单晶纳米硅薄膜的制备及其场发射特性(英文)
ECR_PECVD制备纳米硅颗粒薄膜.
第32卷第6期2011年6月哈尔滨工程大学学报JournalofHarbinEngineeringUniversityVol．32№．6Jun．2011doi：10．3969/j．issn．1006－7043．2011．06．023ECR－PECVD制备纳米硅颗粒薄膜1，21，21，21，21胡娟，吴爱民，岳红云，张学宇，秦福文闻立时1，3 （1．大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室，辽宁大连116024；2．大连理工大学材料科学与工程学院，辽宁大连116024；3．中国科学院沈阳金属研究所，辽宁沈阳110016）摘要：为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害，并进一步提高电池转换效率，提出在硅基薄膜太阳能电池顶部PECVD）低温下制备一薄层纳米硅薄膜．在P型（100）硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积（ECR-技术交替沉积SiO2/Si/SiO2层，改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜，探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺．实验在低温下，薄膜以非晶相为主，局部分布有零星的网格状晶化相，随着温度的升高，晶化趋势增加，晶化相颗粒结果表明，大小在5～8nm；当H2流量在20～40mL/min变化时，随着流量的增加，薄膜晶化相增多，纳米硅尺寸在5～10nm，但H2流量超过30mL/min后，随着H2流量的增加，薄膜晶化率下降，纳米硅颗粒减少．利用H等离子体原位刻蚀方法，可明经原位刻蚀处理后纳米晶颗粒尺寸及分布比较均匀，颗粒大小在6nm左右．显改善薄膜晶化效果，PECVD；太阳能电池；薄膜；纳米硅关键词：ECR-中图分类号：TK519；TB321；TB79文献标识码：A7043（2011）06-0830-05文章编号：1006-Nano-siliconfilmspreparedbyECR-PECVD2222HUJuan1，，WUAimin1，，YUEHongyun1，，ZHANGXueyu1，，QINFuwen1WENLishi1，3（1．KeyLaboratoryofMaterialsModification，MOE，DalianUniversityofTechnology，Dalian116024，China；2．SchoolofMaterialScienceandEngineering，DalianUniversityofTechnology，Dalian116024，China；3．InstituteofMetalResearch，ChineseAcademyofSciences，Shenyang110016，China）Abstract：Inordertoreducethethermaldamageofultravioletraysandalsoforfurtherincreaseintheefficie ncyofthesilicon-basedthinfilmsolarcells，anano-siliconthinfilmwaspreparedonthetopofthecellsatlowtempera-ture．TheSiO2/Si/SiO2multilayersweredepositedalternatelyonthep-typesiliconsubstratebyelectroncyclotronresonance（ECR-PECVD）．ThemicrostructureofthefilmswasinvestigatedbyTEM．Theresultsshowthatt hesili-confilmismainlyamorphouswithlocallydistributedlatticedcrystallinephaseatlowtemperat ure，andwiththein-creaseofthetemperaturethetendencyofcrystallinityincreasesandthesizeofthecrystallineisa bout5-8nm．WhentheflowrateofH2ischangedfrom20mL/minto40mL/min，thecrystallinityofthenano-siliconincreases，andthesizeofnano-Siparticlesisabout5-10nm．Butwhentheflowrateexceeds30mL/min，thecrystallinityofthefilmsdecreasesandthenumberofnano-Siparticlesreduces．Inordertoimprovethecrystallinityofthefilms，thesiliconfilmwasin-situetchedbyhydrogenplasmaafterdeposition．TheTEMresultshowsthattheamountsofthe nano-siliconparticlesarenoticeablyincreased，thesizeanddistributionoftheparticlesarehomogeneous，andtheparticlesizeisabout6nm．Keywords：ECR-PECVD；solarcells；thinfilms；nano-silicon太阳能电池的研究已经有很长的历史，提高太03-29．收稿日期：2010-：基金项目教育部留学回国人员科研启动基金资助项目（200611AA03）；辽宁省原材料特种制备技术重点实验室青年教师培养基金资助项目（2005100A05）；中央高校基本科研业务费专项资金资助项目（DUT10JN08）；辽宁省教育厅高等学校科技研究资助项目．）女，作者简介：胡娟（1984-硕士研究生；），E-mail：aimin@dlut．edu．cn．吴爱民（1973-男，副教授，通信作者：吴爱民．