CsPbBr3蓝光纳米片超晶格的制备及性能研究
不同溶剂中CsPbBr3钙钛矿纳米晶的制备及性能
第41卷㊀第11期2020年11月发㊀光㊀学㊀报CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCEVol 41No 11Nov.ꎬ2020文章编号:1000 ̄7032(2020)11 ̄1376 ̄07不同溶剂中CsPbBr3钙钛矿纳米晶的制备及性能方㊀骏ꎬ陈泽廷ꎬ沈江荣ꎬ林鹏程∗(广东工业大学材料与能源学院广东省功能软凝聚态物质重点实验室ꎬ广东广州㊀510006)摘要:全无机钙钛矿纳米晶由于具有高量子产率㊁窄线宽和可见光全波段发光特性ꎬ在功能光学材料和光学器件等领域具有广阔的应用前景ꎮ本文在室温下通过液相沉淀法制备CsPbBr3钙钛矿纳米晶ꎬ研究了溶剂密度㊁极性和粘度对钙钛矿纳米晶的反应过程㊁晶体结构㊁微观形貌和光学性能的影响ꎮ结果表明ꎬ通过改变反应溶剂的密度可以实现CsPbBr3钙钛矿纳米晶在反应器上部㊁下部以及整个液相中的生长ꎮ溶剂的极性越大ꎬ制备的CsPbBr3钙钛矿纳米晶的结晶度越低㊁发光强度和稳定性越低ꎮ过高的溶剂粘度不利于高质量CsPbBr3钙钛矿纳米晶的制备ꎮ本文提出的多种溶剂下快速制备CsPbBr3纳米晶的方法有望进一步促进其在太阳能电池㊁激光器㊁光探测器以及发光二极管等领域的应用ꎮ关㊀键㊀词:CsPbBr3ꎻ液相沉淀法ꎻ溶剂ꎻ钙钛矿中图分类号:O482.31㊀㊀㊀文献标识码:A㊀㊀㊀DOI:10.37188/CJL.20200187PropertyofCsPbBr3PerovskiteNanocrystalsPreparedinDifferentSolventsFANGJunꎬCHENZe ̄tingꎬSHENJiang ̄rongꎬLINPeng ̄cheng∗(GuangdongProvincialKeyLaboratoryonFunctionalSoftCondensedMatterꎬMaterialsandEnergySchoolꎬGuangdongUniversityofTechnologyꎬGuangzhou510006ꎬChina)∗CorrespondingAuthorꎬE ̄mail:pclin@gdut.edu.cnAbstract:Allinorganicperovskitenanocrystalshavebroadapplicationprospectsinfunctionalopti ̄calmaterialsandopticaldevicesduetotheirhighquantumyieldꎬnarrowlinewidthandfullbandvisiblelightemissioncharacteristics.Theeffectofsolventdensityꎬpolarityandviscosityonthereac ̄tionprocessꎬcrystalstructureꎬmicrostructureandopticalpropertiesofCsPbBr3perovskitenanocrys ̄talswasstudiedinthiswork.TheresultsshowthatthegrowthofCsPbBr3perovskitenanocrystalsintheupperꎬlowerandwholeliquidphaseofthereactorcanberealizedbychangingthedensityofthereactionsolvent.Thehigherthepolarityofthesolventꎬthelowerthecrystallinityꎬthelowerthelu ̄minescenceintensityandstability.HighsolventviscosityisnotconducivetothepreparationofhighqualityCsPbBr3perovskitenanocrystals.Themethodproposedinthispaperisexpectedtofurtherimproveitsapplicationinsolarcellsꎬlasersꎬphotodetectorsandlight ̄emittingdiodes.Keywords:CsPbBr3ꎻliquid ̄phaseprecipitationꎻsolventꎻperovskite㊀㊀收稿日期:2020 ̄07 ̄02ꎻ修订日期:2020 ̄07 ̄29㊀㊀基金项目:国家自然科学基金(61805047)ꎻ广州市科创委对外科技合作项目(201807010108)ꎻ广东省自然科学基金(2019A1515011379)资助项目㊀SupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChina(61805047)ꎻGuangzhouScienceTechnologyandInnovationCommission(201807010108)ꎻNaturalScienceFoundationofGuangdongProvince(2019A1515011379)㊀第11期方㊀骏ꎬ等:不同溶剂中CsPbBr3钙钛矿纳米晶的制备及性能1377㊀1㊀引㊀㊀言量子点ꎬ又称半导体纳米晶ꎬ是一种粒径小且具有明显量子限域效应的半导体纳米材料ꎮ与传统的多色荧光粉相比ꎬ半导体纳米晶具有荧光光谱半峰宽窄㊁发射光谱宽㊁成本低等诸多优势ꎬ是一种极具吸引力的新型发光材料[1]ꎮ然而ꎬ传统的Ⅱ ̄Ⅳ族半导体纳米晶的缺点在于:(1)材料制备的重复性差ꎬ尺寸分布不一ꎬ严重限制其发光特性ꎻ(2)材料尺寸小ꎬ纳米材料比表面积过大ꎬ从而产生了大量表面缺陷ꎬ影响了荧光量子产率ꎮ因此ꎬ迫切需要开发出新型半导体纳米晶材料[2 ̄3]ꎮ近几年来ꎬ由于全无机CsPbX3(X=ClꎬBrꎬI)钙钛矿纳米晶具有高量子产率㊁窄线宽和可见光全波段发光等优异的光电性能ꎬ因而受到了研究者们的极大关注[4 ̄6]ꎮCsPbX3纳米晶已经在太阳能电池[7 ̄10]㊁激光器[11 ̄13]㊁光探测器[14 ̄17]以及发光二极管[18 ̄21]等光电领域具有十分广泛的应用ꎮ全无机钙钛矿纳米晶通常采用高温热注射法制备[22 ̄27]ꎮ然而ꎬ这种制备方法需要高温㊁惰性气体以及局部注射ꎬ严重阻碍了其大规模应用ꎮ近年来ꎬ陆续报道了其他制备方法来避免在高温下合成全无机钙钛矿纳米晶ꎮ2016年ꎬLi等[28]首先提出室温下采用过饱和结晶法制备全无机钙钛矿纳米晶ꎮ在典型的CsPbBr3合成中ꎬ将PbBr2和CsBr溶于二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜中作为前驱体溶液ꎬ再加入油酸和油铵作为表面配体稳定前躯体溶液ꎬ随后在剧烈搅拌下将前驱体溶液快速加入甲苯中ꎬ几秒后便能制备得到高性能的全无机钙钛矿纳米晶ꎮ2019年ꎬWei等[29]提出了在微流控芯片中制备全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶ꎬ该反应过程在室温㊁流动状态下实现ꎮ2020年ꎬLin等[30]进一步研究了室温下在微流控芯片中制备掺杂型的全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶ꎮ采用上述这些合成方法在室温下不需要惰性气体保护也可以快速合成高性能的全无机钙钛矿纳米晶ꎮ本文在室温下通过液相沉淀法制备CsPbBr3钙钛矿纳米晶ꎬ考察了溶剂密度㊁极性和粘度对钙钛矿纳米晶的反应过程㊁晶体结构㊁微观形貌和光学性能的影响ꎮ本文提出的多种溶剂中快速制备CsPbBr3钙钛矿纳米晶的方法有望进一步拓展其在太阳能电池㊁激光器㊁光探测器以及发光二极管等光电领域的应用ꎮ2㊀实㊀㊀验2.1㊀材料溴化铅(PbBr2)㊁溴化铯(CsBr)㊁二甲基甲酰胺(DMF)㊁油酸㊁油铵㊁甲苯㊁二氯甲烷㊁异丙醇㊁四氢呋喃㊁乙醇㊁油酸山梨醇酯均购自阿拉丁试剂公司ꎬ均为分析纯ꎬ所有试剂无需进一步纯化即可直接使用ꎮ2.2㊀材料的合成如图1所示ꎬ本文采用室温下的液相沉淀法制备钙钛矿CsPbBr3纳米晶ꎮ首先在超声辅助下将CsBr和PbBr2溶解于二甲基甲酰胺中ꎬ得到无色透明的离子溶液ꎮ然后在剧烈搅拌的条件下ꎬ将一定体积的上述离子溶液迅速加入到甲苯㊁二氯甲烷㊁异丙醇㊁四氢呋喃㊁乙醇和油酸山梨醇酯等不良溶剂中ꎮ由于Cs+㊁Pb2+和Br-在这些不良溶剂中难以有效溶解ꎬ这些离子将同步析出ꎬ形成钙钛矿CsPbBr3纳米晶ꎮ反应方程式如下:Cs++Pb2++3Br-ңCsPbBr3ˌ.(1)㊀㊀在每一种不良溶剂的反应体系中ꎬ不良溶剂的体积固定为10mLꎬ含有Cs+㊁Pb2+和Br-的离子溶液的体积分别是0.1ꎬ0.3ꎬ0.5mLꎬ其体积比为100ꎬ33.3ꎬ20ꎮ这样的高比例不良溶剂可以实现前驱体离子的充分析出和结晶ꎬ促进CsPbBr3纳米晶的生成ꎮ液相结晶CsBr+PbBr2+油酸+油胺/DMF不良溶剂CsPbBr3纳米晶图1㊀合成CsPbBr3钙钛矿纳米晶流程示意图Fig.1㊀SchematicdiagramofthesynthesisprocessofCsPb ̄Br3perovskitenanocrystals2.3㊀测试和表征使用数码相机(Canonꎬ6D)拍摄小瓶中CsPb ̄Br3纳米晶的数字图像ꎮ通过粉末衍射仪(Empy ̄reanꎬPANalytical)ꎬ使用未过滤的CuKα辐射(λ=0.15406nm)在45kV和40mA下获得CsPbBr3纳米晶的X射线衍射(XRD)数据ꎮ通过拍摄透1378㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第41卷射电子显微镜(TEM)图像ꎬ可以在JEOLJEM ̄2100TEM上观察200kV加速电压下CsPbBr3纳米晶的微观结构ꎮ使用UV ̄Vis ̄NIR光谱仪(LengguangꎬUV ̄9000)测试吸收光谱ꎮ使用荧光光谱仪(HORIBAScientificꎬJobinYvon)记录CsPbBr3纳米晶的荧光光谱ꎮ通过荧光显微镜(Mingmeiꎬ4X)获得CsPbBr3量子点的荧光图像ꎮ整个研究过程中的温度由Linkam加热和冷却阶段控制ꎬ速率为1ħ min-1ꎮ3㊀结果与讨论图2所示为不同溶剂中采用液相沉淀法制备得到的产物ꎬ日光下呈现淡黄色或者深黄色ꎬ在紫外光辐照下基本都呈现绿色ꎮ从图中可看出ꎬCsPbBr3纳米晶在液相中的反应位置是不尽相同的ꎮ在甲苯㊁四氢呋喃和油酸山梨醇酯中ꎬ产物的荧光呈现在整个反应体系中ꎬ这是由于甲苯的密度与产物配体的密度接近ꎮ在二氯甲烷中ꎬ产物的荧光呈现在反应体系的上部分ꎬ这是由于二氯甲烷的密度比产物配体的密度大ꎮ在异丙醇和乙醇中ꎬ产物的荧光呈现在反应体系的下部分ꎬ这是由于异丙醇和乙醇的密度比产物配体的密度小ꎮ此外ꎬ随着离子溶液体积的增加ꎬ产物的荧光强度也随之增强ꎬ这是由生成的CsPbBr3纳米晶的质量增加导致的ꎮ由于甲苯㊁二氯甲烷㊁异丙醇㊁四氢呋喃㊁乙醇和油酸山梨醇酯等不良溶剂的极性和粘度各不相同ꎬCsPbBr3纳米晶的生长过程是有差异的[31 ̄33]ꎮ由于Cs+㊁Pb2+和Br-等前驱体离子在甲苯㊁二氯甲烷㊁异丙醇㊁四氢呋喃和乙醇中的溶解性是依次增强的ꎬ导致前驱体离子的析出程度逐渐减小ꎬ得到的CsPbBr3纳米晶也逐渐减少ꎮ需要特别指出的是ꎬ虽然Cs+㊁Pb2+和Br-等前驱体离子在油酸山梨醇酯中的溶解性很低ꎬ有利于离子的析出和纳米晶的生成ꎬ但是其粘度太大ꎬ导致离子析出后的碰撞和结合受阻ꎬ同样不利于纳米晶的生成ꎮ图2㊀不同溶剂中制备CsPbBr3纳米晶的荧光图片和日光下图片(激发波长365nm)ꎬ样品分别在甲苯(a)㊁二氯甲烷(b)㊁异丙醇(c)㊁四氢呋喃(d)㊁乙醇(e)和油酸山梨醇酯(f)中制备ꎮ每一组的3个样品瓶中ꎬ前驱体离子溶液的体积从左到右分别是0.1ꎬ0.3ꎬ0.5mLꎮFig.2㊀FluorescencepicturesandsunlightpicturesofCsPbBr3nanocrystalspreparedindifferentsolvents(excitationwavelength365nm).Thesampleswerepreparedintoluene(a)ꎬmethylenechloride(b)ꎬisopropanol(c)ꎬtetrahydrofuran(d)ꎬethanol(e)ꎬandsorbitololeate(f)ꎬrespectively.Ineachgroupofthreesamplebottlesꎬthevolumeofprecursorionso ̄lutionis0.1ꎬ0.3ꎬ0.5mLrespectively.图3是在甲苯㊁二氯甲烷㊁异丙醇㊁四氢呋喃㊁乙醇和油酸山梨醇酯等不良溶剂中制备的CsPb ̄Br3纳米晶的X射线衍射图谱ꎮ从图中可以看出ꎬ在不良溶剂甲苯和二氯甲烷中结晶析出的纳米晶具有很强的衍射峰ꎬ与标准X射线衍射图谱是匹配的ꎮ在异丙醇和四氢呋喃中结晶析出的纳米晶的衍射峰显著减弱ꎮ在乙醇和油酸山梨醇酯中结晶析出的纳米晶的衍射峰基本消失ꎮ说明钙钛矿CsPbBr3制备过程中反应溶剂对纳米晶的晶体结构具有重要影响ꎬ强极性溶剂和高粘度溶剂会抑制纳米晶的形成过程ꎮ图4是在甲苯㊁二氯甲烷㊁异丙醇㊁四氢呋喃㊁乙醇和油酸山梨醇酯等不良溶剂中制备的CsPb ̄Br3纳米晶的透射电镜图ꎮ从图中可以看出ꎬ在㊀第11期方㊀骏ꎬ等:不同溶剂中CsPbBr3钙钛矿纳米晶的制备及性能1379㊀20602θ/(°)I n t e n s i t y /a .u .(a )304050ⅠⅡⅢⅣⅤⅥ15.0°21.3°21.3°21.3°15.0°15.0°30.6°30.6°30.6°37.7°37.7°37.7°43.8°43.8°43.8°20602θ/(°)I n t e n s i t y /a .u .(b )30405015.1°26.5°21.5°34.3°30.6°37.7°43.9°46.7°49.3°54.5°59.2°801006040200图3㊀(a)不同溶剂中制备CsPbBr3的X射线衍射图谱ꎬ样品分别在甲苯(Ⅰ)㊁二氯甲烷(Ⅱ)㊁异丙醇(Ⅲ)㊁四氢呋喃(Ⅳ)㊁乙醇(Ⅴ)和油酸山梨醇酯(Ⅵ)中制备(前驱体离子溶液的体积均为0.1mL)ꎻ(b)CsPbBr3的标准X射线衍射图谱(PDFNo.54 ̄0752)ꎮFig.3㊀(a)X ̄raydiffractionpatternsofCsPbBr3preparedindifferentsolvents.Thesampleswerepreparedintoluene(Ⅰ)ꎬmethylenechloride(Ⅱ)ꎬisopropanol(Ⅲ)ꎬtetrahydrofuran(Ⅳ)ꎬethanol(Ⅴ)andsorbitololeate(Ⅵ)(thevolumeofprecursorionsolutionis0.1mL).