模电总结复习_模拟电子技术基础
超详细模电总结复习资料-模拟电子技术基础(完整版)
第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体--- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质( 如硅Si 、锗Ge)。
2. 特性--- 光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5. 杂质半导体---- *P 型半导体: *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性* 载流子的浓度--- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
* 体电阻--- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
* 转型--- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结* PN 结的接触电位差* PN 结的单向导电性8. PN 结的伏安特性--- 硅材料约为0.6~0.8V ，锗材料约为。
0.2~0.3V--- 正偏导通，反偏截止。
二. * * * *半导体二极管单向导电性------二极管伏安特性正向导通，反向截止。
---- 同ＰＮ结。
正向导通压降------ 硅管0.6~0.7V ，锗管0.2~0.3V 。
死区电压------ 硅管0.5V ，锗管0.1V 。
3. 分析方法------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V 阴( 正偏) ，二极管导通( 短路);若V <V 阴( 反偏) ，二极管截止( 开路) 。
阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法* 总的解题手段---- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若若V 阳V 阳阴( 正偏阴( 反偏) ，二极管导通) ，二极管截止( 短路);( 开路) 。
>V<V* 三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路* 稳压二极管的特性接。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体构造的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础总结
模拟电子技术基础总结模拟电子技术是电子工程中的一个重要分支，它主要研究电子信号的模拟处理和传输。
在现代电子设备中，模拟电子技术的应用非常广泛，涉及到通信、电力、医疗、汽车等各个领域。
因此，掌握模拟电子技术的基础知识对于电子工程师来说至关重要。
本文将对模拟电子技术的基础知识进行总结，希望能够帮助读者更好地理解和应用这一领域的知识。
首先，模拟电子技术涉及到的基本概念包括电压、电流、电阻、电感和电容等。
电压是电子技术中最基本的概念之一，它代表了电路中的电势差，通常用符号V表示。
电流则是电荷在单位时间内通过导体的数量，通常用符号I表示。
电阻是指电路中阻碍电流通过的元件，通常用符号R表示。
电感和电容分别表示了电路中的感应和储能特性，它们分别用符号L和C表示。
掌握这些基本概念是理解模拟电子技术的重要基础。
其次，模拟电子技术中常用的电路元件包括电阻、电容和电感。
电阻是电路中最常见的元件之一，它的作用是阻碍电流通过。
电容则是一种储能元件，它可以储存电荷并释放电荷。
电感是一种感应元件，它可以产生感应电动势。
这些元件在模拟电子技术中起着至关重要的作用，掌握它们的特性和应用是理解模拟电子技术的关键。
另外，模拟电子技术中常用的电路包括放大电路、滤波电路和振荡电路等。
放大电路是模拟电子技术中最基本的电路之一，它的作用是放大电路输入信号的幅度。
滤波电路则是用来滤除输入信号中的某些频率成分，常用于通信和音频设备中。
振荡电路可以产生稳定的信号，常用于时钟和调频等应用中。
掌握这些电路的特性和设计方法对于模拟电子技术的应用至关重要。
最后，模拟电子技术还涉及到信号处理和传输技术。
信号处理是指对输入信号进行处理和分析的技术，它包括滤波、放大、调制和解调等过程。
信号传输则是指将处理后的信号传输到目标地点的技术，它包括传输介质的选择、传输距离的考虑以及信号衰减和失真的补偿等问题。
掌握这些技术是模拟电子技术工程师必备的能力。
总之，模拟电子技术是电子工程中的重要领域，它涉及到电路基础、电路元件、电路设计和信号处理等多个方面。
（完整版）模拟电子技术基础总结
（完整版）模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。
前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs 是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料）。
·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高，本征激发越强。
+载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q+电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
格中的空位，使局部显示q·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。
·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子>>少子（图1-7）。
多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一．半导体的基础知识1．半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性－--光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4．两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5．杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度--－多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻-－－通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型--－通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~０.8V,锗材料约为0.2～0.３V。
＊PＮ结的单向导电性-－-正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二．半导体二极管*单向导电性---－--正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性－-－-同PＮ结。
*正向导通压降-－-－--硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0．３V。
*死区电压-－--－－硅管０.5V，锗管０．1V。
3.分析方法－－-－--将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若V阳＞V阴（正偏）,二极管导通(短路）;若V阳＜V阴( 反偏)，二极管截止（开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Ｑ。
2) 等效电路法➢直流等效电路法＊总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若Ｖ阳＜Ｖ阴（反偏)，二极管截止(开路)。
＊三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路＊稳压二极管的特性-－-正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础知识
模拟电子技术基础知识一、模拟电子技术基础- -模拟信号与模拟电路1、模拟信号我们将连续性的信号称为模拟信号，而将离散型的信号称为数字信号。
2、模拟电路模拟电路是对模拟信号进行处理的电路，其最基本的处理是对信号的放大，含有功能和性能各异的放大电路。
二、模拟电子技术基础- -电子信息系统的组成电子信息系统由信号的提取、信号的预处理、信号的加工和信号的驱动与执行四部分构成，如下列图所示。
三、模拟电子技术基础- -半导体1、基本概念导体：极易导电的物体;绝缘体：几乎不导电的物体;半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质;2、本征半导体共价键：在硅和锗的结构中，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子;自由电子：由于热运动，具有足够能量而摆脱共价键束缚的价电子;空穴：由于自由电子的产生，使得共价键中产生的空位置;复合：自由电子与空穴相碰同时消逝的现象;载流子：运载电荷的粒子;导电机理：在本征半导体中，电流包括两部分，一部分是自由电子移动产生的电流，另一部分是由空穴移动产生的电流，因此，本征半导体的导电技能取决于载流子的浓度。
温度越高，载流子浓度越高，本征半导体导电技能越强。