阳能电池的光电转换效率，降低制作成本，提高电池的使用寿命等是这一领域永恒的主题，也是科研工作者努力的方向．太阳能光伏电池的研发经历了3个阶段，目前研发和商品化的是第一、二代太阳电池．为进一步改善电池的转换效率，科研人员提出了［1］第三代太阳能电池的概念．第三代太阳能光伏电池的目标是充分利用太阳能的全光谱，提高太阳电第6期PECVD制备纳米硅颗粒薄膜胡娟，等：ECR-·831·池的光电转换效率．对传统太阳能电池而言，紫外光线直接被渗漏出去，或被硅电池吸收，但转化成的是这有可能影响电池的使用寿命热能并非电能，［2］格象（如图1（b））；当温度提高到300℃时，从HR-TEM图像中可以看到明显的晶化小颗粒，椭圆形高颗粒大小约为10nm（如图1（c））．分辨晶格象，．研究表明紫外光线能够与尺度合适的纳米颗粒有效地结合，并产生电能．MunirNayfeh等提出在硅太阳能电池表面生成一层硅纳米颗粒薄膜能够提升它的减少电池自身的发热量，并且延长使能量转化能力，用寿命［3-5］．他们的研究结果表明，在块体硅电池表在紫外光区面制备颗粒尺寸几纳米的硅颗粒层后，而在可见光电池的转换功率提高了60%～70%，区，电池的转换功率也提高了近10%．而在薄膜电池中，紫外光线的辐照对吸收层性能的损害更甚，若能将这种思想引入到薄膜电池中，对提高薄膜电池的效率及延长电池使用寿命是非常有利的．基于这本论文探讨利用PECVD技术在低温下制种思路，备纳米硅薄膜的工艺控制．（a）T=200℃1实验利用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相PECVD）制备纳米硅颗粒薄膜，以5%沉积法（ECR-H2和O2为反应气源，的SiH4、薄膜衬底为P型（100）单晶硅片，用丙酮、酒精和去离子水超声清洗微波功率为600W，衬底．衬底温度为200～300℃，H2流量为20～40mL/min，O2流量为20mL/min，－3SiH4流量为6mL/min，本底真空为5．0×10Pa．在沉积薄膜之前对衬底表面进行常规H等离子体清洗，随后交替沉积SiO2/Si/SiO2薄膜层，即先采用（b）T=250℃O2等离子体放电制备SiO2层，然后切换H2等离子再切换O2等离子体放电制备体放电制备Si层，SiO2层，重复以上步骤循环制备不同薄膜层．采用TEM对薄膜的微观结构及形貌进行测试分析，研究不同的衬底温度及H2流量对薄膜结构的影响．采拉曼激光器的波长用拉曼光谱分析薄膜的晶化率，为632．8nm，功率35mW．采用高斯三峰拟合方法，［6］利用公式计算得到样品的晶化率：Xc=（I510+I520）/（I480+I510+I520）．（1）图1Fig．1（c）T=300℃P=600W，薄膜样品Si层的TEM高分辨像，氢气流量为20mL/min HRTEMimagesofSilayerwithmicrowavepower600Wandhydrogenflowrateof20mL/min 2．1结果与讨论温度的影响利用TEM对不同温度下沉积的薄膜的微观结2．2氢气流量的影响250、构进行了研究，图1是在衬底温度分别为200、300℃，而其他条件相同的情况下沉积的Si薄膜层高分辨透射电镜（HRTEM）图像．从图1（a）的HR-TEM照片中可以看出，在200℃时沉积的薄膜为非晶硅；而沉积温度为250℃时薄膜虽然仍以非晶态为主，但局部出现了晶化的局势，可观察到高分辨晶［7］根据A．Matsuda提出的氢化微晶硅薄膜生长理论，原子氢对Si薄膜的结晶起到了非常重要的作用．因此本文研究了H2流量大小对Si薄膜晶化率的影响．为了降低其他实验条件的干扰，同时也为了我们固定沉积温度、硅烷流量样品制备分析的方便，和微波功率并在同一基片上交替沉积不同H2流量·832·哈尔滨工程大学学报第32卷的Si层，间隔层SiO2的沉积条件不变．（a）截面形貌（e）H2流量为35mL/min（b）H2流量为20mL/min（f）H2流量为40mL/min图2相同温度下沉积的薄膜试样的TEM截面图像及T=300℃，P=600W，SiH4流量为高分辨像，6mL/min，t=5minFig．2Cross-sectionTEMimageandHRTEMimages ofdifferentlayersunder300℃，600W，silanet=5minflowrateof6mL/min，图2（a）为Si片上SiO2/Si多层膜整体形貌图，图2（b）～（f）为不同氢流量下沉积制备的Si薄膜的HRTEM高分辨图像．从图2（a）中可以测出不同（c）H2流量为25mL/min从里到外硅层的厚氢流量下制备的硅薄膜的厚度，14、13、11．6、9．3nm．可见，度分别为14、随着H2流Si薄膜的厚度逐渐降低．这是与随着氢量的增加，气流量增加，放电产生的活化氢增加，氢等离子体对薄膜的刻蚀作用加剧相关的．图3为薄膜厚度、晶化率与氢气流量关系图．从图2（b）～（f）及图3还可以看出，随着H2流量从20mL/min增加到30mL/min，薄膜结晶性增加，纳米硅颗粒的数量逐渐增加．但是随着H2流量的进一步增加，氢等离子体的刻蚀作用加剧，薄膜的结晶性反而下降，薄膜中纳米硅颗粒的数量逐渐减少，薄膜厚度也随之下降．+这是由于氢等离子体中，到达生长表面的H离子（d）H2流量为30mL/min和H原子同时有还原和刻蚀的作用．在上游微波等离子体放电室中，氢流量越大，放电产生的活性氢基第6期PECVD制备纳米硅颗粒薄膜胡娟，等：ECR-·833·团就越多，薄膜生长表面提供的原子氢打断了Si－Si键，尤其是非晶网状结构中的弱键，导致与其他硅原子结合较弱的Si键原子（非晶态）迁移．迁移后形成刚性和留下的位置被新的薄膜先驱物所取代，牢固的Si－Si键（结晶态），从而提高薄膜的结晶性．但是当H2流量过大时，氢等离子体的刻蚀作用会使刚形成的牢固Si－Si键被打断并将显著增强，分别与氢原子结合形成新的局部氢化非晶网状结构，降低薄膜晶化率．从HRTEM图像中还可测量出纳米晶硅的晶粒尺寸在5～10nm．（a）不同刻蚀层截面TEM形貌（b）氢等离子体刻蚀2min的薄膜层高分辨TEM图像图4Fig．4氢等离子体刻蚀样品截面HRTEM图像Cross-sectionHRTEMimageofthefilmsetchedbyhydrogenplasma3薄膜的Raman分析为了得到确切的结晶程度信息，选择了以上结果中显示较好的一组实验条件沉积5个周期的试样进行了Raman分析．拉曼光谱是从声子能量的角度［8-11］，如图5所示，样判断结晶特性的一种有效手段－1品在516cm附近出现了较强的谱峰，这是晶体硅的特征峰．就硅薄膜而言，非晶硅薄膜对应的拉曼峰在480cm－1处；而晶体硅对应的峰位在520cm－1处．这对于晶粒比较个峰对应着晶体硅中的类TO模式，细小且晶化较好的多晶硅薄膜，对应拉曼峰谱的位－1置非常接近晶体硅，但有些偏移，通常在518cm－1处．而纳米晶硅薄膜的拉曼峰一般在510cm左右．为了得出样品的结晶状况，对样品的Raman光510、520cm－1处进行了Gaussion分解，谱在480、如图6所示．把由软件计算的各分峰的相对积分强度代入式（1）中可得到该薄膜样品的晶化率；计算得出其晶化率是68%．。
