模拟电子技术题库 答案
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是。
2．三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置；工作在饱和区时发射结为偏置，集电结为偏置。
3．当输入信号频率为和时，放大倍数的幅值约下降为中频时的倍，或者是下降了，此时及中频时相比，放大倍数的附加相移约为。
4．为提高放大电路输入电阻应引入反应；为降低放大电路输出电阻，应引入反应。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可到达，但这种功放有失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反应；为了正常稳压，调整管必须工作在区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，那么这只三极管是( )。
A．型硅管 B．型锗管 C．型硅管 D．型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型管D．N沟道耗尽型管3．在图示2差分放大电路中，假设 = 20 ，那么电路的( )。
A．差模输入电压为10 ，共模输入电压为10 。
B．差模输入电压为10 ，共模输入电压为20 。
C．差模输入电压为20 ，共模输入电压为10 。
D．差模输入电压为20 ，共模输入电压为20 。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中为其输入电阻，为常数，为使下限频率降低，应( )。
A．减小C，减小 B．减小C，增大C．增大C，减小 D．增大C，增大6．如下图复合管，V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，那么复合后的 b 约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．307．桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即串并联选频网络和( )。
A．根本共射放大电路 B．根本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．某电路输入电压和输出电压的波形如下图，该电路可能是( )。
《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】
《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】1．晶体三极管处于放大状态时，集电结和发射结的偏置情况为（ ）。
A 发射结反偏，集电结正偏 B 发射结、集电结均正偏 C 发射结正偏，集电结反偏2．电压跟随器是（ ）的特例。
A 反相比例运算B 同相比例运算C 加法运算 3．反相比例运算放大电路引入的是（ ）负反馈。
A 串联电压 B 并联电压 C 串联电流 4．三极管作放大管时一般工作在（ ）。
A 放大区 B 截止区 C 饱和区5.温度影响了放大电路中的（ ），从而使静态工作点不稳定。
A 三极管 B 电容 C 电阻 6．场效应管是（ ）器件。
A 电流控制B 电压控制C 光电控制 7.差分放大电路是为了（ ）而设置的。
A 稳定AuB 放大信号C 抑制零点漂移 8．场效应管按性能分为耗尽型和（ ）。
A 绝缘栅型B 耗尽型C 增强型 9．单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均在Uo=( )U2。
A 0.45 B 0.9 C 1.2 10.整流的目是（ ）。
A 将交流变为直流B 将高频变为低频C 将正弦波变为方波。
11.射极输出器的输出电压与输入电压（ ）。
A 反相B 同相C 不确定一、单项选择题（共 20 题，每题 2 分，共 40 分）12.直接耦合放大电路存在两个问题是前后级静态工作点相互影响和（ ）。
A 温度升高 B 零点漂移 C 功率输出增大 13.理想运放同相输入和反相输入的虚短指的是（ ）这种现象。
A U+ =U- B U+=0 C I+=I- 14.利用二极管的（ ）可以交流电将变成直流电。
A 放大特性 B 稳压特性 C 单向导电性 15.滤波电路的作用是（ ）。
A 减小直流电的脉动 B 输出稳定电压 C 整流16.三极管是电流控制器件，三极电流关系为（ ）和IC=βIB 。
A IC =IB+IE B IE =IB+IC C IB =IE+IC17.根据三极管结构的不同有NPN 和PNP 两种，而根据材料的不同分为（ ）两种。
模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)
模拟电子技术单选考试模拟题（含答案）一、单选题（共100题，每题1分，共100分）1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。
（）A、对 :B、错正确答案：A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。
A、仍为正弦波。
B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案：D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案：A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
（）A、错B、对 :正确答案：A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
( )A、正确 ;B、错误正确答案：B8、N型半导体中的多数载流子是（）A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案：C9、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案：C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。
A、共模B、模拟C、差模正确答案：A11、理想集成运放的输出电阻为（）。
A、不定。
B、∞；C、0；正确答案：C12、PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。
A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案：D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案：C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
模拟电子技术题库答案
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。
2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。
3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。
9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。