3、本征半导体共价键：在硅和锗的结构中，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子;自由电子：由于热运动，具有足够能量而摆脱共价键束缚的'价电子;空穴：由于自由电子的产生，使得共价键中产生的空位置;复合：自由电子与空穴相碰同时消逝的现象;载流子：运载电荷的粒子;导电机理：在本征半导体中，电流包括两部分，一部分是自由电子移动产生的电流，另一部分是由空穴移动产生的电流，因此，本征半导体的导电技能取决于载流子的浓度。
温度越高，载流子浓度越高，本征半导体导电技能越强。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一、半导体的基础知识1、半导体---导电能力介于导体与绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2、特性---光敏、热敏与掺杂特性。
3、本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4、两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴与电子统称为载流子。
5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的就是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子就是空穴,少子就是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子就是电子,少子就是空穴)。
6、杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7、 PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0、6~0、8V,锗材料约为0、2~0、3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8、 PN结的伏安特性二、半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0、6~0、7V,锗管0、2~0、3V。
*死区电压------硅管0、5V,锗管0、1V。
3、分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术知识点总结
模拟电子技术知识点总结篇一：模拟电子技术基础知识汇总模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.Pn结*Pn结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*Pn结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为nPn和PnP两种。
模电总结复习-模拟电子技术基础
模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管~，锗管~。
*死区电压------硅管，锗管。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Ｓｉ、锗Ge)。
２．特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3．本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
４. 两种载流子 -－-－带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
５.杂质半导体---－在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
＊P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴,少子是电子)。
＊N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子，少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型-－-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结＊ PＮ结的接触电位差---硅材料约为０．６~0.8V，锗材料约为0．2~0．3V。
* PＮ结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
８. PＮ结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性--－--－正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性-－--同PＮ结。
*正向导通压降-－--－－硅管0．6~0.7V,锗管0.2~０.３V。
＊死区电压-－--－-硅管0.5V，锗管0.1V。
３.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若Ｖ阳＞Ｖ阴（正偏 )，二极管导通（短路）;若 V阳 <V阴( 反偏）,二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段-－--将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路）。
＊三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在ＰN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一。
半导体的基础知识1。
半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。
2。
特性-——光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体——--纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子—-——带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体--—-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子）.*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度—-—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关.＊体电阻———通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
＊转型—-—通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差———硅材料约为0。
6～0。
8V,锗材料约为0。
2～0.3V。
* PN结的单向导电性-—-正偏导通，反偏截止.8. PN结的伏安特性二。
半导体二极管＊单向导电性—-—-—-正向导通，反向截止。
＊二极管伏安特性——--同ＰＮ结.＊正向导通压降———-—-硅管0。
6～0。
7V，锗管0。
2~0.3V。
*死区电压—-——-—硅管0.5V，锗管0。
1V。
3。
分析方法———--—将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳〉V阴( 正偏），二极管导通(短路)；若 V阳 <V阴( 反偏），二极管截止（开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q.2）等效电路法➢直流等效电路法＊总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V阳 >V阴（正偏）,二极管导通(短路);若 V阳 <V阴（反偏 )，二极管截止(开路).*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-—-正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1•半导体…导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）。
2. 特性…光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5. 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）6•杂质半导体的特性*载流子的浓度…多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻…通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型…通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结* PN结的接触电位差…硅材料约为0.6〜0.8V，错材料约为0.2〜0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性……正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降……硅管0.6〜0.7V，错管0.2〜0.3V。
*死区电压——硅管0.5V，错管0.1V。
3. 分析方法——将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。
*三种模型& a三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性…正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