溅射法制备纳米硅薄膜研究进展
（ｃ Ｓ： 薄 膜是 由纳 米 尺 寸的微 晶硅 颗 粒 ｎ — ｉＨ） 构成 的材 料 ， 不仅具 有 非 晶硅 的高 吸收 系 其
传 统 不 含 Ｈ 的 ａ Ｓ 薄 膜 中的 悬 挂键 —ｉ （ ＤＢ）密 度 很 高 ， 电学 性 能 差 ， 不 ７ 能 满 足 器 件 的 应 用 要 求 。 通过 使 用 氢 气 和 氩 气 的混 合 气 体 ，向 薄 膜 中引 入 了 Ｈ 原子 。Ｈ 原 子 能 够 饱 和或 部 分 饱和 ａ Ｓ 薄膜 中的 ＤＢ —ｉ 缺 陷态 ， 它的 Ｄ 使 Ｂ密 度大 大 下 降 ， 可 是移 动 Ｈ也 带 来 一些 不 利影 响 ， 如 Ｈ 原 子在 薄 膜 中扩 散 ， 易 引起 容 弱Ｓ＿ ｉ 的 断 裂和 Ｈ的聚 集 ， 致 鬈 ｉ Ｓ键 导 ’ ２ 曩 ＤＢ的 移 动 和 其 密 度 的 增加 ｛ 。具 董 有一 定微 晶 成分 的氰 化钠 米硅 薄膜 ｌ 很好地解决了这一问题 ， 其有序结
溅射、 反应磁控溅射等。 真空溅射法制备纳 米 硅薄 膜 是 使 用 氩 气 和氢 气的 混 合 等 离子 气 体轰 击 硅 靶材 。 经轰 击 后 ， 向衬 底 的硅 射 原子与衬底表面相碰撞 ，其 中一部分被反 射， 另一部分在表面上停留。 留于表面的 停 原子在 自身能量的作用下 ，发生表面扩散 及表面迁移。 一部分再蒸发脱离表面， 一部 分 落 人势 谷 底 ， 衬底 表 面 吸附 ， 发 生凝 被 即 结过程 。 凝结伴随着晶核形成与生长 ， 岛的 形成、合并 与生长 ，最后形成连续的膜 层
射 淡 镶 纳米硅 薄膜研 究 进 展
袁珂 黄强 郝会颖 １ 中国地质 大学（ 北京） 材料科 学与工程 学院 １０ ８ ０３ ０ ２ 中国地质 大学（ 北京） 息工程学院 １０ ８ 信 ０３ ０
SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性
厚度的纳米多晶硅薄膜，分别在７００℃、８００ｔ辅【９００ ａｃ下对不同厚度的硅薄膜进行高温真宅ｉ珏火，采川
ＸＲＤ、Ｒ…光谱、ＳＥＭ和ＡＦＭ研究薄膜厚度、遐火
分折仪研究纳米多品硅薄膜电肛的，－¨｝性、
１实验
温度对硅薄膜特性的影响．通过ＨＰ４１４５Ｂ半导体各散
目２
Ｔ目薄腰厚＆‰米多ｇ硅薄媵∞ＸＲＤ谙目
２ ２
薄膜ＡＦＭ形貌
Ｒ一＊＃ｈ。
圈４
３０姗厚的纳来每■硅沉积瘩薄孽和不同 遇火盖度下群曩的ｈｍｎ光谱对＆
震隰
ｎｍ、６３
采用ｖ…３１００ ＡＦＭ对纳米多隔硅薄膜进行表
ｎｍ和９８ ｎｍ的
（－）３０邮
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圈８｛同厚鸯的蚺米多■硅尊睫ＡＦＭ形孰
２．５纳米多昌硅薄臃电阻电学特性 围９给Ｈ｛ｒ纳米多品硅薄膜电阻制作工艺Ｔ艺 流程为：①采用ＬＰＣＶＤ方法在单晶硅衬底ＮＯ：屡上沉 积纳米多晶硅薄膜，采用离子注人机进行Ｂ离子注
摘要：采用低压化学气相沉积（ＬＰＣＶＤ）系统以高纯Ｓｉｌｌ。为气源，在Ｐ型１０．１６锄＜１００＞晶向单晶硅衬底Ｓｉ０２ 层上制备纳米多晶硅薄膜，薄膜沉积温度为６２０℃，沉积薄膜厚度分剐为３０
ｎｒｓ、６３
ｎｍ和９８ ｎｎｌ．对不同薄膜厚度
的纳米多晶硅薄膜分别在７００℃、８００℃和９００℃下进行高温真空退火．通过ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｒａｍａｎ光谱、扫描 电子显微镜（ｓＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）对ＳｉＯ：层上沉积的纳米多晶硅薄膜进行特性测试和表征，随着薄膜厚度 的增加，沉积态薄膜结晶显著增强，择优取向为＜ｌｌｌ＞晶向．通过ＨＰ４１４５Ｂ型半导体参数分析仪对沉积态掺硼纳 米多晶硅薄膜电阻，．ｙ特性测试发现，随着薄膜厚度的增加，薄膜电阻率减小，载流子迁移率增大．
射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜
850
0. 34 、 35 、 37 和 0. 42eV 。结合 Raman 谱 , 可以看 0. 0. 到 ,薄膜的晶化率越高 ,晶粒越大 ,暗电导率越高 ,电导
2008 年第 5 期 ( 39) 卷 [ 5 ] Terukov E I , Kudoyarova V K H ,Davydov V Yu ,et al.
( 1. 韩山师范学院 物理与电子工程系 ,广东 潮州 521041 ;2. 汕头大学 物理系 ,广东 汕头 515063 )
摘 : 要 采用传统的射频等离子体增强化学气相沉 积技术 , 在较高的工作气压 ( 133 ～ 266 Pa ) 下 , 以 0. 4 nm/ s 速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜 。薄膜的 晶化率约 60 % , 平均晶粒尺寸约 6. 0nm , 暗电导率为 10 - 3 ～ 104 / Ω ?cm 。红 外 吸 收 谱 显 示 , 薄 膜 中 没 有 Si — 、 — 、 — 等杂质键 , 随晶化率的提高 , Si — O Si C Si N H 键也逐渐消失 。 关键词 : 纳米晶硅薄膜 ; RF2P ECVD ; 生长速率 中图分类号 : TM914. 4 文献标识码 :A 文章编号 :100129731 ( 2008) 0520848203
1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.
