医学电子学基础习题解答(课堂PPT)

IC = hfeIB = 1.5mA V CE V C C(V R C LE IC )R C V CE 4 .8V 7
hie200(160)12.56 1 2 1 .2 5 k 6 7
Av
hfeRL
hie
(hie RB1
1)RB2
5.1
R i R B2R B 1//hie
3 k 9 1 . 2 k 6 4 k 0
11
教材 P52
第一章 半导体器件的特性
习题 1.12
1.12
解：hfe
hfb 1hfb
0.98 49 10.98
IBh IC fe14m 09 A0.2m A20A 0
12
教材 P52
第二章 放大器基础
习题 2.1
第二章 放大器基础
2.1 解：(a) 能正常放大； (b) 不能正常放大，输入端交流短路； (c) 不能正常放大，C结反偏不能满足； (d) 不能正常放大，VGS＜0不能满足。
有多大？
5
绪论
习题2
解：①戴维南定理求解，如图所示，有：
I
1 3
1V 2 8 V 0 .4 A
R 1 R 3 R 2 R 4 r 1 r 3 4 2 2 1
V ab 23I(R 2R 4r3)
9 V8V 0 .(4 22 1 )1V
rRab3.5
IR53 .1V 5 312A 3 0.15 A4 6
(用基尔霍夫定理求解)
2
绪论
解：如图所示，有：
I4 I1 I3 0
I
2
I3
I5
0
I1
1
I2
2
I6
0 I 1 R1
I 4 r1
I 6 r2
0
2
3
I2R2
I
6r2
Fra Baidu bibliotek
I 5 r3
0
I1 R1 I 2 R 2 I 3 R3 0
解得： I1 2A I2 3A I3 1A
习题1
3
IZmi nIZIZmax ∴电路能正常工作 vo VZ 6V
(2) IZV 1 R V Z V R Z L10 V .5 0 k 6 V0 .6 8 V k 0 .5 mA
IZIZmin ∴电路不能正常工作
(3) IZV 1 R VZ20V .0 5 k 6V2m 8 A
IZ IZmax ∴ 稳压管可能被烧坏
绪论
习题2
② 诺顿定理求解，如图所示，有：
I1 1 3 I2 22 IsII12((R R 12r1 r3R R 34 ))IIsrs2r200Is 7 2A
rs Rab3.5
IR 5rsR /5 /R 5Is1 7 37 2A1 2A 3 0.15 A4
7
第一章 半导体器件的特性
2.5 解：① 不带负载RL时
IB
VCC0.7 RB1
0.7
RB2
0.02m 5 A
25A
IC = hfeIB = 1.5mA
VCE = VCC－ICRC = 7.35V hie200(160)12.56
1257 1.26k
习题 2.5
直流通路
16
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.5
IC Q h fI e BQ 3 8 0 .0m 5 A 1 .9 mA hie20(0 13)8 1 2 .96 73 .7 3
A vR h Bf e R C hie13 60 8 .7 23 34 7.54
R i R Bh ie1.7 6 k Ro RC2k
15
教材 P130
第二章 放大器基础
IBQ Ih C feQ 16 .608 0.02 m8A 28 A
直流通路
19
教材 P132
第二章 放大器基础
第一章 半导体器件的特性
习题 1.2
vD
1.2解： (1) 由 iD IR(sa)t(e vT 1)得：
当 iD0.95IR(sa)t时
vD
evT 0.0 5vD7.8 7m 9 V
100
(2) iD IR(sa)t(e vT 1)
100
iD IR(sa)(te vT 1)
100
iD e 26 1 46.7
绪论
习题1
12I1R1(I1I3)r1(I2I1)r2 0 或 23I2R2(I2I1)r2(I2I3)r30
I1R1I2R2I3R3 0
解得： I1 2A I2 3A I3 1A
4
绪论
习题2
2、电路如图所示，已知 112V， 2 9V，
3 8V， r1r2r31， R5 3，
R 1 R 2 R 3 R 4 2 。求通过 R 5 的电流
电子学基础习题解答
教材:《电子线路》(第四版) 梁明理 邓仁清 主编
制作：黄亚1 洲 2011
绪论
习题1
绪论
1、图中 1 =6V，r1=0.2Ω， 2 =4.5V，r2=0.1Ω，
3 =2.5V，r3=0.1Ω，R1=0.5Ω，R2=0.5Ω，
R3=2.5Ω，求通过电阻R1、R2、R3的电流。
iD
100
e 26 1
8
教材 P50
第一章 半导体器件的特性
1.5 解：
(a)
(b)
习题 1.5
(c)
(d)
9
教材 P51
第一章 半导体器件的特性
1.7 解：
习题 1.7
10
教材 P51
第一章 半导体器件的特性
习题 1.9
1.9 解：(1)
IZV 1 R V ZV R Z L10 V .5 5 k 6 V2 6 k V 1m 3 A
13
教材 P130
第二章 放大器基础
2.2 解：
(a)
(b)
习题 2.2
14
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.4
2.4 解：由教材P132图P2.3(b)知：
IBQ V BB R B V BE Q 1.5 V 1 k6 0.7V0.0m 5 Ahfe
ICQ 1.9mA38 IBQ 0.05mA
AV
hfeRC
hie
(hie RB1
1)RB2
7.6
{vi ibhie(iR bhBi1eib)RB2}
R i R B 2 R B 1 / h i/ e 3 k 1 9 . 2 k 6 4 k 0
Ro RC5.1k
17
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.5
② 带负载RL时，IBV CR C B 1 0 .7R 0 .B 7 20 .0m 25 A 2A 5
Ro RC5.1k
直流通路
18
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.7
2.7 解：① VBQRBR 1BR 2B2VCC4.4V
ICQ IE QV BR Q E V BE Q 4 .4 2 0 ..7 2 1 .6m 8 A
VCEQ = VCC－ICQ(RC + RE) ≈ 5.74V