光伏探测器的应用与发展

海军工程大学
毕业设计（论文）报告书
题目光伏探测器的应用与发展
专业光机电一体化工程
班级07-2051 ___ 姓名王庆_ 指导老师刘照世_
2011 年3月5日
摘要
1830年，L.诺比利利用当时新发现的温差电效应(也称塞贝克效应)，制成了一种以半金属铋和锑为温差电偶的热敏型探测器，也是第一个探测器的诞生，继后其他功能的探测器相继发展。

探测器主要用于测量检查, 控制跟踪, 图像测量和分析等方面。

光伏探测器是利用半导体光伏效应制作的器件。

这类器件品种众多，但它们的原理都是相同的，所以在性质上有许多相近的地方。

本论文内容着重分析光伏探测器的原理和性能参数及光电池、光电二极管、光电三极管的结构和应用，介绍光伏探测器的发展前景。

本论文还对光伏探测器的偏置电路有一定的介绍。

关键词：光伏探测器性质应用发展偏置电路
Abstract
In 1830, l .debbi Billy using the new found at temperature electric effect (also called plug baker effect), make a with half a metal bismuth and antimony temperature electric dipoles for the thermal type, and the first to detector probe after the birth of the other functions, following the detector successively development. The probe is mainly used for measuring inspection, control tracking, image measurement and analysis, etc. Photovoltaic detector is made using photovoltaic effects of semiconductor devices . This kind of device many kinds, but their principle is the same, so in nature have many similar place .This thesis focuses on analyzing the principle and performance photovoltaic detector test parameters and photoelectric triode, photoelectric diode, introduced the structure and application, the development prospect. This paper also on photovoltaic probe offset circuit has certain introduction.
Key words: Photovoltaic detector properties application development Offset circuit
引言
回顾20世纪的科学技术成就，考察这些成就对世界经济、军事和社会发展进程所产生的越来越深远的影响，我们不能不首先提到原子能、半导体、电子计算机和激光等重大发明。

原子能的发明，使人类利用的能源从木材、煤炭、石油、电气阶段进入原子能时代；半导体、电子计算机的发明，将人类从工业时代推进到信息时代；激光的出现使整个电子学的概念、理论和技术推进到了光顾电磁波段。

光伏探测器是利用半导体P-N结光生伏特效应而制成的探测器，简称PV探测器。

光电探测器是在紫外、可见光、近红外、中波红外和远红外这些光学波段上展开的。

首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后通过光电探测器变成电信号输出。

虽然光电测量方法灵活多样，看测参数众多，但光电探测器的工作原理均是其余物质的光电效应。

光电效益分为外光电效应和内光电效应。

外光电效应是指物质吸收光子并激发出自由电子的行为；内光电效应是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化。

内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。

光电导效应：当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射光子产生电子空穴对，使其自生电导增大。

光生伏特效应：当一定波长的光照射非均匀半导体（如PN结），在自建场的作用下，半导体内部产生光电压。

光电池是一种在光的照射下产生电动势的半导体元件。

光电池的种类很多，常有硒光电池、硅光电池和硫化铊、硫化银光电池等。

主要用于仪表，自动化遥测和遥控方面。

有的光电池可以直接把太阳能转变为电能，这种光电池又叫太阳能电池。

太阳能电池作为能源广泛应用在人造地卫星、灯塔、无人
气象站等处。

光电池也叫太阳能电池，直接把太阳光转变成电。

因此光电池的特点是能够把地球从太阳辐射中吸收的大量光能转化换成电能。

光电二极管由于响应快、灵敏度高、性能稳定、检测线性好、噪声低而被广泛用于光电检测电路中，尤其在激光通讯测量中，通常要测量微瓦下的光信号，就更离不开硅光二极管，质量好的硅光二极管用于激光功率测量时，测量
10-W。

下限可以到达8
10-W,分辨率可以达到12
光电三极管在多种电子设备中的应用非常广泛。

随着数字通信技术的迅速发展以及光隔离器和固体继电器等自动控制部件在机械工业中应用的不断扩大,特别是微处理机在各个领域中的应用推广（有时一台微机上的用量可达十几个甚至上百个）和产品性能的逐步提高,光电耦合器的应用市场将日益扩大,同时,其社会交流和经济交流也一定会十分显著。

