电子技术习题库

1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。

2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有

关，而与外加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当

其反偏时，结电阻为（），等效成断开；

4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。

1、P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。

2、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。

3、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）

信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）

类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；

OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛

应用于（）电路中。

2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则

三个电极分别是（），该管是（）型。

A、（

B、

C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）

D、（NPN）

E、

（PNP）

9、分析运放的两个依据是（）、（）。

A、U-≈U+

B、I-≈I+≈0

C、U0=Ui

D、Au=1

1、空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称

为P型半导体。

2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）

3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于

（），而与外电场（）。

4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）

偏置状态。

5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。

6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。

10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。

11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。

2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。

A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)

1杂质半导体有型和型之分。

2)PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。

3)PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是__________电压。

4)放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。

5)有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。

6)电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________。

7)稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。

10）甲类功放的最大缺点是_______；

1)二极管两端电压大于电压时，二极管才导通。

击穿电压；死区；饱和。

2）当温度升高时，二极管的正向电压，反向饱和电流。

增大；减小；不变；无法判定。

3）并联负反馈使放大电路输入电阻.

增加；不变；减小；确定。

4) 如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为

在图示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E

间动态电阻为r be。填空：

静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为，U CEQ的表达式为；电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为；若减小R B，则I CQ Array将，r be将，

A 将，R i

将。

1、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是。

2、PN结的导电特性是，其伏安特性的数学表达式是。

3、晶体管工作在放大状态的外部条件是。

4、晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数I CBO，V BE，

β。

5、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位

为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态.

6、场效应管是一种元件，而晶体管是元件。

7、多级放大电路的耦合方式有、、。

1﹑8421

10010111.0101BCD

（）=( )2。

=+++,其最简与或表达式为F=( ).

2 ﹑有函数F AB AC BC ACD

3 ﹑ F(A,B,C,D)=∑m(0,1,8,10)+∑d(2,3,,4,5,11), 其最简与或表达式为F=( ).

4 ﹑一个双输入端的TTL与门和一个双输入端的CMOS与非门，它们的输入端均

是一端接高电平，另一端通过一个10kΩ电阻接地，则TTL与门输出为（），CMOS与非门输出为（）。

5﹑OC门比普通TTL门使用灵活，利用它可以实现（），（）等功能。

6﹑T’触发器的特性方程为（）。

7﹑用边沿JK 触发器构成边沿T 触发器，则JK 触发器的的驱动方程为（）。 8﹑单稳态触发器和多谐振荡器分别有（）和（）个稳定状态。

1﹑

8421BCD （0010 0111）+5421BCD （10010000.1000）=( )2. 2﹑ 有函数()F AC BC B A C =++⊕,其最简与或表达式为F=( ).

（1）、（110.101）2=（）10，（12.7）10=（）2 （2）、构成组合逻辑电路的基本逻辑单元电路是（），构成时序逻辑电路的基本逻辑

单元电路是（）。（3）、TTL 反相器的电压传输特性曲线中，转折区中点对应的输入电压称为（）电

压。（4）、当七段显示译码器的输出为高电平有效时，应选用共（）极数码管。

6﹑T 触发器的特性方程为（）。

7.用边沿D 触发器构成边沿T 触发器，则D 触发器的的驱动方程为（）。 8﹑随机存储器（RAM ）通常由（），( ),( )三部分组成。 9﹑单稳态触发器（a ），D 触发器（b ），施密特触发器（c ）中，能够将正弦波

整形为同频的矩形波的是（），能够存储一位二进制信

2、根据CP 、J 、K 的波形画出Q 端波形，假设初态为零

3、分析图(a)电路，并根据图(b)给出的CP 波形画出Q 端波形图。假设初态为零。

二．

1、将逻辑函数化为最小项之和的形式

Y=ABC+AC+BC

2、用公式法化简逻辑函数

Y 1=AC+AD+CD Y 2= AD+AD+AB+AC+BD+ACEF+BEF+DEFG

3）用74LS138实现逻辑函数Y ABC ABC ABC ABC =+++。

F AB AC AD ABCD

=+++

1）将下列逻辑函数化成最简与非式;

F=AB+AC

2) 写出逻辑函数F 的最小项之和表达式； 3）请用一片74LS138译码器（

来实现该函数（

举重比赛中有A 、B 、C 三名裁判，A 为主裁，当两名或两名以上裁判（必须包括

A 在内）认为运动员上举杠铃合格，才能认为成功，试设计该逻辑电路，要求列真值表用与非门电路实现。设计一个四人裁判表决电路，已知四人中有一个人是主裁判，其余三人是普通裁判，当主裁判同意时得两票，各个普通裁判同意时分别得一票，获得三票及三票以上表决通过。要求用与非门实现。