(b)StandardX ̄raydiffractionpatternsofCsPbBr3(PDFNo.54 ̄0752).(a )(d )(e )(b )(c )(f )图4㊀不同溶剂中制备CsPbBr3的透射电镜照片ꎬ样品分别在甲苯(a)㊁二氯甲烷(b)㊁异丙醇(c)㊁四氢呋喃(d)㊁乙醇(e)和油酸山梨醇酯(f)中制备(前驱体离子溶液的体积均为0.1mL)ꎬ标尺10nmꎮFig.4㊀TransmissionelectronmicrographsofCsPbBr3preparedindifferentsolvents.Thesampleswerepreparedintoluene(a)ꎬdichloromethane(b)ꎬisopropanol(c)ꎬtetrahydrofuran(d)ꎬethanol(e)ꎬandsorbitololeate(f)(thevolumeofthepre ̄cursorionsolutionis0.1mL).Thescaleis10nm.甲苯中结晶析出的纳米晶具有清晰的晶粒结构ꎬ随着反应溶剂极性的增强ꎬ晶粒发生团聚ꎬ尺寸增大ꎮ图5是在甲苯㊁二氯甲烷㊁异丙醇㊁四氢呋喃㊁乙醇和油酸山梨醇酯等不良溶剂中制备的产物的吸收光谱ꎮ从图中可以看出ꎬ在甲苯㊁二氯甲烷和异丙醇中反应得到的CsPbBr3纳米晶在509nm附近存在特征吸收[34 ̄35]ꎮ在四氢呋喃㊁乙醇和油酸山梨醇酯等溶剂中制备的CsPbBr3纳米晶在该区域不存在明显的光吸收ꎮ图6是在甲苯㊁二氯甲烷㊁异丙醇㊁四氢呋喃㊁乙醇和油酸山梨醇酯等不良溶剂中制备的CsPb ̄Br3纳米晶的荧光发射光谱ꎮ从图中可以看出ꎬ在甲苯㊁二氯甲烷和异丙醇中反应得到的CsPb ̄Br3纳米晶在537nm处存在特征的荧光发射峰ꎬ在四氢呋喃和乙醇中反应得到的CsPbBr3纳米晶分别在532nm和530nm处存在特征的荧光发射峰ꎮ在油酸山梨醇酯中制备的CsPbBr3纳米晶在可见光区基本不存在荧光发射ꎮ荧光发射波长发生的蓝移现象可能是由于不同反应溶剂中制备的纳米晶的晶格结构发生变化引起的[36]ꎮ此外ꎬ纳米晶的相对荧光强度随着反应溶剂极性的增强逐渐减弱ꎮ为了比较在不同溶剂下制备的钙钛矿CsPb ̄Br3纳米晶的稳定性ꎬ选取了在甲苯㊁异丙醇和乙醇中制备的CsPbBr3纳米晶作为研究样本ꎮ将3个样品置于120ħ的密闭空间中ꎬ每隔一段时间记录它们的荧光图片ꎮ如图7㊁图8所示ꎬ在初始1380㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第41卷500900姿/nmA b s o r b a n c e /a .u .600700800(a )(b )(c )(d )(e )(f )图5㊀不同溶剂中制备CsPbBr3的可见吸收光谱ꎬ样品分别在甲苯(a)㊁二氯甲烷(b)㊁异丙醇(c)㊁四氢呋喃(d)㊁乙醇(e)和油酸山梨醇酯(f)中制备(前驱体离子溶液的体积均为0.1mL)ꎮFig.5㊀VisibleabsorptionspectraofCsPbBr3preparedindif ̄ferentsolvents.Thesampleswerepreparedintoluene(a)ꎬmethylenechloride(b)ꎬisopropanol(c)ꎬtet ̄rahydrofuran(d)ꎬethanol(e)andsorbitololeate(f)(thevolumeofprecursorionsolutionis0.1mL).450800姿/nmP L i n t e n s i t y /a .u .550650700(a )(b )(c )(d )(e )(f )500600750图6㊀不同溶剂中制备CsPbBr3的荧光光谱ꎬ样品分别在甲苯(a)㊁二氯甲烷(b)㊁异丙醇(c)㊁四氢呋喃(d)㊁乙醇(e)和油酸山梨醇酯(f)中制备(前驱体离子溶液的体积均为0.1mL)ꎮFig.6㊀FluorescencespectraofCsPbBr3preparedindifferentsolvents.Thesampleswerepreparedintoluene(a)ꎬdichloromethane(b)ꎬisopropanol(c)ꎬtetrahydrofu ̄ran(d)ꎬethanol(e)andsorbitololeate(f)(thevol ̄umeofprecursorionsolutionis0.1mL).状态下ꎬ甲苯㊁异丙醇和乙醇中制备的CsPbBr3纳米晶的发光强度依次减弱ꎮ随着时间的推移ꎬ在甲苯和异丙醇中制备的CsPbBr3纳米晶的发光强度降低得很缓慢ꎬ在乙醇中制备的CsPbBr3纳米晶的发光强度降低得很快ꎬCsPbBr3纳米晶发光强度的降低主要取决于高温引起的晶体结构的变化ꎮ上述现象说明ꎬ在甲苯㊁异丙醇和乙醇中制备的CsPb ̄Br3纳米晶的发光稳定性依次减弱ꎮ(a )(b )(c )0min 10min20min30min40min50min图7㊀CsPbBr3纳米晶在120ħ下的荧光图像随时间的变化ꎬ样品分别在甲苯(a)㊁异丙醇(b)和乙醇(c)中制备(前驱体离子溶液的体积均为0.1mL)ꎬ标尺100μmꎮFig.7㊀FluorescenceimageofCsPbBr3nanocrystalsat120ħwithtime.Thesampleswerepreparedintoluene(a)ꎬisopropanol(b)andethanol(c)(thevolumeoftheprecursorionsolutionis0.1mL)respectively.Thescaleis100μm.0.8050t /minN o r m a l i z e d i n t e n s i t y102030401.00.60.40.20甲苯异丙醇乙醇图8㊀CsPbBr3纳米晶在120ħ下的荧光强度随时间的变化(前驱体离子溶液的体积均为0.1mL)Fig.8㊀FluorescenceintensityofCsPbBr3nanocrystalsat120ħ(thevolumeoftheprecursorionsolutionis0.1mL)4㊀结㊀㊀论本文在室温下通过液相沉淀法制备了CsPb ̄Br3钙钛矿纳米晶ꎬ考察了溶剂密度㊁极性和粘度对钙钛矿纳米晶的反应过程㊁晶体结构㊁微观形貌和光学性能的影响ꎮ结果表明ꎬ通过改变反应溶剂的密度可以实现CsPbBr3钙钛矿纳米晶在反应器上部㊁下部以及整个液相中的生长ꎮ溶剂的极性越大ꎬ制备的CsPbBr3钙钛矿纳米晶的结晶度越低㊁发光强度和稳定性越低ꎮ过高的溶剂粘度不利于高质量CsPbBr3钙钛矿纳米晶的制备ꎮ本文提出的多种溶剂下快速制备CsPbBr3钙钛矿纳米晶的方法有望进一步拓展其在太阳能电池㊁激光器㊁光探测器以及发光二极管等领域的应用ꎮ㊀第11期方㊀骏ꎬ等:不同溶剂中CsPbBr3钙钛矿纳米晶的制备及性能1381㊀参㊀考㊀文㊀献:[1]高小钦ꎬ卓宁泽ꎬ王海波ꎬ等.半导体量子点在白光LED器件上的应用研究[J].物理学报ꎬ2015ꎬ64(13):137801 ̄1 ̄6.GAOXQꎬZHUONZꎬWANGHBꎬetal..Applicationofsemiconductorquantumdotsnowhite ̄light 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室温合成具有超纯绿光发射的准二维CsPbBr3钙钛矿纳米片
第 44 卷第 3 期2023年 3 月Vol.44 No.3Mar., 2023发光学报CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE室温合成具有超纯绿光发射的准二维CsPbBr3钙钛矿纳米片沈亚龙1,2*,韩博宁2,靳梓诺1,胡殷茜1,曾海波2*(1. 宿迁学院材料工程系,江苏宿迁 223800;2. 南京理工大学材料科学与工程学院,江苏南京 210094)摘要:通过配体辅助溶液相法,在室温下成功合成出一种具有超纯绿光发射的准二维CsPbBr3钙钛矿纳米片。
该制备方法可以实现低成本、高质量CsPbBr3纳米片的合成。
实验结果表明,合成出的CsPbBr3纳米片荧光发射峰位于526 nm,发射峰半高宽(FWHM)能够达到16 nm,纳米片的荧光量子效率(PLQY)高达87%。
将CsPbBr3纳米片应用于背光显示,实现了(0.145, 0.793)的绿光坐标,该色坐标覆盖近91% 的Rec.2020绿光色域,色域范围优于目前报道的绿色荧光粉材料。
此外,基于上述CsPbBr3荧光纳米片,我们还成功构筑出一种白光LED器件,并测得该器件在20 mA驱动电流下的发光效率为39 lm/W。
关键词:CsPbBr3钙钛矿;纳米片;超纯绿光;白光LED中图分类号:O482.31 文献标识码:A DOI: 10.37188/CJL.20220219Room-temperature Synthesis of Quasi-2D CsPbBr3Nanoplatelets withUltrapure Green Light EmissionsSHEN Yalong1,2*, HAN Boning2, JIN Zinuo1, HU Yinqian1, ZENG Haibo2*(1. Department of Materials Science and Engineering, Suqian University, Suqian 223800, China;2. College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China)* Corresponding Authors, E-mail: shenyalong@; zeng.haibo@ Abstract:A facile ligand-assisted solution process was proposed to synthesize quasi-2D CsPbBr3 perovskite nano⁃platelets (NPs) with ultrapure green photoluminescence (PL) at room temperature. The as-synthesized CsPbBr3 NPs exhibit an ideal emission peak at 526 nm with a narrow FWHM of 16 nm and a high photoluminescence quantum yield (PLQY) of 87%. As a green downconverter, the CsPbBr3 NP shows a CIE coordinate at (0.145, 0.793) and covers 91% of the Rec. 2020 standard in the CIE 1931 color space, which was much better than that of all the pres⁃ent green phosphors.Moreover,a WLED was successfully fabricated based on these ultrapure green light-emitting CsPbBr3 NPs, which exhibits a luminous efficiency 39 lm/W with a CIE (0.33, 0.29) under a 20 mA driving current. Key words:CsPbBr3 perovskite; nanoplatelets; ultrapure green photoluminescence; WLED1 引 言卤素钙钛矿纳米晶材料具有荧光量子产率(PLQY)高、载流子迁移率大、色纯度高以及色域度广等特点,是制备新一代低成本、高性能照明和显示器件的理想材料[1-5]。
CsPbBr_(3)Si_(3)N_(4)复合材料制备及发光性能
第42卷㊀第6期2021年6月发㊀光㊀学㊀报CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCEVol.42No.6June,2021文章编号:1000-7032(2021)06-0829-09㊀㊀收稿日期:2021-03-11;修订日期:2021-03-24㊀㊀基金项目:国家自然科学基金(51962005);江西省自然科学基金(20192BAB206010);江西省井冈市青年学者奖励计划([2018]82)资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China (51962005);Natural Science Foundation of Jiangxi Province (20192BAB206010);Award Program of Youth Jinggang Scholars program in Jiangxi Province([2018]82)CsPbBr 3/Si 3N 4复合材料制备及发光性能徐范范1,2,3,聂文东1,2,3,尧利钦1,2,3,何盛安1,2,3,陈㊀广1,2,3,叶信宇1,2,3,4∗(1.江西理工大学材料化学冶金学部,江西赣州㊀341000;㊀2.江西理工大学稀土学院,江西赣州㊀341000;3.国家离子型稀土资源高效开发利用工程技术研究中心,江西赣州㊀341000;4.