晶体三极管的参数

UCEO,B UCE/V 晶体三极管的安全工作区
31/131 反向击穿电压UCEO,B、UEBO,B、 UCBO,B
UCEO,B 表示基极B开路时，CE之 间允许施加的最大反向电压。
UEBO,B 表示集电极C开路时，EB 之间允许施加的最大反向电压。
UCBO,B 表示发射极E开路时，CB 之间允许施加的最大反向电压。
UCES,B UCER,B
击穿电压之间的关系: UCBO,B ≈UCES,B > UCER,B >UCEO,B>UEBO,B
制作单位：北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。只是管子的 放大倍数降低。
集电极最大允许耗散功率（损耗功率）PCM
集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM= iCuCB. 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。 在计算时往往用uCE取代uCB，所以
PCM≈iC uCE。
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PCM≈IC UCE
晶体三极管的参数
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3.1.5 三极管的参数
1. 直流参数 共基直流电流放大系数
共射直流电流放大系数
IC
IE
IC
IB
集电结的反向饱和电流ICBO
ICBO的下标CB代表集电极和基极， O是Open的字头，代表第三个电极
即发射极E开路。Ge管时 ICBO 单位 是A量级 Si管时是nA量级。
复习：IC IE ICBO
IE 1 IB ICEO
Rc VCC
Rb iB
iC
T1
VB
iE
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复习：IC IE ICBO , IE 1 IB ICEO
集电极-射极间的穿透电流ICEO
ICEO=（1+ ）ICBO
相当基极开路时，集电U U ＞U CBO,B
CEO,B
EBO,B
UCEO,B UEBO,B UCBO,B
32/131 反向击穿电压UCES,B、 UCER,B UCES,B 表示基极B短路(short)时， CE之间允许施加的最大反向电压。
UCER,B 表示基极B加电阻时 (Resistance)时，CE之间允许施加的 最大反向电压。
间的穿透电流。
2. 交流参数
共基交流电流放大系数 ΔIc

ΔIe Ucb C
共射交流电流放大系数 ΔIc

ΔIb Uce C
特征频率fT 随着频率增加而下降, 为1时对应的频率为fT。
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3. 极限参数
集电极最大允许电流ICM
当集电极电流增加时， 就要下降，当 值下降到线性 放大区 值的2/3时所对应的最大集电极电流。