薄膜的材料及制备工艺
高分子膜材料及其制备
高分子膜材料及其制备一、高分子膜材料的种类：1.聚合物膜：聚合物膜是指以聚合物为基础的薄膜材料，如聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、聚酰胺（PA）、聚氟乙烯（PTFE）等。
2.复合膜：复合膜是指由两种或多种材料通过复合工艺制备而成的薄膜材料，如聚乙烯醇（PVA）/聚乙烯（PE）复合膜、聚六氟乙烯（PVDF）/介孔石墨烯复合膜等。
3.功能膜：功能膜是指在高分子膜材料中添加特殊功能性材料，赋予其特殊的性能，如阻隔性膜、导电膜、光学膜等。
二、高分子膜材料的制备方法：1.拉伸法：将高分子材料加热至熔融状态后快速拉伸，形成薄膜状。
2.压制法：将高分子材料加热至熔融状态后压制，形成薄膜状。
3.溶液法：将高分子材料加入溶剂中，形成均匀的溶液后通过蒸发或者凝胶法制备薄膜。
4.浇铸法：在高分子材料融熔状态下，将其注入模具中，通过冷却固化成薄膜状。
5.混摩法：将高分子材料与其他相容的材料进行混摩，再经过热压或拉伸等工艺制备薄膜。
三、高分子膜材料的应用：1.包装领域：高分子膜材料具有良好的柔韧性和阻隔性能，被广泛应用于食品包装、医药包装等领域。
2.过滤领域：高分子膜材料具有良好的过滤性能，可用于水处理、液态分离等领域。
3.分离领域：高分子膜材料具有良好的选择性和分离性能，可用于气体分离、膜生物反应器等领域。
4.传感器领域：高分子膜材料具有灵敏度高、响应速度快等优点，可用于压力传感器、湿度传感器等领域。
5.电子器件领域：高分子膜材料具有柔性、可塑性等特点，可用于柔性显示器、柔性电池等领域。
总之，高分子膜材料由于其特殊的性能和制备方法，已经在各个领域得到广泛应用，并且随着科技不断发展，高分子膜材料将会在更多领域展现出巨大的潜力。
bopet薄膜工艺技术
bopet薄膜工艺技术BOPET薄膜工艺技术是一种广泛应用于包装、建材、电子等领域的高性能薄膜制备工艺。
BOPET薄膜是一种由聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）材料制成的薄膜，具有良好的物理性能和化学稳定性，广泛用于食品包装、电子设备保护膜等领域。
BOPET薄膜的制备工艺有很多种，其中最常用的工艺是拉伸薄膜法。
首先，将PET原料加热熔融，并通过挤出机将熔融PET挤出成薄膜状。
接下来，将薄膜通过一系列的辊压、冷却和拉伸等工序，使其逐渐变细并增强其物理性能。
最后，通过定型和涂覆工艺等工序，制备成具有一定机械强度和光学特性的BOPET薄膜。
BOPET薄膜工艺技术具有以下优点。
首先，制备工艺简单、成本低廉。
BOPET薄膜制备过程中主要使用的设备和工具都比较常见，制备过程相对简单，降低了投资成本。
其次，制备的薄膜具有较高的机械强度和物理稳定性。
由于经历了拉伸和定型等工艺，BOPET薄膜的机械强度较高，能够满足各种领域的使用需求。
此外，BOPET薄膜还具有较好的抗湿性能、耐化学品和热稳定性能，能够在复杂的使用环境中保持稳定性能。
最后，BOPET薄膜具有较好的光学特性。
制备过程中可以通过调整拉伸工艺参数等手段，使得薄膜具有较好的透明度和光泽度，满足不同领域对于外观品质的要求。
然而，BOPET薄膜工艺技术也存在一些挑战和需要改进的地方。
首先，制备过程中较为耗能。
BOPET薄膜工艺在拉伸和定型等环节需要较高的温度和压力，这对于能耗和设备运行成本提出了较高要求。
其次，薄膜表面容易产生划痕和静电，需要通过后续的涂布和处理等工艺对其进行修复和改善。
此外，BOPET薄膜工艺目前还存在一定的技术瓶颈，无法满足一些对于特殊功能薄膜的需求，如耐磨损、耐高温等。
综上所述，BOPET薄膜工艺技术是一种制备高性能薄膜的常用工艺，具有制备工艺简单、成本低廉、机械强度高、物理稳定性好和光学特性良好等优点。