10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。
13、结具有单向导电特性。
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。
16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。
18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。
19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。
22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术试题.(答案)
模拟电子技术试题（答案）一．判断题1.N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
（×）2.点接触型晶体二极管因其结电容很小，因此工作频率也很小，比较适用于做小信号检波。
（×）3.室温下，当锗晶体二极管导通后，在正常使用的电流范围内，管压降一般取0.7V。
（×）4.最大整流电流是指二极管运行时允许承受的最大正向平均电流。
（√）5.正常情况下，二极管的正向电阻阻值小于反向电阻阻值。
（√）6.晶体二极管的阳极电位是10V，阴极电位是20V，则该晶体二极管处于导通状态。
（×）7.稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向导通来实现的。
（×）8.若把二个稳压值相同的稳压二极管正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值为二个稳压值相加。
（×）9.变容二极管是一只工作在正向偏压下的二极管，只是在制造工艺上采取了某些措施，以保证它的结电容能随外加电压显著地改变。
（×）10.发光二极管是利用PN结内电光效应发光的，当有电流流过时，就能发出光来。
（√）11.光电二极管PN结工作在反向偏置状态，在光的照射下，反向电流随光照强度的增加而上升。
（√）12.三极管工作于饱和状态时，其外加偏置电压为发射结正偏，集电结正偏。
（√）13.在三极管放大电路放大区，基极电流与集电极电流的比值保持不变，为一常数。
（√）14.根据输出特性曲线，三极管的工作区域可以分为截止区和饱和区，相当于一个开关。
（×）15.晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BV<sub>ceo</sub>的值是指基极开路时的集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压。
（√）16.用直流电压表测量某放大电路中的一只PNP型晶体三极管，各电极对地的电位是：U<sub>1</sub>=-2.7V，U<sub>2</sub>=-6V，U<sub>3</sub>=-2V，则该晶体三极管各管脚分别为1脚为b、2脚为c、3脚为e。
20春-模拟电子技术-题库
20春-模拟电子技术-题库1、直流稳压电源中滤波电路的目的是（）A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、使脉动的直流电变得平滑答案： C3、半导体是一种导电能力介于与之间的物质。
常用的半导体单晶材料是和。
答案：导体；绝缘体；硅；锗；4、为了稳定放大电路的输出电流，增大输入电阻，应引入的反馈类型为（）。
A、电流串联负反馈B、电流并联负反馈C、电压串联负反馈D、电压并联负反馈答案：A5、交流负反馈是指A、阻容耦合放大电路中所引起的负反馈B、只有放大交流信号时才有的负反馈C、在交流通路中的负反馈答案： C6、直流负反馈是指A、直接耦合放大电路中所引起的负反馈B、只有放大直流信号时才有的负反馈C、在直流通路中的负反馈答案： C7、噪声的种类有和。
答案：电阻的热噪声；三极管噪声；8、PN结的特性是：。
答案：单向导电性9、共集电极放大电路的特点是：。
答案：输入电阻高、输出电阻低、电压增益接近1；10、产生自激振荡的幅频条件是，相频条件是。
答案：；；12、晶体三极管实现放大作用所需的外部条件是发射结，集电结。
答案：正偏；反偏；13、测得某放大电路在无交流信号输入时，三极管的三个极对地电位分别为V1=6V , V2=2V , V3=1.3V , 则三极管的管型（NPN或PNP），基极、发射极、集电极排列的顺序为。
答案：NPN；集电极、基极、发射极；14、小功率直流稳压电源一般由变压器、、和四部分组成。
答案：整流；滤波；稳压；15、答案：6；7 ；16、正弦波振荡器一般由放大、、和稳幅组成。
答案：选频；反馈；17、要获得+9V的稳定，集成三端稳压器应选择（）A、 CW7812B、 CW7809C、 CW7909D、 CW7805答案： B18、对于NPN型晶体管组成的基本共射放大电路，若静态工作点取得过高将产生（A、交越失真B、截止失真C、饱和失真D、无法判断答案： C19、集成运算放大电路的第一级均采用差分放大电路，主要是因为差分放大电路（）A、电路简单B、输入电阻高C、放大倍数高D、能有效抑制零点漂移答案： D20、一个三级电压放大电路，各级电压增益分别为-20、-50、1，若输入电压为1mV，则输出电压为（）。
模拟电子技术试题及答案(18套)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基极）、（共集电极）、（共射极）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（A/1+AF ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（ 1+AF ）BW，其中BW=（ fH-fL ），（ 1+AF ）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于 1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy），电路符号是（）。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中，以下哪种元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D2. 运算放大器的主要作用是什么？A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案：A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号？A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：A4. 在模拟电路设计中，为了减小温度对电路性能的影响，通常采用哪种方法？A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案：A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性？A. 锗（Ge）B. 硅（Si）C. 氮化镓（GaN）D. 氧化锌（ZnO）答案：B二、填空题1. 在模拟电子技术中，______和______是构成振荡器的基本元件。
答案：电阻、电容2. 为了实现信号的放大，通常需要在电路中引入______。
答案：负反馈3. 在模拟信号处理中，______是用来描述信号频率内容的工具。
