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时钟电路设计概述-数字电路设计

时钟电路设计概述-数字电路设计

时钟电路设计概述-数字电路设计本⽂⼀般性地讲解了数字电路设计中的时钟电路设计,包括有源晶振,⽆源晶振,时钟缓冲器,并探讨了有关EMC,端接电阻和信号完整性的设计要点,设计经验来⾃于⽣花通信(Signalsky)的数字电路设计⼯程师。

时钟信号产⽣电路先看图1中的两个时钟电路,不⽤我说,相信读者⼀眼就可以看得出来,左边的那个是有源晶振电路,右边的是⽆源晶振电路。

图1 两个时钟电路振荡器就是可以产⽣⼀定频率的交变电流信号的电路晶体振荡器,简称晶振,是利⽤了晶体的压电效应制造的,当在晶⽚的两⾯上加交变电压时,晶⽚会反复的机械变形⽽产⽣振动,⽽这种机械振动⼜会反过来产⽣交变电压。

当外加交变电压的频率为某⼀特定值时,振幅明显加⼤,⽐其它频率下的振幅⼤得附加外部时钟电路,⼀般是⼀个放⼤反馈电路,只有⼀⽚晶振是不能实现震荡的多,产⽣共振,这种现象称为压电谐。

晶振相对于钟振⽽⾔其缺陷是信号质量较差,通常需要精确匹配外围电路(⽤于信号匹配的电容、电感、电阻等),更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。

如果把完整的带晶体的振荡电路集成在⼀块,可能再加点其它控制功能集成到⼀起,封装好,引⼏个脚出来,这就是有源晶振,时钟振荡器,或简称钟振。

英⽂叫Oscillator,⽽晶体则是Crystal。

可以说Oscillator是Crystal经过深加⼯的产品,⽽Crystal是原材料。

好多钟振⼀般还要做⼀些温度补偿电路在⾥⾯。

让振荡频率能更加准确。

相对于⽆源晶体,有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的,需要选择好合适输出电平,灵活性较差,⽽且价格⾼。

典型⽆源晶振电路图2是典型的⽆源晶振电路。

图2 典型的⽆源晶振电路与晶振并联的电阻的作⽤与晶振并联的电阻R4是反馈电阻,是为了保证反相器输⼊端的⼯作点电压在VDD/2,这样在振荡信号反馈在输⼊端时,能保证反相器⼯作在适当的⼯作区。

虽然去掉该电阻时,振荡电路仍⼯作了。

但是如果从⽰波器看振荡波形就会不⼀致了,⽽且可能会造成振荡电路因⼯作点不合适⽽停振。

电缆代号对照表

电缆代号对照表

*- информация составлена на основании запросов потребителей ** - наиболее предпочтительная замена.
Марки кабельной продукции иностранных производителей NYY-J, NYY-O 0,6/1 kV CYKY - 0.6/1 kV NAYY-J, NAYY-O 0,6 / 1 kV NYIFY-J, NYIFY-O NYIFY-J, NYIFY-O NYM-O, NYM-J YBY-O, YBY-J or Cu/ PVC/ STA/ PVC 0,6/1 kV AYBY-O, AYBY-J or AL/PVC/STA/PVC 0,6/1 kV Cu/ LSOH / STA / LSOH 0,6/1 kV Cu/ LSOH / STA / LSOH 3.6/ 6 kV AL / LSOH/ STA/ LSOH 0.6/1 kV AL / LSOH/ STA/ LSOH 3.6/ 6 kV AL / PVC / STA / PVC - 1.8/3 kV AL / PVC / STA / PVC - 3.6/6 kV АВВГ, АВВГнг , АВВГз**, АВВГзнг, АВВГ-ХЛ, АВВГнг-ХЛ 0,6/ 1 кВ ВВГ-П, ВВГнг-П 660 В ВВГнг-П 660, 1000 В ВВГз**, ВВГзнг, КВВГз 0,66 кВ ВБбШв**, ВБбШнг, ВБбШв-ХЛ, ВБбШнг-ХЛ 0,6/1 и 1 кВ АВБбШв** , АВБбШнг , АВБбШв -ХЛ , АВБбШнг- ХЛ 0,6/1 кВ и 1 кВ ВБбШвнг- LS 1 кВ ВБбШнг - LS 6 кВ АВБбШвнг - LS 1 кВ АВБбШнг - LS 6 кВ АВБбШнг - 3 кВ АВБбШнг - 6 кВ АВБбШв - 6 кВ Идентичная марка отечественного производства (ОАО «Электрокабель» Кольчугинский завод») ВВГ, ВВГнг, ВВГз** , ВВГзнг, ВВГ-ХЛ, ВВГнг-ХЛ 0.6/ 1 кВ

3,3-二硫代二丙酸酐熔点

3,3-二硫代二丙酸酐熔点

3,3-二硫代二丙酸酐熔点The melting point of 3,3-dithiodipropionic acid anhydride, also known as DTDP, is an important physical property that affects its applications and handling. Inthis response, we will explore the significance of the melting point of DTDP from various perspectives, including its role in determining purity, its impact on the synthesis process, its relevance in storage and transportation, and its influence on the performance of end products.Firstly, the melting point of DTDP serves as an indicator of its purity. As a chemical compound, DTDP can be synthesized through various methods, and impurities may be present in the final product. The melting point provides a benchmark to assess the level of purity. A higher melting point suggests a purer compound, as impurities tend to lower the melting point. Thus, the melting point of DTDP is crucial for quality control purposes, ensuring that the compound meets the required purity standards.Secondly, the melting point of DTDP plays a vital rolein the synthesis process. During the synthesis of DTDP, the melting point serves as a crucial parameter for monitoring the progress of the reaction. The reactants are heated, and as the temperature approaches the melting point of DTDP,the compound starts to transform from a solid to a liquid state. This phase transition signifies the completion ofthe reaction, allowing the chemist to determine the optimal reaction time and temperature. Therefore, the melting point of DTDP serves as a guide for process optimization, enhancing the efficiency and yield of the synthesis.Furthermore, the melting point of DTDP is significantin terms of its storage and transportation. Like many chemical compounds, DTDP is prone to degradation and decomposition under certain conditions. The melting point provides valuable information regarding the stability of DTDP during storage and transportation. If the meltingpoint is too low, it indicates that the compound is susceptible to melting or softening at relatively low temperatures, which can lead to leakage or loss of material. On the other hand, if the melting point is too high, itsuggests that the compound may be thermally unstable, potentially decomposing and losing its desired properties. Therefore, the melting point of DTDP is crucial for determining appropriate storage and transportationconditions to maintain its integrity and functionality.Lastly, the melting point of DTDP has implications for the performance of end products in which it is utilized. DTDP is commonly employed as a crosslinking agent inpolymer applications, such as the production ofpolyethylene and rubber products. The melting point of DTDP affects the curing process of these polymers, as it determines the temperature at which the crosslinkingreaction occurs. If the melting point is too high, it may require excessive heat during the curing process, which can lead to energy inefficiency and potential damage to the polymer matrix. Conversely, if the melting point is too low, the crosslinking reaction may not proceed effectively, resulting in inadequate mechanical properties of the final product. Therefore, the melting point of DTDP is crucialfor achieving optimal crosslinking and ensuring the desired performance characteristics of the end products.In conclusion, the melting point of 3,3-dithiodipropionic acid anhydride (DTDP) has significant implications in various aspects. It serves as an indicator of purity, guiding quality control measures. The melting point also plays a critical role in the synthesis process, allowing for process optimization. Furthermore, it influences the storage and transportation conditions required to maintain the compound's integrity. Lastly, the melting point affects the performance of end products, particularly in polymer applications. Overall, understanding and considering the melting point of DTDP is essential for ensuring its successful utilization in various industries.。

艰难梭菌中粪肠球菌污染的去除方法

艰难梭菌中粪肠球菌污染的去除方法

第44卷第10期2210年10月贵州医科大学学报Vol. 44 No. 17JOURNAL OF GUIZHOU MEDICAL UNIVERSITY2019.17艰难梭菌中粪肠球菌污染的去除方法** [基金项目]国家自然科学基金(1 5503 1 7,3 1 701 01 2,3 1 7703 1 7,U 1 7 1 2403);贵州省科技计划项目[黔科合平台人才团队(221 7)5552]* *通信作者 E-mail :Uon/wei_gmu@ foxmaid com ; 157931793@ qu- com网络出版时间:2019 -10 -22 网络出版地址:/tta :///ds. ciiee neW/cms//etWU/2. 1164. R. 20191022. 2308. 002. htwi饶凤琴7程玉梅2张婷7周青帅7崔古贞3齐晓岚1…,洪伟1…(1.贵州医科大学地方病与少数民族疾病教育部重点实验室&贵州省分子生物学重点实验室,贵州贵阳SSOOH ; 2.贵州医科大学附院综合ICU,贵州贵阳550004; 3.贵州医科大学基础医学院,贵州贵阳550025)[扌商 要]目的:建立从粪肠球菌-艰难梭菌混合培养物中分离艰难梭菌的方法。

方法:取不同厂家脑心浸出液(BHI )培养基、不同抗生素和是否添加羊血(或血清)3种组分进行组合,加入粪肠球菌-艰难梭菌混合物进行培养;显微镜观察不同组分培养基中细菌形态,将不同组分培养基中获得的混合培养物划线固体平板培养 基并培养、观察菌落形态及菌落气味,采用16S rDNA 测序技术评价不同组合培养基对艰难梭菌的纯化效果。