然而，仍需要进一步优化改进工艺，以满足对于能耗和特殊功能薄膜的需求。
薄膜的化学制备方法
LB薄膜的特点
优点：1. LB薄膜中分子有序定向排列，这是一个重要特点； 2. 很多材料都可以用LB技术成膜； 3. LB膜有单分子层组成，它的厚度取决于分子大小 和 分子的层数； 4. 通过严格控制条件，可以得到均匀、致密和缺陷密 度很低的LB薄膜；
缺点：
➢ 成膜效率低， ➢ LB薄膜均为有机薄膜，包含了有机材料的弱点； ➢ LB薄膜厚度很薄，在薄膜表征手段方面难度较大。
盲孔
和形状复杂的内腔；
4. 被镀材料广泛：可在钢、铜、铝、锌、塑料、尼龙、
玻
Ni2+
+
_
H2PO2
+H2O
表面 催化HPO32
+ 3H+ + Ni
璃、 橡胶、木材等材料上镀膜。
化学镀设备（Electroless plating equipment ）
化学镀的应用
化学镀Ni-P-B活塞
Ni-P塑料模具
Ni-P铝质天线盒
PCB的局部化学镀
Layer 1
Tracks
Via Hole
SMD Pad
Layer 6
R34
IC3
二、溶胶-凝胶法
溶胶凝胶法是常用的化学制膜方法，与 蒸发、溅射等物理成膜方法相比，设备简单、成 本低、容易控制薄膜的化学组分比、可以用它方 便地制备多种薄膜和纳米材料，是一种适合于机 理研究的好方法。
4.在基片B，金属离子得到 电子被还原。
电镀服从法拉第定律
Faraday 定律（镀层厚度与时间和电流的关系）
• m=K I t • m=(M/nF) (I(d) S) t • p S h=(M/nF) (I(d)
S) t • p h=(M/nF) I(d) t
薄膜制备方法
薄膜制备方法薄膜制备方法是一种将材料制备成薄膜状的工艺过程。
薄膜是指厚度在纳米至微米级别的材料，具有特殊的物理、化学和电学性质，在许多领域具有重要的应用价值。
薄膜制备方法有多种，包括物理气相沉积法、化学气相沉积法、物理溅射法、溶液法等。
一、物理气相沉积法物理气相沉积法是一种利用高温或高能粒子束使材料原子或分子在基底表面沉积形成薄膜的方法。
常见的物理气相沉积方法有热蒸发法、电子束蒸发法和磁控溅射法等。
其中，热蒸发法是通过加热材料使其蒸发，并在基底上沉积形成薄膜；电子束蒸发法则是利用电子束的热能使材料蒸发并沉积在基底上；磁控溅射法是通过在真空室中加入惰性气体，并利用高能电子束轰击靶材使其溅射出原子或离子，从而沉积在基底上形成薄膜。
二、化学气相沉积法化学气相沉积法是一种利用气相反应在基底表面沉积材料的方法。
常见的化学气相沉积方法有化学气相沉积法、低压化学气相沉积法和气相扩散法等。
其中，化学气相沉积法是通过将反应气体在基底表面分解或氧化生成薄膜的方法；低压化学气相沉积法则是在较低的气压下进行反应，以控制薄膜的成分和结构；气相扩散法是通过将反应气体在基底表面进行扩散反应，使材料沉积在基底上。
三、物理溅射法物理溅射法是一种利用高能粒子轰击靶材使其原子或分子从靶表面溅射出来，并沉积在基底上形成薄膜的方法。
物理溅射法包括直流溅射法、射频溅射法和磁控溅射法等。
其中，直流溅射法是利用直流电源加电使靶材离子化并溅射出来；射频溅射法则是利用射频电源产生高频电场使靶材离子化并溅射出来；磁控溅射法则是在溅射区域加入磁场，利用磁控电子束使靶材离子化并溅射出来。
四、溶液法溶液法是一种利用溶液中的材料分子或离子在基底表面沉积形成薄膜的方法。
常见的溶液法包括浸渍法、旋涂法和喷雾法等。
其中，浸渍法是将基底放置在溶液中，使其吸附溶剂中的材料分子或离子，然后通过蒸发或热处理使其形成薄膜；旋涂法是将溶液倒在旋转的基底上，通过离心作用使溶液均匀涂布在基底上，然后通过蒸发或热处理使其形成薄膜；喷雾法则是将溶液喷雾到基底上，通过蒸发或热处理使其形成薄膜。
溶胶凝胶法制备薄膜及涂层材料