设计一个逻辑电路供3人表决使用，若有多数人赞成，则其结果通过；若有多数

人反对，则其结果不通过，要求列真值表用与非门电路实现。

2. 试用同步二－十六进制计数器74LS161（CT1161）设计一个12进制计数器，要求用反馈清零法。74LS161的电路逻辑符号和功能表如下所示。（4分）

1、分析右图电路，写出函数S 和C 的表达式并化简，通过真值表说明电路完成什么逻辑功能？

74LS161功能表

六、分析图5所示电路，写出Z1、Z2的逻辑表达式，列出真值表，说明电路的逻辑功能。

一﹑分析下图所示电路，要求

1）写出各触发器的驱动方程，输出方程

2）写出各触发器的状态方程

3）列出状态表

4）画出状态转换图（状态图的格式为1Q0Q）.

二 .分析下图所示电路，要求 1）写出各触发器的驱动方程 2）写出各触发器的状态方程 3）列出状态表

4）画出状态转换图（状态图的格式为3Q 2Q 1Q ）

八、运算电路如图

A.6所示，设各集成运放均具有理想特性，试求各电路输出电压u o 的大小或表达式。

Q 0 Q 1 Q 2

．电路如图所示，其输入电压 u

I1，u

为0.4V和0.8V。试算出输出

电压u O值

1、已知电路如下图示：为理想二极管，试分析：

①二极管导通还是截止？②U A0=？

解：

六、三极管放大电路如图A.4所示，已知三极管的U BEQ=0.7V，β=100，各电容在工作频率上的容抗可不计。（！）求静态工作点I CQ、U CEQ；（2）画出放大电路的微变等效电路；（3）求电压放大倍数Au=uo/ui；（4）求输入电阻Ri和输出电阻Ro

电路如图所示，β=50,R B1=15KΩ，R B2=5KΩ，R L=5.1KΩ，R E=2.3KΩ，

V CC =12V ，信号源的内阻R

=1KΩ，R

=5.1KΩ

1、估算静态工作点；

2、画出微变等效电路；

3、求A

U ，A

，R

,R O.

五、在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=100，r be=1 kΩ，R B1=5 kΩ，R B2=15 kΩ，R E=2.3 kΩ，R C=R L=3 kΩ，V CC=12V。

（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

（2）估算信号源内阻为R S =1k Ω时，S us U U A 0 的数值。

电子技术综合练习题(一)

重庆市巫山县职教中心高职对口考试《电子技术》模拟测试题（一）一、填空题 1、集成三端稳压器CW7915的输出电压为。 2、稳压管稳压时工作在区。 3、如果变压器二次电压的有效值为12V，桥式整流电容滤波后输出电压为。 4、用万用表判断三极管的引脚时，应先判断它的极。 5、二进制数11011变换成十进制数为。 6、测得三极管各引脚对地电压分别为U C=0.4 V、U B=1.0 V、U E=0.3 V,则此三极管工作于状态。 7、理想二极管正偏时可视为短路，反偏时则可视为。 8、三只三极管各极的直流电位如下表所示，由此可确定处于放大状态的三极管是。 9、逻辑函数Y AD AD AB A C BD =++++的最简式为Y= 。 10、如果将全班43个同学以二进制代码进行编码，最少需要二进制码的位数是。 11、半波整流电路中，若保证输出电压的平均值为4.5V，则变压器次级电压的有效值为。

12、OTL功放电路的电源电压为12V，负载电阻RL的阻值为4Ω，则电路的最大输出功率P om= 。 13、组合逻辑电路与触发器比较，最明显的特点是组合逻辑电路没有功能。 14、已知某放大电路的电源电压为E C=6V，U CE=3V，U BE=0.65V，I E=4.1mA，I C=4mA，该三极管的直流电流放大系数为。 15、用万用表欧姆档测得一只二极管的正反向电阻的阻值均较大，表明该二极管内部已。 16、OCL和OTL功放电路的结构相同，只是在供电方式和方式上做了改进。 17、三极管具有放大作用的外部条件是。 18、交流负反馈能改善放大器的性能。 19、调谐放大器是利用特性实现选频的。 20、OCL电路静态时的中点电位等于。 21、共集电极放大器的输出信号和输入信号的相位。二、判断题 1、反馈类型按取样方式分为正反馈和负反馈。（） 2、OTL功放采用单电源供电，有输出耦合电容。（） 3、从调频波中解调出原调制信号的过程称为检波。（） 4、振荡器要起振必须满足相位平衡条件，即反馈信号与输入信号反相。（） 5、运放输入级常采用差动放大电路其目的是抑制零点漂移。（） 6、在直流通路中，电感线圈视为短路，电容视为开路。（） 7、在单相桥式整流电容滤波电路中，若变压器次级电压的有效值为20V,则输出电

