炉的原理、分类、优缺点以及未来发展进行详细介绍。
一、扩散炉的原理扩散炉的原理是利用高温下气态或液态掺杂物分子的扩散,将其扩散到晶体表面并逐渐渗透到晶体内部,从而实现掺杂。
掺杂后的晶体会发生电学性质的变化,如电导率、电子迁移率等。
掺杂物的种类包括硼、磷、砷等。
扩散炉的主要部件包括炉管、炉体、加热装置、控制系统等。
炉管是扩散炉内部的主要部分,其作用是将掺杂物分子输送到晶体表面。
炉体则是扩散炉的外壳,其作用是保持炉内高温状态并防止气体泄漏。
加热装置则是用于维持炉体内部的高温状态,常用的加热方式包括电阻加热和辐射加热。
控制系统则是用于控制扩散炉的温度、压力、时间等参数,从而实现精确的掺杂。
二、扩散炉的分类根据加热方式的不同,扩散炉可以分为电阻加热扩散炉和辐射加热扩散炉。
电阻加热扩散炉是利用电阻加热炉管实现加热,其优点是温度分布均匀,加热速度快,适用于大面积晶圆的掺杂。
辐射加热扩散炉则是利用辐射加热炉管实现加热,其优点是能够实现高温度的加热,适用于高温度下的掺杂。
根据掺杂气体的不同,扩散炉可以分为氧化物扩散炉、氮化物扩散炉、氯化物扩散炉等。
氧化物扩散炉主要用于硅材料的掺杂,氮化物扩散炉则主要用于氮化硅材料的掺杂,氯化物扩散炉则主要用于氯化硅材料的掺杂。
三、扩散炉的优缺点扩散炉作为集成电路制造中的重要设备,其优缺点如下:优点:1. 可以实现高精度掺杂,掺杂深度和浓度可以精确控制。
2. 掺杂效率高,可以实现大批量生产。
3. 扩散炉的掺杂效果稳定,掺杂后的晶体性能均匀。
缺点:1. 扩散炉的掺杂时间较长,需要数小时或数十小时的加热时间。
2. 控制参数较多,需要精密的控制系统。
3. 扩散炉的掺杂深度有限,不适用于掺杂深度较大的材料。
高温扩散炉技术方案
高温扩散炉技术方案1. 方案目标高温扩散炉是一种用于半导体材料加工的设备,其主要目标是在高温条件下实现材料表面的掺杂和扩散过程。
本方案旨在提供一个全面的解决方案,确保高温扩散炉具有可行性和效率,以满足半导体行业对高质量、高效率加工设备的需求。
2. 实施步骤2.1 技术调研首先,我们需要进行技术调研,了解当前市场上已有的高温扩散炉技术,并收集相关资料。
通过与行业专家和厂商的交流,了解他们对现有技术的评价和需求。
2.2 设计与制造基于技术调研的结果,我们将开始设计和制造高温扩散炉原型。
设计过程中需要考虑以下几个关键因素:2.2.1 温度控制系统设计一个精确可靠的温度控制系统,能够在指定范围内稳定地控制加热区域的温度。
这可以通过采用先进的温度传感器、PID控制算法和高精度温度控制器来实现。
2.2.2 气氛控制系统为了确保扩散过程的成功,需要设计一个可靠的气氛控制系统。
该系统应能够在高温下提供稳定、纯净的气氛,并能够快速调整气体组成和流量。
2.2.3 加热元件选择合适的加热元件,如电阻加热器或辐射加热器,并进行优化设计。
加热元件应具有高效率、均匀加热和长寿命等特点。
2.2.4 排放处理系统考虑到高温扩散过程中产生的废气和废液,需要设计一个排放处理系统,以确保环境友好和节能减排。
2.3 实验验证与优化完成高温扩散炉原型后,我们将进行实验验证。
通过对不同材料和工艺参数进行测试和优化,以获得最佳的扩散效果和性能表现。
2.4 生产与推广在实验验证阶段完成后,我们将开始规模化生产,并通过市场推广活动向潜在客户介绍我们的高温扩散炉。
同时,我们将与客户合作,根据他们的需求进行定制化设计和生产。
3. 预期结果通过实施上述方案,我们预期实现以下几个结果:3.1 技术创新通过技术调研和原型设计制造过程中的创新,我们将提供一种全新的高温扩散炉技术方案,满足半导体行业对高质量、高效率加工设备的需求。