微变等效电路法<<»)模型第二章§ 2-1三极管及其基本放大电路三极管的结构、类型及特点1•类型…分为NPN和PNP两种。
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模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线(饱和管压降，用U CES表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。
截止区---发射结反偏，集电结反偏。
4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。
温度升高I CBO、I CEO、I C以及β均增加。
三. 低频小信号等效模型（简化）h ie---输出端交流短路时的输入电阻，常用r be表示；h fe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响1）改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。
2）改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3）改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的直线。
3. 静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。
*消除方法---减小R b，提高Q。
（2）饱和失真*产生原因---Q点设置过高*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。
*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。
4. 放大器的动态围（1）U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
（2）围*当（U CEQ－U CES）＞（V CC’ － U CEQ）时，受截止失真限制，U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
*当（U CEQ－U CES）＜（V CC’ － U CEQ）时，受饱和失真限制，U OPP=2U OMAX=2 （U CEQ－U CES）。
*当（U CEQ－U CES）＝（V CC’ － U CEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足R B＞βRc。
2.放大电路的动态分析* 放大倍数* 输入电阻* 输出电阻七. 分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1．静态分析2．动态分析*电压放大倍数在R e两端并一电解电容C e后输入电阻在R e两端并一电解电容C e后* 输出电阻八. 共集电极基本放大电路1．静态分析2．动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3. 电路特点* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
* 输入电阻高，输出电阻低。
第三章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管（ JFET）1.结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）转移特性曲线U P ----- 截止电压二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。
结构示意图和电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线* N-EMOS的转移特性曲线式中，I DO是U GS=2U T时所对应的i D值。
* N-DMOS的输出特性曲线注意：u GS可正、可零、可负。
转移特性曲线上i D=0处的值是夹断电压U P，此曲线表示式与结型场效应管一致。
三. 场效应管的主要参数1.漏极饱和电流I DSS2.夹断电压U p3.开启电压U T4.直流输入电阻R GS5.低频跨导g m (表明场效应管是电压控制器件)四. 场效应管的小信号等效模型E-MOS 的跨导g m ---五. 共源极基本放大电路1.自偏压式偏置放大电路* 静态分析动态分析若带有C s，则2.分压式偏置放大电路* 静态分析* 动态分析若源极带有C s，则六.共漏极基本放大电路* 静态分析或* 动态分析第四章多级放大电路一. 级间耦合方式1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。
但不便于集成，低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。
体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好，便于集成。
各级静态工作点不独立，互相有影响。
存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使u o偏离初始值“零点”而作随机变动。
二. 单级放大电路的频率响应1．中频段(f L≤f≤f H)波特图---幅频曲线是20lg A usm=常数，相频曲线是φ=-180o。
2．低频段(f ≤f L)‘3．高频段(f ≥f H)4．完整的基本共射放大电路的频率特性三. 分压式稳定工作点电路的频率响应1．下限频率的估算2．上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应1. 频响表达式2. 波特图第五章功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态导通角为360o，I CQ大，管耗大，效率低。
2.乙类工作状态I CQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。
3.甲乙类工作状态导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。
二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态➢任意状态：U om≈U im➢尽限状态：U om=V CC-U CES➢理想状态：U om≈V CC2. 输出功率3. 直流电源提供的平均功率4. 管耗P c1m=0.2P om5.效率理想时为78.5%三. 甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。
2. 解决办法➢甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。
动态指标按乙类状态估算。
➢甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容C2上静态电压为V CC/2，并且取代了OCL 功放中的负电源-V CC。
动态指标按乙类状态估算，只是用V CC/2代替。
四. 复合管的组成及特点1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。
2.类型取决于第一只管子的类型。
3.β=β1·β 2第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。
2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。
3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。
二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程----当T↑→i C1、i C2↑→i E1、i E2 ↑→u E↑→u BE1、u BE2↓→i B1、i B2↓→i C1、i C2↓。
R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。
2静态分析1) 计算差放电路I C设U B≈0，则U E=－0.7V，得2) 计算差放电路U CE•双端输出时••单端输出时(设VT1集电极接R L)对于VT1：对于VT2：3. 动态分析1）差模电压放大倍数•双端输出••单端输出时从VT1单端输出：从VT2单端输出：2）差模输入电阻3）差模输出电阻•双端输出：•单端输出:三. 集成运放的电压传输特性当u I在+U im与-U im之间，运放工作在线性区域：四. 理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征* 开环电压放大倍数A od→∞；* 差模输入电阻R id→∞；* 输出电阻R o→0；* 共模抑制比K CMR→∞；2. 理想集成运放的分析方法1) 运放工作在线性区:* 电路特征——引入负反馈* 电路特点——“虚短”和“虚断”:“虚短”---“虚断” ---2) 运放工作在非线性区* 电路特征——开环或引入正反馈* 电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时，u o=+U om当u+<u-时，u o=-U om两输入端的输入电流为零:i+=i-=0第七章放大电路中的反馈一. 反馈概念的建立＊开环放大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ＊环路增益－－－ＡＦ：1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。