江西省稀土发光材料与器件重点实验室,江西赣州㊀341000)摘要:近年来,钙钛矿量子点CsPb X 3(X =Cl,Br,I)稳定性较差的问题引起了广泛关注㊂本文在室温下合成了稳定的CsPbBr 3/Si 3N 4绿色荧光粉并将其应用于白光发光二极管(WLEDs)㊂通过X 射线衍射(XRD)㊁扫描电子显微镜(SEM)㊁能谱仪(EDS)㊁激发和发射光谱(PL㊁PLE)等分析测试手段对CsPbBr 3量子点和CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的结构㊁形貌㊁元素组成及光谱特性等进行了分析对比㊂实验结果表明,CsPbBr 3/Si 3N 4绿色荧光粉的热稳定性㊁水稳定性㊁色稳定性均得到了显著提升㊂80ħ时CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的发光强度能保持初始发光强度的87.4%,水中浸没120min 后发光强度能保持初始发光强度的75.5%㊂CsPbBr 3/Si 3N 4复合材料的量子效率则由CsPbBr 3量子点粉体的15.4%提升至35.4%㊂将CsPbBr 3/Si 3N 4复合材料与K 2SiF 6ʒMn 4+红色荧光粉㊁InGaN 基蓝光LED 芯片封装制得的WLED 器件色域为113.4%NTSC,流明效率达49.4lm /W㊂关㊀键㊀词:钙钛矿量子点;绿色荧光粉;稳定性中图分类号:O482.31㊀㊀㊀文献标识码:A㊀㊀㊀DOI :10.37188/CJL.20210085Preparation and Luminescent Properties of CsPbBr 3/Si 3N 4CompositeXU Fan-fan 1,2,3,NIE Wen-dong 1,2,3,YAO Li-qin 1,2,3,HE Sheng-an 1,2,3,CHEN Guang 1,2,3,YE Xin-yu 1,2,3,4∗(1.Faculty of Materials ,Metallurgy and Chemistry ,Jiangxi University of Science and Technology ,Ganzhou 341000,China ;2.School of Rare Earth ,Jiangxi University of Science and Technology ,Ganzhou 341000,China ;3.Key Laboratory of Rare Earth Luminescence Materials and Devices of Jiangxi Province ,Ganzhou 341000,China ;4.China National Engineering Research Center for Ionic Rare Earth ,Ganzhou 341000,China )∗Corresponding Author ,E-mail :xinyye @Abstract :In recent years,the poor stability of perovskite quantum dots CsPb X 3(X =Cl,Br,I)has attracted extensive attention.In this paper,we synthesized stable CsPbBr 3/Si 3N 4green phosphors at room temperature and applied to white light emitting diodes(WLEDs).The structure,morphology,element composition and luminescent properties of CsPbBr 3and CsPbBr 3/Si 3N 4phosphors were in-vestigated by X-ray diffraction (XRD),scanning electron microscopy (SEM),energy dispersive spectrometer(EDS),excitation and emission spectra(PL,PLE).The thermal stability,water andcolor stability of CsPbBr 3/Si 3N 4green phosphor were obviously improved.The emission intensity of CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor can maintain 87.4%of the initial emission intensity at 80ħ,and main-tain 75.5%of the initial emission intensity after being immersed in deionized water for 120min.The quantum efficiency of CsPbBr 3/Si 3N 4composite is increased from 15.4%of CsPbBr 3quantum830㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第42卷dots powder to35.4%.By packing the CsPbBr3/Si3N4phosphor with K2SiF6ʒMn4+red phosphor and InGaN based blue LED chip,the color gamut of the WLED device is113.4%NTSC and the lu-minous efficiency is49.4lm/W.Key words:perovskite quantum dots;green phosphor;stability1㊀引㊀㊀言近年来,全无机钙钛矿量子点(Perovskite quantum dots,PQDs)由于量子效率高㊁色纯度高㊁半峰宽窄㊁发射光谱可调等优势[1-5]成为了研究的热点,已经成功地应用在发光二极管(LEDs)㊁太阳能电池㊁激光以及光电探测器等方面[6-10]㊂但是,目前全无机钙钛矿量子点本身还存在的一些问题阻碍了其应用的进一步发展㊂首先,由于本身固有的离子属性,导致其稳定性较差,在氧气㊁极性溶剂㊁光㊁热等恶劣环境中,量子点会分解进而导致荧光猝灭[11-14]㊂其次,量子点胶体溶液拥有很高的量子效率,但是粉末形式的量子点会发生严重的荧光猝灭行为[15-16],而实际应用中更倾向于荧光粉体的使用,因此,提高粉体的量子效率是很有必要的㊂将CsPb X3(X=Cl,Br,I)PQDs与稳定性高的材料结合制成复合材料是一种提高稳定性行之有效的方法㊂He等[17]报道了利用多孔氮化硼纳米纤维(BNNFs)作为载体保护CsPbBr3PQDs不受外界环境的影响,所制备的CsPbBr3/BNNF复合材料在空气环境中具有优异的光稳定性和长期贮存稳定性㊂此外,CsPbBr3/BNNF复合材料还表现氨响应行为,即在氨气中光致发光强度明显降低,在氮气中处理后光致发光恢复㊂有机-无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3同样具有这样的氨响应行为,但是它的响应行为是不可逆的㊂而氨气处理3h后,CsPbBr3/BNNF仍可在氮气处理后恢复㊂Qiu等[18]采用一锅原位法在剥离的二维六方氮化硼(h-BN)纳米片上直接生长均匀的钙钛矿纳米晶㊂这种复合材料具有良好的导热性,并能及时散热,因此表现出优异的热稳定性,在120ħ时光致发光强度仍然可以保持初始发光强度的80%(约为纯钙钛矿纳米晶的6倍)㊂上面两种策略都使用传统的热注入法合成复合材料,且前处理要几小时,甚至30h,操作复杂,耗能耗时㊂Li等[19]首次利用h-BN纳米片在室温下通过简单的非均相成核-生长过程合成稳定的CsPbBr3 PQDs㊂由于二维纳米片比表面积大且存在丰富的介孔,因此立方CsPbBr3PQDs可以附着在h-BN纳米片表面㊂h-BN纳米片独特的二维结构和优异的导热性使h-BN/CsPbBr3PQDs纳米复合材料的湿度稳定性和热稳定性显著增强㊂这种方法由于是在室温下制备,不仅节能而且操作方便,但相比前面两种样品来说,热稳定性还不能让人十分满意㊂Yoon等合成了CsPbBr3/PSZ(聚硅氮烷)复合荧光粉,复合后量子点的表面缺陷被钝化,并形成一层阻挡层,保持高量子效率(PLQY)的同时提高了量子点的稳定性[20],但整个合成过程成本高且耗时㊂前期研究表明,氮化硅晶片可被用来做MAPb X3纳米片的载体应用在激光上[21],受此启发,本文尝试在室温下合成稳定的CsPbBr3/Si3N4复合粉体材料,探索CsPbBr3/Si3N4复合材料的发光性质㊁稳定性以及在白光LED上的应用㊂应用XRD㊁SEM㊁EDS㊁PL㊁PLE等技术手段对合成的CsPbBr3/Si3N4荧光粉的晶相㊁微观结构㊁形貌㊁光谱特性等进行了测试表征㊂结果表明,CsPbBr3/ Si3N4荧光粉具有优异的热稳定性和水稳定性,同时,CsPbBr3/Si3N4荧光粉的量子效率可由CsPb-Br3PQDs粉体的15.4%提高至35.4%㊂2㊀实㊀㊀验2.1㊀样品制备2.1.1㊀CsPbBr3PQDs粉末制备作为实验对比的CsPbBr3PQDs均为粉末状态㊂取0.384g乙酸铯(CH3COOCs)和0.758g 乙酸铅(Pb(CH3COO)2)溶解于5mL乙酸溶液中得到前驱体溶液Q㊂将20mL氯苯㊁1.5mL油酸㊁1mL油胺㊁0.1mL33%醋酸溴化氢溶液加入试管中搅拌,快速注入0.2mL上述前驱体溶液Q,搅拌约10s后离心,倒出上清液,沉淀用20mL 乙酸乙酯洗涤,40ħ真空下干燥8h后即得到了CsPbBr3PQDs粉末㊂㊀第6期徐范范,等:CsPbBr3/Si3N4复合材料制备及发光性能831㊀2.1.2㊀CsPbBr3/Si3N4荧光粉的制备将20mL氯苯㊁1.5mL油酸㊁1mL油胺㊁0.1mL33%醋酸溴化氢溶液㊁0.1g Si3N4加入试管中搅拌后加入0.2mL上述前驱体溶液Q,快速搅拌后离心,然后将沉淀在40ħ真空下干燥30min即得到了CsPbBr3/Si3N4绿色荧光粉㊂乙酸铅(AR)㊁乙酸(AR)购买自广东西陇科技有限公司,乙酸铯(99%)㊁氯苯(99%)㊁油酸(AR)㊁油胺(90%)㊁Si3N4(99.9%)购买自上海阿拉丁生化科技有限公司,33%醋酸溴化氢溶液购买自百灵威科技有限公司㊂2.2㊀样品表征采用荷兰PA Nalytical公司生产的X Pert Pro 型粉末X射线衍射仪对CsPbBr3/Si3N4绿色荧光粉进行X射线粉末衍射测试,其辐射源为Cu靶(Cu Kα,λ=0.154187nm)㊂FEI公司生产的配备有电子散射能谱仪的MLA650F型扫描电镜用于获得样品的形貌信息㊂样品的吸收光谱通过PERKINELMER公司生产的内置150mm直径积分球的Lambda950紫外分光光度计测得㊂样品的室温激发㊁发射光谱采用F-7000(日本日立公司)型荧光光谱仪测试㊂通过日本爱发科株式会社生产的PHI5000VersaProbeⅡ型号的X光电子能谱仪(XPS)获得XPS谱㊂通过EX-1000(杭州远方光电公司)型光谱仪获得变温光谱㊂采用日本SHIMADZU公司RAffinity-21型号的光谱仪获得红外光谱㊂采用配备积分球的爱丁堡FLS980获得荧光粉的量子效率㊂在爱丁堡FLS980荧光分光光度计上测定了荧光衰减曲线㊂3㊀结果与讨论3.1㊀CsPbBr3/Si3N4绿色荧光粉的结构与形貌图1给出了CsPbBr3PQDs㊁CsPbBr3/Si3N4复合材料的XRD谱图,从图中可以看出,复合前CsPbBr3PQDs粉末的XRD与JCPDS54-0752标准卡片相匹配,CsPbBr3/Si3N4复合材料中检测到CsPbBr3的最强衍射峰(30.4ʎ)㊂CsPbBr3/Si3N4荧光粉的主要衍射峰都与Si3N4(JCPDS No.41-0360)相吻合,说明已成功合成CsPbBr3/Si3N4复合材料㊂CsPbBr3PQDs衍射峰较弱的原因是复合材料中量子点的相对含量较少,这与文献中报道的其他纳米复合材料的结果类似㊂荧光粉的形貌会对其实际应用产生重要的影702兹/(°)Intensity/a.u.20103040506080JCPDS54鄄0752CsPbBr3CsPbBr3JCPDS41鄄0360Si3N4CsPbBr3/Si3N4图1㊀CsPbBr3/Si3N4复合材料的XRD图Fig.1㊀XRD pattern of CsPbBr3/Si3N4composite 响㊂图2(a)~(b)给出了CsPbBr3/Si3N4荧光粉的SEM图㊁TEM图,从图中可以看出CsPbBr3 PQDs附着在Si3N4上㊂图2(c)是CsPbBr3/Si3N4荧光粉的高分辨透射电镜(HRTEM),计算得出晶面间距为0.42nm,这与CsPbBr3PQDs的(110)晶面间距相匹配,表明制得的物质是CsPbBr3/ Si3N4荧光粉㊂图2(d)是CsPbBr3/Si3N4荧光粉的EDS能谱图,可以得出Cs㊁Pb㊁Br㊁Si及N的含量分别是0.09%㊁0.08%㊁0.26%㊁59.34%和40.24%,表明荧光粉中主体物质组成是Si3N4,而Cs㊁Pb㊁Br元素比例约为1ʒ1ʒ3,表明附着的物质是CsPb-Br3PQDs㊂500nm(d)50001000001500020000500006000040000300002000010000d=0.42nmCsPb Pb BrBrCsNSiEnergy/keVIntensity/(kcounts)图2㊀(a)~(c)CsPbBr3/Si3N4荧光粉的SEM㊁TEM㊁HR-TEM;(d)EDS能谱图㊂Fig.2㊀(a)-(c)SEM,TEM,HRTEM of CsPbBr3/Si3N4 phosphor.(d)EDS spectrum.3.2㊀CsPbBr3/Si3N4绿色荧光粉的光学性能图3(a)给出了加入不同量Si3N4制得的CsPbBr3/Si3N4的发射光谱,从图中可以看出,随着Si3N4加入量的增加,发光强度先上升后下降,在832㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第42卷加入0.1g 时达到最大㊂图3(b)给出了CsPbBr 3/Si 3N 4绿色荧光粉的吸收㊁光致发光光谱㊂从图中可以看出,CsPbBr 3/Si 3N 4绿色荧光粉在500nm处表现出带边吸收㊂在365nm 激发下,CsPbBr 3/575姿/nmI n t e n s i t y /a .u .5505255004750.05g 0.1g 0.075g 0.15g(a )600姿/nmI n t e n s i t y /a .u .550500450400(c )350E RE SI SCsPbBr CsPbBr /Si N 600姿/nmI n t e n s i t y /a .u .550500(b )450CsPbBr CsPbBr /Si N Emission Absorption图3㊀(a)加入不同量的Si 3N 4制得的CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的发射光谱;(b)CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的吸收光谱(黑色虚线),365nm 波长激发下CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的发射光谱(红色实线);(c)CsPb-Br 3/Si 3N 4荧光粉的量子效率图,插图:365nm 波长激发下CsPbBr 3与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的图片㊂Fig.3㊀(a)Emission spectra of CsPbBr 3/Si 3N 4phosphorsprepared by adding different amounts of Si 3N 4.