图3 纳米晶硅薄膜的傅里叶红外变换谱 Fig 3 F TIR of t he nano2crystalline t hin film 3. 3 光电特性 实验表明 ,当温度高于 240 K 时 , 纳米晶硅薄膜主 要导电机制是扩展态电导 。类似于大多数半导体材 料 ,硅薄膜的暗电导率σ 具有热激活的形式 ,即 : d σ = σ Exp d 0
Ag2Se／Se／SiO2纳米复合物的制备及其光电性质
Ｉ Ｒ、 Ｌ Ｒ Ｓ 、 Ｐ Ｌ等方法对产物进行 了表征 ， 并对产物 的电化学和 电致 发光特性 进行 了研究 。结果 表明 ， 产物有一定
关键词 ： Ａ ｇ ： Ｓ ｅ ／ Ｓ ｅ ／ Ｓ ｉ Ｏ ： 纳米 复合 物 ； 表征 ； 电化 学 性 质 中图 分 类 号 ： ０ ６ ４ １ ． ６ ； ０ ６ １ ４ ． １ ２ ２ 文献标志码 ： Ａ 文章编号 ： １ ６ ７ ３—１ ５ ９ Ｘ（ ２ ０ １ ３ ） ｏ ３— ０ ０ １ ８— ０ ５
Ｍｒ ｄ ｖ ２ ０１ ３
・
先进 材料 及 能源 ・
Ａ ｇ ２ Ｓ ｅ ／ Ｓ ｅ ／ Ｓ ｉ Ｏ ２纳 米 复 合 物 的 制 备 及 其 光 电性 质
朱文晶 ， 张 胜 义
（ １ ． 安徽理 工大学化学工程学院， 安徽 淮南 ２ ３ ２ ０ ０ １ ； ２ ．安徽大学化学化工学 院， 安徽 合肥 ２ ３ ０ ０ ３ ９ ）
ｗｅ ｒ ｅ ｔ ｒ ａ ｎ ｓ ｆ ｏ ｒ ｍｅ ｄ ｉ ｎ ｔ ｏ ｎ ａ ｎ ｏ ｃ ｏ ｍｐ ｏ ｓ ｉ ｔ ｅ ｓ Ａｇ ２ Ｓ ｅ ／ Ｓ ｅ ／ Ｓ ｉ Ｏ２ ｂ ｙ ｒ ｅ ａ ｃ ｔ ｉ ｎ ｇ ｗ ｉ ｔ ｈ ａ ｑ ｕ ｅ ｏ ｕ ｓ Ａｇ Ｎ Ｏ３ ｓ ｏ ｌ ｕ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ．Ｔ ｈ ｅ ｎ ｔ ｈ ｅ ｓ ａ ｍｐ ｌ ｅ ｓ ｗ ｅ ｒ ｅ ｃ ｈ ａ ｒ ａ ｃ ｔ ｅ ｒ ｉ ｚ ｅ ｄ
ｂ ｙ Ｔ ｒ ａ ｎ ｓ ｍｉ ｓ ｓ ｉ ｏ ｎ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｓ ｃ ｏ ｐ ｙ （ Ｔ Ｅ Ｍ） ， Ｘ ・ ｒ ａ ｙ ｄ ｉ ｆ ｆ ｒ ａ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ （ Ｘ Ｒ Ｄ） ， Ｕ ｌ ｔ ｒ ａ ｖ ｉ ｏ ｌ ｅ ｔ — ｖ ｉ ｓ ｉ ｂ ｌ ｅ Ｓ ｐ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｐ ｈ ｏ ｔ ｏ ｍ ｅ ｔ ｅ ｒ （ Ｕ Ｖ — ｖ ｉ ｓ ） ， Ｆ ｏ ｕ ｉ ｒ ｅ ｒ Ｔ ｒ ａ ｎ ｓ —
Advanced Materials for Electronic Applications
Advanced Materials for ElectronicApplications随着科技和电子技术的不断发展，电子应用领域的需求也在不断增加。
而这些领域对于材料的需求也在不断变化和更新。
Advanced Materials for Electronic Applications，即用于电子应用的先进材料，是一类为满足电子应用领域要求而研发的材料，主要由新型和高效材料组成。
本文将从几个方面，介绍 Advanced Materials for Electronic Applications 的发展趋势和未来发展方向。
一、纳米材料在电子领域的应用纳米材料作为Advanced Materials for Electronic Applications中的一种，与传统材料相比，具有更加优异的物理和特殊的电学、热学、光学特性。
首先，纳米材料可以精准操控材料的大小、形状、表面性质和结构性质，从而使材料的功能和性能得到改良。
其次，纳米材料的表面积和界面能比传统材料更大，意味着更多的催化活性中心和多种反应可能性。
由此，纳米材料已成为在电子领域中广泛研究和应用的材料之一。
纳米材料可以被应用于先进电路板和电子元件，例如场效应晶体管、太赫兹辐射器等，在这些电子元器件上的应用可以带来更高的性能和节省能源的传输。
二、碳材料在电子领域的应用碳材料在 Advanced Materials for Electronic Applications 中广泛使用，它有很多种，例如石墨烯，碳纤维，碳纳米管等。
这些材料因其高导电性、高导热性、优异的机械强度等特点，在电子器件和电池等领域中存在巨大的应用潜力。
石墨烯中的碳原子具有独特的电子结构和动力学性质，可以被用作电子场发射器、红外均匀辐射源和射频场效应晶体管等。
由于碳纤维具有高强度和高导热性，所以可以被用于电子散热器以及电子元器件的支撑材料。
碳纳米管具有良好的热导率和电导率，在某些应用中可以被用作铝电缆和普通半导体晶体管的替代品。
PECVD法制备纳米晶粒多晶硅薄膜