(6)玻璃表面的平整度及光散乱 玻璃表面，由于是所谓火抛光(fire polish)， 平整度在6~10nm。如果要求玻璃表面更平滑或 大面积范围的平滑，必须进行研磨。先用SiC或 Al2O3粗磨，然后用红粉(Fe2O3)或CeO2抛光。
玻璃表面如果呈波纹状，凸起的顶部或峰顶 与凹下的底面上的反射光之间存在光程差， △=2hcos，为入射角。如果2h小于λ/8，则看 不到光散乱。
表7-1 反应体系的组成
材料 Al2O3 La2O3-Al2O3 ZrO2(Y2O3)-Al2O3 MgO-ZrO2 Y2O3-ZrO2 MgAl2O4 MgFe2O4 Mg (Fe，Al)O4 主盐 Al(NO3)3、La(NO3)3、 Al(NO3)3 、ZrOCl2、Y(NO3)3 ZrOCl2 、Mg(NO3)2、 Y(NO3)3 Mg (NO3)2 、Al (NO3)3、 Fe(NO3)3 沉淀剂 NH4OH H2C2O4 NH4OH (NH4)2CO3 成膜促进剂 聚乙烯醇（PVA） 聚乙烯醇（PVA）、 阴离子表面活性 剂 阴离子表面活性剂 聚乙二醇、甘油
SrTiO3
Li2B4O7 Al2O3-SiO2 (如莫来石等) CeO2-TiO2
7.1.2.2影响成膜性和膜结构的主要因素 采用醇盐法制备薄膜时，影响成膜性和膜 结构的主要因素仍然是溶胶的配比、溶胶 的稳定性、干燥制度、烧结制度和基体的 选择等，具体情况与7.1.1.3节讨论的相同。 此处需要强调的是溶胶的稳定性是可以工 业化最关键的前提条件。
胶粒 H2O NH4+或者NO3成膜促进剂 稳定的均匀溶胶 H2O CO2
NO3- H2O
NH3
干燥初期
快升温
慢升温
图7-1 无机前驱体Sol-Gel膜的成膜机制示意图
薄膜生产工艺(3篇)
第1篇一、引言薄膜是一种具有特殊结构和功能的材料，广泛应用于电子、光学、能源、包装、建筑等领域。
薄膜生产工艺是指将高分子材料通过一定的加工方法制备成薄膜的过程。
本文将从薄膜生产工艺的原理、分类、设备、工艺流程等方面进行详细介绍。
二、薄膜生产工艺原理薄膜生产工艺的基本原理是将高分子材料通过加热、熔融、拉伸、冷却等过程，使其分子链在分子间力作用下重新排列，形成具有一定厚度的薄膜。
以下是几种常见的薄膜生产工艺原理：1. 流延法：将高分子材料熔融后，通过一定的速度和压力，使其在流动状态下形成薄膜，然后冷却固化。
2. 挤压法：将高分子材料熔融后，通过挤压机将其挤出成薄膜，然后冷却固化。
3. 喷涂法：将高分子材料溶解或熔融后，通过喷枪将其喷涂在基材上，形成薄膜。
4. 真空镀膜法：将高分子材料在真空条件下蒸发或溅射，形成薄膜。
5. 离子镀膜法：利用高能离子束轰击高分子材料表面，使其蒸发或溅射，形成薄膜。
三、薄膜生产工艺分类根据高分子材料种类、加工方法、用途等因素，薄膜生产工艺可分为以下几类：1. 按高分子材料种类分类：聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、聚氯乙烯（PVC）、聚酯（PET）、聚偏氟乙烯（PVDF）等。
2. 按加工方法分类：流延法、挤压法、喷涂法、真空镀膜法、离子镀膜法等。
3. 按用途分类：电子薄膜、光学薄膜、能源薄膜、包装薄膜、建筑薄膜等。
四、薄膜生产工艺设备薄膜生产工艺所需设备主要包括：1. 熔融设备：如挤出机、流延机、熔融挤出机等。
2. 冷却设备：如冷却辊、冷却水槽、冷却风等。
3. 拉伸设备：如拉伸机、拉伸辊等。
4. 收卷设备：如收卷机、收卷辊等。
5. 辅助设备：如预热装置、输送装置、切割装置等。
五、薄膜生产工艺流程以下是常见的薄膜生产工艺流程：1. 原料准备：根据所需薄膜的规格、性能要求，选择合适的高分子材料。
2. 熔融：将高分子材料加热至熔融状态。
3. 流延/挤压：将熔融的高分子材料通过流延机或挤压机，形成薄膜。