高频电子技术试题库第三章

一、选择题（每题2分） 1在调谐功率放大器中，晶体管工作延伸到非线性区域包括。（） A．截止和饱和区 B．线性和截止区 C．线性和饱和区答案：A 2下列各参数不能够用于调节基本高频调谐功率放大器导通角的参数是。（） A． U B．b E C．L R j 答案：C 3调谐功率放大器工作状态的判定是根据 u与的比较判定。 ce min （） A． U B．bm U C．cm U ces 答案：A 4 一般不用作调谐功率放大器中自给偏压环节的是。（） A．射极电流 B．基极电流 C．集电极电流

答案：C 5 高频调谐功率放大器一般工作在。（） A．甲类 B．乙类 C．丙类答案：C 6 窄带高频功率放大器又被称为。（） A．调谐功率放大器 B．非调谐功率放大器 C．传输线放大器答案：A 7 高频调谐功率放大器分析方法。（） A．近似法 B．折线法 C．等效分析法答案：B 8 高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结。（） A．正偏 B．反偏 C．0偏置答案：B

9 高频调谐功率放大器一般工作时的导通角为。（） A．180o B．90o C．小于90o 答案：C 10 高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于区。（） A．截止 B．饱和 C．线性放大答案：A 11 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o 答案：B 12 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o

答案：C 13高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，展开系数最大的是。（） A ．0α B ．1α C ．2α 答案：B 14高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最大值为。（） A ．3 B ．2 C ．1 答案：B 15高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最小值为。（） A ．3 B ．2 C ．1 答案：C 16 某晶体管的转移特性，其转移导纳j b 10mA/V,U 0.6V,E 1V g ===-，激励信号电压幅值bm U =3.2V ，则导通角为。（） A ．90o B ．60o C ．30o 答案：B

模拟电子技术题库答案

模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室 2010-9

第一章半导体器件一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。 2、在N 型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。 3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变宽。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。 5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。 6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。 7、半导体二极管的基本特性是单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。 8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。 9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的___漂移_____运动。 10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。 11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。 13、PN 结具有__单向导电_______特性。 14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。

数字电子技术试题及答案题库

《数字电子技术》试卷姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 本试卷共 6 页，满分100 分；考试时间：90 分钟；考试方式：闭卷 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（），作为8421BCD 码时，它相当于十进制数（）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（）V ，其输出高电平为（）V ，输出低电平为（）V ， CMOS 电路的电源电压为（） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（）根地址线，有（）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（）位。 11. ）；Y 3 ＝（）。

12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（）有效。二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）（在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1

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练习题1 一、单项选择题(本大题共20小题，每小题2分，总计40分)。 1、半导体二极管的主要特点是具有( )。 (a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用 2、在RC桥式正弦波振荡电路屮，当满足相位起振条件吋，则其屮电压放大电路的放大倍数必须满足( )才能起振。 (a) A v = 1 (b) A v = 3 (c) A v < 3 (d) A v >3 3、所谓晶体管输出特性曲线屮的线性区域是指( )□ (a)放大区(b)饱和区(c)截止区 4、要使放大器的输入电阻提高，输出电阻减小，该放大器应引入( )。 (a)电流申联负反馈個电压并联负反馈 ?电流并联负反馈(d)电压串联负反馈 5、理想运算放大器的开环电压放大倍数Ao是( )o (a)无穷大(b)零(c)约120dB 6、电路如图所示，其电压放大倍数等于( )o (a) I (b)2 (c)零 7、运算放大器电路如图所示，/?F1和/?F2均为反馈电阻，其反馈极性为()。 (a) /?F1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈 ⑹Rpi和RF2引入的均为负反馈 (c) /?FI和RF2引入的均为正反馈(d) /?F1引入的为负反馈，/?F2引入的为正反馈 41