今后,光电三极管将向高速化、高性能,小体积,轻重量的方向发展。

目录
第一章光电探测及其重要作用 (1)
1-1、光电探测系统的组成 (1)
1-2光电系统的应用 (2)
第二章光伏探测器 (4)
2-1、光伏探测器的工作原理及伏安特性 (4)
2-2、光伏探测器的性能参数 (6)
2-2-1、响应率 (6)
2-2-2、噪声 (7)
2-2-3、比探测率 (8)
2-2-4、光谱特性 (9)
2-2-5、频率响应及响应时间 (11)
2-3、光伏探测器的偏置电路 (12)
2-3-1、自偏置电路 (12)
2-3-2、零伏偏置电路 (14)
2-3-3、反向偏置电路 (15)
第三章光伏探测器的应用 (17)
3-1、光电池 (17)
3-2、光电二极管 (18)
3-3、光电三极管 (21)
第四章光伏探测器的发展 (25)
4-1、光伏产业的产业链 (25)
4-2、双驱动助推光伏产业发展前景广阔 (26)
总结 (28)
参考文献 (29)
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第一章光电探测及其重要作用
1-1、光电探测系统的组成
通常，光电探测器系统由光辐射源，光学系统，调制器，传输介质，光电探测器和电子系统等基本环节组成。

图1所示为被动探测器系统的框图，如人体红外测温仪，微光夜视仪等。

其信息源可以是来自被探测物体自身辐射，例如，所要探测的飞机，舰船，星体，火焰和人体等物体自身的紫外，红外或可见光辐射;也可以是来自其它自然辐射源照射在被探测物体上形成的反射，散射等光辐射。

根据它们的辐射性质与周围环境的差别，探测系统就能获取有关信息。

这些信息源的辐射经过传输介质，到达接收光学系统。

接收光学系统获得的部分信息源辐射倍汇聚到光电探测器上，光电探测器将光信号转换为电信号。

通常，为了尽可能提高检出信息的质量，系统中加入调制环节，从而光电探测器输出信号是调制信号。

调制信号经电子系统放大、处理后，就能检测处所需的信息。

由于检出的信息是由电信号表示的，可以跟后面多种环节连接，如连接显示、记录、存储和转换等环节。

图1 被动探测系统
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图2所示为主动探测器系统的框图。

其信息源不同时兼做辐射源，即系统不是利用信息源自身辐射，或者信息源为非光学量。

这种系统将某些非光学的物理量先设法变成电信号，然后通过调制器把信息加载到光波上进行传输，典型的有光纤通信系统等，或者采用人工光源照射被测物体，使所需信息能加载到反射，透射，散射或衍射光波上，然后利用光电探测器系统进行检测。

在接收端，主动光电系统与被动光电系统有同样的方块图。

主动中传输介质大多是大气，少数采用光纤。

1-2光电系统的应用
（1）测量检查。

其基本功能是进行光学或非光学参量的光电检测，可测参量有几何测量、运动测量、表面形态参量、光学参量、成分分析、机械量、电磁量、以及温度和放射线的测量等。

检测系统要求可靠的重复值和可信度，并且要有适用的数据处理能力和数据输出方式。

（2）控制跟踪。

这是一种有光电检测能力的反馈控制系统。

光电传感器是信号反馈单元，当它检测到受控目标相对平衡状态的偏差信号可通过闭环控制使目标相对基准实现伺候跟踪或恒值调节。

它的主要应用包括军事和科学应用，以及工业应用。

跟踪系统要求有准确的跟踪能力和快速的动态响应能力。

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（3）图像测量和分析。

它的功能是采集目标的二维或三维光强的时空分布，记录和再现目标的图像并进行判读、识别或图像的运行处理。

图形检测是图像分析的分支，其目的是同时完成图形几何坐标和光密度等级的精确测量，应用咋工业图形检测中。

图像测量和分析主要依靠扫描或摄像装置采集光信号，同时进行空间-时间和光-电转换。

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第4页 第二章 光伏探测器
2-1、光伏探测器的工作原理及伏安特性
利用P-N 结的光生伏特效应工作的光电探测器称为光生伏特探测器，或光伏探测器。

图3是光照P-N 结工作原理图，只要入射光子能量大于材料禁带宽度，就会在结区产生电子-空穴对。

这些非平衡载流子在内建电场的作用下，空穴顺着电场运动，电子逆电场运动，在开路状态，最后在N 区边界积累光生电子，P 区边界积累光生空穴，产生一个与内建电场方向相反的光生电场，即在P 区和N 区之间产生了光生电压oc V ，这就是光生伏特效应。