结 果:艰难梭菌抗生素抗性实验结果显示,艰难梭菌对氯霉素、克拉霉素和氨节青霉素敏感,对四环素、D-环丝氨酸和头抱西丁具有抗性;在相同艰难梭菌接种量条件下,不同生产厂家BHN 酵母粉培养基(BHIN )均有艰难梭菌 典型的沉淀生成,并伴有浓烈臭鸡蛋气味;显微镜观察发现纯化前艰难梭菌与粪肠球菌共培养物有大量球菌和链球菌、少量杆菌;BHin-SDC 培养基所有视野中无球菌,仅见杆状细菌;BHIS 培养基上艰难梭菌仅在平板边缘形成零星菌落,BHIS-SDC 培养基表面形成典型艰难梭菌菌落;17S rDNA 测序结果表明1 ~2 mm 菌落为粪肠球菌,3 ~5 mm 菌落为艰难梭菌。

纯数字电路数字时钟原理图(免费)

纯数字电路数字时钟原理图(免费)

做成时钟,并不难,把十进改成6进就行了如下:1,震荡电路的电容用晶震,记时准确.2, 时:用2块计数器,十位的用1和2(记时脚)两个脚.分:用2块计数器,十位的用1,2,3,4,5,6,(记时脚)6个脚.秒:同分.评论:74系列的集成块不如40系列的,如:用CD4069产生震荡,CD4017记数,译码外加.电压5V.比74LS160 74LS112 74LS00好的.而且CD4069外围元件及少.如有需要我可以做给你.首先需要产生1hz的信号,一般采用CD4060对32768hz进行14分频得到2hz,然后再进行一次分频。

(关于此类内容请参考数字电路书中同步计数器一章)(原文件名:4060.JPG)一种分频电路:(原文件名:秒信号1.JPG)采用cd4518进行第二次分频另一种可以采用cd4040进行第二次分频第三种比较麻烦,是对1mhz进行的分频(原文件名:秒信号2.JPG)介绍一下cd4518:CD4518,该IC是一种同步加计数器,在一个封装中含有两个可互换二/十进制计数器,其功能引脚分别为1~7和9~{15}。

该计数器是单路系列脉冲输入(1脚或2脚;9脚或10脚),4路BCD码信号输出(3脚~6脚;{11}脚~{14}脚)。

此外还必须掌握其控制功能,否则无法工作。

手册中给有控制功能的真值(又称功能表),即集成块的使用条件,如表2所示。

从表2看出,CD4518有两个时钟输入端CP和EN,若用时钟上升沿触发,信号由CP输入,此时EN端应接高电平“1”,若用时钟下降沿触发,信号由EN端输入,此时CP端应接低电平“0”,不仅如此,清零(又称复位)端Cr也应保持低电平“0”,只有满足了这些条件时,电路才会处于计数状态,若不满足则IC不工作。

计数时,其电路的输入输出状态如表3所示。

值得注意,因表3输出是二/十进制的BCD码,所以输入端的记数脉冲到第十个时,电路自动复位0000状态(参看连载五)。

另外,该CD4518无进位功能的引脚,但从表3看出,电路在第十个脉冲作用下,会自动复位,同时,第6脚或第{14}脚将输出下降沿的脉冲,利用该脉冲和EN端功能,就可作为计数的电路进位脉冲和进位功能端供多位数显用。

时钟缓冲器基础知识

时钟缓冲器基础知识

时钟缓冲器基础知识时钟是所有电子产品的基本构建块今天。

用于在同步数字系统中的每个数据过渡,有一个时钟,用于控制的寄存器中。

大多数系统使用晶体,频率时序发生器(FTGS ),或廉价的陶瓷谐振器来产生精确的时钟同步的系统。

此外,时钟缓冲器被用来创建多个副本,乘,除时钟频率,甚至移动时钟边沿向前或向后的时间。

许多时钟缓冲解决方案已经创造了超过过去几年,以解决当今高速逻辑系统所需的许多挑战。

其中一些挑战包括:高工作频率和输出频率,传播延迟从输入到输出,输出到输出歪斜引脚之间,周期tocycle和长期抖动,扩频,输出驱动强度,I / O电压标准和冗余。

因为钟表是最快的信号系统,通常最重的负载下,特别考虑必须在创建时钟树时发出。

在这一章中,我们列出了非PLL和基于PLL的缓冲区的基本功能,并显示这些设备如何被用来解决高速逻辑设计挑战。

在当今的典型的同步设计中,通常需要多个时钟信号,以驱动各种组件。

创建副本的所需数目的时钟树的构建。

树开始于一个时钟源,例如振荡器或外部信号并驱动一个或多个缓冲器。

缓冲器的数量通常是依赖于目标设备的数目和位置。

在过去几年里,通用逻辑组件被用来作为时钟缓冲器。

这些是足够的时间,但他们做一点维持时钟的信号完整性。

事实上,它们实际上是一个不利的电路。

随着时钟树中的速度和时序容限降低增加,传播延迟和输出歪斜变得越来越重要。

在接下来的几节中,我们讨论了旧设备,为什么他们却不足以应付当今的设计需求。

与现代缓冲区相关的常见术语的定义如下。

最后,我们解决了现代时钟缓冲器的属性具有和不具有PLL。

经常被用作时钟源的FTG是一种特殊类型的PLL时钟缓冲器。

◆早期的缓冲器一种时钟缓冲器是一种装置,其输出波形随输入波形。

输入信号传播通过该设备并重新驱动输出缓冲器。

因此,这种装置具有与它们相关联的传播延迟。

此外,由于通过每个输入输出路径上的设备的传播延迟之间的差异,将歪斜的输出之间存在。

一类非PLL时钟缓冲器的一个例子是74F244 ,可从几个制造商。

LTC2308中文资料

LTC2308中文资料

CONVERTER AND MULTIPLEXER CHARACTERISTICS The ● denotes the specifications
which apply over the full operating temperature range, otherwise specifications are at TA = 25°C. (Notes 4, 5)
which apply over the full operating temperature range, otherwise specifications are at TA = 25°C. (Notes 4, 5)
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP MAX UNITS
Bipolar Full-Scale Error
5V
0.1μF
10μF
10μF
0.1μF
CH0
CH1
CH2
CH3 CH0-CH7
ANALOG INPUTS CH4
0V TO 4.096V UNIPOLAR p2.048V BIPOLAR
CH5
CH6
CH7
COM
AVDD
ANALOG
+
INPUT
MUX

DVDD LTC2308
OVDD
2.7V TO 5.25 V 0.1μF
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP MAX UNITS
Resolution (No Missing Codes)
● 12
Bits
Integral Linearity Error
(Note 6)

体外诊断试剂不同适用机型研究资料

体外诊断试剂不同适用机型研究资料

体外诊断试剂不同适用机型研究资料体外诊断试剂往往能适用不同机型,要想让不同的适用机型写进体外诊断试剂说明书,注册申报时需提交不同机型研究资料,但目前尚未有明确的依据指导该资料的撰写。

本文结合本人以往注册经验,从方差分析的角度对不同机型进行研究,并增加了一些常见指标,以增加资料通过审评的概率。

不要对方差分析感到恐怖,只需用Excel做好模板,简单轻松的就可以完成任务。

以下为示例,至于如何编制Excel方差模板,可以另行交流。

1适用机型机型1:自产配套专用机型;机型2:Agilent Cary60紫外可见分光光度计;机型3:岛津紫外可见·近红外分光光度计UV-3600Plus;机型4:岛津紫外可见分光光度计UV1900;机型5:岛津紫外可见分光光度计UV-2600;机型6:上海美谱达UV-670紫外可见分光光度计;机型7:上海元析双光束紫外可见分光光度计UV-9000S;机型8:梅特勒紫外可见分光光度计UV5;机型9:尤尼柯UV-4802双光束扫描型紫外可见分光光度计;机型10:日立UH-4150紫外可见近红外分光光度计;2试验要求(1)试验人员应熟悉测定方法与仪器操作。

(2)采用合适的样本并保持仪器处于正常状态。

3试验材料和方法3.1线性范围内,不同机型检测结果差异性分析3.1.1在线性范围内,选择25g/L、40g/L、80g/L、120g/L、160g/L、200g/L6个浓度点,每个浓度每个机型重复测量20次,并分别将A 530-A 630计算结果按CoA 公式换算成浓度值。

3.1.2结果计算对每个浓度10种不同机型的检测结果进行单因素(机型)方差分析(ANOVA),若统计参数P>0.05,则说明不同机型检测结果差异不显著,若统计参数P<0.05,则说明不同机型检测结果不全相等,需经其他统计方法剔除差异较大机型后继续分析。

方差分析前,需进行方差齐性检验,K 2<X2(0.05,组数-1),方差具有齐性,方能进行方差分析。

DSP技术liuguoman_第四讲[1].C6000+DSP最小系统设计

DSP技术liuguoman_第四讲[1].C6000+DSP最小系统设计

原理图软件 PCB软件 自动布线器 仿真软件
SI、EMI、POWER/GND、HEAT



DSP硬件系统组成 DSP芯片的选择 DSP最小系统设计 DSP板设计流程
3.电源—加电顺序需求
DSP的一些I/O管脚是双向的,方向由内核 控制。I/O电压一旦被加上以后,I/O管脚就立即 被驱动,如果此时还没加核电压,那么I/O的方 向可能就不确定是输入还是输出。如果是输出, 且这时与之相连的其它器件的管脚也处于输出状 态,那么就会造成时序的紊乱或者对器件本身造 成损伤。这种情况下,就需要核电压比I/O电压 先加载,至少是同时加载。
DSP板级设计流程
PowerLogic
HyperLynx
PowerPCB BlazeRouter SPECCTRA
HyperLynx
概念
方案 论证
原理图 设计
前仿真
PCB图 绘制
后仿真
制板
原型 调试 测试
方案论证
rst
SBSRAM 3.3v
1.8v 1.2v CE3 CE0,CE2 INT4~7
Date: Tuesday May 20, 2003 Time: 22:25:40
实物
EDA软件