第14卷第1期功能材料与器件学报Vol 114,No 112008年2月JOURNAL OF F UNCTI O NAL MATER I A LS AND DE V I CESFeb .,2008文章编号:1007-4252(2008)01-0139-04收稿日期:2007-07-20; 修订日期:2007-09-22基金项目:国家自然科学基金项目(No .60676044);黑龙江省教育厅科学技术研究项目(No .11521215);电子工程黑龙江省高校重点实验室项目(No .DZZ D2006-12);黑龙江大学青年科学基金项目(No .QLZ00514).作者简介:赵晓锋(1980-),男,讲师,博士研究生,主要研究方向:传感器M E MS (E -mail:zxf80310@ ).PEC VD 法制备纳米晶粒多晶硅薄膜赵晓锋1,2,温殿忠1,2(1.黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,黑龙江大学,哈尔滨150080;2.黑龙江大学,集成电路重点实验室,哈尔滨150080)摘要:采用射频等离子体增强化学气相沉积系统(RF -PECVD )以高纯Si H 4为气源在P 型<100>晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频(13.56MHz )电源功率50W 时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜。
采用X 射线衍射仪(XRD )、Ra man 光谱、AF M 测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为<111>晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加,Ra man 谱T O 模和T A 模强度逐渐减弱;AF M 给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20～40nm 大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱。
关键词:PECVD;纳米晶粒;非晶硅;多晶硅;高温退火中图分类号:T M614 文献标识码:APrepara ti on of nano -gra i n poly -sili con th i n f il m s by PECVDZHAO Xiao 2feng ,W EN D ian 2zhong(1.Key Laborat ory of Electr onics Engineering,Collage of Heil ongjiang Pr ovince,Heil ongjiangUniversity,Harbin 150080,China;Maj or Laborat ories of integrated circuits,Heil ongjiang University,Harbin 150080,China )Abstract:Adop ted radi o frequency p las ma enhanced che m ical vapor depositi on syste m (RF -PECVD ),and high pure Si H 4as air -s ource separately,s o that deposited polycrystalline silicon thin fil m s on P -type <100>single silicon,when te mperature of underlay is at 600℃and electrical power of e m itting -frequency 13.56MHz is 50W ,adop ted high te mperature and vacuum -annealing t o fabricate a mor phous silicon thin fil m s of nanometer crystalline grains .Took advanced of X -ray D iffracti on Apparatus (XRD )、Ra man Spectru m 、and AF M t o measure and analyze thin -fil m m icr o -structure and surface ap 2pearance .The result of the experi m ent shows that the polycrystalline silicon thin fil m s crystallized,when the annealing te mperature was at 800℃,and then for med <111>polycrystalline silicon thin fil m s of se 2lective better directi on;with increasing te mperature,intensity of Ra man Spectrum T O and T A fil m s weakens gradually;AF M gives that thin -fil m crystalline grains become significantly slender after 800℃annealing,and for med polycrystalline fil m s of grain sizes fr om 20t o 40nm ,up s and downs degree of thin-fil m crystalline grains weakened significantly.Key words:PECVD;nano-grain;a mor phous silicon;polycrystalline silicon;high te mperature an2 nealed0 引言多晶硅薄膜比非晶硅薄膜具有高的载流子迁移率、稳定性,在传感器、微电子、光电子、集成电路等领域具有广泛的应用[1-4]。
纳米薄膜材料的特性
光学性能
吸收光谱的“蓝移”、宽化与“红移”