(b)Absorption spectrum(black dotted line)and emis-sion spectrum (red solid line)of CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor excited at 365nm.(c)Quantum efficiency of CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor,inset:the picture of CsPbBr 3and CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor excited at 365nm wavelength.Si 3N 4复合材料在513.4nm 处表现出最强发射,半峰宽约为20nm,这归因于CsPbBr 3PQDs 的带边发射㊂量子效率是评价发光材料的重要参数,在室温下我们用涂有硫酸钡的积分球测量了CsPb-Br 3/Si 3N 4绿色荧光粉的量子效率㊂图3(c)给出了CsPbBr 3/Si 3N 4绿色荧光粉在450nm 激发下的量子效率测试结果,通常用ηint 表示量子效率,ηint 可通过公式(1)计算得出:ηint =ʏISʏE R-ʏES,(1)I S 代表CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的发射强度,E R 和E S 分别是积分球中有荧光粉和没有荧光粉时激发光的激发光谱㊂利用公式(1)计算得出在450nm 激发下CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的量子效率为35.4%,相同的条件下CsPbBr 3PQDs 粉末的量子效率为15.4%㊂因此,利用Si 3N 4与CsPbBr 3PQDs 复合达到了提升CsPbBr 3PQDs 粉体量子效率的目的㊂插图是365nm 激发下,CsPbBr 3PQDs 粉末与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的图片,可以看出CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉有强烈的绿光发射㊂图4(a)中给出了CsPbBr 3PQDs 和CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的XPS 谱,可以看出,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的XPS 谱中有Cs㊁Pb㊁Br㊁Si 及N 的特征峰,其中Cs㊁Pb㊁Br 的特征信号较弱的原因是CsPbBr 3PQDs 的相对含量较少,这与前面EDS 测试结果相符㊂同时,从图4(b)~(c)可以发现,CsPbBr 3/Si 3N 4中的Br 和Pb 的结合能都降低,表明量子点表面的缺陷被钝化[22-23]㊂365nm 激发下,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的荧光衰减曲线及拟合曲线如图5(a)所示,通过公式(2)将衰减曲线拟合成双指数函数:I (t )=A 1e -tτ1+A 2e -tτ2,(2)A 1和A 2表示拟合常数,I (t )表示发光强度,τ1和τ2表示双指数分量的衰减时间,t 为时间㊂平均寿命τave 由下列公式计算得出:τave=A 1τ21+A 2τ22A 1τ1+A 2τ2,(3)CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的平均发光寿命τave 为75.5ns㊂相比于CsPbBr 3PQDs 的平均发光寿命38.7ns,复合之后的荧光寿命更长,其原因可能是CsPbBr 3PQDs 的非辐射跃迁被限制㊂㊀第6期徐范范,等:CsPbBr 3/Si 3N 4复合材料制备及发光性能833㊀1200Binding energy /eVI n t e n s i t y /a .u .CsPbBr 3CsPbBr 3@Si 3N 4Cs 3dCs 3dN 1sSi 2p Pb 4fBr 3dBr 3dPb 4f1000800600400200(a )60Binding energy /eVI n t e n s i t y /a .u .CsPbBr 3CsPbBr 3@Si 3N 4(b )Br 3d626466687072747678130ν/cm -1I n t e n s i t y /a .u .CsPbBr 3CsPbBr 3@Si 3N 4(c )Pb 4f135140145150155图4㊀XPS 谱㊂(a)CsPbBr 3和CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉;(b)Br 3d;(c)Pb 4f㊂Fig.4㊀XPS spectra of CsPbBr 3PQDs and CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor(a),Br 3d(b)and Pb 4f(c).100400t /nsI n t e n s i t y /a .u .(a )子=75.5nsCsPbBr 3@Si 3N 4Fitting curve200030050060010002500ν/cm -1T r a n s m i t t a n c e /%(b )CsPbBr 3CsPbBr 3@Si 3N 41500200030004000Si —N —Si COO -C —H3500图5㊀(a)CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的衰减曲线及拟合曲线;(b)CsPbBr 3PQDs 和CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的傅立叶红外变换光谱㊂Fig.5㊀(a)Decay curve and fitting curve of CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor.(b)Fourier transform spectrum of CsPbBr 3PQDs andCsPbBr 3/Si 3N 4phosphor.图5(b)给出了CsPbBr 3PQDs 与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的傅里叶红外变换光谱㊂从CsPb-Br 3/Si 3N 4荧光粉的红外光谱中可以看出,在826cm -1处有强烈的吸收峰,这归属于Si N Si 振动峰;同时在1448cm -1和2990cm -1处有强烈的吸收峰,分别是C H 和COO -的振动峰,这两个峰归属于CsPbBr 3PQDs 表面的油酸油胺配体,可以看做是CsPbBr 3PQDs 的特征吸收峰㊂因此,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉中既有Si N 振动峰,又有CsPbBr 3PQDs 的特征吸收峰,进一步证明我们成功地合成了CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉㊂3.3㊀CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的稳定性测试一般来说,在WLEDs 照明应用中,由于In-GaN 基蓝色LED 芯片的工作温度可以达到100ħ以上,因此有必要对荧光粉的温度依赖性发光行为进行评估㊂而CsPbBr 3PQDs 粉末的热稳定性较差是一直存在的问题,有待解决㊂图6(a)给出了在365nm 激发下CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉在30~120ħ范围内的温度依赖性发射光谱,在整个升温过程中可以看到发射强度逐渐降低,发射带有略微红移,可能是加热导致量子点聚集㊁粒径变大的原因㊂插图给出了相同条件下CsPbBr 3PQDs 粉末与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉在30~120ħ温度范围内的归一化发射强度对比图㊂CsPbBr 3PQDs 粉末与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉都显示下降的趋势,只是CsPbBr 3PQDs 粉末下降的速率很快,80ħ时发光强度仅有初始发光强度的31.2%,而CsPb-Br 3/Si 3N 4荧光粉80ħ仍有原发光强度的87.4%㊂因此,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉具有良好的热稳定性㊂由于对水汽的极其敏感性,CsPbBr 3PQDs 的耐水性也是应用中的一个重要指标㊂因此,在实验中分别将0.1g CsPbBr 3PQDs 粉末和CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉浸于2.5mL 去离子水中进行浸水老化试验来评价CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的耐水性㊂从图6(b)可以发现,随着浸水时间从10min 增加到120min,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的发光强度逐渐降低,插图给出了CsPbBr 3PQDs 粉末与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉归一化的最强发射对比图及365nm834㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第42卷450姿/nm I n t e n s i t y /a .u .5005506000.40.60.81.01.20.20I n t e n s i t y /a .u .20608010012030℃40℃50℃60℃70℃80℃90℃100℃110℃120℃T /℃40(a )450姿/nmI n t e n s i t y /a .u .5005255750.40.60.81.01.20.20I n t e n s i t y /a .u .0200min 10min 20min 30min 40min 50min 60min 120min10(b )47555030405060t /min450姿/nmI n t e n s i t y /a .u .5006000.50.60.81.01.10.4I n t e n s i t y /a .u .030d 1d 2d 3d 4d 5d 6d 7d1(c )5504578t /d0.90.30.762t /d姿/n m26(d )522520518514512510524516CsPbBr 3/Si 3N 420.4nm 20.18nm 514.6nm513.4nm10-15437821.521.022.020.520.019.519.018.518.0F W H M /n mt /d姿/n m26(e )53853653453052854053230.46nm 27.48nm529.8nm 10-15437830.530.031.029.529.028.528.027.527.0F W H M /n m526CsPbBr 3531.4nm-1图6㊀(a)30~120ħ范围内,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的变温光谱,插图为CsPbBr 3PQDs 粉末与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉归一化的发射强度对比;(b)不同浸水时间下,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的发射光谱,插图为CsPbBr 3PQDs 粉末与CsPb-Br 3/Si 3N 4荧光粉归一化的发射强度对比及365nm 波长激发下,CsPbBr 3PQDs 粉末与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉浸水10min 后的图片;(c)不同恒温恒湿时间下(50ħ,85%),CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的发射光谱,插图为CsPbBr 3PQDs 粉末与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉归一化的发射强度对比及365nm 波长激发下CsPbBr 3PQDs 粉末与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉7d 后的图片;不同恒温恒湿时间下(50ħ,85%),CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉(d)㊁CsPbBr 3PQDs 粉末(e)的半峰宽及最强发射波长的变化㊂Fig.6㊀(a)Emission spectra of CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor in the range of 30-120ħ.Inset:the normalized emission intensitiesof CsPbBr 3PQDS powder and CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor.(b)Emission spectra of CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor under different immersion time.Inset:the normalized emission intensities of CsPbBr 3PQDs powder and CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor and the photograph of CsPbBr 3PQDs powder and CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor after soaking in water for 10min under excitation at 365nm wavelength.(c)Emission spectra of CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor under different time at 50ħand humidity of85%.Inset:the normalized emission intensities of CsPbBr 3PQDs powder and CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor and the photo-graph of CsPbBr 3PQDs powder and CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor after 7d under excitation at 365nm wavelength.The change of FWHM and strongest emission wavelength of CsPbBr 3/Si 3N 4phosphor(d),CsPbBr 3PQDs powder(e)under different time at 50ħand humidity of 85%.激发下的发光图片㊂CsPbBr 3PQDs 粉末随浸泡时间的增加,发光强度急剧下降,当浸泡时间为20min 时,发光强度下降为初始发光强度的8%,基本不发光;而CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉浸泡120min 后,发光强度仍有初始发光强度的75.5%㊂从发光图片可以看出,CsPbBr 3PQDs 粉末表现出微弱的发光,而CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉绿光发射强㊂上述现象表明,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉对CsPbBr 3PQDs 的耐湿性得到了显著的改善㊂水接触角测试表明,CsPbBr 3PQDs 粉末的水接触角为64.70ʎ,CsPbBr 3/Si 3N 4的水接触角为100.60ʎ,表明复合后CsPbBr 3/Si 3N 4表面具有较强的疏水性,因此水稳定性更好㊂表1给出了不同材料修饰CsPbBr 3的热稳定性㊁水稳定性对比,从表中可以看出,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉表现出优异的水稳定性及在高温处优异的热稳定性㊂为进一步验证CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的稳定性,将CsPbBr 3PQDs 粉末与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉分别置于温度50ħ㊁湿度85%的恒温恒湿箱中进行老化实验,图6(c)分别给出了CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉发光强度依赖时间的发光行为㊂随着时间的延长(1~7d),CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉发光强度表现出下降趋势,插图为CsPbBr 3PQDs 粉末与CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉最强发射对比图及㊀第6期徐范范,等:CsPbBr 3/Si 3N 4复合材料制备及发光性能835㊀365nm 激发下发光的照片,相对来说CsPbBr 3PQDs 粉末下降更快㊂老化7d 之后,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的发光强度仍有初始发光强度的77.7%,而CsPbBr 3PQDs 粉末的发光强度为原发光强度的33.9%㊂从发光照片也可以看出,7d 后CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉表现出更强的绿光发射㊂图6(d)是不同恒温恒湿时间下,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的半峰宽及最强发射波长的变化图,可以表1㊀不同材料修饰CsPbBr 3的热稳定性、水稳定性对比Tab.1㊀Comparison of thermal stability and water stability ofCsPbBr 3modified with different materials修饰㊀热稳定性水稳定性CsPbBr 3@NH 4Br 80ħ40%1h:60%CsPbBr 3/SiO 275ħ60%CsPbBr 3-SDDA /PMMA 100ħ65%在水中稳定10minCsPb X 3@h-BN 120ħ80% CsPbBr 3QDs /BNNS 100ħ50%h-BN /CsPbBr 3100ħ20%室温㊁湿度80%:110h:72%本论文100ħ65%湿度:85%,温度50ħ:168h:78%,水中2h:78%看出CsPbBr 3/Si 3N 4复合材料老化过程中半峰宽和最强发射几乎没变化,半峰宽最大与最小之间仅差0.22nm,最强发射变化仅1.2nm㊂图6(e)是CsPbBr 3PQDs 粉末的半峰宽及最强发射变化图,半峰宽变化了3nm,最强发射偏移了1.6nm㊂因此,CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉具有较好的色稳定性㊂3.4㊀添加CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的WLED 的电致发光特性为研究CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉的实际应用前景,将获得的CsPbBr 3/Si 3N 4绿色荧光粉㊁K 2SiF 6ʒMn 4+红色荧光粉和蓝色InGaN 芯片(~450nm)组合在一起制得了WLED㊂在20mA 电流驱动下,WLED 的电致发光(EL )光谱㊁封装好的WLED 实物及相应的发光照片如图7(a)所示㊂从电致发光光谱中可以看到CsPbBr 3/Si 3N 4的绿光发射峰,这与图3(b)的发射光谱一致,表明作为绿色荧光粉的CsPbBr 3/Si 3N 4可以被蓝光芯片有效地激发,器件流明效率为49.4lm /W㊂使用CsPbBr 3/Si 3N 4复合材料的流明效率比使用CsPb-Br 3@聚苯乙烯㊁CsPbBr 3@介孔二氧化硅㊁CsPbBr 3@二氧化硅球及Cs 4PbBr 6/CsPbBr 3@Ta 2O 5复合材料的流明效率要高[24-27],但比Cs 4PbBr 6/CsPbBr 3㊁650姿/nmE L i n t e n s i t y /a .u .(a )700600550500450400Blue chipKSF ∶Mn 4+CsPbBr 3@Si 3N 45205400.5xy5605806006207003804704804900.104600.100.20.30.40.60.70.80.20.3NTSC This work0.40.50.60.70.80.9500姿/nmI n t e n s i t y /a .u .(c )7006005004001.00.80.60.40.2020mA 60mA 120mA 180mA 240mA 300mA(b )图7㊀(a)由CsPbBr 3/Si 3N 4绿色荧光粉㊁K 2SiF 6ʒMn 4+红色荧光粉和蓝色InGaN 芯片制得的WLED 的电致发光光谱和实物图,插图是WLED 不工作时(左图)和20mA 电流下工作时的图片(右图);(b)制得的WLED 对应CIE 坐标图;(c)不同驱动电流下(20~300mA)WLED 的电致发光光谱㊂Fig.7㊀(a)EL spectrum of WLED made of CsPbBr 3/Si 3N 4green phosphor,K 2SiF 6ʒMn 4+red phosphor and blue InGaN chip.Inset:the picture of WLED(left figure)and working at 20mA current(right figure).(b)Corresponding CIE coordinatesof WLED.(c)EL spectra of WLED under different driving currents(20-300mA).烷基磷酸酯处理CsPbBr 3的低[15,28]㊂与胶态量子点相比,粉体材料的流明效率降低的原因主要是CsPbBr 3/Si 3N 4荧光粉中的量子点发生聚集,以及部分光可能被Si 3N 4吸收所导致的㊂图7(b)给出了该WLED 的CIE 坐标图,从图中可以得出制得的WLED 色域达到113.4%NTSC,说明其具有广色域的优势㊂图7(c)给出了在不同驱动电流下该WLED 的EL 光谱,可以看出,当驱动电流从20mA 增加至120mA 时,绿光发射仍保持不变㊂当驱动电流增加至180mA836㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第42卷时,绿光发射有略微下降,进一步表明CsPbBr3/ Si3N4绿色荧光粉有较好的稳定性㊂4㊀结㊀㊀论本文成功合成了稳定的CsPbBr3/Si3N4绿色荧光粉,实验过程操作简单,室温下一步即可完成㊂CsPbBr3/Si3N4荧光粉最强发射峰位于513.4 nm处,半峰宽较窄,约为20nm㊂CsPbBr3PQDs 粉末与CsPbBr3/Si3N4荧光粉的对比实验表明, CsPbBr3/Si3N4荧光粉表现出优异的热稳定性㊁水稳定性及色稳定性㊂变温光谱结果表明,80ħ时CsPbBr3/Si3N4荧光粉的发光强度能保持初始发光强度的87.4%;在去离子水中浸没120min后, CsPbBr3/Si3N4荧光粉的发光强度仍保持初始发光强度的75.5%㊂温度85ħ㊁湿度85%的恒温恒湿条件下,7d后CsPbBr3/Si3N4荧光粉的发光强度仍能保持原发光强度的77.7%,并且半峰宽及最强发射波长几乎没发生改变,进一步证明CsPbBr3/Si3N4荧光粉具有优异的稳定性㊂在450 nm波长激发下,CsPbBr3/Si3N4荧光粉量子效率提高至35.4%㊂电致发光结果表明,CsPbBr3/ Si3N4绿色荧光粉与KSFʒMn4+㊁蓝光芯片封装制得的WLED色域为113.4%NTSC,流明效率为49.4lm/W㊂本文专家审稿意见及作者回复内容的下载地址: /thesisDetails#10.37188/ CJL.20210085.参㊀考㊀文㊀献:[1]PROTESESCU L,YAKUNIN S,BODNARCHUK M I,et al..Nanocrystals of cesium lead halide perovskites(CsPb X3,X=Cl,Br,and I):novel optoelectronic materials showing bright emission with wide color gamut[J].Nano Lett.,2015,15(6):3692-3696.[2]王巍,李一,宁平凡,等.广色域钙钛矿量子点/荧光粉转换白光LED[J].发光学报,2018,39(5):627-632.WANG W,LI Y,NING P F,et al..Perovskite quantum dot/powder phosphor converted white light LEDs with wide color gamut[J].Chin.J.Lumin.,2018,39(5):627-632.(in Chinese)[3]JI W Y,LIU S H,ZHANG H,et al..Ultrasonic spray processed,highly efficient all-inorganic quantum-dot light-emittingdiodes[J].ACS Photonics,2017,4(5):1271-1278.[4]SONG J Z,LI J H,LI X M,et al..Quantum dot light-emitting diodes based on inorganic perovskite cesium lead halides(CsPb X3)[J].Adv.Mater.,2015,27(44):7162-7167.[5]MALI S S,SHIM C S,HONG C K.Highly stable and efficient solid-state solar cells based on methylammonium lead bro-mide(CH3NH3PbBr3)perovskite quantum dots[J].NPG Asia Mater.,2015,7(8):e208-1-9.[6]TRAVIS W,GLOVER E N K,BRONSTEIN H,et al..On the application of the tolerance factor to inorganic and hybridhalide perovskites:a revised system[J].Chem.Sci.,2016,7(7):4548-4556.[7]郭洁,陆敏,孙思琪,等.基于CsPbBr3钙钛矿量子点的高柔性绿光发光二极管[J].