3.2 高性能设备经过实验验证和优化后,我们预计开发出一款具有稳定、可靠性能的高温扩散炉。
2023年扩散炉行业市场前景分析
2023年扩散炉行业市场前景分析扩散炉是半导体制造工艺中重要的设备之一,主要用于将气相中的物质浸渍进硅片中,用于制备各种半导体器件,如晶体管、集成电路等。
随着半导体技术的飞速发展,电子产品需求量越来越大,使得扩散炉行业市场前景广阔。
市场需求预测目前,电子产品市场需求正在迅速增长,尤其是随着5G和物联网等新一代通信技术的普及,对半导体器件和半导体制造设备的需求量也会逐渐增加。
根据统计数据显示,2019年全球扩散炉市场规模已达到10亿美元,预计在2025年将达到20亿美元。
国内市场前景分析中国作为全球最大的半导体晶圆制造基地之一,其市场需求非常庞大。
在过去的几年中,中国的半导体产业正在经历一场大规模的发展,也带动了扩散炉行业的发展。
根据市场研究公司的数据显示,2019年中国市场占有率已达到40%,预计未来几年市场将保持高速增长,中国市场规模将达到90亿元以上。
行业内竞争状况扩散炉市场上竞争格局相对激烈,主要竞争厂商包括美国比克公司、日本三洋集团、美国泰克公司、日本美府能公司等。
这些企业在市场份额、技术水平以及研发实力上都处于较高水平。
此外,随着中国半导体市场规模的扩大,国内一些扩散炉厂商也在逐渐崛起,如中微公司、昊毅科技等,竞争趋于激烈。
技术进步和发展趋势扩散炉厂商在技术上不断创新和改进,研发出一些新型的扩散炉设备,如气相外扩散炉、挥发性液体扩散炉、低压液相扩散炉等。
这些新型扩散炉设备在性能上和生产效率上都有所提高,一定程度上满足了不同厂商的需求。
此外,随着半导体加速领域的发展和市场需求的提高,扩散炉厂商也在尝试逐渐向高端技术方向发展,例如纳米技术、混合互连技术等,实现器件的小型化、多功能化和高效化,不断拓展市场份额。
结论总体来看,随着科技发展、市场需求增长和技术进步,扩散炉市场前景广阔。
在中国市场不断扩大的背景下,扩散炉厂商利用技术和研发的优势拓展市场份额的空间还很大。
同时,也需要关注和研究市场动态,不断进行技术创新和质量提升,才能在市场竞争中始终保持优势。
扩散炉研究报告
扩散炉研究报告扩散炉是一种用于在晶体上沉积或掺杂材料的设备,主要用于半导体工业中的制造过程。
扩散炉的原理是将材料固态沉积在晶体表面。
它的构造主要由炉管、炉膛、加热元件等组成。
本文将从工作原理、加热元件、应用情况和优缺点四个方面进行探讨和分析。
一、工作原理:扩散炉的工作原理是将半导体晶圆放置在炉膛中,然后通过加热炉管使得加热元件内的材料开始挥发。
挥发出来的材料沿着炉管流动,然后被晶圆吸收。
晶圆表面的材料会通过扩散的方式转移到晶圆内部,从而实现掺杂或沉积材料的目的。
二、加热元件:扩散炉的加热元件一般有两种:电阻加热和电子束加热。
电阻加热是使用电阻丝作为加热元件,通过通电产生热量来加热。
而电子束加热是通过电子束加热源将电子束聚焦在晶圆表面,使其快速加热,加热快速、定向性好、精度高,并且不会污染加热室环境等优点。
三、应用情况:扩散炉主要应用于半导体的制造过程中,如掺杂、沉积等工艺。
同时也广泛应用于太阳能电池、LCD显示、光通信等行业。
四、优缺点:扩散炉的优点是:1.可实现精度控制,能够满足不同的产品要求;2.制造成本相对较低,能够满足大批量生产;3.可应用于不同种类的晶体制造过程中。
扩散炉的缺点是:1.加热均匀性和控制精度较低,需要对晶片进行后续处理;2.会产生一些挥发性物质,可能会对加热室环境产生影响;3.只能实现单面掺杂或沉积。
总之,扩散炉作为半导体制造过程中的重要设备,在制造过程中起到了不可替代的作用。
随着制造技术的不断发展,扩散炉将不断地迎来更新换代,逐步满足更高质量、更高效率的要求。