由于具有小尺寸效应、量子尺寸效应以及界面效应，因而，当膜厚度减小时，大多数纳 米薄膜能隙将有所增大，会出现吸收光谱的蓝移与宽化现象。如纳米TiOE／SnO：纳米 颗粒膜具有特殊的紫外．可见光吸收光谱，其吸收光谱较块体发生了显著的“蓝移”与 宽化，抗紫外线性能和光学透过性良好。尽管如此，在另外一些纳米薄膜[ 中，由于随 着晶粒尺寸的减小，内应力的增加以及缺陷数量增多等因素，材料的电子波函数出现了 重叠或在能级间出现了附加能级，又使得这些纳米薄膜的吸收光谱发生了“红移”。
光学性能
光学非线性
弱光强的光波透过宏观介质时，介质中的电极化强度常与光波的电场强度具有近似的线 性关系。但是，当纳米薄膜的厚度与激子玻尔半径相比拟或小于激子玻尔半径％时，在 光的照射下，薄膜的吸收谱上会出现激子吸收峰。这种激子效应将连同纳米薄膜的小尺 寸效应、宏观量子尺寸效应、量子限域效应一道使得强光场中介质的极化强度与外加电 磁场的关系出现附加的2次、3次乃至高次项。简单地讲，就是纳米薄膜的吸收系数和光 强之间出现了非线性关系，这种非线性关系可通过薄膜的厚度、膜中晶粒的尺寸大小来 进行控制和调整。
纳
单米
击 此
薄
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题特
性
纳米薄膜
纳米薄膜是指尺寸在nm量级的颗粒(晶粒)构成的 薄膜或者层厚在nm量级的单层或多层薄膜，通常
也称作纳米颗粒薄膜和纳米多层薄膜。
纳米薄膜 材料造 成其性质不同于一般传统材料的特性。 而纳米薄膜元件之构造及制作技术是取 决于所希望达成的功能性来进行设计， 以下就先针对纳米薄膜的光学、力学、 电磁学与气敏等特性作说明。
气敏特性
碳纳米管薄膜阴极的制备与场发射性能研究的开题报告
碳纳米管薄膜阴极的制备与场发射性能研究的开题报告一、研究背景及意义碳纳米管（Carbon Nanotube, CNT）具有很高的比表面积和优异的导电性能，因此在领域中被广泛应用。
碳纳米管薄膜是一种利用大量碳纳米管通过自组装等方式形成的薄膜。
与单个碳纳米管相比，碳纳米管薄膜拥有更高的场发射效率和更好的稳定性。
因此，碳纳米管薄膜广泛应用于场发射器、柔性电子器件等领域，并被视为一种新型功能材料。
本研究旨在研究碳纳米管薄膜阴极的制备方法，并考察薄膜在场发射性能方面的表现。
为提高碳纳米管薄膜的场发射性能，本研究将结合表面化学修饰和微纳加工技术，探索改善碳纳米管薄膜阴极性能的方法，为碳纳米管薄膜的应用提供新的思路。
二、研究目标本研究的主要目标如下：1.通过自组装等方式制备出具有一定良好性能的碳纳米管薄膜阴极。
2.研究表面化学修饰对碳纳米管薄膜阴极性能的影响，探究表面化学修饰对碳纳米管薄膜阴极性能的优化效果。
3.结合微纳加工技术对碳纳米管薄膜阴极进行微纳结构设计，通过组合不同结构的碳纳米管薄膜和微纳结构，得到更好的碳纳米管薄膜阴极性能。
三、研究方法1.碳纳米管薄膜阴极的制备通过碳纳米管的分散、自组装等方法构建碳纳米管薄膜，并利用离心、热处理等方法优化薄膜的结构和性质。
2.表面化学修饰通过化学修饰的方法，调控碳纳米管薄膜表面的化学活性，改善其电子发射性能，并考察不同表面化学修饰对薄膜性能的影响。
3.微纳加工技术采用微纳加工技术，将微纳结构与碳纳米管薄膜相结合，通过设计不同结构和不同尺寸的微纳结构，达到提高碳纳米管薄膜阴极性能的目的。
4.性能测试利用场发射测试系统，对制备的碳纳米管薄膜阴极的场发射性能进行测试，并考察表面化学修饰和微纳加工等方式对碳纳米管薄膜阴极性能的影响。
四、预期成果1.制备出具有一定良好性能的碳纳米管薄膜阴极。
2.研究不同表面化学修饰方式对碳纳米管薄膜阴极性能的影响，提出改善碳纳米管薄膜阴极性能的新思路。
纳米薄膜材料的制备方法
纳米薄膜材料的制备方法摘要纳米薄膜材料是一种新型材料,由于其特殊的结构特点,使其作为功能材料和结构材料都具有良好的发展前景。
本文综述了近几年来国内外对纳米薄膜材料研究的最新进展,包括对该类材料的制备方法、微结构、电、磁、光特性以及力学性能的最新研究成果。
关键词纳米薄膜;薄膜制备; 微结构;性能21 世纪,由于信息、生物技术、能源、环境、国防等工业的快速发展, 对材料性能提出更新更高的要求,元器件的小型化、智能化、高集成、高密度存储和超快传输等要求材料的尺寸越来越小,航空航天、新型军事装备及先进制造技术使材料的性能趋于极端化。
因此, 新材料的研究和创新必然是未来的科学研究的重要课题和发展基础,其中由于纳米材料的特殊的物理和化学性能, 以及由此产生的特殊的应用价值, 必将使其成为科学研究的热点[1]。
事实上, 纳米材料并非新奇之物, 早在1000 多年以前, 我国古代利用蜡烛燃烧的烟雾制成碳黑作为墨的原料, 可能就是最早的纳米颗粒材料;我国古代铜镜表面的防锈层, 经验证为一层纳米氧化锡颗粒构成的薄膜,这大概是最早的纳米薄膜材料。
人类有意识的开展纳米材料的研究开始于大约50 年代,西德的Kanzig 观察到了BaTiO3 中的极性微区,尺寸在10~ 100纳米之间。
苏联的G. A. Smolensky假设复合钙钛矿铁电体中的介电弥散是由于存Kanzig微区导致成分布不均匀引起的。
60 年代日本的Ryogo Kubo在金属超微粒子理论中发现由于金属粒子的电子能级不连续,在低温下, 即当费米能级附近的平均能级间隔> kT 时, 金属粒子显示出与块状物质不同的热性质[ 4]。
西德的H. Gleiter 对纳米固体的制备、结构和性能进行了细致地研究[ 5]。
随着技术水平的不断提高和分析测试技术手段的不断进步, 人类逐渐研制出了纳米碳管, 纳米颗粒,纳米晶体, 纳米薄膜等新材料, 这些纳米材料有一般的晶体和非晶体材料不具备的优良特性, 它的出现使凝聚态物理理论面临新的挑战。