答案：傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。
答案：低频5. 在模拟电路中，为了提高电路的稳定性和可靠性，常常使用______电源。
答案：稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。
晶体管是一种半导体器件，主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。
在模拟电路中，晶体管可以作为放大器使用，通过小信号控制大信号的放大过程，实现信号的增益。
同时，晶体管还可以用作开关，控制电路的导通与截止。
2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。
运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。
其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。
在模拟电路设计中，运算放大器因其优良的放大性能和灵活性，被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中，是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。
《模拟电子技术》试卷及答案
《模拟电子技术》试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共20 分）一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。
由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。
若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。
3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。
放大电路通常采取反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。
（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。
（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。
（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。
（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。
（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。
（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
模拟电子技术考试试卷(附答案)
模拟电子技术考试试卷（附答案）一、填空题（除6题外，每空1分，共20分）1．稳压管是一种特殊的二极管，它工作在____________ 状态.2．甲类、乙类和甲乙类放大电路中，_______________电路导通角最大；_______________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般采用_______________电路。
3．直接耦合放大电路存在____________ 现象。
4．图1示电路，要求达到以下效果，应该引人什么反馈？（1）希望提高从输入端看进去的输入电阻，接Rf应与_______点和________点相连；（2）希望输出端接上负载RL 后，Uo（在给定Ui情况下的交流电压有效值）基本不变，接Rf与_______点和________点相连；（用A～F的字符表示连接点）。
5．集成运放内部一般包括四个组成部分，它们是______________，_________，______________和_______________。
6．在图2示差动放大电路中，假设各三极管均有β=50，UBE=0.7V。
求（1）ICQ1=ICQ2=__________mA；（2分）（2）UCQ1=UCQ2=__________V（对地）；（2分）（3）Ro = __________KΩ。
（2分）二、OCL 电路如图3所示，已知V cc =12V ，R L = 8Ω ，v i 为正弦电压。
（10分） 1．求在U CES = 0的情况下，电路的最大输出功率P max 、效率η和管耗P T 。
2．求每个管子的最大允许管耗P CM 至少应为多少？三、某放大电路的频率响应如图4所示。
（12分） 1．该电路的中频放大倍数|A um | = ？2．该电路的增益频率响应 A U （j ω）表达式如何？3．若已知其输出电压最大不失真动态范围为U om = 10V ，当输入信号时，试判断输出信号是否会失真？说明理由。
模拟电子技术考试题及答案
模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是（）。
A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是（）。
A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ，输出电阻是50Ω，那么它的电压增益是（）。
A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V，当通过它的电流为20mA时，消耗的功率是（）。
A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线，说明这个电路是（）。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10，电压增益是-100，那么它的输出电阻是（）。
A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是（）。
A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中，什么是“饱和区”？A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波，输出信号是方波，这个放大器可能应用在（）。
A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案：1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电子电路中，________是用来测量电路输出电压的仪器。
2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。
3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。
4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。
5. 负反馈可以提高放大器的________和________。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。
答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。