只要光照不停止，这
个光生电压将永远存在。

光生电压
oc V 的大小与P-N 结的性质及光照度有关。

有光照时，若PN 结外电路接上负载电阻L R ,如图4所示，在PN 结内将出现两种方向相反的电流：一种是光激发产生的电子-空穴对形成的光生电流P I ,它与光照有关，其方向与PN 结方向饱和电流o I 相同;另一种是光生电流D I 流过
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负载电阻P R 产生电压降，相当于在PN 结施加正向偏置电压，从而产生正向电流D I ，总电流L I 是两者之差，即流过负载的总电流为：
)
1(/--=-=kT qV o P D P L e I I I I I (A)
上式中的光电流P I 正比于光照度E ，比例常数E S 称为光照灵敏度，即
E S I E P = (A)
I L
I D
R L
V
I P
图4 光伏探测器等效电路的光伏（零偏压）工作模式
当负载电阻L R 断开时，0=L I ，称P 端对N 端电压为开路电压oc V
，且由于，
则近似地有
)ln(o
E oc I E
S q kT V =
（V ）
当负载电阻L R 短路时，0=L R ，称流过回路的电流为短路电流sc I
，短路电
流就是光生电流P I 。

P I 与光照度E 或光通量Φ成正比，从而得到最大线性区，这在线性测量中被广泛应用。

如果给PN 结加上一个反向偏置电压
b
V ，外加电压所建的电场方向与PN 结
内建电场方向相同，使光生电子-空穴对在强电场作用下更容易产生漂移运动，提高了器件的频率特性。

PN 结光电器件在不同的照度下的伏安特性曲线，如图5所示。

无光照0
=E
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时,伏安特性曲线与一般二极管的伏安特性曲线相同；受光照后，光生电子-空穴对电场作用下形成大于反向饱和电流o
I 的光电流P I ，并与
o
I 同向，因此曲线
将电流轴向下平移，平移幅度与光照度
...)
3,2,1(=i E i 的变化成正比，当PN 结上
加有反向偏压时，非光生的暗电流随反向偏压增大有所增大，最后等于反向饱和电流
o
I
P I 图5 光伏探测器的伏安特性曲线
2-2、光伏探测器的性能参数
2-2-1、响应率 根据定义知，由式
)1ln(-=
so
S oc I I q kT
V 可直接写出光伏探测器开路时响应率
的表达式:
)1ln(-==
so
S oc V I I qP kT P V R
在弱光射情况下，上式可以近似为：so
S
oc V I I qP kT P V R ∙==
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将光电流
P
hv
q I s ∙=)(η
代人得:
so oc V I hv kT P V R 1
∙==
η
由于式
so oc V I hv kT P V R 1
∙==
η可得出反向饱和电流为：
d n h
h p e e so A p L D
n L D q I )(
00+= 式中
p n 、
n p 为少数载流子浓度，e
D 、
h
D 分别为电子-空穴的扩散系数，
e
L 、
h
L 分别为电子-空穴的扩散长度，
d
A 为探测器的光敏面积。

由此可知，光伏探测器的响应率与器件的工作温度T 及少数载流子浓度和扩散有关，而与器件的外偏压无关，这是与光电导探测器的不相同的。

2-2-2、噪声
光伏探测器的噪声主要包括器件中光生电流的散粒噪声、暗电流噪声和器件的
热噪声，其均方噪声电流2N i 为：
d N R f
kT f qI i ∆+
∆=422
式中，I 为流过P-N 结的总电流，它与器件的工作及光照有关，d
R 为器件电阻，
因反偏工作时
d
R 相当大，热噪声可忽略不计，故光电流和暗电流引起的散粒噪
声是主要的，则式可表示为: f I I q i s D N ∆+=)(22
下面着重讨论光伏探测器在有无光照情况下的暗电流噪声
a 、光照时
通过器件的电流只有热激发暗电流D I 。

当器件在零偏置时，流过P-N
结的电流包含正向和反向的暗电流+D I 与-
D I 。

它们对总电流的贡献为零，而
对噪声的贡献是叠加的，则均方噪声电流为：
f I I q i D D N ∆+=-+)(22
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一般情况下D D D I I I ==-
+,故f qI i N ∆=22
同理，可以写出负偏压工作的光伏探测器的暗电流噪声，显然它只有零偏压工作时的一半。

b 、无光照时
当偏压0=A V 时，流过P-N 结的电流有+D I 、-
D I 及S I 。

因此，总的噪
声电流均方值为:
f I I I q i s D D N ∆++=-
+)(22
f
I I q s D ∆+=)2(2
有弱光照射是有D I >>S I ,则 f qI i D N ∆=42
上式与无光照射时的结果相同.
当光伏探测器工作在负偏压时, 0→+
D I ,则式
f qI i D N ∆=22
即负偏压的光伏探测器的噪声功率为零偏压的一半。