膜的生产工艺
膜的生产工艺膜的生产工艺是指在工艺流程中，将原材料加工转化为膜产品的过程。
膜是一种薄薄的材料，可以作为过滤、隔离、包装等用途，广泛应用于食品、医药、化工、电子等行业。
下面将介绍膜的生产工艺的主要步骤。
首先，膜的生产工艺的第一步是原材料的准备。
膜的原材料主要包括高分子合成树脂、添加剂和溶剂。
其中高分子合成树脂是膜的主要组成部分，可以是聚酯、聚酰胺、聚甲醛、聚乙烯等。
添加剂用于改变膜的性能，如增强强度、抗老化等。
溶剂用于将原材料溶解成膜的浆料。
第二步是浆料的制备。
将原材料和溶剂按照一定的配方比例进行混合，通过搅拌、高温加热等方法，使原材料充分溶解和均匀分散在溶剂中，形成均匀的浆料。
浆料的稠度、粘度对膜的质量和性能有重要影响，因此需要严格控制制备过程中的工艺参数。
第三步是浆料的成膜。
将制备好的浆料通过拉伸、压力、旋转等方式，将其均匀地涂布在聚合物基体或支撑膜上。
成膜的方法有很多种，如浸渍法、溶胶凝胶法、挤出法等，选择合适的成膜方法可以得到理想的膜性能。
成膜过程中要注意控制薄膜的厚度、均匀性和表面平整度，以确保膜的使用功能和可靠性。
第四步是膜的固化和处理。
成膜后的薄膜需要进行一定的固化和处理，以使其具备所需的性能。
一般而言，薄膜通过热压、热处理、冷却等方式进行固化，以提高膜的强度和稳定性。
同时，膜还需要经过剪切、清洗、打磨等处理，以改善膜的表面性状和去除悬浮物、杂质等。
最后一步是膜的检验和包装。
生产出的膜通过一系列的物理、化学测试，从膜的外观、尺寸、性能等方面进行检验，确保膜的质量达到标准要求。
检验合格的膜经过严格的包装工序，包装成卷状或片状，以方便运输和使用。
综上所述，膜的生产工艺包括原材料的准备、浆料的制备、浆料的成膜、膜的固化和处理、膜的检验和包装等主要步骤。
膜的生产工艺需要控制工艺参数，严格遵循生产标准和要求，以生产出具有良好性能和质量稳定性的膜产品。
薄膜材料与技术
薄膜材料与技术引言薄膜材料是一种在厚度范围内具有特定性能和结构的材料，它在多个领域中发挥着重要作用。
薄膜技术是制备、改进和应用薄膜材料的一套方法和工艺。
本文将介绍薄膜材料的定义、制备方法、常见应用以及未来的发展趋势。
薄膜材料的定义薄膜材料是在纳米尺度至微米尺度范围内的一种特殊材料，其厚度通常在0.1nm到100μm之间。
相比于传统材料，薄膜材料具有较高的比表面积和特殊的物理、化学性质，使得其在光电、能源、生物医学等领域具有广泛的应用前景。
薄膜材料的制备方法薄膜材料的制备方法多种多样，常见的制备方法包括：1.物理气相沉积（PVD）：通过热蒸发、电子束蒸发、激光蒸发等方法将材料蒸发在基底上，形成薄膜。
2.化学气相沉积（CVD）：将气相前体分子引入反应室中，经过热分解或化学反应，在基底表面生成薄膜。
3.溶液法：将溶解了材料的溶液涂覆在基底上，通过溶剂蒸发或化学反应，将材料转变为薄膜。
常见的溶液法包括旋涂法、浸渍法等。
4.声波法：利用声波的能量使材料溶解或悬浮在溶剂中，然后将溶液通过超声波定向沉积在基底上。
5.离子束辅助沉积（IBAD）：通过将离子束轰击基底表面，促使薄膜材料原子结晶或沉积在基底上。
薄膜材料的应用领域薄膜材料在多个领域中发挥着重要作用，以下是几个常见的应用领域：1.光学领域：薄膜材料在光学镀膜中广泛应用，用于改善光学元件的透射和反射特性。
例如，透明导电薄膜可用于制造触摸屏、光伏电池和显示器件。
2.电子领域：薄膜材料可用于制造半导体器件，如晶体管、薄膜电阻器和电容器。
此外，薄膜材料还可用于制造柔性电子产品和纳米电子元件。
3.能源领域：薄膜太阳能电池是一种高效能源转换设备，薄膜材料在其制备过程中起到关键作用。
此外，薄膜材料还可用于燃料电池、锂离子电池等能源存储和转换装置中。
4.生物医学领域：薄膜材料在生物医学传感器、生物芯片、医用导管等方面有广泛应用。