射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜
氢化非 晶 硅相 比， ｃ ｉ ｎ－ ：Ｈ 结构 更 加 稳 定 ， Ｓ 具有 较 高 的电导 率 以及 带 隙可 调等 优 点 。在大 面 积 显示 、 薄膜
太 阳能电池 、 存储 器 和隧 穿 二极 管 等 光 电器 件 方面 光
有诱人 的应用前 景 。因此 ， 该材 料 制 备技 术 的探 索和 微结构 及其光 电特性分析 是近年 来受科 学界 关注 的课 题 ｔ 钊。
长速率制备 出暗 电导率 为 １ ｔ－／ ｍ 的优 质纳 米 晶 Ｏ ＇１ ｃ ｌ 硅薄膜 。
２ 样 品制 备 和 测试
用 等离子体 化学气 相沉 积法制备薄 膜 以前 有过详
细 报 道［１ 。 Ｐ Ｃ ９０ ，］ Ｅ ＶＤ 系 统 如 图 １ ，电 极 面 积 约
关键词 ： 纳米 晶硅 薄膜 ； － Ｅ Ｄ； ＲＦＰ ＣＶ 生长速 率 中图分 类号 ： Ｔ １ ． Ｍ９ ４ ４ 文献标 识码 ： Ａ 文章编 号 ：０ １９３ （０ ８ ０ —８ ８０ １ ０ －７ １ ２ ０ 等 离子体 增 强化 学 气相 沉
度 ， 而降低 离 子对 薄 膜 生 长表 面 的轰 击能 量 。我们 从
积技 术， 在较 高的 工 作 气压 （ ３ ～ ２ ６ ａ 下 ， ． １３ ６Ｐ ） 以Ｏ ４
ｎ ｓ 率制备 出优 质 的氢 化纳 米 晶硅 薄膜 。 薄膜 的 ｍ／ 速 晶化率 约 ６ ， 均 晶粒 尺 寸 约 ６ ０ ｍ， 电导 率 为 Ｏ 平 ．ｎ 暗 １ ～ １ ‘Ｑ ・ｃ Ｏ Ｏ／ ｍ。 红 外 吸 收 谱 显 示 ， 膜 中 没 有 薄
实验中所用 Ａ 和 Ｂ两个系列样 品的沉积参数分 别为 ： 频功 率 ６ 射 Ｏ和 ７ Ｗ ， ０ 沉积气 压 １３和 ２６ ａ衬 ３ ６Ｐ ， 底温 度 为 ４０和 ２０Ｃ， 体 总流 量分 别 为 ５ ０ ０＂ 气 Ｏ和
碳化硅薄膜制备及其场发射特性
ｔｅｍ ｉ ａｓｒｔ ｎｐａ （０ ，５ｃ１ ）ｗ ｓ ｎ ｕｅ ｙＳ— ｏｄｎ ． ｈ ｒ ｃ ｅ ｉ ｓ ｒｓ ｔ ｇ ｉ ａ ｏ ｉ ｅｋ ８ ４ ９ ｎ～ ｌ ｎｂ ｐ ｏ ａ ｉ ｃｄ ｉ ｂｎ ｉ Ｔ ｅ ｕ ａｅ ｆｈ ｌ ｅ ｅ ｅ ｒ — ｄ ｂ Ｃ ｇ ｓｆ ｏ ｔ ｆ ｐ ｎ ｄ ｅ ｍ
（． １中国科学院西安光学精密机械研 究所 ， 西安 ７０６ ；． １０８ ２ 西北 大学 信息科学 与技术学 院，西安 ７０６ ） １０９
摘
要： 采用热丝化学气相 沉积法在 ｓ １１、 （ ） 底上制备 了 Ｓ 薄膜 ， ｉｌ ） ｎ １ 衬 （１ 州 ｉ Ｃ 并利 用 ｘ射 线衍 射和傅 里叶 变换 红
ａ ｍｃｆ ｃ ｉ ｓｏｅ（ Ｆ ｗ ｓ ｅｆ ｍｄｔ ｓ ｄ ｒ ｃ ｉ￣ ｒ ｈ 。 ｈ ｓｌ ｖａ ｄｔ ｔ ｅｄ— ｔ ｉ ｏ ｅｍｃ ｃｐ Ａ Ｍ） ａ ｐｒ ｒ ｅ ｕ ｙｓｆ ｅｍ ｍｏ ａ ｙ Ｔ ｅｒ ｕ ｓ ｅｌ ａ ｔ ｅ ｏ ｒ ｏ ｒ ｏ ｏｔ ｕａ ｇｐ ｅ ｔｒ ｅ ｅ ｈ ｈ
外吸收光谱 （Ｉ ） 薄膜 的结构 、 Ｆ Ｒ对 Ｉ 成分及化学键 合状 态 行 了分析 ．Ｒ 进 Ｘ Ｄ结果表明 ， 制备 的 ｓ ｉ Ｃ薄膜呈现 ３ －Ｃ结 ＣＳ ｉ 晶相 ， 有很好 的择优取 向性 ．Ｈ Ｆ Ｒ谱 显示， 薄膜的吸收特性主要为 Ｓ－ 键的吸收 ， 收峰 为 ８４９ ｍ 从原子 ｉＣ － 其吸 ０ ． ｃ ～． ５
ｕａ ａｔ ｌ ｈ ｐ ｄ ｇａｎ ｒ ｉｈ ｌ ａ ｋ ｄ．ｉ ｄ ｉｉｎ．ｔ ｅ ｆ ｌ ｍｉｓｏ ｈ ｒ ｃｅｓ ｏ ｅ ｄｅ ｏ ｉ ｌｒｐ ｒｉ ｅ ｓ ａ ｅ ａ ｒ ｉｓｗｅ ｅ ｔ ｔｙ ｐ ｃ ｅ ｃ ｎ ｇ ｎ ａ ｄｔ ｏ ｈ ｅｄ ｅ ｓ ｉｎ ｃ ａａ ｔｒ ｆｔ ｐ ｓｔ ｉ ｈ ｄ ｅ
纳米薄膜制备PPT课件
(1)纳米薄膜的制备方法
(ⅱ)气相法 (a)高速超微粒子沉积法(气体沉积法)． 基本原理是：用蒸发或溅射等方法获得
超微粒子，用一定气压的惰性气体作载 流气体，通过喷嘴，在基板上沉积成 膜．
(a)高速超微粒子沉积法
美国喷气制造公司采 用该工艺成功地制备 出纳米多层膜，陶瓷 -有机膜、颗粒膜 等．右图是他们采用 气体沉积法中的多喷 嘴，转动衬底制备微 粒的示意图。
(a)高速超微粒子沉积法
日本真空冶金公司的 Seichio Kashu等人用 的设备如右图所 示．他们用此方法制 备了各种金属纳米薄 膜．
(b)直接沉积法
是当前制备纳米薄膜普遍采用的方法，
基本原理：把纳米粒子直接沉淀在低温 基片上．
制备方法主要有三种：惰性气体蒸发法、 等离子溅射法和辉光放电等离子诱导化 学气相沉积法．
金属及合金超微粉涂层材料
采用电解、还原、喷雾等方法，生产出金属及 合金超微粉，然后作为单独的金属(合金)涂层、 金属复合涂层或金属基复合涂层。
金属及合金超微粉涂层材料
几种不同的金属以一定的包覆形式，形成金属复合超微粉 涂层材料，如镍包铝、铝包镍等。复合超微粉根据粉体的 结构形式分为包覆型和非包覆(即混合方式)型，包覆型又 存在完全包覆和部分包覆，如下图所示。
这种镶嵌膜(embadded film)是把金属纳米粒 子镶嵌在高聚物的基 体中．
其装置的示意图如右 图所示．
(c)气相法制备纳米薄膜的几个主要影响因素
(Ⅰ)衬底(基片)的影响(包括衬底材质的 选择和温度的影响)．
(Ⅱ)制备方法的影响．
表9-3 四种不同沉积法得的Ti纳米膜的结构
方法 蒸发法 离子束法 磁控溅射法 电子回旋共振等离子溅射法
纳米薄膜制备技术的方法和步骤详解