2-2-3、比探测率
光伏探测器*
D 可表示为
2/1)(f A V R D d N
V
∆=
*
式中
N
V 为光伏探测器噪声电压均方根值。

光伏探测器多以散粒噪声为主，
当仅考虑散粒噪声时，在不同偏压情况下光伏探测器的比探测率可表示如
下：（1）零偏压工作时，利用)1ln(-=
so
S oc I I q kT
V 看得到光伏探测器的噪声
电压均方值L D N fR qI V ∆=4，将代人
2/1)(f A V R D d N
V
∆=
*得
f
A fR qI R D d L
D V V ∆∆=
=*4|0
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（2）反偏压工作时，利用式f qI i D N ∆=42得
f
A fR qI R D d L
D V V ∆∆=
<*2|0
结果表明，零偏与反偏工作的光伏探测器的比探测率相差2倍。

利用光伏探测器的电流响应率I R 还可以得到*
D 与零偏阻
R 的关系
式， 由定义： 2/11
)(f A I R D d N
∆=
*
式中
N
I 为噪声电流均方值。

即：
f
A R f kT hc
q D d ∆∆=
*0
41ηλ
KT
kc R A q d 20ηλ=
上式表示，光伏探测器工作于零偏时，比探测率*
D 与0
R A d 成正比。

当
入射波长一定，器件量子效率相同时，
R A d 越大，*
D 就越高。

所以，零
偏电阻往往也是光伏探测器的一个重要参数，它直接反应了器件性能的优劣。

当光伏探测器受热噪声限制时，提高探测率*
D 的关键在于提高结电阻和界面积的乘积和降低探测器的工作温度，同时
KT kc R A q D d 20
ηλ=
*式也说明，当光伏探测器受背景噪声限制时，提高探测率主要在与采用减小探测器视场角等办法来减少探测器接收的背景光子数。

2-2-4、光谱特性
和其他选择性光子探测器一样，光伏探测器的响应率随人射光波长而变化。

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近红外和可见光波段所用的光伏探测器材料多是硅和锗，其对光的吸收系数α和量子效率η与波长的关系分别如下图6、图7：
图6 硅和锗材料光的吸收系数α 图7 硅和锗材料光的量子效率η 通常用硅能很好的光伏探测器。

但其最佳响应波长在0.8-1.0m μ,对于1.3m μ或1.55m μ红外辐射不能响应。

锗制成的光伏探测器虽能响应到1.7m μ,但它的暗电流偏高，因而噪声较大，也不是理想的材料。

对于接收大于1m μ的辐射需要采用Ⅲ—Ⅴ和Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体。

（1） 扩散时间
n τ
假设光从P-N 结的N 侧垂直入射，且穿透深度不超过结区，则光电流主要是N 区及结区光生空穴电流所成。

N 区光生空穴扩散至结区所需要的时间与扩散长度和扩散系数有关。

以N 型硅为例，当空穴扩散距离为几微米时，则需扩散时间
n τ约910-s 。

对于高速响应器件，这个量是不能满足要求的。

因此，
在制造工艺上将器件光敏面作得很薄，以便得到更小的扩散时间n
τ。

（2） 耗尽层中的漂移时间
d τ
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由半导体物理学可知，耗尽层中截流子的漂移速度与耗尽层宽度及其间电场有关。

在一般的光电二极管中，d τ不是限制器件频率响应特性的主要因
素。

2-2-5、频率响应及响应时间
光伏探测器的频率响应主要有三个因素决定(1)光生截流子扩散至结区的时间
n τ；（2）光生截流子在电场作用下通过结区的漂移时间d τ；
（3）由结电容d
C 与负载电阻L R 所决定的电路常数
C τ.
于是光伏探测器总的响应时间为： c n d ττττ++=
2-2-6、温度特性
光伏探测器和其他半导体器件一样，其光电流及噪声与器件工作温度有密切关系。

u A
u A
°C
°C
图8(a)表示光伏探测器在反偏)15(V V -=时暗电流与温度的关系曲线，图13（b ）表示在电压恒定和光照恒定条件下光电流随器件工作温度的变化曲线。