发光学报,2020,41(3):233-240.GUO J,LU M,SUN S Q,et al..Highly flexible green light-emitting diode based on CsPbBr3perovskite quantum dots[J].Chin.J.Lumin.,2020,41(3):233-240.(in Chinese)[8]YANG G L,ZHONG H anometal halide perovskite quantum dots:synthesis,optical properties,and display applica-tions[J].Chin.Chem.Lett.,2016,27(8):1124-1130.[9]PAN J,QUAN L N,ZHAO Y B,et al..Highly efficient perovskite-quantum-dot light-emitting diodes by surface engineering[J].Adv.Mater.,2016,28(39):8718-8725.[10]HUANG C Y,ZOU C,MAO C Y,et al..CsPbBr3perovskite quantum dot vertical cavity lasers with low threshold and highstability[J].ACS Photonics,2017,4(9):2281-2289.[11]XU H Z,DUAN J L,ZHAO Y Y,et al..9.13%-efficiency and stable inorganic CsPbBr3solar cells.lead-free CsSnBr3-x I xquantum dots promote charge extraction[J].J.Power Sources,2018,399:76-82.[12]MING H,LIU L L,HE S A,et al..An ultra-high yield of spherical K2NaScF6ʒMn4+red phosphor and its application in ul-tra-wide color gamut liquid crystal displays[J].J.Mater.Chem.C,2019,7(24):7237-7248.[13]CHEN J S,LIU D Z,AL-MARRI M J,et al..Photo-stability of CsPbBr3perovskite quantum dots for optoelectronic applica-㊀第6期徐范范,等:CsPbBr 3/Si 3N 4复合材料制备及发光性能837㊀tion [J].Sci.China Mater .,2016,59(9):719-727.[14]MALGRAS V,HENZIE J,TAKEI T,et al ..Stable blue luminescent CsPbBr 3perovskite nanocrystals confined in meso-porous thin films [J].Angew.Chem.Int.Ed .,2018,57(29):8881-8885.[15]XUAN T T,YANG X F,LOU S Q,et al ..Highly stable CsPbBr 3quantum dots coated with alkyl phosphate for white light-emitting diodes [J].Nanoscale ,2017,9(40):15286-15290.[16]CUI J,XU F F,DONG Q,et al ..Facile,low-cost,and large-scale synthesis of CsPbBr 3nanorods at room-temperature with 86%photoluminescence quantum yield [J].Mater.Res.Bull .,2020,124:110731-1-6.[17]HE X,YU C,YU M M,et al ..Synthesis of perovskite CsPbBr 3quantum dots /porous boron nitride nanofiber composites with improved stability and their reversible optical response to ammonia [J].Inorg.Chem.,2020,59(2):1234-1241.[18]QIU L,HAO J R,FENG Y X,et al ..One-pot in situ synthesis of CsPb X 3@h-BN (X =Cl,Br,I)nanosheet 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X 3(X =Cl,Br,or I)quantum dots via a Zn X 2/hexane solution toward an enhanced luminescence quantum yield [J].Chem.Mater.,2018,30(23):8546-8554.[24]SHAO H,BAI X,PAN G C,et al ..Highly efficient and stable blue-emitting CsPbBr 3@SiO 2nanospheres through low tem-perature synthesis for nanoprinting and WLED [J].Nanotechnology ,2018,29(28):285706.[25]CAI Y T,WANG L,ZHOU T L,et al ..Improved stability of CsPbBr 3perovskite quantum dots achieved by suppressing in-terligand proton transfer and applying a polystyrene coating [J].Nanoscale ,2018,10(45):21441-21450.[26]ZHANG M L,LI Y,DU K M,et al ..One-step conversion of CsPbBr 3into Cs 4PbBr 6/CsPbBr 3@Ta 2O 5core-shell microcrys-tals with enhanced stability and photoluminescence [J].J.Mater.Chem .C,2021,9(4):1228-1234.[27]DI X X,SHEN L D,JIANG J T,et al ..Efficient white LEDs with bright green-emitting CsPbBr 3perovskite nanocrystal in mesoporous silica nanoparticles [J].J.Alloys Compd.,2017,729:526-532.[28]HUANG S X,YANG S,WANG Q,et al ..Cs 4PbBr 6/CsPbBr 3perovskite composites for WLEDs:pure white,high luminousefficiency and tunable color temperature [J].RSC Adv.,2019,9(72):42430-42437.徐范范(1996-),女,山西长治人,硕士研究生,2018年于运城学院获得学士学位,主要从事全无机钙钛矿量子点CsPbBr 3的合成及稳定性提升的研究㊂E-mail:1522638328@qq.com叶信宇(1980-),男,安徽桐城人,博士,教授,博士研究生导师,2008年于北京有色研究总院获得博士学位,主要从事稀土发光材料及相图热力学计算相关的研究㊂E-mail:xinyye@青年编委介绍:叶信宇,教授/博士研究生导师,主要从事稀土发光材料及相图热力学计算相关工作㊂近年来,主持了国家自然科学基金㊁863课题子项㊁国家工信部项目等在内的纵横向课题30余项,以一作或通讯作者在ACS AMI ,J.Mater.Chem .C,J.Euro.Ceram.So .,Ceram.Inter .等国际权威刊物上发表SCI 论文49篇,其中J.Mater.Chem.C,Dalton Trans.J.Am.Ceram.Soc .封面论文3篇㊂已出版‘稀土元素化学“研究生教材一部;授权国家专利11项㊂相关研究获得 江西省科学技术进步二等奖 ㊁ 中国有色金属工业科学技术二等奖 等奖项㊂入选江西省百千万工程人才㊁青年井冈学者,并获江西省杰出青年人才资助计划支持㊂。
全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶的原位合成及其光学性能研究
全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶的原位合成及其光学性能研究摘要自2009年Miyasaka等人首次使用机-无机杂化钙钛矿(OHP)作为一种新的光敏化剂取代传统染料电池中的吸光层以来,人们就没有停止对钙钛矿材料探索的脚步。
相对于有机-无机杂化钙钛矿,全无机钙钛矿(IHP)拥有更加优异的物理和化学特性,在太阳能电池和液晶显示等领域都有着广泛的应用。
然而,鉴于其离子晶体的特性,即使是全无机钙钛矿,其在高温环境下或者高极性溶剂中仍然容易发生相变和分解,因此要推动其在液晶显示领域的实际应用,还面临两个大问题:一是CsPbX3钙钛矿纳米晶体在水热环境下固有的不稳定性,二是如何对齐CsPbX3钙钛矿纳米线或者纳米棒体以获得增强的偏振光学性能。
本论文以CsPbBr3纳米体系为中心,首次利用静电纺丝技术原位合成了不同长径比的全无机CsPbBr3纳米棒,并且系统研究了不同因素对钙钛矿纳米棒长径比及光学性能的影响,另外,使用同轴静电纺丝法进一步增强了钙钛矿纳米晶的水热稳定性。
主要研究结果如下:(1)基于一步静电纺丝法在PS聚合物中原位合成了CsPbBr3纳米棒,经过优化后,纳米棒的长径比达到了7.0且具有均匀的空间分布。
考虑到钙钛矿纳米晶在聚合物中的形核过程和复杂的粘性环境,对纺丝温度、钙钛矿前驱体比例、油胺用量和二甲基亚砜的含量进行了仔细的调整并研究了它们对CsPbBr3纳米棒形貌和光学性能的影响。
制备的复合CsPbBr3@PS纳米纤维拥有明亮的绿色发射、高的荧光量子产率(PLQY)和窄的半高宽(FWHM)。
(2)将同轴CsPbBr3纳米纤维薄膜在水中放置0-30天,其荧光光谱(PL)峰位几乎没有发生变化。
相较于单轴CsPbBr3纳米纤维(32.7%),同轴纳米纤维的荧光量子产率(PLQY)明显提高(41.5%),在水中浸泡10天后能够保持初始值的84.3%,30天后依然可以保持初始值的82.8%左右。
增大壳层聚合物的浓度,即把预制的壳层溶剂的中加入1000 mg PS,将制备好的同轴纳米纤维薄膜同样在水中放置0-30天并定期检测其PLQY变化情况,其初始PLQY达到了42.8%,在水中浸泡10天后能够保持初始值的89.5%,30天后仍能保持初始值的88.3%,水稳定性进一步改善。
一步法合成cspbbr3纳米晶及其荧光性能研究
1 Introduction
Perovskite nanocrystals (NCs) could be inorganic-organic hybrid and all-inorganic, with a general formula of MAX3, in which M is methylamine ions (CH3NH3+), ethylamine ion (CH3CH2NH3+), fonnamidme ion (CH(NH2)2+), or inorganic ions (Cs+), A is cations (Pb2+, Sn2+, Ge2+) and X is halogen ion (Cl-, Br_, I-) [1]. All-inorganic
CHEN Tingll2, BAI RishengXU Yanqiao [ JIANG Weihuiu, JIANG Wan 2, ZHANG Xiaojun 2 (1. Jingdezhen Ceramic Institute, Jingdezhen 333001, Jiangxi, China; 2. National Engineering Research Center for Domestic &
脉冲激光沉积制备cspbbr3厚膜及其蓝-绿光转换性能
收稿日期: 2019 ̄12 ̄20ꎻ 修订日期: 2020 ̄01 ̄21
基金项目: 国家自然科学基金(11504155ꎬ61705096) ꎻ 山东省自然科学基金( ZR2019MA066) 资助项目
properties are investigated by means of SEMꎬ XRDꎬ and UV ̄Vis spectrumꎬ respectively. Then the
CsPbBr3 micrometer ̄thick film is deposited on the blue light emitting diode whose emission wavelength
Abstract: The metal halide perovskite CsPbBr3 films have excellent optical propertiesꎬ which is an
ideal candidate material for full ̄color display as a wavelength conversion layer in liquid crystal display
(LCD). In order to achieve efficient photoconversion from blue to greenꎬ CsPbBr3 micron ̄thick films
have been prepared by the pulse laser deposition technique. And the morphologyꎬ structureꎬ optical
一种全无机钙钛矿CsPbBr量子点超晶格的制备方法[发明专利]
专利名称:一种全无机钙钛矿CsPbBr量子点超晶格的制备方法
专利类型:发明专利
发明人:徐钦峰,石艺,焦蒙蒙,张树芳,杨传路
申请号:CN202010013576.7
申请日:20200107