例如，聚合物薄膜可用于修复组织缺损，金属薄膜可用于制造仿生传感器。
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薄膜混合集成电路的制作工艺中心议题：多晶硅薄膜的制备摘要：本文主要介绍了多晶硅薄膜制备工艺，阐述了具体的工艺流程，从低压化学气相沉积(LPCVD)，准分子激光晶化(ELA)，固相晶化（SPC）快速热退火(RTA)，等离子体增强化学反应气相沉积(PECVD等，进行详细说明。
关键词：低压化学气相沉积(LPCVD)；准分子激光晶化(ELA)；快速热退火(RTA)等离子体增强化学反应气相沉积(PECVD)引言多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。
因此，对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注，多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类：一类是高温工艺，制备过程中温度高于600℃,衬底使用昂贵的石英，但制备工艺较简单。
另一类是低温工艺，整个加工工艺温度低于600℃，可用廉价玻璃作衬底，因此可以大面积制作，但是制备工艺较复杂。
1薄膜集成电路的概述在同一个基片上用蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺制成无源网路,并组装上分立微型元件、器件,外加封装而成的混合集成电路。
所装的分立微型元件、器件，可以是微元件、半导体芯片或单片集成电路。
2物理气相沉积-蒸发物质的热蒸发利用物质高温下的蒸发现象，可制备各种薄膜材料。
与溅射法相比，蒸发法显著特点之一是在较高的真空度条件下，不仅蒸发出来的物质原子或分子具有较长的平均自由程，可以直接沉积到衬底表面上，且可确保所制备的薄膜具有较高纯度。
3 等离子体辅助化学气相沉积--PECVD传统的CVD技术依赖于较高的衬底温度实现气相物质间的化学反应与薄膜沉积。
PECVD在低压化学气相沉积进行的同时，利用辉光放电等离子体对沉积过程施加影响。
促进反应、降低温度。
降低温度避免薄膜与衬底间不必要的扩散与化学反应；避免薄膜或衬底材料结构变化与性能恶化；避免薄膜与衬底中出现较大的热应力等。
4低压化学气相沉积(LPCVD)这是一种直接生成多晶硅的方法。
LPCVD是集成电路中所用多晶硅薄膜的制备中普遍采用的标准方法，具有生长速度快，成膜致密、均匀，装片容量大等特点。
多晶硅薄膜可采用硅烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上，典型的沉积参数是：硅烷压力为13.3～26.6Pa，沉积温度Td=580～630℃，生长速率5～10nm/min。
由于沉积温度较高，如普通玻璃的软化温度处于500～600℃，则不能采用廉价的普通玻璃而必须使用昂贵的石英作衬底。
LPCVD 法生长的多晶硅薄膜，晶粒具有<110>择优取向，形貌呈“V”字形，内含高密度的微挛晶缺陷，且晶粒尺寸小，载流子迁移率不够大而使其在器件应用方面受到一定限制。
虽然减少硅烷压力有助于增大晶粒尺寸，但往往伴随着表面粗糙度的增加，对载流子的迁移率与器件的电学稳定性产生不利影响。
5 固相晶化(SPC)所谓固相晶化，是指非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。
这是一种间接生成多晶硅的方法，先以硅烷气体作为原材料，用LPCVD方法在550℃左右沉积a-Si:H 薄膜，然后将薄膜在600℃以上的高温下使其熔化，再在温度稍低的时候出现晶核，随着温度的降低熔融的硅在晶核上继续晶化而使晶粒增大转化为多晶硅薄膜。