8、直流稳压电源屮滤波电路的Fl的是( )。 Q)将交流变为直流(b)将高频变为低频(c)将交流成分滤掉 9、姜消除乙类推挽放大器的交越失真，应改用( )推挽功率放大器。 (a)甲类(b)甲乙类(c)内类 10、整流电路如图所示，输出电流平均值厶=50 mA ,则流过每个二极管的电流平均值厶是( )o (a) ￡ =50 mA (b) ￡ =25 mA (c)厶=12.5 mA O ----- ——r^— --------------- + ZK D, ZK D2 11、余3 码01101001 对应的8421 BCD 码为( )。 (a) 00110110 (b) ()0111001 (c) 01100110 (d) 10011100 12、组合逻辑电路通常由( )组合而成。 (a) fl电路(b)触发器(c) 计数器(d)寄存器 13、已知逻辑函数式F二A3C + 4BC +ABC ,化简为最简与或式是 ( )o (a) F = A'B + B'C (b) F = A'C +AB (c) F = A*C + BC 14、为实现将D触发器转换为T触发器图1所示的虚框内应是( )o (a)或非门(b)与非门(c)异或门(d)同或门

《高频电子技术》试卷及答案

试卷代号： ************************** 期末考试《高频电子技术》试卷(A) **级电子信息专业 200**年6月一、填空题（每空1分，共30分） 1、调制的方式有、、。它们分别由调制信号去控制高频载波的、、。 2、高频放大器按负载形式可分为放大器和放大器。 3、单调谐放大器，多级级联增益，通频带，选择性。 4、镜像干扰是指，抑制这种干扰的主要方法有和。 5、广播电台的载波是1500KHZ ，问接收机本振频率为，对接收机引起干扰的镜频为。 6、有一调幅波表达式为u (t)=25(1+0.7cos 2π×5000t-0.3cos2π×1000t )cos2π×106t,此调幅波包含的频率分量有，各频率对应的幅度分量为。 7、AM 信号幅度最大值为，最小值为，边频信号幅度为，载波信号幅度为。 8、正弦波振荡器由、、组成。 9、石英晶体与电感串联后，由于串联电感增加，串联谐振频率，而并联谐振频率，通频带向低频方向扩展。 10、反馈式振荡器振荡条件是和。二、选择题（每小题3分，共18分））时的等效阻抗最小。 A 串联谐振频率 B 并联谐振频率 C 串联谐振频率与并联谐振频率之间 D 工作频率 2、某丙类高频功率放大器原工作在过压状态，现欲调整使它工作在临界状态，可采用（）方法。 A UCC 增加、Ub 减小、UB B 减小、Re 减小 B UC C 减小、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 C UCC 减小、Ub 减小、UBB 减小、Re 减小 D UCC 增加、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 3、通信系统中，信号需要调制的原因是（） A 要发射的信号频率低 B 为了实现信道复用 C 减小发射天线尺寸 D A 和B 和C 4、低电平调幅器应用在（），高电平调幅器应用在（） A 发射机末级 B 发射机前级 C 发射机中间级 5、在调幅制发射机的频谱中，功率消耗最大的是（） A 载波 B 上边带 C 下边带 D 上、下边带之和 6、若单频调幅波的载波功率Pc=1000W ，调幅系数M=0.3，载波与边频总功率为（） C 1090W D 1180W 三、判断题（每小题1分，共10分） 1、混频可以用线性好的模拟乘法器来实现，这样，输出信号的失真可以减小。（） 2、非线性器件有频率变换作用，而混频电路中也是频率变换电路的一种，所以说非线性器件有混频作用。（） 3、调制信号和载波信号线性叠加也能得到调幅波。（） 4、二极管大信号包络检波器原来无失真，但当输入已调波信号幅度增大时，则将可能产生负峰切割失真。（） 5、同步检波，可以用来解调任何类型的调幅波。（） 6、石英晶体两个谐振频率fs 和fp 很接近，通频带宽度很窄。（） 7、谐振回路Q 值越高，谐振曲线就越尖锐，选择性就越好，而通频带就越宽。（） 8、声表面波滤波器的最大缺点是需要调谐。（） 9、为了是小信号调谐放大器工作稳定可采用中和法，但中和法较难调整。（） 10、电容三点式振荡器适用于工作频率高的电路，但输出谐波成分将比电感三点式振荡器的大。（）四、画图题（10分）已知调幅波表达式，画出他们的波形和频谱图。（c ω=5Ω） (1+0.5COS t t c ωsin )Ω