Altium / PROTEL Mentor / PADS Mentor / Expedition Mentor / BoardStation Cadence / Allegro Cadence / OrCAD
4.时钟-输入
OSC
4.时钟-输出
SRAM SRAM C6000 244 SRAM C6000 CY2308 SRAM SRAM SRAM

2SC2383中文资料(toshiba)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

2SC2383中文资料(toshiba)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

(V)
0.1
Collector-emitter saturation voltage
CE (sat)
IC/IB = 10
V 0.05
5 0.03
0.01
5 10
30
100
300
1000
Collector current I C (mA)
VCE (sat) – IC
0.5
Common emitter 0.3 IC/IB = 10
• 产品适用于一般电子应用(如电脑,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人和家用电子电器)或特定的应用,明确本文中提到的使用.
产品既不打算,也没有必要使用设备或需要非常高水平的质量和/或可靠性和/或故障或失败的系统,其中可能造成的生命损失,人身伤害,重大财产损 失或严重的公众影响( “误用”).非预期使用包括,但不限于核设施使用的设备,在航空航天工业中使用的设备,医疗设备,用于汽车,火车,轮船 等运输,交通信号设备,用于控制发火或爆炸装置,安全装置的设备,电梯和自动扶梯,涉及到电力设备,以及设备在金融相关领域.不要使用产品的 误用,除非本文档中的特别许可.
0.005
3
10
30
100
300
Collector-emitter voltage V CE (V)
4
2009-12-21
芯片中文手册,看全文,戳
2SC2383
限制产品用途
• 东芝公司及其子公司和附属公司(统称为“TOSHIBA”),保留对本文档的更改信息的权利,以及相关的硬件,软件和系统(统称为“产品”),恕不另行通 知.
1 ms* 10 ms*
0.1 Collector current I

CY2305_08中文资料

CY2305_08中文资料

1
REF[1]
2
CLK2[2]
3
CLK1[2]
4
GND
5
CLK3[2]
6
VDD
7
CLK4[2]
8
CLKOUT[2]
Figure 1. Pin Diagram - CY2305
REF 1 CLK2 2 CLK1 3 GND 4
8 CLKOUT 7 CLK4 6 VDD 5 CLK3
Description Input reference frequency, 5V-tolerant input Buffered clock output Buffered clock output Ground Buffered clock output 3.3V supply Buffered clock output Buffered clock output, internal feedback on this pin
S2 S1 CLOCK A1–A4 CLOCK B1–B4
0
0
Three-state
Three-state
0
1
Driven
Three-state
1
0
Driven
Driven
1
1
Driven
Driven
CLKOUT[4] Driven Driven Driven Driven
Output Source PLL PLL
• San Jose, CA 95134-1709 • 408-943-2600
Revised September 18, 2008
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剪刀机构环形阵列可展结构的运动学与动力学研究