答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。
答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
模拟电子技术试题及答案
《模拟电子技术》试题（1卷）一、填空题（每空1分，共20分）1。
PN结中内电场阻止的扩散，推动的漂移运动.2. BJT工作在放大区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。
3。
射极输出器的输入信号从极间输入，而输出是从极间取出。
因此，射极输出器是一个共极放大器。
4。
甲类功放BJT的导通角为；乙类功放BJT的导通角为；甲乙类功放BJT的导通角为；5。
若两个输入信号电压的大小，极性，就称为差模输入信号.6。
为了稳定放大器的工作点，应引入负反馈；为了稳定放大器的性能，应引入负反馈。
7.自激振荡电路主要由和两部分组成,前者要求有足够的放大倍数，后者要求反馈信号与输入信号。
8.在电感反馈三点式振荡器中，BJT c-e极间的回路元件是；b-e极间的回路元件是；c—b极间的回路元件是 .二、判断题（每小题1分，共10分）1.P型半导体中的多数载流子是空穴,因此，P型半导体带正电。
（ )2.发射结处于反偏的BJT,它一定工作在截止区。
( ）3.BJT是由两个PN结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当BJT使用.( ）4.BJT的输入电阻r be是对交流而言的一个动态电阻,在小信号情况下为常数。
5。
射极输出器的输入信号加在BJT的基极,输出取自发射极。
因此，输出电压的大小可用公式V E=V B—V BE进行计算。
（ )6。
乙类功放中的两个BJT交替工作,各导通半个周期。
( )7。
与接入反馈前相比较，接入负反馈后,净输入量增大了.( )8。
在运放电路中，闭环增益Àf是指广义的放大倍数.（）9。
凡是能产生自激振荡的电路一定具有正反馈。
（）10.由LC元件组成的并联谐振回路谐振时的阻抗呈纯电阻性，且为最小值.（ )三、选择题（每小题1分，共10分)1。
PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）.a。
不变 b.变宽 c.变窄2。
测得BJT各电极对地电压为：V B=4.7V,V C=4.3V,V E=4V，则该BJT工作在（ )状态。
模拟电子技术试题库及答案
项目二试题（共100分，120分钟）
一、填空题：（每空1分，共25分）
1、基本放大电路的三种组态分别是：共射放大电路、共基放大电路和共集电极放大电路。
6、场效应管放大电路和双极型放大电路相比，具有输入电阻高，噪声低和集成度高等优点，但由于跨导较小，使用时应防止栅极与源极间短接击穿。
7、多级放大电路通常有直接耦合、阻容耦合和变压器耦合的三种耦合方式。
8、多级放大电路的级数越多，其电压增益越大；频带越窄。
二、判断下列说法的正确与错误：（每小题1分，共10分）
1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。（错）
2、放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。（对）
3、分压偏置式共射放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（对）
4、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（对）
5、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。（错）
6、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。（×）
7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。（×）
8、三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必定被击穿。（×）
9、场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和源极就不能互换使用。（√）
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（×）
（1）观察图6-25，对应IB=60μA、UCE=3V处，集电极电流IC约为3.5mA；
（2）观察图6-25，对应IC=4mA、UCE=4V处，IB约小于80μA和大于70μA；
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模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载流子应是电子。
18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。
22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。
23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。
24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是________。
25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。
26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。
27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。
28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。
29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。
I会增加30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，CBO________，导通电压会变小_________ 。
31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。
32、N 型半导体的多数载流子是 电子 ，少数载流子是___空穴_____。
33、某晶体管的极限参数mW P CM 150=，mA I CM 100=，V U CEO BR 30)(=。
若它的工作电压V U CE 10=，则工作电流不得超过__15_____mA ；若工作电压V U CE 1=，则工作电流不得超过____100___mA ；若工作电流mA I C 1=，则工作电压不得超过___30____V 。
34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为A V =－9V ， B V =－6.2V ，C V=－6V ，则该三极管是______PNP_______型三极管，A 为_______集电______极，B 为_____基________极，C 为______发射_______极。
35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是__β___。