公开号:CN111171813A
公开日:
20200519
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种全无机钙钛矿CsPbBr量子点自组装超晶格结构的制备方法,包括如下步骤:(1)将铯盐和有机酸混合,在惰性气体或者真空的保护下,加热得到铯离子的酸溶液;(2)将有机酸和有机胺混合于容器内,除水备用;(3)将铅盐加入长链烯烃中,加热除水,然后注入步骤(2)获得的混合溶液,溶解铅盐;再将步骤(1)获得的铯离子的酸溶液预热之后注入,得到CsPbBr粗溶液;(4)将步骤(3)获得的CsPbBr粗溶液离心,将沉淀分散在己烷中,震荡离心,取上清液,稀释后向其中加入丙酮,然后离心,得纳米晶沉淀;分散纳米晶于甲苯中,震荡得到CsPbBr甲苯溶液;(5)将CsPbBr 甲苯溶液分散于硅基底上,甲苯蒸发后,得到CsPbBr超晶格结构纳米晶。
申请人:鲁东大学
地址:264000 山东省烟台市芝罘区红旗中路186号
国籍:CN
代理机构:烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:曲姮
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《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》范文
《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》篇一一、引言近年来,非线性光学研究领域不断取得新的突破和进展,特别是以新型材料为基础的非线性光学效应的探索,对于推进光学信息处理、光学通讯等前沿技术发展具有极其重要的意义。
在众多材料中,CsPbBr3纳米晶体以其独特的光学性能和稳定的物理特性引起了研究者的广泛关注。
特别是其构建的超晶格结构,更是对双光子非线性光学特性有着显著的增强效果。
本文旨在基于CsPbBr3纳米晶体超晶格的双光子非线性光学特性进行研究,以期为非线性光学领域的发展提供新的思路和方向。
二、CsPbBr3纳米晶体及其超晶格结构CsPbBr3是一种典型的钙钛矿结构纳米晶体,具有优异的发光性能和光电转换效率。
其独特的电子结构和能级分布使得其在光激发下能够产生强烈的非线性光学响应。
而通过构建CsPbBr3纳米晶体的超晶格结构,可以进一步增强其非线性光学效应。
超晶格结构通过调整纳米晶体的排列方式和间距,使得光子在传播过程中经历多次反射和干涉,从而增强光与物质的相互作用,提高非线性光学效应的强度。
三、双光子非线性光学特性的研究方法本研究主要采用双光子吸收技术来研究CsPbBr3纳米晶体超晶格的双光子非线性光学特性。
双光子吸收技术通过利用强激光场激发材料中的电子,使其同时吸收两个光子并跃迁到高能级,从而产生非线性光学响应。
通过测量双光子吸收系数、非线性折射率等参数,可以评估材料的双光子非线性光学特性。
四、实验结果与讨论1. 实验结果通过实验,我们成功制备了CsPbBr3纳米晶体超晶格结构,并对其双光子非线性光学特性进行了研究。
实验结果表明,超晶格结构的构建显著增强了双光子非线性光学效应的强度。
此外,我们还测量了不同波长下的双光子吸收系数和非线性折射率等参数,为进一步分析材料的非线性光学特性提供了依据。
2. 结果讨论我们认为,超晶格结构的构建增强了双光子非线性光学效应的原因在于:首先,纳米晶体的紧密排列使得光子在传播过程中经历了更多的反射和干涉;其次,调整纳米晶体的间距使得光子在不同能级之间跃迁时需要吸收更多的能量;最后,超晶格结构中的电子云重叠效应也增强了电子间的相互作用,从而提高了非线性光学效应的强度。
《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》范文
《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》篇一一、引言随着纳米科技和光子学的发展,具有独特光学特性的纳米材料在光学领域得到了广泛的研究和应用。
CsPbBr3纳米晶体作为新型的钙钛矿结构材料,具有较高的荧光量子效率、宽的吸收光谱和发射光谱等特点,近年来受到了极大的关注。
尤其是其双光子非线性光学特性,更是在光电子、信息存储等领域展现出了潜在的应用前景。
本篇研究基于CsPbBr3纳米晶体超晶格的制备和其双光子非线性光学特性的研究,旨在深入理解其光学性质,为后续应用提供理论支持。
二、CsPbBr3纳米晶体的制备与性质CsPbBr3纳米晶体的制备主要采用溶液法,通过调整前驱体的浓度、反应温度和时间等参数,可以获得尺寸均匀、分散性良好的纳米晶体。
这些纳米晶体具有较高的荧光量子效率,宽的吸收和发射光谱,使其在光电器件、生物成像等领域具有广泛的应用前景。
三、超晶格的制备与表征超晶格是由纳米晶体有序排列形成的周期性结构,具有独特的物理和化学性质。
本研究通过特定的制备工艺,成功制备了CsPbBr3纳米晶体超晶格。
利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等手段,对超晶格的结构和性能进行了表征。
结果显示,所制备的超晶格具有良好的周期性和结晶性,为后续的非线性光学特性研究奠定了基础。
四、双光子非线性光学特性的研究双光子非线性光学特性是衡量材料光学性能的重要指标之一。
本研究通过飞秒激光脉冲技术,对CsPbBr3纳米晶体超晶格的双光子非线性吸收、双光子荧光等特性进行了研究。
实验结果表明,超晶格具有显著的双光子非线性光学特性,其双光子吸收系数和荧光强度均高于普通CsPbBr3纳米晶体。
这为超晶格在光电子、信息存储等领域的应用提供了可能。
五、结论与展望本研究通过制备CsPbBr3纳米晶体超晶格,并对其双光子非线性光学特性进行了研究。
实验结果表明,超晶格具有显著的双光子非线性光学特性,这为其在光电子、信息存储等领域的应用提供了理论支持。
《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》范文
《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》篇一一、引言随着纳米科技和光子学的发展,非线性光学材料在光通信、光电子器件、光子计算机等领域的应用日益广泛。
其中,基于卤化铅钙钛矿的纳米晶体因其独特的光学性质和电子结构,在非线性光学领域展现出巨大的潜力。
本文以CsPbBr3纳米晶体超晶格为研究对象,深入探讨其双光子非线性光学特性。
二、CsPbBr3纳米晶体概述CsPbBr3是一种典型的卤化铅钙钛矿纳米晶体,具有优异的光学性能和电子结构。
其纳米级尺寸使其具有大的比表面积和独特的电子能级结构,使得它在光吸收、光发射、光电转换等方面表现出色。
此外,CsPbBr3纳米晶体还具有较高的光稳定性和较低的制备成本,使其在非线性光学领域具有广阔的应用前景。
三、超晶格结构及其形成超晶格是由多种材料组成的周期性结构,通过调整组成材料的种类和比例,可以实现对超晶格电子能级结构的精确调控。
在CsPbBr3纳米晶体中构建超晶格结构,可以进一步优化其光学性能和电子结构,从而提高其非线性光学性能。
本文通过实验制备了CsPbBr3纳米晶体超晶格,并对其结构进行了详细表征。
四、双光子非线性光学特性的研究双光子非线性光学效应是指在强光场作用下,材料中同时吸收两个光子的过程。
这一过程会导致材料的光学性质发生显著变化,从而产生一系列非线性光学现象。
本文通过实验研究了CsPbBr3纳米晶体超晶格的双光子非线性光学特性,包括双光子吸收、双光子荧光等。
首先,我们通过Z扫描技术测量了CsPbBr3纳米晶体超晶格的双光子吸收系数和双光子荧光量子产率。
实验结果表明,超晶格结构显著提高了CsPbBr3纳米晶体的双光子非线性光学性能。
其次,我们通过理论计算分析了超晶格结构对双光子非线性光学特性的影响机制。
结果表明,超晶格结构可以有效地调控电子能级结构,从而提高双光子的吸收效率和荧光量子产率。
此外,我们还研究了不同尺寸和组成对双光子非线性光学特性的影响,为进一步优化材料性能提供了理论依据。
《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》
《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》篇一一、引言近年来,随着纳米科技的快速发展,具有独特物理和化学性质的纳米材料成为了研究热点。
其中,全无机钙钛矿纳米晶体因其优异的光电性能、良好的稳定性以及低成本制备等特点,受到了广泛的关注。
在众多全无机钙钛矿纳米晶体中,CsPbBr3因其较高的发光效率、较低的缺陷态密度以及较好的稳定性等特点,成为了光学研究领域的热点材料。
特别是当CsPbBr3纳米晶体以超晶格的形式排列时,其双光子非线性光学特性表现出了极大的潜力。
本文将就基于CsPbBr3纳米晶体超晶格的双光子非线性光学特性进行深入研究。
二、CsPbBr3纳米晶体及其超晶格结构CsPbBr3是一种典型的全无机钙钛矿结构,其具有独特的电子结构和能级分布,使得它在光电器件、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
当这种纳米晶体以超晶格的形式排列时,由于晶格间的作用力以及能级耦合效应,使得其光学性能得到显著提升。
特别是双光子吸收效应,使得超晶格结构的CsPbBr3纳米晶体在非线性光学领域具有独特的优势。
三、双光子非线性光学特性的研究方法对于双光子非线性光学特性的研究,主要采用的方法包括Z 扫描技术、光子回波技术以及飞秒激光技术等。
其中,Z扫描技术是一种简单而有效的测量材料非线性光学性能的方法。
通过测量不同强度下的透射率变化,可以得到材料的非线性吸收系数和双光子吸收截面等参数。
飞秒激光技术则可以用于研究材料在强激光场下的非线性响应过程,包括双光子吸收、激发态弛豫等过程。
四、CsPbBr3纳米晶体超晶格的双光子非线性光学特性通过对CsPbBr3纳米晶体超晶格的双光子非线性光学特性进行研究,我们发现,当使用高强度激光照射时,超晶格结构中的CsPbBr3纳米晶体表现出显著的双光子吸收效应。
这种双光子吸收过程对激光场强度的依赖性呈现出非线性特征,这与我们的理论预期一致。
同时,我们还发现这种超晶格结构的双光子吸收截面远大于单一CsPbBr3纳米晶体,这表明超晶格结构在增强双光子非线性响应方面具有显著的优势。
《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》范文
《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》篇一一、引言随着纳米科技和光子学的发展,非线性光学材料在光通信、光电子器件、光子计算机等领域的应用日益广泛。
其中,基于卤化铅钙钛矿的纳米晶体因其独特的光学性质和良好的非线性光学响应,受到了广泛关注。
CsPbBr3纳米晶体作为卤化铅钙钛矿的一种,其超晶格双光子非线性光学特性研究对于深化我们对非线性光学材料的理解以及推动其在应用领域的发展具有重要意义。
本文将针对CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性进行深入研究。
二、CsPbBr3纳米晶体概述CsPbBr3是一种典型的卤化铅钙钛矿结构,其纳米晶体具有良好的光吸收、发光和电荷传输性能。
由于量子限域效应和大的激子波尔半径,CsPbBr3纳米晶体具有优异的双光子吸收和非线性光学特性。
这些特性使得其在双光子荧光显微成像、非线性光子学器件、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
三、超晶格结构与非线性光学效应超晶格是由尺寸小于几十纳米的单晶周期性排列组成的三维晶格。
超晶格的形成可进一步优化材料的光学性质和电学性质。
当光与超晶格材料相互作用时,由于超晶格的周期性结构,会产生一系列特殊的非线性光学效应。
这些效应包括双光子吸收、多光子激发等,使得超晶格在非线性光学应用中具有重要地位。
在CsPbBr3纳米晶体超晶格中,通过改变晶格间距、排列方式和结构缺陷等因素,可以调节双光子的相互作用和光学响应强度,从而实现调控其非线性光学性质的目的。
因此,深入研究CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性具有重要意义。
四、实验研究方法本文通过合成CsPbBr3纳米晶体,并构建其超晶格结构。
利用飞秒激光脉冲技术对超晶格进行激发,并利用光谱仪、光电探测器等设备对双光子非线性光学效应进行测量和分析。
通过改变实验参数,如激发光强度、波长、偏振方向等,探究超晶格的响应机制和性能特点。
五、实验结果与讨论(一)实验结果实验结果表明,在特定条件下,CsPbBr3纳米晶体超晶格表现出显著的双光子非线性光学响应。
CsPbBr3纳米晶复合材料的绿色合成及荧光性能和稳定性改善研究
CsPbBr3纳米晶复合材料的绿色合成及荧光性能和稳定性改善研究随着人类对绿色合成技术的关注日益增加,无机卤化物钙钛矿(CsPbX3,其中X=Cl,Br,I)纳米晶作为一种新型发光材料,受到了广泛的关注。
然而,由于较高的毒性、低稳定性和通常使用的有毒溶剂等因素的限制,其实际应用受到了一定的限制。
因此,通过绿色合成和改善荧光性能和稳定性,可以提高这种材料在光电器件中的应用前景。
为了实现CsPbBr3纳米晶的绿色合成,一种低毒的纯水溶液法被提出。
在合成过程中,钙离子源和溴离子源溶解于水中,然后加入具有高能量溶解度的铅离子源,形成具有高稳定性并且只有一定粒度的CsPbBr3纳米晶。
这种绿色合成方法避免了常用的有机溶剂,减少了对环境的污染。
在荧光性能方面,可以通过控制合成条件和添加适当的表面修饰剂来改善CsPbBr3纳米晶的光电性能。
通过改变反应温度、反应时间、溶液浓度和各种表面修饰剂的使用量等因素,可以调控纳米晶的尺寸、形态和组分,从而改变其发光性能。
例如,通过在合成过程中添加适量的氯离子,可以显著提高纳米晶的发光强度和量子产量。
此外,通过在纳米晶表面修饰上一层稳定性好的包埋材料,例如二氧化硅或寡聚甲基丙烯酸酯,可以有效地提高纳米晶的稳定性和长期使用的寿命。
然而,CsPbBr3纳米晶的稳定性仍然是一个值得关注的问题。
在环境潮湿和高温条件下,CsPbBr3纳米晶容易分解和失去荧光性能。
为了解决这个问题,可以通过分子工程来改变纳米晶的表面性质。
例如,采用改质剂对纳米晶进行处理,可以形成稳定的表面保护层,有效防止纳米晶的分解和氧化。
此外,通过改变溶剂的选择或添加一定量的络合剂,还可以提高纳米晶的溶解性和稳定性。