剪刀机构环形阵列可展结构的运动学与动力学研究

图8 不同轭铁厚度对电磁力的影响启的状态㊂因此,在保证电磁力足以克服弹簧阻力使喷油器开启并保持稳定喷油的前提下,可通过减小轭铁的厚度来改善由于增加隔磁环带来的落座滞后时间延长的问题,缩短喷油器的落座滞后时间㊂图9 不同轭铁厚度对动态响应时间的影响4 实验测试验证为了对磁路结构改进方案的有效性进行验证,根据仿真结果对三种不同结构方案的喷油器进行加工试制并在喷油器动态响应特性测试仪上对其性能进行测试分析㊂其中方案1是轭铁厚度为0.9mm 的原始磁路结构;方案2是轭铁厚度为0.9mm 且增加隔磁环的新型磁路结构;方案3是轭铁厚度为0.5mm 且增加隔磁环的新型磁路结构㊂电控喷油器动态响应特性测试仪主要由喷油器驱动模块㊁线圈电流采集模块以及数字示波器等构成,其测量原理是通过监测示波器上线圈电流的拐点来确定喷油器的开启㊁落座滞后时间的,如图10所示㊂如图11所示,方案2与方案1相较,开启滞后时间缩短了0.25m s,但落座滞后时间增加了0.2m s;方案3与方案2的开启滞后时间相同,而落座时间缩短了0.5m s ;方案3与方案1相较,开启滞后时间缩短了0.25m s ,落座滞后时间缩短了0.3m s .实验结果表明:改进方法通过增加隔磁环以及减小轭铁厚度,能同时缩短喷油器的开启㊁落座图10喷油器动态响应特性测试仪图11 不同结构方案喷油器的动态响应性能对比滞后时间,全面提高喷油器的动态响应性能㊂5 结论(1)在磁路结构中增加隔磁环能提高磁通量的利用率,加快电磁力的上升速度,缩短喷油器的开启滞后时间,但同时由于增大了饱和电磁力,会导致落座滞后时间延长㊂(2)在保证电磁力足以克服弹簧阻力使喷油器开启并且保持稳定喷油的前提下,减小轭铁厚度基本不影响喷油器的开启滞后时间,但由于降低了饱和电磁力,因此能缩短落座滞后时间㊂(3)通过增加隔磁环㊁减小轭铁厚度的综合改进方法能同时缩短喷油器的开启㊁落座滞后时间㊂该方法简单有效,可为今后喷油器的设计改进工作提供一定的参考㊂参考文献:[1] 郭辉,张振东,孙跃东,等.电控汽油喷射器参数优化及性能测试研究[J ].中国机械工程,2010,21(18):2264‐2267.G u oH u i ,Z h a n g Z h e n d o n g ,S u nY u e d o n g ,e t a l .I n -v e s t i g a t i o no f P a r a m e t e rO p t i m i z a t i o n a n dM e a s u r e -m e n t o fP e r f o r m a n c e f o r a nE l e c t r o n i cG a s o l i n e I n -j e c t o r [J ].C h i n e s eJ o u r n a lo f M e c h a n i c a lE n g i n e e r -i n g,2010,21(18):2264‐2267.㊃8032㊃中国机械工程第25卷第17期2014年9月上半月Copyright ©博看网. All Rights Reserved.[2] D e a n C ,I r e n a C ,A l e k s a n d a rS .I m p r o v e d P e r -f o r m a n c e o f t h eE l e c t r o m ag n e t i cF u e l I n j e c t o r S o l e -n o i dA c t u a t o rU s i n g aM o d e l l i n g A p p r o a ch [J ].I n -t e r n a t i o n a l J o u r n a l o fA p p l i e dE l e c t r o m a g n e t i c s a n d M e c h a n i c s ,2008,27:251‐273.[3] W a n g Q i l e i ,Y a n g F e n g y u ,Y a n g Q i a n ,e t a l .E x -p e r i m e n t A n a l y s i so f N e w H i g h ‐s pe e d P o w e rf u l D ig i t a l S o l e n o i dV a l v e s [J ].E n e r g y C o n v e r s i o na n d M a n a ge m e n t ,2011,52:2309‐2313.[4] L i uQ i a nf e ng ,B oH a n l i a n g ,Q i nB e n k e .D e s i gn a n d A n a l ys i s o fD i r e c tA c t i o nS o l e n o i d V a l v eB a s e do n C o m p u t a t i o n a l I n t e l l i g e n c e [J ].N u c l e a rE n g i n e e r i n ga n dD e s i gn ,2010,240:2890‐2896.[5] H i d e y u k iW ,S h i n y a I ,T a k a h i r oN ,e t a l .D e v e l o p -m e n t o fC o m p a c t a n dH i g hP e r f o r m a n c eF u e l I n j e c -t o r U s i n g E l e c t r o m a g n e t i c F i e l d S i m u l a t i o n [J ].S A EP a pe r ,2005‐32‐0019.[6] 林宝军,郭作扬,孙玮.电磁式燃油喷油嘴开启特性分析[J ].内燃机工程,1990,11(2):26‐31.L i nB a o j u n ,G u oZ u o y a n g ,S u nw e i .A nA n a l y s i s o f O p e n i n g C h a r a c t e r i s t i cf o r S o l e n o i d F u e lI n j e c t o r [J ].C h i n e s e I n t e r n a l C o m b u s t i o nE n g i n eE n g i n e e r -i n g,1990,11(2):26‐31.[7] 张付军,孙业保,黄英,等.电控喷油器流量特性的试验研究[J ].汽车工程,1994,16(2):80‐86.Z h a n g F u j u n ,S u nY e b a o ,H u a n g Y i n g ,e t a l .T h e R e s e a r c h o f E l e c t r o n i c ‐c o n t r o l I n j e c t o r ’s F l o w C h a r a c t e r i s t i c s [J ].A u t o m o t i v eE n g i n e e r i n g,1994,16(2):80‐86.(编辑 王艳丽)作者简介:卢金和,男,1988年生㊂上海理工大学机械工程学院硕士研究生㊂主要研究方向为汽车发动机电子控制以及节能排放㊂张振东,男,1968年生㊂上海理工大学机械工程学院教授㊁博士研究生导师㊂程 强,男,1985年生㊂上海理工大学动力学院博士研究生㊂尹丛勃,男,1981年生㊂上海理工大学机械工程学院博士后研究人员㊂剪刀机构环形阵列可展结构的运动学与动力学研究袁 茹 王 剑 王三民 刘国林西北工业大学,西安,710072摘要:通过分析剪刀单元之间几何参数的关系,得到单元尺寸和单元数量与展开和收拢半径之间的约束条件;针对可展结构的组成特点,提出将单元机构法与运动影响系数法相结合,建立可展结构的运动学分析方法;将运动影响系数法与虚功原理相结合,形成了可展结构的动力学分析方法㊂通过算例证实了所建立的运动学和动力学分析方法的有效性㊂关键词:可展结构;剪刀机构;运动影响系数;单元机构法中图分类号:T H 113 D O I :10.3969/j.i s s n .1004-132X.2014.17.008K i n e m a t i c s a n dD y n a m i c sA n a l y s i s o fR i n g A r r a y D e p l o ya b l e S t r u c t u r e sB a s e do nS L E Y u a nR u W a n g J i a n W a n g Sa n m i n L i uG u o l i n N o r t h w e s t e r nP o l y t e c h n i c a lU n i v e r s i t y,X i ’a n ,710072A b s t r a c t :F i r s t l y ,b y a n a l y s i n g t h e g e o m e t r i c p a r a m e t e rr e l a t i o n s h i p o fS L E ,t h er e l a t i o n s h i pa m o n g t h e e l e m e n t s i z e ,e l e m e n t n u mb e r a n d t h e r a d i u s o f t h e r i n g d e p l o ya b l e s t r u c t u r e sw a s o b t a i n e d i nd e p l o y e da n d f o l d e d c o n f i g u r a t i o n s .S e c o n d l y ,a c c o r d i n g t o t h e c h a r a c t e r i s t i c so f t h e r i n g a r r a y d e -p l o y a b l e s t r u c t u r e ,am e t h o dw a s a d o pt e d ,w h i c hw a s t h e c o m b i n a t i o no f u n i tm e c h a n i s m m e t h o d a n d i n f l u e n c e c o e f f i c i e n t m e t h o d ,a n dt h ek i n e m a t i c sa n a l ys i s m e t h o do ft h es t r u c t u r e w a se s t a b l i s h e d .T h i r d l y ,t h e i n f l u e n c e c o e f f i c i e n tm e t h o d a n d t h e p r i n c i pl e o f v i r t u a lw o r kw e r e c o m b i n e d t o f o r mt h e d y n a m a t i c s a n a l y s i s o f t h e s t r u c t u r e .A t l a s t ,t h e e f f e c t i v e n e s s o f t h ek i n a m a t i c s a n dd y n a m i c sm e t h -o d sw a s c o n f i r m e db y a ne x a m pl e .K e y wo r d s :d e p l o y a b l e s t r u c t u r e ;s c i s s o r ‐l i k e e l e m e n t (S L E );k i n e m a t i c i n f l u e n c e c o e f f i c i e n t ;u n i t m e c h a n i s m m e t h o d0 引言空间可展结构是一种由收缩状态展开成预先设定的展开状态㊁承受载荷并保持稳定构型的结构,该结构在航天㊁航空㊁建筑等领域具有广阔的应用前景[1]㊂收稿日期:2013 