36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。
37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。
38、场效应管与晶体管比较， 场效应 管的热稳定好，输入电阻高， 晶体 管的放大能力强。
39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。
二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏导通状态。
A ．0B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。
A ．少子B ．多子C ．杂质离子D ．空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。
A ．截止B ．放大C ．饱和D ．损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。
A ．前者反偏、后者也反偏B ．前者正偏、后者反偏C ．前者正偏、后者也正偏D ．前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（ A ）和（ B ）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（ A ）的流动。
A ．多子B ．少子C ．自由电子 D.空穴6、当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为C U （A ）B U （A ）E U 。
A ． >B ． <C ． =D ． ≤7、对二极管正向电阻Z r 和反向电阻F r 的要求是（ C ）A ．Z r 、F r 都大B ．Z r 、F r 都小C ．Z r 很小，F r 很大D ．Z r 大，F r 小8、稳压二极管动态电阻Z r （ B ），稳压性能愈好。
A ．愈大B ． 愈小C ．为任意值9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。
A ． 放大B ． 截止C ． 饱和D ． 无法确定10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（ A 、D ）A ．自给偏压电路B ．外加偏压电路C ．无须偏置电路D ．栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ），而少数载流子的浓度与（ B ）有很大关系。
A ．温度B ．掺杂工艺C ．杂质浓度D ．晶体管缺陷12、场效应管属于（ B ）控制型器件，而晶体管若用简化h 参数来分析，则可认为是（ C ）控制型器件。
A ．电荷B ．电压C ．电流13、当PN 节外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（D ）。
A ．大于B ．小于C ．等于D ．变宽E ．变窄F ．不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）。
A ．左移，下移B ．右移，上移C ．左移，上移D ．右移，下移15、PN 结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。
A ．变窄B ．基本不变C ．变宽D.先变窄，后变宽16、 在25ºC 时，某二极管的死区电压Uth ≈0.5V ，反向饱和电流Is ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ D ）。
A Uth ≈0.575V ，Is ≈0.05pAB Uth ≈0.575V ，Is ≈0.2pAC Uth ≈0.475V ，Is ≈0.05pAD Uth ≈0.475V ，Is ≈0.2pA17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN 或PNP ）与三个电极时，最为方便的测试方法为（ B ）。
A ．测试各极间电阻B ．测试各极间、对地电压C ．测试各极电流三、判断题1、 三极管在工作频率大于最高工作频率M f 时会损坏。
（ ╳ ）2、 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
（ ╳ ）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
（ √ ）4、P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ╳ ）5、有人测得晶体管在BE U =0.6V 时，B I =5A μ，因此认为在此工作点上的be r 大约为26 5.2Bmv K I =Ω。
（ √ ） 6、通常结型场效应管JFET 在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
（ √ ）7、通常的双极型晶体管BJT 在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ╳ ）8、在N 型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P 型半导体。
（√ ）9、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ╳ ）10、PN 结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ╳ ）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。
（ √ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时，就有电流流过。
（ ╳ ）13、PN 结方程可以描述PN 结的正向特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。
（ ╳ ）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ ╳ ）15、有人测试晶体管的be r ，方法是通过测得晶体管的7.0=BE U ，mA I B 20=，推算出Ω===K mA V I U r B BE be 3520/7.0/ 。
（ ╳ ）四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。
（10分）2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）3、如下图，试确定二极管D 是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算U X 和U Y 的值（共9分）U YU XU Y U X （a ）（b ） 答案：（a ）D 正偏导通I=R37.010- =x U 2RI=37.010-=6.2V V Uy 9.67.02.6=+= （b ）D 仅偏截止I=0X U =0y U =10V4、如下图，设硅稳压管1DZ V 、2DZ V 的稳压值分别为6V 和9V ， 求Uo 为多少？（共3分）1K..20V答：0U =9-6=3V5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u 0。