使用这种方法，多晶硅薄膜的晶粒大小依赖于薄膜的厚度和结晶温度。
退火温度是影响晶化效果的重要因素，在700℃以下的退火温度范围内，温度越低，成核速率越低，退火时间相等时所能得到的晶粒尺寸越大;而在700℃以上，由于此时晶界移动引起了晶粒的相互吞并，使得在此温度范围内，晶粒尺寸随温度的升高而增大。
经大量研究表明，利用该方法制得的多晶硅晶粒尺寸还与初始薄膜样品的无序程度密切相关，T.Aoyama等人对初始材料的沉积条件对固相晶化的影响进行了研究，发现初始材料越无序，固相晶化过程中成核速率越低，晶粒尺寸越大。
由于在结晶过程中晶核的形成是自发的，因此，SPC多晶硅薄膜晶粒的晶面取向是随机的。
相邻晶粒晶面取向不同将形成较高的势垒，需要进行氢化处理来提高SPC多晶硅的性能。
这种技术的优点是能制备大面积的薄膜, 晶粒尺寸大于直接沉积的多晶硅。
可进行原位掺杂，成本低，工艺简单，易于形成生产线。
由于SPC是在非晶硅熔融温度下结晶，属于高温晶化过程，温度高于600℃，通常需要1100 ℃左右，退火时间长达10个小时以上，不适用于玻璃基底，基底材料采用石英或单晶硅，用于制作小尺寸器件，如液晶光阀、摄像机取景器等。
6准分子激光晶化(ELA)激光晶化相对于固相晶化制备多晶硅来说更为理想，其利用瞬间激光脉冲产生的高能量入射到非晶硅薄膜表面，仅在薄膜表层100nm厚的深度产生热能效应，使a-Si薄膜在瞬间达到1000℃左右，从而实现a-Si向p-Si的转变。
在此过程中，激光脉冲的瞬间(15～50ns )能量被a-Si薄膜吸收并转化为相变能，因此，不会有过多的热能传导到薄膜衬底，合理选择激光的波长和功率，使用激光加热就能够使a-Si薄膜达到熔化的温度且保证基片的温度低于450℃，可以采用玻璃基板作为衬底，既实现了p-Si薄膜的制备，又能满足LCD及OEL 对透明衬底的要求。
其主要优点为脉冲宽度短(15～50ns )，衬底发热小。
通过选择还可获得混合晶化，即多晶硅和非晶硅的混合体。
准分子激光退火晶化的机理：激光辐射到a-Si 的表面，使其表面在温度到达熔点时即达到了晶化域值能量密度Ec。
a-Si在激光辐射下吸收能量，激发了不平衡的电子-空穴对，增加了自由电子的导电能量，热电子-空穴对在热化时间内用无辐射复合的途径将自己的能量传给晶格，导致近表层极其迅速的升温，由于非晶硅材料具有大量的隙态和深能级，无辐射跃迁是主要的复合过程，因而具有较高的光热转换效率，若激光的能量密度达到域值能量密度Ec时，即半导体加热至熔点温度，薄膜的表面会熔化，熔化的前沿会以约10m/s的速度深入材料内部，经过激光照射，薄膜形成一定深度的融层，停止照射后，融层开始以108-1010K/s的速度冷却，而固相和液相之间的界面将以1-2m/s的速度回到表面，冷却之后薄膜晶化为多晶，随着激光能量密度的增大，晶粒的尺寸增大，当非晶薄膜完全熔化时，薄膜晶化为微晶或多晶，若激光能量密度小于域值能量密度Ec，即所吸收的能量不足以使表面温度升至熔点,则薄膜不发生晶化。
一般情况下,能量密度增大，晶粒增大，薄膜的迁移率相应增大，当Si膜接近全部熔化时，晶粒最大。
但能量受激光器的限制，不能无限增大，太大的能量密度反而令迁移率下降。
激光波长对晶化效果影响也很大，波长越长，激光能量注入Si膜越深，晶化效果越好。
ELA法制备的多晶硅薄膜晶粒大、空间选择性好，掺杂效率高、晶内缺陷少、电学特性好、迁移率高达到400cm2/v.s，是目前综合性能最好的低温多晶硅薄膜。
工艺成熟度高，已有大型的生产线设备，但它也有自身的缺点，晶粒尺寸对激光功率敏感，大面积均匀性较差。
重复性差、设备成本高，维护复杂。
7快速热退火(RTA)一般而言，快速退火处理过程包含三个阶段：升温阶段、稳定阶段和冷却阶段。
当退火炉的电源一打开，温度就随着时间而上升，这一阶段称为升温阶段。
单位时间内温度的变化量是很容易控制的。