04 12基金项目:国家自然科学基金资助项目(51175422)P i n e r o [2]是较早研究可展结构的学者之一,他以剪刀机构作为单元机构设计出了可展结构并将其成功应用于开合式屋顶㊂Y o u 等[3]通过给定尺寸约束,将剪刀机构分成两类,讨论了它们的几何特性和构成平面环形可展结构的方法㊂Z h a o等[4]应用螺旋理论,从机构学的角度,研究了剪刀机构构成不同形状的可展结构的方法㊂杨毅等[5]应用带惩罚的变密度法(s o l i d i s o t r o pi c m a t e r i a l ㊃9032㊃剪刀机构环形阵列可展结构的运动学与动力学研究袁 茹 王 剑 王三民等Copyright ©博看网. All Rights Reserved.w i t h p e n a l i z a t i o n ,S I M P )对剪刀机构进行了拓扑优化研究㊂K i pe 等[6]通过对曲柄滑块机构进行演绎,获得了多边形和多面体可展结构,其单元机构仍然是剪刀机构㊂L u 等[7]采用平衡矩阵法研究了剪刀单元构成的平面可展结构的运动学特性㊂C h a r i s [8]采用剪刀机构构成平面和曲面可展结构,并研究了其展开过程中的几何非线性现象和杆件的变形情况㊂1982年,T h o m a s 等[9]提出了机构的运动影响系数的概念,并指出 机构的运动影响系数与变化的运动参数无关,仅由机构的几何参数决定”㊂H u a n g 等[10‐11]采用影响系数法研究了6‐6R 机构的运动学和受力情况㊂在进行受力分析时,将方程个数从186降到6,大大简化了计算过程㊂国内外有许多学者在从事可展结构的研究工作,但是,关于可展结构展开过程的运动学和动力学的研究还很不成熟㊂本文首先探讨了构成环形可展结构的剪刀机构的几何参数之间的关系;然后依据剪刀机构环形阵列可展结构的特点,采用单元机构法分析了剪刀机构的运动学和动力学特性,获得其一阶和二阶运动影响系数;其次,结合运动影响系数法和单元机构法,分析了环形可展结构展开过程的运动学和动力学特性,为大型阵列组合机构的运动学和动力学分析提供了参考㊂1 环状阵列结构的构型分析剪刀单元机构如图1所示,由两个杆件A 1CB 1㊁A 2C B 2构成,A 1C B 1和A 2C B 2在点C 处铰接,设两杆件各段的长度分别为l 1㊁l 2㊁l 3㊁l 4,C A 1与C B 1夹角为β1,C A 2与C B 2夹角为β2,A 1B 2与A 2B 1夹角为α,C A 1与C A 2夹角为2θ,这些即为剪刀单元的位形参数㊂将相邻剪刀单元机构的A 1与A 2铰接,B 1与B 2铰接,即可构成环形可展结构,如图2所示㊂该环形可展结构由8个剪刀机构环形阵列组成㊂图1剪刀单元机构图2 剪刀单元机构构成的环形可展结构对于由n 个剪刀单元机构构成的环形可展结构,α可以表示为α=2π/n (1)相邻单元之间满足邻接条件,即有A 1B 2=A 2B 1,根据余弦定理,同时由θ在展开过程中的任意性,得几何构型条件:l 1=l 4l 2=l 3β1=β}2(2)或l 1=l 2l 3=l 4β1=β}2(3)对式(2),根据几何关系可以证明,O C 连线平分α角,并与连线A 1A 2㊁B 1B 2垂直,所以有t a nα2=l 3s i n (π-β2+θ)-l 1s i n θl 3c o s (π-β2+θ)+l 1c o s θ(4)整理式(4),同时结合θ的任意性,得l 3t a n α2s i n β2-l 3c o s β2-l 1=0l 3s i n β2+l 3t a n α2c o s β2-l 1t a n α2=üþýïïïï0(5)由式(5)得α+β2=πl 1=l }3(6)结合式(2),得β1=β2=π-αl 1=l 2=l 3=l }4(7)式(1)和式(7)即为剪刀单元机构环形阵列构成可展结构的机构尺寸要求㊂以下表达中,l 1㊁l 2㊁l 3㊁l 4统一用l 替代㊂各单元的中间铰接点C 位于以点O 为圆心㊁R 为半径的圆上,根据几何关系有l /s i n (α/2)=R /s i n (π-α/2-θ)(8)当完全展开时,点A 1和B 2㊁A 2和B 1分别重合,得到最大展开半径表达式为R m a x =l/s i n (π/n )(9)当完全收拢时,θ=0,点A 1㊁A 2重合,得到最小收㊃0132㊃中国机械工程第25卷第17期2014年9月上半月Copyright ©博看网. All Rights Reserved.拢半径表达式为R m i n=R m a x s i n (2π/n )(10)由此可见,剪刀机构环形阵列可展结构的收拢率为R m a x /R m i n =1/s i n (2π/n )(11)2 运动学分析对n 个剪刀单元构成的环形可展结构,按顺时针方向对各单元依次编号为1,2,,n ,如图3所示㊂图3 剪式机构环形阵列坐标系的建立以环形可展机构的圆心O 为原点,建立固定坐标系ΣXO Y ,其中O Y 轴过单元1的铰链点C ,在单元i 上建立动坐标系Σi x i O y i ,其中O y i 轴过单元i 的铰链点A 1㊁B 2㊂根据前述几何关系,O Y 轴与单元1中构件1的C A 1边夹角等于θ㊂由于动坐标系Σi x i O y i 与固定坐标系ΣXO Y 的原点重合于O 点,根据坐标系的旋转变换关系,得0r(i)C=R 0i i r (i)Ci =1,2, ,n (12)其中,0r (i)C为单元机构i 中C 点在固定坐标系Σ中的矢径,R 0i 为动坐标系Σi 到固定坐标系Σ的旋转变换矩阵,表达式为R 0i =co s (i -1.5)αs i n (i -1.5)α-s i n (i -1.5)αc o s (i -1.5)éëêêùûúúα(13)i r (i )C为单元机构i 中C 点在动坐标系Σi 中的矢径,表达式为i r (i)C=l s i n (θ+β/2)l s i n θs i n (α/2)+l c o s (θ+β/2éëêêêùûúúú)(14)单元机构i 中两构件C A 1㊁C A 2与固定坐标系O X 轴夹角表示为φ(i )=φ(i)1φ(i )éëêêùûúú2=1.5π-θ-(i -1)α1.5π+θ-(i -1)éëêêùûúúα(15)式(12)对时间t 分别求一阶㊁二阶导数,得C 点的速度和加速度方程为0v (i )C=0G (i)C rω(16)0a (i)C=0G (i )C r ε+0H (i )C r ω2(17)0G (i)C r=d 0r (i )C d θ=R 0i d i r (i)C d θ=R 0i [i r (i)C]θ0H (i)C r=d 0G (i )C r d θ=d 20r (i)C d θ2=R 0i [i r (i)C]θθ式中,0G (i )C r 为线运动一阶运动影响系数;0H (i)C r为线运动二阶运动影响系数;ω为角速度;ε为角加速度;下角标θ和θθ分别表示求以θ为自变量的一阶和二阶导数㊂将0G (i )C r =R 0i [i r (i)C]θ代入式(16)得i v (i )C x /i v (i)C y=ta n (i -1)α(18)式(18)说明展开过程中,铰链点C 的速度方向保持不变㊂式(15)对时间t 分别求一阶㊁二阶导数,得单元机构i 中两构件的角速度和角加速度方程分别为ω(i )=0G (i)θω(19)ε(i )=0G (i )θε+0H (i )θω2(20)其中,0G (i )θ=d φ(i)d θ=[-1 1]T ,称为角运动一阶运动影响系数,0H (i)θ=d 2φi d θ2i=[0 0]T称为角运动二阶运动影响系数㊂由0G (i )θ㊁0H (i)θ的表达式可知,同一个单元内构件1㊁2的角速度和角加速度大小相等,方向相反,各单元中构件j (j =1,2)具有相同的角速度和角加速度㊂3 动力学分析假设构成剪刀机构的两个构件的质心均在C点,可展结构的展开过程由位于点C 处的扭簧驱动㊂单元i 两构件的惯性力和惯性力矩分别表示为Q (i)F =-(m 1+m 2)0a (i)C(21)Q (i )T =-J (i )ε(i)(22)J (i)=J (i)100J (i)éëêêùûúú2Q (i )F =(Q (i )x ,Q (i )y )T Q (i )T =(Q (i )T 1,Q (i)T 2)T 式中,Q (i )x ㊁Q (i )y 和Q (i )T 1㊁Q (i )T 2分别为单元i 的构件1㊁2的惯性力和惯性力矩;J (i )1㊁J(i)2为单元i 的构件1㊁2相对各自质心的转动惯量㊂当单元机构发生虚位移Δθ时,单元i 的惯性力和惯性力矩所做的虚功可以表示为W (i )Q =Q (i )T T Δφ(i )+Q (i )T F Δr (i)C(23)式中,Δφ(i )与Δr (i)C为单元i 中两构件的角位移和C 的线位移㊂扭簧扭矩所做的虚功为W (i )T =T (i )T Δφ(i)(24)T (i )=(T (i )0,-T (i)0)T T (i )0=K (s 0-φ(i )2+φ(i)1)式中,K 为扭簧刚度;s 0为扭簧的初始形变㊂根据虚功原理,得㊃1132㊃剪刀机构环形阵列可展结构的运动学与动力学研究袁 茹 王 剑 王三民等Copyright ©博看网. All Rights Reserved.∑ni =1(W (i)T+W (i)Q )=0(25)结合运动学公式,可得原定义的角加速度为ε=(m 1+m 2)ω2(i r (i )C )T θθ∑ni =1R T 0i (i r (i )C )θ+n (T (i ))T0G (i)θ-n (0G (i )θ)T (J (i ))T 0G (i )θ-(m 1+m 2)(i r (i )C )T θ∑ni =1R T 0i (i r(i)C )θ(26)可以证明∑ni =1R T0i =0,所以ε=2K (s 0-2θ)J (i )1+J (i )2(27)又因ε=d 2θd t2,积分得单元位形参数θ的时间表达式:θ=s 02+C S 2s i n (t 2C 0+ar c s i n 2θ0-s 0C S)(28)C S =(s 0-2θ0)2+2ω20C 0 C 0=2K J (i )1+J (i)2式中,2θ0㊁2ω0为单元1中构件1㊁2的初始夹角和相对角速度初始值㊂结合运动学公式可得各构件的角位移㊁角速度和角加速度及各铰链点位置的线位移㊁线速度和线加速度㊂4 算例以12个单元构成的环形可展结构为例,进行其运动学和动力学分析㊂取最大展开半径R m a x =4m ,由式(9)得l =1.035m ㊂取转动惯量J (i)1=J (i)2=10k g ㊃m 2,扭簧刚度k =0.2N ㊃m ,扭簧初始变形s 0=6π,初始条件θ0=0,ω0=0㊂根据式(28)得剪刀单元机构的角度参数θ表达式为θ=s 02+C S 2s i n (t 2C 0+ar c s i n 2θ0-s 0C S)结合运动学公式可得各构件的角位移㊁角速度和角加速度表达式㊂根据式(12)可得可展结构展开过程中的位形,如图4所示㊂图中,Ⅰ㊁Ⅱ㊁Ⅲ分别表示完全收拢㊁半展开㊁完全展开状态的位形,径向射线表示各铰链点的轨迹线㊂根据图4,并结合式(18)可知,在展开过程中,各铰链点沿半径方向运动,轨迹为直线㊂A 1B 2与A 2B 1夹角α保持不变㊂根据式(12)得,单元1㊁4㊁7㊁10的点C 在x ㊁y方向的位移曲线分别如图5㊁图6所示㊂图5中铰链点C 1㊁C 7的x 方向的位移始终为0,图6中铰链点C 4㊁C10的y 方向的位移始终为0㊂根据式(16)得,单元1㊁4㊁7㊁10的点C 在x ㊁y图4 展开过程图5 铰链点C 1㊁C 4㊁C 7㊁C10在x 方向的位移曲线图6 铰链点C 1㊁C 4㊁C 7㊁C10在y 方向的位移曲线方向的速度曲线分别如图7㊁图8所示㊂图7中铰链点C 1㊁C7的x 方向的速度始终为0,图8中铰链点C 4㊁C10的y 方向的速度始终为0㊂图7 铰链点C 1㊁C 4㊁C 7㊁C10在x 方向的速度曲线根据式(17)得,单元1㊁4㊁7㊁10的点C 在x ㊁y方向的加速度曲线分别如图9㊁图10所示㊂图9中铰链点C 1㊁C7的x 方向的加速度始终为0,图8中铰链点C 4㊁C10的y 方向的加速度始终为0㊂㊃2132㊃中国机械工程第25卷第17期2014年9月上半月Copyright ©博看网. 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二甲基二氯硅烷标准