扩散炉 (2)
扩散炉
扩散炉是一种用于半导体制造的设备,主要用于将掺杂源中的杂质扩散到硅晶圆表面的过程。
在半导体制造中,掺杂是一种重要的工艺步骤,它可以改变材料的导电性能。
扩散炉通过高温加热和控制气氛,使得杂质从掺杂源中扩散到硅晶圆的表面,并形成掺杂区域。
扩散炉通常由以下主要部分组成:
1. 炉体:用于容纳硅晶圆和掺杂源,并提供高温环境。
2. 加热系统:用于提供高温加热。
常用的加热方式包括辐射加热、电阻加热等。
3. 气氛控制系统:用于控制炉内的气氛,通常包括气体供应和流量控制等。
4. 温度控制系统:用于监测和控制炉内的温度,以确保扩散过程的稳定性和一致性。
5. 控制系统:用于实时监测和控制整个扩散过程的参数,如温度、气氛等。
在扩散过程中,常用的掺杂源包括磷、硼、砷等杂质,这些杂质可以通过扩散炉的加热和气氛控制被扩散到硅晶圆的表面,并形成掺杂区域,从而改变硅晶圆的导电性能。
扩散炉是半导体制造中的关键设备之一,它在半导体器件制造的各个阶段都扮演着重要的角色。
扩散炉的性能和工艺参数的控制对于半导体器件的性能和质量至关重要。
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400℃≤工作 温度≤900℃:
±1℃ /48h
900℃<工作 温度<1300℃:
±0.5℃ /48h
- 升 温时间 : (从 室温升至 1300℃ ):
≤ 60min
- 温度斜变能力:
升 温 速 率 范 围 :( 100—1300) ℃ ;( 0.5—15 ) ℃ /min 可 控 可 设 定 编 程 ;
炉 门 固 定 箱 ,用 于 安 装 炉 门 及 炉 门 配 件 ,自 动 点 火 装 置 安 装 在 此 位 置 ,工 艺 过 程 中 氢 气 自
动点燃,自动点火装置安全可靠。
5. 净 化 工 作 台 :
水 平 层 流 的 净 化 工 作 台 为 设 备 提 供 一 个 洁 净 的 工 作 区 。净 化 工 作 台 顶 部 装 有 日 光 灯 ,
料 架 固 定 在 装 有 轴 承 的 直 线 导 轨 座 上 ,由 电 机 驱 动 ,将 装 片 舟 推 入 或 拉 出 反 应 室 。电 机 及
驱 动 器 采 用 日 本 进 口 器 件 , 保 证 送 料 装 置 平 稳 运 行 。( 结 构 见 附 图 )
8. 功 率 调 节 部 件 :
采用进口的功率调节板,加热功率变化均匀,对电网干扰小,触发可靠。
作等级权限功能。
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四管扩散炉
¾ 具有工艺运行全过程的历史状况记录,并且历史文件随时可查; ¾ 软件应具有所有的 MFC 的软启动功能。 控制系统框图:
附图:计算机控制系统原理图
9.1 温 度 控 制
9.1.1 控温用 热电偶: S 型;
9.1.2 热电偶冷端补偿采用智能补偿,智能实时进行温度补偿。 9.1.3 具有恒 温区温度 可编程自 动修正; 并可自动 进行测量 恒温区温 度分布的 功能; 特点:
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最 大 升 温 速 率 : 15℃ /min
四管扩散炉
降 温 速 率 范 围 :( 1300—900) ℃ ( 0.5—5) ℃ /min 可 控 可 设 定 编 程 ;
最 小 降 温 速 率 ; 0.5℃ /min;
- 具有恒温区温度可编程自动修正;并可自动进行测量恒温区温度分布的功能 - 气路系统:
的 控 制 ,控 制 精 度 可 控 制 在 +0.5°C。温 控 仪 表 抗 干 扰 能 力 强 ,且 不 对 控 制 系 统 产 生 干 扰 。
内 部 有 冷 端 温 度 补 偿 ,减 小 了 外 界 温 度 变 化 对 热 电 偶 测 温 波 动 影 响 ,更 加 增 强 了 控 制 精 度 。
置和故障报警功能。各种报警情况如下:
9.4.1 温 度 保 护 报 警 :
1) 超温报警:
当 炉 温 超 过 设 定 值 时 ,(超 温 设 定 值 由 用 户 自 己 设 定 ),屏 幕 会 显 示 超 温 ,此 时 超 温 报
警、讯响、温度控制自动脱离计算机控制,转入保温状态。
2) 极限超温报警:
制 ,通过 AD 模块 进行 实际流量 检测,实 现闭环控 制。 PLC 的 高精度 DA/AD 模 块使得 流
量控制精度高,闭环反馈减小了实际流量和设定流量的误差。
9.3 进 退 舟 控 制 系 统
本 系 统 可以 对 步 进电 机 , 伺服 电 机 进行 进 退 舟及 各 种 动作 控 制 。主 控 单 元 (PLC)通过
- 送 取 片 方 式 : 采 用 石 英 管 式 推 拉 舟 。( 第 一 、二 两 管 碳 化 硅 桨 、第 三 、 四 两 管 石 英 管 浆
送 片 系 统 )。 石 英 管 及 配 套 石 英 器 件 由 供 应 商 提 供 。
热 学 数 据 ( SPEC):
- 工作温度范围:
0~1300℃
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四管扩散炉
三、设备的主要性能指标及组成
用途:
- 用 于 硅 片 氧 化 ( 氢 氧 合 成 ), 合 金 工 艺 。
类型:
- 方式:左手操作方式
- 硅片尺寸及管路数:圆形 6 英寸、四管系统
- 净 化台洁净 度:100 级 (1000 级 厂房)
- 自动化程度:自动控制温度及工艺过程。
- 气体流量设定精度: - 气路系统气密性:
±2% FS 1×10-7pa.m3/s
能耗值:
- 三 相五线制 380V±10%,50Hz±1Hz;
- 最大升温功率:
30 KVA/每 管
- 保温功率: - 冷却水:
15 KVA/每 管 ; 2~4Kgf/cm2, ~8L/min
送料装置技术参数:
- 自动推拉舟系统数量:
的是将扩散炉产生的一部分热量通过循环水带走,从而避免厂房温升过高。
4. 排 毒 箱 :
排毒箱安装在扩散炉机箱内靠净化台一侧,它由四个独立的不锈钢箱体及排风道组
成 。每 个 箱 体 对 应 一 个 炉 管 。每 个 箱 体 侧 面 均 有 一 个 风 量 调 节 板 。合 金 炉 管 排 毒 箱 位 置 为
四管扩散炉
加热炉体:采用三点控温,三段加热;
保温材料:进口的高温硅酸铝纤维毡和塞拉纸;
炉 子 使 用 在 正 常 工 作 温 度 范 围 内 ,保 证 在 一 年 内 炉 膛 不 能 塌 陷 ,炉 丝 不 出 现 松 动 和 移
位现象。炉体的位置在安装过程中可微调。
3. 热 交 换 器 :
扩散炉顶部装有水冷散热器,水冷散热器上装有四个排风扇。安装水冷散热器的目
中 部 装 有 四 套 送 料 装 置 ,底 部 装 有 送 风 机 及 初 效 过 滤 系 统 ,净 化 台 中 部 装 有 高 效 过 滤 系 统 ,
采 用 双 套 净 化 系 统 以 达 到 设 备 的 净 化 要 求 。( 结 构 见 附 图 )
6. 自 动 悬 臂 推 拉 舟 机 构 :
反应室密封用的炉门装在送料架上,炉门由弹簧支撑以保证炉门的弹性结合,该送
9.4.3 氢 氧 合 成 工 艺 管 路 的 安 全 保 护 :
1) 欠温报警:
工 艺气体出 口处 (氢氧 合成点火 处 )的温度 低于 760℃ 时,氢氧 合成工艺 管路控制 小 盒
上 的 欠 温 报 警 灯 亮 ,此 时 如 果 正 在 进 行 工 艺 ,氢 气 阀 门 处 在 开 状 态 ,氢 气 阀 门 被 自 动 关 掉 。
- 2、技 术 性 能 指 标 :全 部 达 到 或 接 近 进 口 设 备 的 技 术 指 标 ,更 加 突 出 产 品 的 稳 定 性 及 一 致性。
- 3、工 艺 管 路 系 统 :进 口 内 EP 级 不 锈 钢 管 路 及 VCR 接 头 ,采 用 进 口 SWAGELOK 自 动 焊机焊接,确保管道的洁净及耐腐蚀等级。
9.4.2 炉 箱 超 温 保 护 :
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四管扩散炉
由 于热交换 系统故障 或室温过 高,使扩 散炉机箱 内温度超过 80℃时 ,会有炉 箱 超 温 预 警信号产 生,指示 灯亮、讯 响。但不 做任何处 理.当 温度 继续升高 超过 95℃ 时,发出 炉 箱超温报警信号并切断加热器电源。
脉冲输出口控制步进电机的驱动器来控制步进电机,通过发送的脉冲数控制进退舟的位
置 , 通 过 脉 冲 的 频 率 控 制 进 退 舟 的 速 度 。( 舟 的 位 置 可 以 在 计 算 机 上 实 时 显 示 ) 推 拉 舟 的
进退位置,进退速度等参数可在计算机上设定、修改。
9.4 其 他 开 关 量 控 制 和 报 警 系 统
采 用 spike 加 profile 的 控 温 方 式 ,有 效 的 提 高 控 制 精 度 ,实 现 恒 温 区 的 自 动 调 整 ,提 高 工
青岛赛瑞达设备制造有限公司5 Nhomakorabea艺质量。
四管扩散炉
9.2 气 体 流 量 控 制
本 系统采用 进口质量 流量计进 行流量控 制。主控 单元 (PLC)通过 DA 模块 进行 流量输出 控
接 触 不 良 时 ,会 有 一 个 固 定 的 电 压 输 入 到 控 制 系 统 ,通 知 操 作 人 员 热 偶 出 现 了 故 障 ,此 时
系 统 将 自 动 切 换 到 另 一 个 热 偶 ,并 自 动 调 用 另 一 个 热 偶 的 对 应 数 据 ,从 而 保 护 了 加 热 系 统
与工艺。
9. 控 制 系 统 :
如 下图所示 ,本控制 系统以研 华工控机 与 PLC 为主控单元,以温控模块为温度控制
执 行 单 元。 采 用 可触 摸 屏 式工 业 显 示器 为 人 机可 操 作 界面 。 可 进行 三 点 spike 及 profile
温度控制。
¾ 控制界面显示,菜单选择,用户可编程,界面要清晰明了,易操作;软件具有用户操
本 控制系统 采用专用 智能仪表 进行温度 控制。主 控单元 (PLC)通 过 RS485 通讯口 与 仪
表 通 讯 ,执 行 温 度 曲 线( 设 定 和 监 控 在 计 算 机 上 )。温 控 模 块 使 用 自 整 定 的 PID 进 行 温 度 的
精 确控制。 单片机控 制 PID 多 数使用经 验值,控 制不精确 ;而自整 定的 PID 更 适合具 体
- 长期工作温度:
900~1100℃ ( 扩 散 、 氢 氧 合 成 )
400~600℃(合金 工艺)
- 温 区精度及 长度 (静态 闭管测试 ):
400℃≤工作 温度≤900℃:
760mm /±1℃
900℃<工作 温度<1300℃:
760mm /±0.5℃
- 单 点温度稳 定性 (静态 闭管测试 ):
1. 扩 散 炉 :
扩散炉主机的顶部是水冷热交换器,扩散炉主机中部是处理 6″硅片的四个加热炉