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2-3、光伏探测器的偏置电路
2-3-1、自偏置电路
光电池工作时无外加偏压，直接与负载电阻连接。

其输出电流I 流过外加电路负载电阻产生的压降L IR 就是它自身的正向偏压，故称为自偏压，其电路称为自偏置电路，电路图如下图6（a ）。

因此光电池回路方程为： L IR U =
光电池伏安特性曲线对应图5中第四象限。

由于无外加偏压，其伏安特性实际上表示的是它在一光照度下输出电流和电压随负载电阻变化的关系。

为了分析和讨论的方便，将其伏安特性曲线旋转到第一象限，如下图9（b ）。

根据L IR U =，
图9（b ）中作出不同负载电阻0L R
、1L R 、2L R 和Lopt R 的直流负载线。

在下图9（b ）中这些负载线将光电池的工作状态分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ四个区域。

Ⅱ
Ⅲ
Ⅳ
R L2
R Lopt
R L1
R L00
E 4
E 3E 2E 1
U/V
I/mA
Ⅰ
I
U
U
R L
(b)
(a)
图9 光电池自偏压电路与光电池伏安特性及直流负载线 （1）短路或线性电流放大区
光电池工作在一区域时，负载电阻较小，其输出电流与光照有较好的线性关系。

该区域称为短路或线性电流放大区。

负载电阻越小，电流的线性越好，
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当负载短路
)
0(0=L R 时，则输出短路电流为: E
S I I p sc ∙-=-=
左图10给出了一种光电池的线性电流放大器。

根据电路理论中的密勒定理，图中
放大器的输出电阻为:
A R r f
i +≈
1式中
f
R 为反馈电阻；A 为放大器开环增益。

因
410=A ,Ω〈k R f 100，所以Ω=10~0i r 。

i r 相
当于光电池的负载L R ，可以认为光电池处于短路工作状态。

放大器的输出电压为：
f
sc R I U -=0
图10 光电池的线性电流放大器
这种电路不仅线性好，输出光电流大，而且暗电流近似于零，信噪比好，适合于弱光信号的检测。

(2)、空载电压输出区
光电池工作在Ⅵ区域，负载电阻很大，近似于开路)(∞→L R ，光电池输
出电流I=0。

该区域称为空载电压输出区。

由
)
1ln(0+=
I I e kT U p
oc 可知，当入射
光信号从“无”到“有”做跳跃式变化时，硅光电池输出电压从0跳跃到
V 6.0~45.0。

在不要求电压随光通量线性变化的情况下，光电池开路输出具有很高的光电转换灵敏度，而且不需要任何偏置电源，适合于开关电路或继电器
控制电路。

不足之处是频率特性不好，受温度影响也较大。

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A +
+-U 0
R L
R 1
R 2
图11 光电池空载电压放大器电路
（3）、功率放大区
光电池工作在Ⅲ区域，当负载电阻取一电阻值
Lopt
R 时，可使光电池具有最
大的输出功率，该区域为功率放大区。

光电池工作在这个区域，能将光能有效地转换成电能给负载供电。

这是太阳能光电池的功能。

2-3-2、零伏偏置电路
光伏探测器在自偏置的情况下，若负载电阻为零，自偏压为零；或者在光伏探测器在反偏置的情况下，反偏压很小或接近零。

这两种情况下都是零伏偏置或接近于零伏偏置，对应的偏置电路都称为零伏偏置电路。

（1）、零伏偏置电路特点
光伏探测器采用零伏偏置电路时，它的f 1噪声最小，暗电流为零，可以获得较高的信噪比。

因此反向饱和电流小，正、反向特性好的光伏探测器也常用零偏置电路，可避免偏置电路引入的噪声。

（2）零伏偏置电路
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图12 光照下P-N 结伏安特性
自偏置：负载电阻为零
反偏置：反偏压很小或为零
一些零伏偏置电路都属于近似的零伏偏置电路，它们都具有一定大小的等效偏置电阻，当信号电流较强或辐射强度较高时，将使其偏离零伏偏置。