二甲基二氯硅烷标准

二甲基二氯硅烷标准二甲基二氯硅烷(简称DMDCS)是一种常用的有机硅化合物,具有广泛的应用领域。

它是一种无色液体,具有较低的毒性和挥发性,因此被广泛应用于化学工业、医药领域、农业等多个领域。

首先,DMDCS在化学工业中具有重要的应用。

它是一种重要的有机硅中间体,可以用于合成各种有机硅化合物。

例如,DMDCS可以与醇类反应,生成硅醚化合物,这些硅醚化合物在涂料、油墨、胶粘剂等领域具有广泛的应用。

此外,DMDCS还可以与胺类反应,生成硅胺化合物,这些硅胺化合物在制备硅橡胶、硅油等产品中起到重要的作用。

其次,DMDCS在医药领域也有一定的应用。

由于DMDCS具有良好的生物相容性和生物降解性,因此可以用于制备生物医用材料。

例如,DMDCS可以与聚乳酸等生物降解材料反应,制备出具有良好生物相容性的复合材料,这些复合材料在骨修复、组织工程等领域具有广泛的应用前景。

此外,DMDCS还在农业领域发挥着重要的作用。

它可以用作农药的原料,例如可以与氨基甲酸酯类农药反应,生成具有较好杀虫活性的有机硅农药。

这些有机硅农药具有较低的毒性和较长的持效期,对农作物的保护效果较好。

然而,尽管DMDCS在各个领域都有广泛的应用,但是其使用也存在一定的风险。

首先,DMDCS具有一定的刺激性和腐蚀性,对皮肤和眼睛有一定的伤害作用,因此在使用过程中需要注意安全防护措施。

其次,DMDCS具有一定的挥发性,易于蒸发释放到空气中,因此在使用时需要保持良好的通风条件,避免对人体造成危害。

为了确保DMDCS的安全使用,相关部门制定了一系列的标准和规范。

例如,国家标准《二甲基二氯硅烷》(GB/T 15682-2008)规定了DMDCS的技术要求、试验方法和包装、储运等方面的内容,以确保DMDCS的质量和安全性。

此外,相关行业协会也制定了一些行业标准和指南,对DMDCS的使用进行规范和指导。

总之,二甲基二氯硅烷作为一种重要的有机硅化合物,在化学工业、医药领域、农业等多个领域具有广泛的应用。

东莞公安局交通警察支队车辆管理所关于机动车牌证作废-东莞交警

东莞公安局交通警察支队车辆管理所关于机动车牌证作废-东莞交警
JX493ZQ4A JX493Q1
CY4100ZLQ YC4F90-21
无 无 YC6105ZQC 无 无 CY4105Q 6HK1 C23020 无 CA4DF2-16 CY4102BZQ CY4102BZLQ
S35685 S35710 S35736 S35742 S36555 S368E1 S37Z22 S38657 S39050 S39107 S39371 S3H373 S3M746 S3M905 S3T757 S3Z505 S41108 S41767 S41770
无 JX493Q1
无 N485Q 4JB1-T 无 无 无 无 JX493Q1 4JB1 4JB1 4JB1-T JX493ZQ3 JX493ZQ4A 4JB1-TC 4JB1-TC
S1M572 S1M689 S1T969 S20443 S207U9 S21044 S21058 S2268H S2308H S23462 S23773 S23998 S24126 S24343 S24456 S26391 S26614
亚星牌 JS6103HD2 奥铃 BJ5038V3BD6 江铃 JX1030DSK 羊城牌 YC5040XXYCAS 江淮牌 HFC5030XXYKR 江淮牌 HFC5031XXYKL 奥铃牌 BJ5049V7DD6-B
天马牌 KZ6490C 时代牌 BJ5023V2CB3-1 江铃牌 JX5042XXYDSL2
S27827 06 S2B107 02 S2B365 02 S2H190 02 S2H527 02 S2H559 02 S2H993 02 S2M326 02 S2M600 02 S2M806 02 S2T375 02 S2V418 02 S2X071 02 S30840 06 S30D36 02 S30Y77 02 S31170 01 S32688 02 S32939 02 S33039 01 S33478 01 S33479 01 S3361S 02 S35589 01 S35598 01 S35656 01

