击穿实验与耐压试验(1)

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对于连续升压法,在加压过程中的某一电压水平上, 还来不及发展成击穿过程,因此必须在更高电压水 平上才可能导致击穿。 慢速 升压法 逐级 升压法
4 环境条件的影响
温度升高, 击穿电压降低 1)温度升高,老化加快,Unp 降低;2)有些击穿属于热击穿 或部分热击穿,温度升高将加速 击穿的到来;3)在低温区域, 温度对Unp影响较小。 气压升高, 击穿电压升高
脉冲试验, 只在对介质材 料作型式试验 时,为全面检 验其性能而采用
电压波形的影响
脉冲 直流 交流 工频(交流)电压下, 测得的击穿电压最小。 直流电压下, 测量值居中 脉冲电压下, 测得的击穿电压最高。
交流情况下,耐压或击穿试验 考核最为严格;若交流电压满足要求, 其他形式电压也一定能满足要求。
不均匀电场 原 因 不利用热击穿的发展
源自文库
电场不均匀造成电应力集中, 减弱了杂质、缺陷处电场 集中所产生的局部过热。
为了获得均匀电场, 要求合理的选择:
试样、电极的形状和大小, 试验时所处的媒介。
2 电压波形的影响
脉冲 直流 交流
工程应用中, 介质材料中的击穿场强, 通常指工频(交流下的) 击穿场强
直流电压下的耐压和 击穿试验仅针对工作 在直流电路中的原件
湿度
湿度增大, 击穿电压降低
电极、试样和媒质 的选择
概述
应用型材 现状与原则 采取的措施 应用特种媒质 现状:击穿试验在均匀电场和 不均匀电场下有很大的差异 选择合适的电极
原则:试样和电极的选择必须 保证获得所要求的电场形式。
对于电子元件
实 对电子元件 现 对实际产品 进行测试 原 因 电极的形状和 大小是一定的
c 为双边平面型的型材 试样,上下电极面积相 等。
f 为压层材料沿层试验, 针对板电极。
g 为薄片板状试样, 球电极形式。
电压作用时间极短, 有些击穿因素来不 及发展。 (热的积累和局部 放电造成的破坏)
3 电压作用时间的影响
对电子材料与元器件 加电压导致击穿 特点1 击穿从局部发展到整体, 最终导致两电极之间击穿, 该击穿过程需要时间。 特点2
随着施加电压时间的增加, 击穿电压将明显下降。 电击穿
对固体介质 的击穿 热击 穿 游离 或局 部放
电子材料与元器件的耐压和击穿试验
本章目录
1.耐压与击穿试验的概念
2.影响耐压及击穿场强的因素 3.电极、试样和媒质的选择 4.耐压和击穿试验的设备和装置 5.局部放电的观测 6.用非破坏性试验推断抗电强度
耐压与击穿试验的概念
耐压与击穿试验的必要性
条件: 介质材料很薄, 结构紧密, 工作条件苛刻(低气压、高温)
气泡周围的固体介质表面 出现腐蚀或分解,形成凹坑
当外加电压足够高 凹坑不断加深,导致电场集 中,逐步形成树枝状放电通道
最后贯穿到两极, 造成介质材料的击穿
材料及其加压方式
材料的击穿与电压 作用时间几乎无关
连续 升压法
加压方式与时间
不影响
测量结果
逐级升压 法 材料的击穿与 电压作用时间有关
升压方式
慢速升压 法
条件: 生产工艺和材料上的缺陷 (电阻刻槽边缘毛刺,介质含有 电金属疵点)
介质击穿和气体击穿 (通过空间和固体表面的飞弧)
正常工作条件下 发生击穿或放电
耐压试验和击穿试验
三个定义
击穿试验 在一定条件下逐步增高施加于 样品上的电压,直到样品发生 击穿破坏为止。 此时的电压称为击穿电压。Unp
击穿试验通常在研制阶 段进行,在定型生产时 并不作。
电击穿
击穿在10-7~10-9内发生, 可近似认为击穿电压与时间没有关系
对固体介质 的击穿 热击 穿 介质损耗 将导致发热, 周围导体将热 量传导到介质,
游离或局部 放电击穿
能量积累 到临界值
使介质材料 受到破坏
游离或局部放电击穿
气隙开始游离放电
介质材料内部存在气隙, 施加电压高于气隙游离 起始电压
材料:黄铜、不锈钢、退火铝箔、 弹性金属片、导电粉末、烧银。 电极 要求:有良好的导电、导热性能; 与试样有良好的接触;不与试样发生反应。 实 际
电极的尺寸、形状和配置, 见图4-3(下一页)
电极的尺寸、形状和配置
a 为板状试样, 上下电极同心, 但面积不等。 b和d为板状试样,上下电 极同心,面积相等。 e 为管状试样,内 外电极面积不等。
这些正负离子在电场作用下再撞 击其他中性原子或分子,使之电 离;
老化击 穿
从而形成雪崩式电离,造成击穿
晶体管中的雪崩击穿
热击穿
电击穿
飞弧击穿
介质和电容器的整个或者局部热 平衡受到破坏,从电场中吸收的 热量大于散发的热量,使介质内 部温度不断上升,当超过某个上 限温度时引起的击穿。
老化击 穿
在产品的研制和生产阶段,对介 质的介电性能已作了大量的击穿 试验。
击穿试验
对待测样品,耐压试验的电压值 一般高于其工作电压。...
对大批产品或材料的 击穿电压,实际上是 一个平均值。...
耐压试验的结果只能说明该样品 能否承受该试验电压,而不能说 明其绝缘强度的高低。
影响耐压及击穿场强的因素
大纲
气压
温度 电压波形 电场均匀度 湿度 电 压 作 用 时 间
环境条件
老化击 穿 电源中的电容被击穿 (不可预见,有新的防 爆结构的电容器)。
试验类型
破坏性试验, 给介质加电压直至其 被击穿。
非破坏性试验, 检验产品是否合格的一种手段, 试验结果应不使样品受到破坏或 产生隐伤,待测样品在试验之后 还能正常使用。
耐压试验
目的:剔出不合格的产品或内部 有隐伤的产品。
对某一具体样品, 其击穿电压可按其定 义要求测得。
通常所用的是平均击穿 场强 击穿场强 在均匀电场下,发生击穿的电场 强度。Enp 描述材料的抗电性能。…
耐压试验
在一定条件下对样品施加一定 电压,经受一定时间后,观察 其是否发生击穿。
击穿的种类
热击穿 电击穿 飞弧击穿 不论出现何种击穿, 首先关断电源! 老化击 穿
热击穿 介质中的自由电子、离子,在强 电场作用下碰撞中性原子、分子 使之电离,产生大量正负离子; 电击穿 飞弧击穿