总的来说,通过绿色合成技术和进一步改善纳米晶的荧光性能和稳定性,CsPbBr3纳米晶复合材料在光电器件中的应用前景将得到显著的提高。
尽管还需要进一步的研究来解决一些技术难题,例如改善纳米晶的量子效率和稳定性,但基于这些努力,CsPbBr3纳米晶复合材料有望在绿色光电器件领域发挥重要的作用综上所述,CsPbBr3纳米晶作为一种具有优异光电性能的材料,在光电器件中有着广阔的应用前景。
《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》
《基于CsPbBr3纳米晶体超晶格双光子非线性光学特性的研究》篇一一、引言非线性光学特性作为物理学与化学领域中一个重要的研究方向,在材料科学、光电子技术以及量子信息处理等领域有着广泛的应用。
近年来,钙钛矿型CsPbBr3纳米晶体因其独特的光学性质和电子结构,在非线性光学领域引起了广泛的关注。
本文将重点研究基于CsPbBr3纳米晶体超晶格的双光子非线性光学特性,探讨其潜在的应用价值。
二、CsPbBr3纳米晶体概述CsPbBr3是一种典型的钙钛矿型纳米晶体,具有优异的光学性能和电子结构。
其具有高光致发光效率、高稳定性以及良好的成膜性等特点,被广泛应用于光电转换器件、太阳能电池以及LED等领域。
此外,由于其独特的光学性质,CsPbBr3纳米晶体在非线性光学领域也展现出潜在的应用价值。
三、超晶格结构与非线性光学效应超晶格是由一系列具有相同结构或类似性质的单晶组成的多层薄膜结构,具有周期性排布的特点。
由于这种周期性结构,超晶格可以在某些条件下引发特殊的物理效应和化学反应,从而对材料的性能进行调控。
而双光子非线性光学效应是超晶格材料中一种重要的物理现象,它涉及到两个光子同时被吸收并激发电子跃迁的过程。
将CsPbBr3纳米晶体与超晶格结构相结合,可以有效地提高其非线性光学效应。
通过调整超晶格的周期性结构、层数以及掺杂等手段,可以实现对双光子非线性光学特性的调控。
这种调控不仅有助于提高材料的光学响应速度和灵敏度,还可以拓展其在光电子技术、量子信息处理等领域的应用。
四、实验方法与结果分析为了研究基于CsPbBr3纳米晶体超晶格的双光子非线性光学特性,我们采用了多种实验方法。
首先,通过制备不同周期性结构的CsPbBr3纳米晶体超晶格样品,利用光学显微镜和光谱仪等设备进行观察和测量。
其次,通过双光子吸收实验,观察了超晶格样品的双光子吸收特性及其与单光子吸收特性的差异。
最后,利用Z扫描技术等非线性光学测量手段,对样品的非线性光学系数进行了测量和分析。
CsBr-PbBr-2体系中的相转变及CsPbBr-3纳米线的制备与光学性能
CsBr-PbBr_2体系中的相转变及CsPbBr_3纳米线的制备与光学性能卤化物钙钛矿材料在光伏器件应用上取得了巨大的成就,这得益于其具有高的光吸收率、优异的输运性质和对缺陷的高容忍度。
近两年发展起来的纯无机钙钛矿材料则在发光器件中表现出独特的优势,掀起了新一轮研究热潮,因而需要对该体系材料的可控制备、发光机理展开更深入的研究。
目前钙钛矿材料的合成方法主要是溶液法,但是溶剂的参与导致在合成CsPbBr<sub>3</sub>的同时有杂相Cs<sub>4</sub>PbBr<sub>6</sub>和CsPb<sub>2</sub>Br<sub>5</sub>的产生,理解这三种化合物的形成机理和转化关系是实现高性能光电器件的前提。
此外,钙钛矿纳米材料由于空间的限域效应,带来更强的电子-空穴波函数的交叠,导致辐射复合速率的增加,是非常优秀的发光介质。
但是,电子-空穴交换作用的增强,也会带来激子亮态-暗态的劈裂而不利于发光,对于该问题的认识和解决方案尚未清晰。
为此,我们在本论文中对CsPbBr<sub>3</sub>块材单晶和纳米结构的可控制备、不同晶相间的转化和调控、以及CsPbBr<sub>3</sub>纳米线中的激子暗态-亮态劈裂能等方面开展了系统的研究。
主要内容如下:在第一章中,我们概述了钙钛矿材料的晶体结构、电子结构、光学性能、单晶制备方法和光电器件应用。
我们还简要介绍了本研究的动机和主要结果。
在第二章中,我们探究了溶剂的选择对CsPbBr<sub>3</sub>、Cs<sub>4</sub>PbBr<sub>6</sub>和CsPb<sub>2</sub>Br<sub>5</sub>单晶合成的影响。
一种超稳定CsPbBr3纳米片的制备方法及其在X射线成像的闪烁屏方面的
专利名称:一种超稳定CsPbBr3纳米片的制备方法及其在X射线成像的闪烁屏方面的应用
专利类型:发明专利
发明人:张玉海,王亮玲,傅凯放,孙瑞佳
申请号:CN201910614950.6
申请日:20190709
公开号:CN110357148A
公开日:
20191022
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种成超稳定CsPbBr纳米片及其在X射线成像的闪烁屏方面的应用,PbBr溶解在1‑异丙醇、辛酸和辛胺的混合物中,生成PbBr前体;采用乙酸铯、正己烷和1‑异丙醇在搅拌下合成铯前体;在室温下在环境条件下将PbBr前体注入到铯前体中,生成CsPbBr纳米片;本发明室温环境合成,操作简单,产率高,通过调整Pb/Cs比可以微调纳米片的发射带,得到的CsPbBr纳米片稳定性好,正常环境下储存8个月以上同时保持94%的原始量子产率,胶体纳米片在缓慢凝固时表现出自组装行为,形成大面积无裂纹并且大范围厚度可控的薄膜,可作为X射线成像的高效闪烁屏,在X射线成像方面具有很好的应用前景。
申请人:济南大学
地址:250022 山东省济南市济南大学西校区特教楼B515
国籍:CN
代理机构:北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:陈娟
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一种钙钛矿CsPbBr纳米片的制备方法[发明专利]
专利名称:一种钙钛矿CsPbBr纳米片的制备方法专利类型:发明专利
发明人:李红波,刘向东,魏阳,英起飞,黄岭
申请号:CN202010056925.3
申请日:20200117
公开号:CN111233030A
公开日:
20200605
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明涉及的是一种钙钛矿CsPbBr纳米片的制备方法,属于无机纳米材料制备技术领域。
本发明采用热注入的合成方法,使用10‑十一碳炔酸作表面配体合成CsPbBr量子点并分散到环己烷中。
然后把样品拿到紫外灯下照射,成功制备出形貌规整的CsPbBr纳米片。
本发明方法步骤简单、可重复性强,是一种制备形貌均一的钙钛矿CsPbBr纳米片切实可行的方法。
在紫外灯的照射下制备的CsPbBr纳米片显示出明显的绿光发射,并且寿命比CsPbBr量子点明显增长,这些优异的光学性质使其在平板显示等领域具有广泛的应用。
申请人:南京工业大学
地址:210009 江苏省南京市鼓楼区新模范马路5号
国籍:CN
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CsPbBr3蓝光纳米片超晶格的制备及性能研究
CsPbBr3蓝光纳米片超晶格的制备及性能研究各向异性胶体二维纳米片(NPL)由于其低维光电性质和通过胶体合成的多功能性而作为功能材料具有很大前景。
最近,铅-卤化钙钛矿已成为重要的光电材料,在光伏和发光应用中具有优异的性能。
此外,控制配体相互作用提供了将NPL自组装成更复杂结构的途径。
在这里,我们报告了胶体合成的全无机铯铅卤素钙钛矿纳米片,并证明它们自组装形成堆叠柱状结构超晶格,其保持了NPL的优异性能(PLQY 96%)。
广泛的可接触发射范围,高原生量子产率使钙钛矿超晶格成为基础光电子研究和未来器件研究的理想平台。
随着人类文明经历了信息革命,显示技术被认为是增加日常生活便利性的核心技术。
在信息社会中,人们希望能够在显示器中看到更加生动的图像。
在这方面,显示技术的主要发展趋势是从高分辨率和高效率变为高色纯度,以实现鲜明自然的色彩。
因此,科学家们已经在尝试研究具有狭窄半高宽(FWHM)的新型发光材料。
如有机发光体(FWHM> 40nm)和无机量子点(QD)发光体(FWHM~30nm)。
然而,对尺寸敏感的色纯度,难以控制的尺寸均匀性以及制备无机QD发射器的高昂材料成本阻碍了相应材料在工业中的广泛应用。
因此,开发对尺寸不敏感、具有高色纯度(FWHM <20nm)和低材料成本的新型发光体成为当务之急。
在许多候选物中,金属卤化物钙钛矿(以下称“钙钛矿”)受到了极大的关注,并显示出成为未来高色纯度发光体的可能性。
第一类钙钛矿为层状薄膜(A2MX4)(A =有机阳离子; M =二价金属; X = Cl,Br,I)[1-6]。
它们被认为是同时具有有机材料(例如,溶液加工性和低材料成本)和无机材料(例如,高电荷载流子迁移率)的优点的新型混合材料[7]。
科学家们特别研究了具有高色纯度和有效电荷注入/传输性能,且易于波长调节的钙钛矿,将其视作为具有优良前景的未来光发射器的候选者[8-10]。
此外,最近报道的稳定型和环境友好型钙钛矿进一步提高了它作为显示技术未来发射体的可能性[11-19]。
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由于其巨大的光伏潜力,全无机钙钛矿目前是最活跃的研究领域之一。3D无机钙钛矿太阳能电池的性能以惊人的速度增加,达到与许多已有技术相当的功率转换效率。然而,3D钙钛矿的商业应用受到其稳定性差的抑制。相对于三维钙钛矿,低维度——即二维钙钛矿具有更高的水分稳定性,为稳定钙钛矿基光伏器件提供了新方法。此外,2D钙钛矿具有多种结构,可通过成分工程微调其光电特性。
自组装是一个过程,通过这个过程,各个组件将自发排列成有序的超结构。[47]定向聚合过程由分子之间的特定相互作用来驱动。关于纳米颗粒在中间晶体中相互排列的机理,已经提出了四种可能:[48](i)通过取向的有机基质排列纳米颗粒; (ii)通过物理场和粒子间力对齐纳米粒子; (iii)由矿物桥形成引起的纳米晶体的外延生长; (iv)通过空间限制的纳米颗粒排列。当纳米片在一个小空间内被限定时,它们可以在熵或毛细力的作用下相互对齐。
通过将钙钛矿量子点排列成三维超晶格,可以使光子的相干集合发射成为可能,从而产生出超荧光,这可以为LED照明、量子传感、量子加密通信和未来的量子计算开辟新的可能性。
化学品:溴化铅(PbBr2,99.0%,Macklin);溴化铯(CsBr,99.5%,Macklin);油胺(OAm,80-90%,阿拉丁);油酸(OA,80-90%,阿拉丁);氢溴酸(HBr,40%,Macklin);二甲基亚砜(DMSO,>90%);异丙醇(IPA,≥99.5%,Macklin);甲苯(Tol,≥99.5%,上海凌峰化学试剂有限公司);丙酮(Acetone,≥99.5%,上海凌峰化学试剂有限公司);异丙醇铝(AIP,≥99.8%,Macklin);聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,Mw约120000,阿拉丁)。所有化学品均未经任何进一步清洗而使用。
独立的二维纳米片已被证明具有优异的光物理性质,例如增加的激子结合能,增强的体相吸收截面,低阈值受激发射和显着的光学非线性。[44]由于材料稳定性目前限制了混合型器件的用,铯取代有机阳离子的全无机钙钛矿,与混合钙钛矿相比,可以提高稳定性,并且可以扩大材料的范围,值得研究
II-VI,III-V和IV-VI族半导体的纳米级胶体晶体因其具有尺寸依赖性的光学和电子特性而受到重视。电子和空穴在2-20 nm范围内量子化[45,46]。因此,这些晶体被称为量子点(QD)或纳米晶体。作为胶体,QD可以分散在溶剂中,并使用低成本、大面积、基于溶液的技术进行组装,以形成固态材料。类似于原子构造原子固体,半导体QD构件的QD固体的产生取决于QD的组成,尺寸和形状以及它们在固体中的间距和结构。在原子固体中,随着原子间隙减少,孤立原子态的电子波函数越来越重叠,从而在晶体半导体中形成非晶半导体和非定域带的扩展状态。类似地,在QD固体中,随着中间间距减小,QD的电子波函数之间的相互作用增加,产生QD固体特有的协同物理现象。这些QD固体可以是局部有序的玻璃或长程有序的QD超晶格或超晶体。
各向异性胶体二维纳米片(NPL)由于其低维光电性质和通过胶体合成的多功能性而作为功能材料具有很大前景。 最近,铅-卤化钙钛矿已成为重要的光电材料,在光伏和发光应用中具有优异的性能。此外,控制配体相互作用提供了将NPL自组装成更复杂结构的途径。在这里,我们报告了胶体合成的全无机铯铅卤素钙钛矿纳米片,并证明它们自组装形成堆叠柱状结构超晶格,其保持了NPL的优异性能(PLQY 96%)。广泛的可接触发射范围,高原生量子产率使钙钛矿超晶格成为基础光电子研究和未来器件研究的理想平台。
随着人类文明经历了信息革命,显示技术被认为是增加日常生活便利性的核心技术。在信息社会中,人们希望能够在显示器中看到更加生动的图像。在这方面,显示技术的主要发展趋势是从高分辨率和高效率变为高色纯度,以实现鲜明自然的色彩。因此,科学家们已经在尝试研究具有狭窄半高宽(FWHM)的新型发光材料。如有机发光体(FWHM> 40nm)和无机量子点(QD)发光体(FWHM~30nm)。然而,对尺寸敏感的色纯度,难以控制的尺寸均匀性以及制备无机QD发射器的高昂材料成本阻碍了相应材料在工业中的广泛应用。因此,开发对尺寸不敏感、具有高色纯度(FWHM <20nm)和低材料成本的新型发光体成为当务之急。在许多候选物中,金属卤化物钙钛矿(以下称“钙钛矿”)受到了极大的关注,并显示出成为未来高色纯度发光体的可能性。
第一类钙钛矿为层状薄膜(A2MX4)(A =有机阳离子; M =二价金属; X = Cl,Br,I)[1-6]。它们被认为是同时具有有机材料(例如,溶液加工性和低材料成本)和无机材料(例如,高电荷载流子迁移率)的优点的新型混合材料[7]。科学家们特别研究了具有高色纯度和有效电荷注入/传输性能,且易于波长调节的钙钛矿,将其视作为具有优良前景的未来光发射器的候选者[8-10]。此外,最近报道的稳定型和环境友好型钙钛矿进一步提高了它作为显示技术未来发射体的可能性[11-19]。
2012年,报道了第一个三维钙钛矿发光体,在多孔氧化铝中的CH3NH3PbBr3纳米粒子(NPs)[42],并重新发现了钙钛矿作为发光体的可能性。因此,自2014年以来,3D钙钛矿发光体的研究不断发展,并致力于实现PL和EL的高效率。在过去2年内,发表了超过72篇关于钙钛矿发光体的论文,报道的EQEmax为8.53%,光致发光量子效率(PLQE)超过90%[10,43]。