数字电子技术题库

一、选择题 1. 求逻辑函数Y AB B AB =++的最简与或式（） ()()()()1A A B AB B A B C A B B D +++++ 2. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ． F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 3. 求逻辑函数C B A ABC C B A ABC Y ++++=的最简与或式 A. C B A ABC Y ++= B. C B A Y += C. C B Y +=1 D. 1 4. 求逻辑函数C B A ABC C B A ABC Y ++++=的最简与或式 A. B AB Y += B. 1=Y C. B A Y += D. AC AB ABC Y ++= 5. 求逻辑函数01234689101114(,,,)(,,,,,,,,,,)Y A B C D m m m m m m m m m m m =∑最简与或式（） ()()()()A B CD AD B B CD ACD C B C D AD D B CD AD ++++++++ 6. 函数Y ABC AB =+的最简与或式（） ()()()0()1A AB AB AC BC B AB AB A C BC C D ++++++ 7. 逻辑函数()Y ABC AB AB BC =+++，最少需要几个与非门可以实现此逻辑（） (A) 2 (B) 3 (C) 4 (D) 5 8. 逻辑函数()Y CD A B ABC ACD =⊕++约束条件0AB CD +=的最简与或式（） ()()()()A B AD AC B B AD A C C B A D AC D B AD AC ++++++++ 9. 逻辑函数(,,)Y A B C ABC AC BC =++的标准与或式为（）

数字电子技术练习题集

数字电子技术习题一、选择题 1．余3码01111001对应的8421BCD 码为：（ A ） A.（01000110）BCD B. (00111001)BCD C.(01100110)BCD D.(10011100)BCD 2．用8421BCD 码表示的十进制数45，可以写成：（ C ） A ．75 B. [1011101]BCD C. [01000101]BCD D. [1010111]2 3．函数)15,13,9,8,7,5,4,3,2(),,,(m D C B A F ∑=的最简与或式为：（ D ） A ． C B A C D A C B A BD C B A F ++++=； B ．C B A D C A C B A BCD C B A F ++++=； C ．BD CD A D C A C B A C B A C B A F +++++=； D ．BD C B A C B A C B A F +++=． 4．函数F WX WY XY WZ XZ =++++，可以写成：（ A ） A ．F WX Y Z =++ B ．))((Z X W Y X W F ++++= C ．F W X Y Z =+++ D ．Z X Y W WX F ++= 5．在下列各种电路中，属于组合电路的有：（ A ） A ．译码器 B. 触发器 C. 寄存器 D. 计数器 6．在下列各种电路中，不属于组合电路的有：（ D ） A ．译码器 B. 编码器 C. 加法器 D. 计数器 7．试判断图示组合电路，在C =1时的逻辑功能为：( C ) A ．同或门 B ．与非门 C ．或非门 D ．与或非门 8．试判断图示组合电路，在C =0时的逻辑功能为：( C )