为产品设计 提供参考
对于电子材料
应用型材 实 对电子材料 现 电极面积应选择的大一些; 试样面积应尽可能大。 原 则 1)减弱边缘效应; 2)比较充分地暴露材料的弱点; 3)使测试结果更接近于真实值。 应用特种媒质
选择合适的电极
应用型材
1)消除电极边缘效应;2)使击 穿发生在电板中央电场均匀的位置 厚型平板 固体材料 实 制成中间薄、 边缘厚的样品 单边型 目的
加压方式与时间
决定了
测量结果
三种升压方式的定义
1)让施加在样品上的电压以 连续升压的速度上升到该样品 击穿电压的50%;2)然后逐 级升压,每级升压值按击穿电 压标称值的10%升高,每级停 留一段时间;3)如不击穿再 继续升高,直到击穿为止。
连续 升压法
施加于样品的电压从零开始, 按一定升压速度升高电压, 直到发生击穿为止。
应用中,存在各种复杂的环境, 热击穿是主要问题。
热击穿
电击穿 飞弧击穿
边缘电场很不均匀, 气体的介电强度又比介质小, 加之表面水分、湿度等的影响,
老化击 穿
当电压高于某个值时, 形成表面飞弧,造成击穿.
又称为边缘击穿
热击穿 在电压(低于击穿电压)作用下, 材料绝缘强度逐渐下降,最后导 致的击穿。 电击穿 飞弧击穿
均匀电场,击穿发生在原件 或材料的弱点处
1. 很好的反映原件和材料本身的性能, 2. 区别介质的绝缘强度
元件和材料试验的区别
元件试验 不可能处于均匀电场下, 应使承受的电场与 使用场合相近似, 以使测试数据有实际 意义!
介质材料试验
应尽量在均匀电场下测试, 以反映材料本身的规律和特性
不均匀电场下的材料
先以连续升压的速度让样品上 的电压升到击穿电压的50%, 然后以慢速(依然是匀速升压) 升压到击穿为止。
慢速升压 法
逐级升压 法
升压方式
三种升压方式的升压速度
三种升压方式的比较
1)击穿试验所采取的升压方 式视具体情况而定;2)对要 求高的样品可采用逐级升压法 或慢速升压法,这样对样品的 考核更严格。 备注 原 连 续 升 压 法 因 1) 连续升压法测得的击穿电压最高,逐级升压法 和慢速升压法测得的击穿电压相当,且低于连续升 压法;2)连续升压法使样品承受电压的作用时间 最短,慢速升压法和逐级升压法使样品承受的作用 时间大致相当。

平 面 型
球 面 型
双边型
应用特殊媒质
原因 对策 气体介电系数ε小; 气体的击穿场强低。
现状:边缘或气体 经常发生击穿
选用击穿场强或 介电系数大的媒质 实 际
将样品放入液体介质中进行击穿试验;
1)油(液体介质)的ε应接近于试样 的ε,这样可使电场更为均匀;2)常 用的油有变压器油和硅油。
选择合适的电极
慢速升压法
电压 作用时间 连续升压法 逐级升压法
1 电场均匀度的影响
不均匀电场, 击穿可能发生在 电场强度最高的 那一点 电场的不均匀性将 掩盖材料的不均匀性
问题: 不同的电场分布, 同一介质的击穿电压 可能相差几倍。 (白云母和金云母)
电子元件和材料内部所存在的 不均匀性,存在的杂质, 内部的缺陷(裂缝、孔洞)
温度
气压
1)介质表面的飞弧电压 随着气压的降低而减小, 因此增加待测元件或材料 周围媒介的压力时,Unp 将增大。
1)湿度将改变材料内部吸湿状态; 2)湿度增大,材料内部吸收的水分 增多,Unp下降;3)对液体介质, 其所含水分以乳状水滴存在,它会 在电场作用下形成导电通道,使得 Unp下降;4)对固体介质,其表面 将形成导电水膜,使表面放电电压 降低,引起Unp降低。
原因
交流情况下, 耐压或击穿试验考核最为严格
脉冲 直流 交流
1 测试电压是有效值, 实际电压是以最大值 (峰值)加在试样上; 2 在交流下,介质要增加 交流损耗。
1试样内部空隙局部放电 所产生的空间电荷形成 的反电场使电空隙的内 电场降低,限制了局部 放电的扩展; 2介质的直流损耗比交流 损耗要低
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