纳米薄膜制备技术的方法和步骤详解纳米薄膜制备技术是一种重要的材料制备方法，可用于制备具有纳米尺寸的薄膜材料。
纳米薄膜具有独特的物理和化学性质，被广泛应用于光电子学、能源存储、传感器等领域。
本文将详细介绍几种常用的纳米薄膜制备方法和相关的步骤。
1. 物理气相沉积法（PVD）物理气相沉积法是制备纳米薄膜的一种常用方法。
它利用高温或真空弧放电等方式将固体材料转化为蒸汽或离子形式，通过在衬底表面沉积形成薄膜。
该方法包括蒸发、溅射和激光烧结等技术，下面将介绍其中两种常用的物理气相沉积法。
- 蒸发法：将固体材料置于高温坩埚中，通过加热使其升华成蒸汽，然后沉积在预先清洁处理的衬底上。
蒸发法适用于制备高纯度、单晶和多晶材料的纳米薄膜。
- 溅射法：利用高能离子束轰击固体材料，使其表面物质脱离并形成蒸汽，然后沉积在衬底表面。
溅射法具有较高的原子密度和较好的原子堆积度，可用于制备复杂化合物或多元合金等纳米薄膜。
2. 化学气相沉积法（CVD）化学气相沉积法是使用气体反应来制备纳米薄膜的方法。
该方法通常在高温下进行，通过在反应气体中加入反应物质，并使其在衬底表面发生化学反应形成薄膜。
化学气相沉积法具有高产率、高纯度和较好的均匀性等优点，是制备大面积纳米薄膜的理想方法。
- 热CVD：在高温下进行反应，通过热分解或气相化学反应形成纳米薄膜。
此方法常用于制备二维材料如石墨烯等。
- 辅助CVD：加入辅助激发源如等离子体、激光或电弧等，以提供能量激活气体分子，使其发生化学反应形成纳米薄膜。
辅助CVD可以改善反应速率、增加产率和提高薄膜质量。
3. 溶液法溶液法是制备纳米薄膜的常用方法之一，适用于各种材料的制备。
具体步骤包括以下几个方面：- 溶液制备：将所需材料溶解在合适的溶剂中，形成可使溶液中纳米颗粒分散的溶液。
- 衬底处理：选择合适的衬底材料，并进行清洗和表面处理，以保证薄膜的附着和均匀性。
- 溶液沉积：将衬底浸入溶液中，控制溶液温度和浸泡时间，使纳米颗粒在衬底表面自发沉积。
《2024年HWCVD法制备纳米硅薄膜及其工艺参数研究》范文
《HWCVD法制备纳米硅薄膜及其工艺参数研究》篇一一、引言随着科技的进步和材料科学的飞速发展，纳米材料因其独特的物理和化学性质在许多领域展现出巨大的应用潜力。
其中，纳米硅薄膜作为一种重要的半导体材料，在微电子、光电子和传感器等领域具有广泛的应用。
HWCVD（热丝化学气相沉积）法作为一种制备纳米硅薄膜的常用技术，其工艺参数对薄膜的性能和质量具有重要影响。
本文旨在研究HWCVD法制备纳米硅薄膜的工艺参数，为制备高质量的纳米硅薄膜提供理论依据和实验指导。
二、HWCVD法简介HWCVD法是一种制备硅基纳米薄膜的化学气相沉积技术。
该技术通过加热丝状钨、钽等材料形成高温热源，进而激发周围气体（如硅烷、硅基前驱体等）中的反应性成分。
当这些反应性成分被分解并在热丝上凝聚时，便可形成高质量的硅薄膜。
由于此技术能够提供较为稳定的成膜过程，因此在硅基薄膜制备中应用广泛。
三、制备工艺及参数研究1. 基底材料及处理基底材料的选择和处理对薄膜的质量具有重要影响。
常用的基底材料包括单晶硅、玻璃等。
在制备前需要对基底进行清洗，以去除表面的杂质和污垢。
同时，根据实际需要，对基底进行抛光和氧化处理，以提高其表面平整度和亲水性。
2. 工艺参数研究（1）温度参数：温度是HWCVD法制备纳米硅薄膜的关键参数之一。
温度过高或过低都会影响薄膜的结晶度和质量。
因此，需要选择合适的温度范围，使反应性成分在热丝上充分分解并凝聚成膜。
（2）气体流量：气体流量对薄膜的生长速度和结构具有重要影响。
当气体流量过大时，反应性成分的浓度过高，可能导致薄膜生长过快，从而影响其质量；而气体流量过小则可能导致反应不充分，影响薄膜的生长速度。
因此，需要根据实际情况选择合适的气体流量。
（3）气压参数：气压参数也会对纳米硅薄膜的生长过程产生影响。
当气压过低时，可能会导致成膜过程不均匀；而气压过高时，可能会抑制薄膜的成长。
因此，在HWCVD过程中，需要根据具体情况调整气压参数。
单晶薄膜制备技术
单晶薄膜制备技术嘿，朋友们！今天咱就来唠唠单晶薄膜制备技术。
你说这单晶薄膜制备啊，就好比是盖房子。
那原材料就是各种“砖头瓦块”，得精挑细选。
咱得找到最合适的材料，才能保证这房子盖得结实又漂亮。
制备的过程呢，就像是一场精细的手术。
每一个步骤都得小心翼翼，不能有丝毫马虎。
温度啦、压力啦、时间啦，都得拿捏得死死的，稍有偏差，那可就前功尽弃啦，你说气人不气人！先说说这温度控制吧，就跟咱做饭掌握火候似的。
温度太高了，那薄膜就可能被烤焦了；温度太低了，又达不到效果，成不了型。
这可真是个技术活啊！还有那生长环境，得干净得像刚打扫过的屋子一样。
要是有一点灰尘杂质啥的混进去，那这薄膜可就不纯净啦，质量能好吗？就好像你吃米饭吃到了沙子，那感觉，多别扭啊！再讲讲设备吧，那可是咱的得力助手。
就跟战士手里的枪一样，得趁手才行。
好的设备能让咱的制备工作事半功倍，要是设备不行，那可就有的受了，就像拿着钝刀砍柴，费劲啊！在这个过程中，咱得时刻保持警惕，就跟警察巡逻似的。
稍有风吹草动，就得赶紧采取措施。
不然等问题大了，再想挽救可就难咯。
而且啊，这制备可不是一次就能成功的，得反复尝试，就像爱迪生发明电灯一样。
失败了？没关系，咱重新再来。
只要不放弃，总有成功的那一天。
你想想，当你最终看到那完美的单晶薄膜呈现在眼前时，那心情，得多激动啊！就跟农民伯伯看到丰收的庄稼一样，满满的都是成就感。
总之呢，单晶薄膜制备技术虽然有难度，但咱可不能怕。
只要咱用心去钻研，去尝试，就一定能掌握这门技术。
到时候，咱也能成为这方面的专家啦！加油吧，朋友们！让我们一起在单晶薄膜制备的道路上大步向前！。