高频电子技术试题库第二章

1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0

15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器

数字电子技术练习题及答案

数字电子技术练习题及答案一、填空题 1、(238)10＝( )2 ＝( EE )16。(110110.01)2＝( 36.4 )16＝( 54.25 )10。 2、德?摩根定理表示为 B A +＝( B A ? ) , B A ?＝( B A + )。 3、数字信号只有（两）种取值，分别表示为（ 0 ）和（ 1 ）。 4、异或门电路的表达式是( B A B A B A +=⊕ )；同或门的表达式是( B A AB B A ?+=⊙ ) 。 5、组成逻辑函数的基本单元是（最小项）。 6、与最小项C AB 相邻的最小项有( C B A )、( C B A ? ) 和 ( ABC ) 。 7、基本逻辑门有（与门）、（或门）和（非门）三种。复合门有（与非门）、（或非门）、（与或非门）和（异或门）等。 8、 9、 10、最简与或式的定义是乘积项的（个数最少），每个乘积项中相乘的（变量个数也最少）的与或表达式。 11、在正逻辑的约定下，“1”表示（高电平），“0”表示（低电平）。在负逻辑的约定下，“1”表示（低电平），“0”表示（高电平）。 12、一般TTL 门电路输出端( 不能 )直接相连，实现线与。(填写“能”或“不能”) 13、三态门的三种可能的输出状态是( 高电平 )、( 低电平 )和( 高阻态 )。 14、实现基本和常用逻辑运算的(电子电路)，称为逻辑门电路，简称门电路。 15、在TTL 三态门、OC 门、与非门、异或门和或非门电路中，能实现“线与”逻辑功能的门为（OC 门），能实现总线连接方式的的门为（三态门）。 16、T TL 与非门的多余输入端不能接（低）电平。 17、 18、真值表是将输入逻辑变量的（所有可能取值）与相应的（输出变量函数值）排列在一起而组成的表格。 19、组合逻辑电路是指任何时刻电路的稳定输出，仅仅只决定于（该时刻各个输入变量的取值）。 20、用文字、符号或者数码表示特定对象的过程叫做（编码）。把代码的特定含义翻译出来的过程叫（译码）。在几个信号同时输入时，只对优先级别最高的进行编码叫做（优先编码）。 21、两个1位二进制数相加，叫做（半加器）。两个同位的加数和来自低位的进位三者相加，叫做（全加器）。 22、比较两个多位二进制数大小是否相等的逻辑电路，称为(数值比较器)。 23、半导体数码显示器的内部接法有两种形式：共(阳)极接法和共(阴)极接法。对于共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用(低)电平驱动的七段显示译码器。 24、能够将（ 1个）输入数据，根据需要传送到（ m 个）输出端的任意一个输出端的电路，叫做数据分配器。 25、在多路传输过程中，能够根据需要将（其中任意一路挑选出来）的电路，叫做数据选择器，也称为多路选择器或多路开关。 26、触发器又称为双稳态电路，因为它具有（两个）稳定的状态。 27、根据逻辑功能不同，触发器可分为（ RS 触发器）、（ D 触发器）、（ JK 触发器）、（ T 触发器）和（ T ’触发器）等。根据逻辑结构不同，触发器可分为（基本触发器）、（同步触发器）和（边沿触发器）等。 28、JK 触发器在JK ＝00时，具有（保持）功能，JK ＝11时；具有（翻转）功能；JK ＝01时，具有（置0 ）功能；JK ＝10时，具有（置1 ）功能。 29、JK 触发器具有（保持）、（置0 ）、（置1 ）和（翻转）的逻辑功能。D 触发器具有（置0 ）和（置1 ）的逻辑功能。RS 触发器具有（保持）、（置0 ）和（置1 ）的逻辑功能。 T 触发器具有（保持）和（翻转）的逻辑功能。T ’触发器具有（翻转）的逻辑功能。 30、边沿触发器具有共同的动作特点，即触发器的次态仅取决于CP 信号（上升沿或下降沿）到来时刻输入的逻辑状态，而在这时刻之前或之后，输入信号的变化对触发器输出的状态没有影响。 31、基本RS 触发器的特性方程是（ n n Q R S Q +=+1 ）；其约束条件是（ 0=RS ）。JK 触发器的特性方程是（ n n n Q K Q J Q +=+1 ）；D 触发器的特性方程是（ D Q n =+1 ）；T 触发器的特性方程是（ n n n Q T Q T Q +=+1 ）； T ’触发器的特性方程是（ n n Q Q =+1 ）。

电子技术基础l练习习题答案(1)

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。

高频电子技术试题库-第二章

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

数字电子技术期末复习题库及答案完整版

数字电子技术期末复习题库及答案 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】

第1单元能力训练检测题一、填空题 1、由二值变量所构成的因果关系称为逻辑关系。能够反映和处理逻辑关系的数学工具称为逻辑代数。 2、在正逻辑的约定下，“1”表示高电平，“0”表示低电平。 3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路也称为逻辑电路。在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。 4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数，同一数码在不同数位所代表的权不同。十进制计数各位的基数是10，位权是10的幂。 5、8421 BCD码和2421码是有权码；余3码和格雷码是无权码。 6、进位计数制是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为数制。任意进制数转换为十进制数时，均采用按位权展开求和的方法。 7、十进制整数转换成二进制时采用除2取余法；十进制小数转换成二进制时采用乘2取整法。 8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成二进制，然后再根据转换的二进数，按照三个数码一组转换成八进制；按四个数码一组转换成十六进制。 9、逻辑代数的基本定律有交换律、结合律、分配律、反演律和非非律。 10、最简与或表达式是指在表达式中与项中的变量最少，且或项也最少。 13、卡诺图是将代表最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的最小项之间，只允许一位变量的取值不同。 14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作1或0。二、判断正误题 1、奇偶校验码是最基本的检错码，用来使用PCM方法传送讯号时避免出错。（对） 2、异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（对） 3、8421BCD码、2421BCD码和余3码都属于有权码。（错） 4、二进制计数中各位的基是2，不同数位的权是2的幂。（对）

《电子技术基础》练习题库

《电子技术基础》练习题库第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.

(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性