所以零伏偏置电路只适合对微弱辐射信号的检测，不适合较强辐射的探测领域。

若要获得大范围的线性光电信号，应尽量采用光伏探测器的反向偏置电路。

2-3-3、反向偏置电路
光伏探测器在外加偏压时，若N 区接正端，P 区接负端，则称光伏探测器处于反向偏置状态，对应的电路称为反向偏置电路。

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图13 原理示意图 图14 基本反向偏置电路
如上图所示，设b U 为偏置电压，L R 为偏置电阻，I 为光电二极管的输出电流。

则反偏光电二极管的回路方程： L b IR U I U -=)(
光伏探测器反向偏置时，PN 结势垒区加宽，内建电场增强，从而减小了载流子的渡越时间，降低了结电容，可得到较高的灵敏度、较大的宽频带和较大的光电变换线性范围。

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第三章 光伏探测器的应用
3-1、光电池
光电池是一种无需外加偏压就能将光能转换成电能的光伏探测器。

光电池可以分为两大类：太阳能光电池和测量光电池。

太阳能光电池主要用作电源，对它的要求是转换效率高、成本低，由于它具有结构简单、体积小、重量轻、可靠性高、寿命长、在空间能直接利用太阳能转换电能的特点，因而不仅仅成为航天工业上的重要电源，还被广泛地应用于供电困难的场所和人们日常生活中。

测量光电池的主要应用时作为光电探测用，即在不加偏置的情况下将光信号转换成电信号，对它的要求是线性范围宽、灵敏度高、光谱响应合适、稳定性好、寿命长，被广泛应用在光度、色度、光学精密计量和测验试中。

（1）光电池的结构
光电池是用单晶硅组成的，在一块N 型硅片上扩散P 型杂质，形成一个扩散n p +结；或在P 型硅片扩散N 型杂质，形成p n +结，在焊上两个电极。

P 端为
光电池正极，N 端为负极，一般在地面上应用作光电探测器的多为n p +型。

p
n +型硅光电池具有较强的抗辐射能力，适合空间应用，作为航天的太阳能电池。

图15是硅光电池结构示意图。

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上电极
上电极引线
SiO抗反射膜
扩散层
Pn结
Si单晶
背电极引线背电极
0.
图 15 硅光电池结构示意图
（2）光电池的应用
光电池的应用主要有两个方面，一是作为光电探测器件，二是将太阳能转变为电能。

利用光电池作为探测器件，有着光敏面积打，频率响应高，光电流随照度线性变化等特点。

因此，它既能作为开关应用，也可以用于线性测量。

如用在光电读数、光电开关、光栅测量技术、激光准直，电影还音等装置上。

利用光电池将太阳能变成电能，目前主要是使用硅光电池，因为他能耐较强的辐射，转换效率较其它光电池高。

实际应用中，把硅光电池单体经串联、并联组成电池组，与镍镉蓄电池配合，可作为卫星、微波站、野外灯塔、航标灯、无人气象站等无输电线路地区的电源供给。

3-2、光电二极管
随着光电子技术的发展，光信号在探测灵敏度、光谱响应范围及频率特性等方面要求越来越高。

光电二极管的工作原理同光电池一样，都是基于P-N结的
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光伏效应工作的。

但是，它与光电池相比有所不同：掺杂浓度较低，电阻率较高，结区面积小，通常多工作于反偏置状态。

因此，光电二极管的内建电场很强，结区较厚，结电容小，因而频率特性比光电池好，但其光电流比光电池肖达多，一般多为微安级。

（1）、硅光二极管基本结构
图16 硅光二极管的结构
（2）硅光二极管的应用
硅光二极管是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把射到它表面的光转化为电能，因此，可用在光电探测器和光通信等领域。

特点：当它照射光时会流过大致与光量成正比的光电流. 用途：1.作传感器用时,可广泛用于光量测定和视觉信息,位置信息的测定等. 2.作通信用时,广泛用于红外线遥控之类的光空间通信,光纤通信等. 3.紫蓝硅光电池是用于各种光学仪器，如分光光度计、比色度计、白度计、亮度计、色度计、光功率计、火焰检测器、色彩放大机等的半导体光接收器；紫蓝硅光电池具有光电倍增管，光电管无法比拟的宽光谱响应，它特别适用于工作在300nm-1000nm 光谱范围的各种光学仪器对紫蓝光有较高的灵敏度、器件体积小、性能稳定可靠，电路设计简单灵活，是光电管的更新换代产品。

目前也有可以使用到190-1100nm 的产品,但紫外能量弱一些,光谱带宽不能太小,已经有很多厂家在紫外可见分光光度计上用了。