北流海螺ck磨中控操作规程

北流海螺ck磨中控操作规程

中控操作规程1 目的本规程旨在统一操作思想,使操作有序化、规范化,力求做到优质、稳定、高产、低耗,生产出合格的生料,确保窑系统的生料供应。

2 范围本规程适用于原料系统中控操作,即从石灰石堆场、页岩、铁质原料、粘土储库或堆场至生料入库部分及窑尾高温风机以后的废气处理部分。

3 引用标准《工艺设备性能参数》、《工艺规程》、《设备说明书》等4 操作指导思想⑴在各专业人员及现场巡检人员的密切配合下,根据入磨物料水分、粒度、易磨性、振动、电流、磨机出口温度、系统风量等情况,及时调整磨机的喂料量、研磨压力、选粉机转速及各挡板开度,努力做到立磨运行平稳,提高粉磨效率,均化库料位保持在60%以上。

⑵树立安全生产、质量第一的观念,精心操作,不断摸索总结,在操作中充分利用计量监测仪表和先进的DCS自动控制等技术手段,整定出系统最佳运行参数,以达到优质高产,低消耗及长期安全和文明生产的目的。

⑶树立全局观念与窑、发电操作员互相协调,密切配合,三班操作员必须经常交流操作思想,做到统一操作,达到连续稳定运行的目的。

⑷操作员对生料质量直接负责,严格按照各项控制指标进行操作。

5工艺流程●北流二线1.配料站进料工艺流程简介⑴原料配料站有四个配料仓,分别为石灰石仓(2301)、砂岩仓2302、铁矿石仓2303、粘土仓2304。

⑵向石灰石仓进料,经2204桥式刮板取料机刮至堆场中心卸入2206及2206⑵皮带,卸入2301石灰石仓,2206皮带上设有临时下料口,在2204故障时直截进料。

⑶页岩仓进料。

页岩由行车抓料入2302⑴仓。

⑷硫酸渣仓进料。

硫酸渣由行车抓料入2303仓。

⑸粘土仓进料,有行车抓料入2304仓。

2 原料粉磨及废气处理工艺流程简介:.1。

配料站的三个仓内的砂岩经中型板式喂料机2302卸入皮带秤2302(1)喂入2305皮带,铁矿石经中型板式喂料机2303卸入皮带秤2303(1)喂入2305皮带粘土经中型板式喂料机2304卸入皮带秤2304(1)喂入2305皮带,卸入到2306皮带,石灰石经中型板式喂料机2301卸入皮带秤2301(1)喂入2306皮带,卸入到2307皮带再经2308⑴气动推杆三通阀,通过2308回转锁风阀喂入磨机。

二甲氧基二乙氧基硅烷

二甲氧基二乙氧基硅烷

您想了解的可能是“二甲基二乙氧基硅烷”您想了解的可能是“二甲基二乙氧基硅烷”,其相关信息如下:一、基本信息●CAS编号:78-62-6●EINECS编号:201-127-6●别名:二乙氧基二甲基硅烷、DMDES●英文名称:Diethoxydimethylsilane●分子式:C6H16O2Si●分子量:148.28(或148.2755)二、理化性质●外观与性状:无色透明液体●熔点:-97°C(或未提及具体熔点)●沸点:113.5°C~114°C●密度:0.865g/mL~0.899g/mL(相对密度:水=1时0.87)●蒸汽压:7~7910Pa(或1.33kPa,13.3°C时)●折射率:n20/D 1.381(lit.)●溶解性:可混溶于多数有机溶剂●稳定性:稳定三、用途●用作化学试剂。

●用作合成高分子有机硅化合物的原料。

●在有机硅产品合成中作为扩链剂。

●作为硅油合成的原料。

●在硅橡胶制备中作为结构控制剂。

●用于改性环氧树脂、纯二氧化硅和Pd/SiO2氢气传感器的表面,以增强传感器的气体感测性能。

●可作为合成超细SiC粉末的前体。

●可作为有机改性的硅酸盐(ORMOSIL)和a-SiOxCyHz薄膜的前体。

四、安全性●危险标记:7(易燃液体),20(腐蚀品)●健康危害:吸入、口服或经皮肤吸收对身体有害。

蒸气或雾对眼、粘膜和上呼吸道有刺激性。

对皮肤有刺激性。

长时间接触可能引起恶心、头晕、头痛和胃肠功能紊乱。

●急性毒性:LD50 2980mg/kg(大鼠经口)五、应急处理●泄漏处理:迅速撤离泄漏污染区人员至安全区,并进行隔离,严格限制出入。

切断火源。

建议应急处理人员戴自给正压式呼吸器,穿消防防护服。

不要直接接触泄漏物。

尽可能切断泄漏源,防止进入下水道、排烘沟等限制性空间。

小量泄漏可用砂土、蛭石或其它不燃材料吸收,或在保证安全情况下就地焚烧。

大量泄漏需构筑围堤或挖坑收容,用泡沫覆盖降低蒸气灾害,再用防爆泵转移至槽车或专用收集器内,回收或运至废物处理场所处置。

双(2,2,6,6,-四甲基-3,5-庚二酮酸)钡-安全技术说明书MSDS

双(2,2,6,6,-四甲基-3,5-庚二酮酸)钡-安全技术说明书MSDS

第一部分化学品及企业标识化学品中文名:双(2,2,6,6,-四甲基-3,5-庚二酮酸)钡化学品英文名:Barium bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate)CAS No.:17594-47-7分子式:C22H38BaO4产品推荐及限制用途:用于制备超导薄胶片。

第二部分危险性概述紧急情况概述吞咽会中毒。

皮肤接触会中毒。

造成皮肤刺激。

造成严重眼刺激。

吸入会中毒。

可引起呼吸道刺激。

GHS危险性类别急性经口毒性类别 3急性经皮肤毒性类别 3皮肤腐蚀 / 刺激类别 2严重眼损伤 / 眼刺激类别 2急性吸入毒性类别 3特异性靶器官毒性一次接触类别 3标签要素:象形图:警示词:警告危险性说明:H301 吞咽会中毒H311 皮肤接触会中毒H315 造成皮肤刺激H319 造成严重眼刺激H331 吸入会中毒H335 可引起呼吸道刺激防范说明●预防措施:—— P264 作业后彻底清洗。

—— P270 使用本产品时不要进食、饮水或吸烟。

—— P280 戴防护手套/穿防护服/戴防护眼罩/戴防护面具。

—— P261 避免吸入粉尘/烟/气体/烟雾/蒸气/喷雾。

—— P271 只能在室外或通风良好处使用。

●事故响应:—— P301+P310 如误吞咽:立即呼叫解毒中心/医生—— P330 漱口。

—— P302+P352 如皮肤沾染:用水充分清洗。

—— P312 如感觉不适,呼叫解毒中心/医生—— P361+P364 立即脱掉所有沾染的衣服,清洗后方可重新使用—— P332+P313 如发生皮肤刺激:求医/就诊。