在升温过程结束后，温度就处于一个稳定阶段。
最后，当退火炉的电源关掉后，温度就随着时间而降低，这一阶段称为冷却阶段。
用含氢非晶硅作为初始材料，进行退火处理。
平衡温度控制在600℃以上，纳米硅晶粒能在非晶硅薄膜中形成，而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着退火过程中的升温快慢而变化。
在升温过程中，若单位时间内温度变化量较大时(如100℃/s)，则所形成纳米硅晶粒较小(1.6～15nm);若单位时间内温度变化量较小(如1℃/s)，则纳米硅粒较大(23～46nm)。
进一步的实验表明：延长退火时间和提高退火温度并不能改变所形成的纳米硅晶粒的大小;而在退火时，温度上升快慢直接影响着所形成的纳米硅晶粒大小。
为了弄清楚升温量变化快慢对所形成的纳米硅大小晶粒的影响，采用晶体生长中成核理论。
在晶体生长中需要两步：第一步是成核，第二步是生长。
也就是说。
在第一步中需要足够量的生长仔晶。
结果显示：升温快慢影响所形成的仔晶密度.若单位时间内温度变化量大,则产生的仔晶密度大;反之,若单位时间内温度变化量小，则产生的仔晶密度小。
RTA退火时升高退火温度或延长退火时间并不能消除薄膜中的非晶部分，薛清等人提出一种从非晶硅中分形生长出纳米硅的生长机理：分形生长。
从下到上，只要温度不太高以致相邻的纳米硅岛不熔化，那么即使提高退火温度或延长退火时间都不能完全消除其中的非晶部分。
RTA退火法制备的多晶硅晶粒尺寸小，晶体内部晶界密度大，材料缺陷密度高，而且属于高温退火方法，不适合于以玻璃为衬底制备多晶硅。
8 等离子体增强化学反应气相沉积(PECVD)等离子体增强化学反应气相沉积(PECVD)法是利用辉光放电的电子来激活化学气相沉积反应的。
起初，气体由于受到紫外线等高能宇宙射线的辐射，总不可避免的有轻微的电离，存在着少量的电子。
在充有稀薄气体的反应容器中引进激发源(例如，直流高压、射频、脉冲电源等)，电子在电场的加速作用下获得能量，当它和气体中的中性粒子发生非弹性碰撞时，就有可能使之产生二次电子，如此反复的进行碰撞及电离，结果将产生大量的离子和电子。
由于其中正负粒子数目相等。
故称为等离子体，并以发光的形式释放出多余的能量，即形成“辉光”。
在等离子体中，由于电子和离子的质量相差悬殊，二者通过碰撞交换能量的过程比较缓慢，所以在等离子体内部各种带电粒子各自达到其热力学平衡状态，于是在这样的等离子体中将没有统一的温度，就只有所谓的电子温度和离子温度。
此时电子的温度可达104℃，而分子、原子、离子的温度却只有25～300℃。
所以，从宏观上来看，这种等离子的温度不高，但其内部电子却处于高能状态，具有较高的化学活性。
若受激发的能量超过化学反应所需要的热能激活，这时受激发的电子能量(1～10eV)足以打开分子键，导致具有化学活性的物质产生。
因此，原来需要高温下才能进行的化学反应，通过放电等离子体的作用，在较低温度下甚至在常温下也能够发生。
8.1 PECVD法沉积薄膜的过程可以概括为三个阶段：①. SiH4分解产生活性粒子Si、H、SiH2 和SiH3等;②. 活性粒子在衬底表面的吸附和扩散;③. 在衬底上被吸附的活性分子在表面上发生反应生成Poly-Si层，并放出H2;研究表面，在等离子体辅助沉积过程中，离子、荷电集团对沉积表面的轰击作用是影响结晶质量的重要因素之一。
克服这种影响是通过外加偏压抑制或增强。
对于采用PECVD技术制备多晶体硅薄膜的晶化过程,目前有两种主要的观点.一种认为是活性粒子先吸附到衬底表面,再发生各种迁移、反应、解离等表面过程,从而形成晶相结构,因此,衬底的表面状态对薄膜的晶化起到非常重要的作用.另一种认为是空间气相反应对薄膜的低温晶化起到更为重要的作用,即具有晶相结构的颗粒首先在空间等离子体区形成,而后再扩散到衬底表面长大成多晶膜。