—— P362+P364 脱掉沾染的衣服,清洗后方可重新使用—— P305+P351+P338 如进入眼睛:用水小心冲洗几分钟。

如戴隐形眼镜并可方便地取出,取出隐形眼镜。

继续冲洗。

—— P337+P313 如仍觉眼刺激:求医/就诊。

—— P304+P340 如误吸入:将人转移到空气新鲜处,保持呼吸舒适体位。

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CY23083.3V Zero Delay BufferFeatures■Zero input-output propagation delay, adjustable by capacitive load on FBK input■Multiple configurations, see “Available CY2308 Configura-tions” on page 3 ■Multiple low skew outputs■Two banks of four outputs, three-stateable by two select inputs■10 MHz to 133 MHz operating range■75 ps typical cycle-to-cycle jitter (15 pF, 66 MHz)■Space saving 16-pin 150 mil SOIC package or 16-pin TSSOP ■3.3V operation■Industrial Temperature availableFunctional DescriptionThe CY2308 is a 3.3V Zero Delay Buffer designed to distribute high speed clocks in PC, workstation, datacom, telecom, and other high performance applications.The part has an on-chip PLL that locks to an input clock presented on the REF pin. The PLL feedback is driven into the FBK pin and obtained from one of the outputs. The input-to-output skew is less than 350 ps and output-to-output skew is less than 200 ps.The CY2308 has two banks of four outputs each that is controlled by the Select inputs as shown in the table “SelectInput Decoding” on page 2”. If all output clocks are not required, Bank B is three-stated. The input clock is directly applied to the output for chip and system testing purposes by the select inputs.The CY2308 PLL enters a power down state when there are no rising edges on the REF input. In this mode, all outputs are three-stated and the PLL is turned off resulting in less than 50μA of current draw. The PLL shuts down in two additional cases as shown in the table “Select Input Decoding” on page 2.Multiple CY2308 devices accept the same input clock and distribute it in a system. In this case, the skew between the outputs of two devices is less than 700 ps.The CY2308 is available in five different configurations as shown in the table “Available CY2308 Configurations” on page 3. The CY2308–1 is the base part where the output frequencies equal the reference if there is no counter in the feedback path. The CY2308–1H is the high drive version of the –1 and rise and fall times on this device are much faster. The CY2308–2 enables the user to obtain 2X and 1X frequencies on each output bank. The exact configuration and output frequencies depend on the output that drives the feedback pin. The CY2308–3 enables the user to obtain 4X and 2X frequencies on the outputs.The CY2308–4 enables the user to obtain 2X clocks on all outputs. Thus, the part is extremely versatile and is used in a variety of applications.The CY2308–5H is a high drive version with REF/2 on both banks.REFCLKA1CLKA2CLKA3CLKA4FBK PLLMUXSelect Input DecodingS2S1CLKB1CLKB2CLKB3CLKB4/2Extra Divider (–2, –3)/2Extra Divider (–3, –4)Extra Divider (–5H)/2Logic Block DiagramCY2308PinoutsFigure 1. Pin Diagram - 16 Pin SOICTable 1. Pin Definitions - 16 Pin SOICPin SignalDescription1REF [1]Input reference frequency, 5V tolerant input2CLKA1[2]Clock output, Bank A 3CLKA2[2]Clock output, Bank A 4V DD 3.3V supply 5GND Ground6CLKB1[2]Clock output, Bank B 7CLKB2[2]Clock output, Bank B 8S2[3]Select input, bit 29S1[3]Select input, bit 110CLKB3[2]Clock output, Bank B 11CLKB4[2]Clock output, Bank B 12GND Ground 13V DD 3.3V supply14CLKA3[2]Clock output, Bank A 15CLKA4[2]Clock output, Bank A 16FBKPLL feedback input916FBK CLKA4CLKA3V DD GND CLKB4CLKB3S112345678101112131415REF CLKA1CLKA2V DD GND CLKB1CLKB2S2Top ViewSelect Input DecodingS2S1CLOCK A1–A4CLOCK B1–B4Output SourcePLL Shutdown00Tri-State Tri-State PLL Y 01Driven Tri-State PLL N 10Driven [4]Driven [4]Reference Y 11DrivenDrivenPLLNNotes1.Weak pull down.2.Weak pull down on all outputs.3.Weak pull ups on these inputs.4.Outputs inverted on 2308–2 and 2308–3 in bypass mode, S2 = 1 and S1 = 0.CY2308 Zero Delay and Skew ControlTo close the feedback loop of the CY2308, the FBK pin is driven from any of the eight available output pins. The output driving the FBK pin drives a total load of 7 pF plus any additional load that it drives. The relative loading of this output to the remaining outputs adjusts the input-output delay. This is shown in the Table2.For applications requiring zero input-output delay, all outputs including the one providing feedback is equally loaded.If input-output delay adjustments are required, use the Zero Delay and Skew Control graph to calculate loading differences between the feedback output and remaining outputs.For zero output-output skew, outputs are loaded equally. For further information on using CY2308, refer to the application note “CY2308: Zero Delay Buffer.”Available CY2308 ConfigurationsDevice Feedback From Bank A Frequency Bank B Frequency CY2308–1Bank A or Bank B Reference ReferenceCY2308–1H Bank A or Bank B Reference ReferenceCY2308–2Bank A Reference Reference/2CY2308–2Bank B 2 X Reference ReferenceCY2308–3Bank A 2 X Reference Reference or Reference[5]CY2308–3Bank B 4 X Reference 2 X ReferenceCY2308–4Bank A or Bank B 2 X Reference 2 X ReferenceCY2308–5H Bank A or Bank B Reference /2Reference /2Table 2. REF. Input to CLKA/CLKB Delay Versus Difference in Loading between FBK pin and CLKA/CLKB Pins Note5.Output phase is indeterminant (0° or 180° from input clock). If phase integrity is required, use the CY2308–2.CY2308 Maximum RatingsSupply Voltage to Ground Potential................–0.5V to +7.0V DC Input Voltage (Except Ref)..............–0.5V to V DD + 0.5V DC Input Voltage REF...........................................–0.5 to 7V Storage Temperature..................................–65°C to +150°C Junction Temperature..................................................150°C Static Discharge Voltage(MIL-STD-883, Method 3015)....................................>2000VOperating Conditions for Commercial Temperature DevicesParameter Description Min Max Unit V DD Supply Voltage 3.0 3.6V T A Operating Temperature (Ambient Temperature)070°C C L Load Capacitance, below 100 MHz–30pFLoad Capacitance, from 100 MHz to 133 MHz–15pF C IN Input Capacitance[6]–7pF t PU Power up time for all V DD s to reach minimum specified voltage(power ramps must be monotonic)0.0550msElectrical Characteristics for Commercial Temperature DevicesParameter Description Test Conditions Min Max Unit V IL Input LOW Voltage–0.8V V IH Input HIGH Voltage 2.0–V I IL Input LOW Current V IN = 0V–50.0μA I IH Input HIGH Current V IN = V DD–100.0μA V OL Output LOW Voltage[7]I OL = 8 mA (–1, –2, –3, –4)I OL = 12 mA (–1H, –5H)–0.4VV OH Output HIGH Voltage[7]I OH = –8 mA (–1, –2, –3, –4)I OH = –12 mA (–1H, –5H)2.4–VI DD (PD mode)Power Down Supply Current REF = 0 MHz–12.0μAI DD Supply Current Unloaded outputs, 100 MHz REF,Select inputs at V DD or GND –45.0mA –70.0(–1H,–5H)mAUnloaded outputs, 66 MHz REF(–1, –2, –3, –4)–32.0mAUnloaded outputs, 33 MHz REF(–1, –2, –3, –4)–18.0mANote6.Applies to both Ref Clock and FBK.7.Parameter is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.CY2308Switching Characteristics for Commercial Temperature Devices[8]Parameter Name Test Conditions Min.Typ.Max.Unitt1Output Frequency30-pF load, All devices10–100MHzt1Output Frequency20-pF load, –1H, –5H devices[9] 10–133.3MHzt1Output Frequency15-pF load, –1, –2, –3, –4 devices10–133.3MHzDuty Cycle[7] = t2÷ t1 (–1, –2, –3, –4, –1H, –5H)Measured at 1.4V, F OUT = 66.66 MHz30-pF load40.050.060.0%Duty Cycle[7] = t2÷ t1 (–1, –2, –3, –4, –1H, –5H)Measured at 1.4V, F OUT <50.0 MHz15-pF load45.050.055.0%t3Rise Time[7](–1, –2, –3, –4)Measured between 0.8V and 2.0V,30-pF load–– 2.20nst3Rise Time[7](–1, –2, –3, –4)Measured between 0.8V and 2.0V,15-pF load–– 1.50nst3Rise Time[7](–1H, –5H)Measured between 0.8V and 2.0V,30-pF load–– 1.50nst4Fall Time[7](–1, –2, –3, –4)Measured between 0.8V and 2.0V,30-pF load–– 2.20nst4Fall Time[7](–1, –2, –3, –4)Measured between 0.8V and 2.0V,15-pF load–– 1.50nst4Fall Time[7](–1H, –5H)Measured between 0.8V and 2.0V,30-pF load–– 1.25nst5Output to Output Skew onsame Bank(–1, –2, –3, –4)[7]All outputs equally loaded––200psOutput to Output Skew(–1H, –5H)All outputs equally loaded––200psOutput Bank A to OutputBank B Skew (–1, –4, –5H)All outputs equally loaded––200psOutput Bank A to OutputBank B Skew (–2, –3)All outputs equally loaded––400pst6Delay, REF Rising Edge toFBK Rising Edge[7]Measured at V DD/2–0±250pst7Device to Device Skew[7]Measured at V DD/2 on the FBK pins ofdevices–0700pst8Output Slew Rate[7]Measured between 0.8V and 2.0V on –1H,–5H device using Test Circuit 21–V/nst J Cycle to Cycle Jitter[7](–1, –1H, –4, –5H)Measured at 66.67 MHz, loaded outputs,15-pF load–75200psMeasured at 66.67 MHz, loaded outputs,30-pF load––200psMeasured at 133.3 MHz, loaded outputs,15-pF load––100pst J Cycle to Cycle Jitter[7](–2, –3)Measured at 66.67 MHz, loaded outputs30-pF load––400psMeasured at 66.67 MHz, loaded outputs15-pF load––400pst LOCK PLL Lock Time[7]Stable power supply, valid clocks presentedon REF and FBK pins–– 1.0msNotes8.All parameters are specified with loaded outputs.9.CY2308–5H has maximum input frequency of 133.33 MHz and maximum output of 66.67 MHz.CY2308Operating Conditions for Industrial Temperature DevicesParameter Description Min Max UnitV DD Supply Voltage 3.0 3.6VT A Operating Temperature (Ambient Temperature)–4085°CC L Load Capacitance, below 100 MHz–30pFLoad Capacitance, from 100 MHz to 133 MHz–15pFC IN Input Capacitance[6]–7pFt PU Power-up time for all V DD s to reach minimum specified voltage(power ramps must be monotonic)0.0550ms Electrical Characteristics for Industrial Temperature DevicesParameter Description Test Conditions Min Max UnitV IL Input LOW Voltage–0.8VV IH Input HIGH Voltage 2.0–VI IL Input LOW Current V IN = 0V–50.0μAI IH Input HIGH Current V IN = V DD–100.0μAV OL Output LOW Voltage[7]I OL = 8 mA (–1, –2, –3, –4)I OL = 12 mA (–1H, –5H)–0.4VV OH Output HIGH Voltage[7]I OH = –8 mA (–1, –2, –3, –4)I OH = –12 mA (–1H, –5H)2.4–VI DD (PD mode)Power Down Supply Current REF = 0 MHz–25.0μAI DD Supply Current Unloaded outputs, 100 MHz,Select inputs at V DD or GND –45.0mA –70(–1H,–5H)mAUnloaded outputs, 66 MHz REF(–1, –2, –3, –4)–35.0mAUnloaded outputs, 66 MHz REF(–1, –2, –3, –4)–20.0mACY2308Switching Characteristics for Industrial Temperature Devices[8]Parameter Name Test Conditions Min Typ Max Unitt1Output Frequency30 pF load, All devices10–100MHzt1Output Frequency20 pF load, –1H, –5H devices[9]10–133.3MHzt1Output Frequency15 pF load, –1, –2, –3, –4 devices10–133.3MHzDuty Cycle[7] = t2÷ t1 (–1, –2, –3, –4, –1H, –5H)Measured at 1.4V, F OUT = 66.66 MHz30 pF load40.050.060.0%Duty Cycle[7] = t2÷ t1 (–1, –2, –3, –4, –1H, –5H)Measured at 1.4V, F OUT <50.0 MHz15 pF load45.050.055.0%t3Rise Time[7](–1, –2, –3, –4)Measured between 0.8V and 2.0V,30 pF load–– 2.50nst3Rise Time[7](–1, –2, –3, –4)Measured between 0.8V and 2.0V,15 pF load–– 1.50nst3Rise Time[7](–1H, –5H)Measured between 0.8V and 2.0V,30 pF load–– 1.50nst4Fall Time[7](–1, –2, –3, –4)Measured between 0.8V and 2.0V,30 pF load–– 2.50nst4Fall Time[7](–1, –2, –3, –4)Measured between 0.8V and 2.0V,15 pF load–– 1.50nst4Fall Time[7](–1H, –5H)Measured between 0.8V and 2.0V,30 pF load–– 1.25nst5Output to Output Skew onsame Bank (–1, –2, –3, –4)[7]All outputs equally loaded––200psOutput to Output Skew(–1H, –5H)All outputs equally loaded––200psOutput Bank A to OutputBank B Skew (–1, –4, –5H)All outputs equally loaded––200psOutput Bank A to OutputBank B Skew (–2, –3)All outputs equally loaded––400pst6Delay, REF Rising Edge toFBK Rising Edge[7]Measured at V DD/2–0±250pst7Device to Device Skew[7]Measured at V DD/2 on the FBK pins ofdevices–0700pst8Output Slew Rate[7]Measured between 0.8V and 2.0V on –1H,–5H device using Test Circuit 21––V/nst J Cycle to Cycle Jitter[7](–1, –1H, –4, –5H)Measured at 66.67 MHz, loaded outputs,15 pF load–75200psMeasured at 66.67 MHz, loaded outputs,30 pF load––200psMeasured at 133.3 MHz, loaded outputs,15 pF load––100pst J Cycle to Cycle Jitter[7](–2, –3)Measured at 66.67 MHz, loaded outputs30 pF load––400psMeasured at 66.67 MHz, loaded outputs15 pF load––400pst LOCK PLL Lock Time[7]Stable power supply, valid clockspresented on REF and FBK pins–– 1.0msCY2308Switching Waveformst 1t 21.4V1.4V1.4VFigure 2. Duty Cycle TimingOUTPUTt 33.3V 0V0.8V 2.0V 2.0V 0.8Vt 4Figure 3. All Outputs Rise/Fall Time1.4Vt 5OUTPUTOUTPUT1.4VFigure 4. Output-Output SkewV DD /2t 6INPUTFBKV DD /2Figure 5. Input-Output Propagation DelayV DD /2V DD /2t 7FBK, Device 1FBK, Device 2Figure 6. Device-Device SkewCY2308Typical Duty Cycle [10] and I DD Trends [11] for CY2308–1,2,3,4Notes10.Duty Cycle is taken from typical chip measured at 1.4V.11.I DD data is calculated from I DD = I CORE + nCVf, where I CORE is the unloaded current.(n = number of outputs; C = Capacitance load per output (F); V = Voltage Supply (V); f = frequency (Hz).CY2308 Typical Duty Cycle[10] and I DD Trends[11] for CY2308–1H, 5HCY2308 Test Circuits0.1μF V DD0.1μF VDDCLK OUTCLOADOutputsGNDGNDTest Circuit 1VDD0.1μFVDDCLK out10pFOutputsGNDGND1 KΩ1 KΩ0.1μFTest Circuit for t8, Output slew rate on –1H, –5 deviceTest Circuit for all parameters except t8Test Circuit 2CY2308Ordering InformationOrdering Code Package Type Operating RangeCY2308SC–116-pin 150 mil SOIC CommercialCY2308SC–1T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel CommercialCY2308SI–116-pin 150 mil SOIC IndustrialCY2308SI–1T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel IndustrialCY2308SC–1H16-pin 150 mil SOIC CommercialCY2308SC–1HT16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel CommercialCY2308SI–1H16-pin 150 mil SOIC IndustrialCY2308SI–1HT16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel IndustrialCY2308ZC–1H16-pin 150 mil TSSOP CommercialCY2308ZC–1HT16-pin 150 mil TSSOP - Tape and Reel CommercialCY2308ZI–1H16-pin 150 mil TSSOP IndustrialCY2308ZI–1HT16-pin 150 mil TSSOP - Tape and Reel IndustrialCY2308SC–216-pin 150 mil SOIC CommercialCY2308SC–2T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel CommercialCY2308SI–216-pin 150 mil SOIC IndustrialCY2308SI–2T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel IndustrialCY2308SC–316-pin 150 mil SOIC CommercialCY2308SC–3T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel CommercialCY2308SC–416-pin 150 mil SOIC CommercialCY2308SC–4T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel CommercialCY2308SI–416-pin 150 mil SOIC IndustrialCY2308SI–4T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel IndustrialCY2308SC–5HT16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel CommercialPb-FreeCY2308SXC–116-pin 150 mil SOIC CommercialCY2308SXC–1T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel CommercialCY2308SXI–116-pin 150 mil SOIC IndustrialCY2308SXI–1T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel IndustrialCY2308SXC–1H16-pin 150 mil SOIC CommercialCY2308SXC–1HT16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel CommercialCY2308SXI–1H16-pin 150 mil SOIC IndustrialCY2308SXI–1HT16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel IndustrialCY2308ZXC–1H16-pin 150 mil TSSOP CommercialCY2308ZXC–1HT16-pin 150 mil TSSOP - Tape and Reel CommercialCY2308ZXI–1H16-pin 150 mil TSSOP IndustrialCY2308ZXI–1HT16-pin 150 mil TSSOP - Tape and Reel IndustrialCY2308SXC–216-pin 150 mil SOIC CommercialCY2308SXC–2T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel CommercialCY2308SXI–216-pin 150 mil SOIC IndustrialCY2308SXI–2T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel IndustrialCY2308SXC–316-pin 150 mil SOIC CommercialCY2308SXC–3T16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel CommercialCY2308CY2308SXI–316-pin 150 mil SOICIndustrial CY2308SXI–3T 16-pin 150 mil SOIC -Tape and Reel Industrial CY2308SXC–416-pin 150 mil SOICCommercial CY2308SXC–4T 16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel Commercial CY2308SXI–416-pin 150 mil SOICIndustrial CY2308SXI–4T 16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel Industrial CY2308SXC–5H 16-pin 150 mil SOICCommercial CY2308SXC–5HT 16-pin 150 mil SOIC - Tape and Reel Commercial CY2308SXI–5H 16-pin 150 mil SOICIndustrial CY2308SXI–5HT16-pin 150 mil SOIC - Tape and ReelIndustrialOrdering Information (continued)Ordering CodePackage TypeOperating RangeCY2308 Package Drawings and DimensionsDocument Number: 38-07146 Rev. *E Revised August 03, 2007Page 15 of 15PSoC Designer™, Programmable System-on-Chip™, and PSoC Express™ are trademarks and PSoC® is a registered trademark of Cypress Semiconductor Corp. All other trademarks or registeredCY2308© Cypress Semiconductor Corporation, 2007. The information contained herein is subject to change without notice. Cypress Semiconductor Corporation assumes no responsibility for the use of any circuitry other than circuitry embodied in a Cypress product. Nor does it convey or imply any license under patent or other rights. Cypress products are not warranted nor intended to be used for medical,life support, life saving, critical control or safety applications, unless pursuant to an express written agreement with Cypress. Furthermore, Cypress does not authorize its products for use as critical components in life-support systems where a malfunction or failure may reasonably be expected to result in significant injury to the user. The inclusion of Cypress products in life-support systems application implies that the manufacturer assumes all risk of such use and in doing so indemnifies Cypress against all charges.Any Source Code (software and/or firmware) is owned by Cypress Semiconductor Corporation (Cypress) and is protected by and subject to worldwide patent protection (United States and foreign),United States copyright laws and international treaty provisions. Cypress hereby grants to licensee a personal, non-exclusive, non-transferable license to copy, use, modify, create derivative works of,and compile the Cypress Source Code and derivative works for the sole purpose of creating custom software and or firmware in support of licensee product to be used only in conjunction with a Cypress integrated circuit as specified in the applicable agreement. Any reproduction, modification, translation, compilation, or representation of this Source Code except as specified above is prohibited without the express written permission of Cypress.Disclaimer: CYPRESS MAKES NO WARRANTY OF ANY KIND, EXPRESS OR IMPLIED, WITH REGARD TO THIS MATERIAL, INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, THE IMPLIED WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE. Cypress reserves the right to make changes without further notice to the materials described herein. Cypress does not assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit described herein. Cypress does not authorize its products for use as critical components in life-support systems where a malfunction or failure may reasonably be expected to result in significant injury to the user. The inclusion of Cypress’ product in a life-support systems application implies that the manufacturer assumes all risk of such use and in doing so indemnifies Cypress against all charges. Use may be limited by and subject to the applicable Cypress software license agreement.Document History PageDocument Title: CY2308 3.3V Zero Delay Buffer Document Number: 38-07146REV.ECN NO.Issue Date Orig. of Change Description of Change**11025512/17/01SZV Changed from Specification number: 38-00528 to 38-07146*A 11872210/31/02RGL Added Note 1 in page 2.*B 12183212/14/02RBI Power up requirements added to Operating Conditions Information *C 235854See ECN RGL Added Pb-Free Devices*D 310594See ECN RGLRemoved obsolete parts in the ordering information table Specified typical value for cycle-to-cycle jitter*E1344343See ECNKVM/VED Brought the Ordering Information Table up to date: removed three obsolete partsand added two partsChanged titles to tables that are specific to commercial and industrial temperature ranges。

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