ch19 晶圆测试
电感耦合等离子体原子发射光谱法测定铜合金中锆量的不确定度评定
２１ ０ ２年 ３月
ｄ ｉ１ ． ９ ９ Ｊ ｉ ｎ ２ ９ — ０ ５ ２ １ ． １ ０ １ ｏ ：０ ３ ６ ／．ｓ ． ０ ５ １ ３ ． ０ ２ Ｏ ． ０ ７ ｓ
国无 机分 析 化 学
ｏ ｎｏ ｇａ ｃ Ａｎ ｌ ｔｃ ｌＣｈｅ ｓ ｒ ｆＩ ｒ ｎｉ ａ ｙ ｉａ ｍｉｔ ｙ
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ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱｅ
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中
建 立 了数 学 模 型 ， 测 量 重 复 性 ， 对 标准 溶 液 ， 准 曲 线 变 动 ， 液 体 积 ， 样 称 量 ， 字 修 约 等 引 起 的 不 确 标 试 试 数 定分 量 进 行 评 定 ， 计算 了合 成标 准不 确 定 度 和 扩 展 不 确 定 度 ， 给 出铜 合 金 中锆 量 测 定 结 果 的 报 告 。评 并 定结果表 明： 测量 重 复性 ， 准 曲 线 线性 回 归 引起 的不 确 定 度 对 总 不 确 定 度 影 响 最 大 。所 以在 测 定 中 应 标 进行 多次 平 行 测 定 ， 别 注 意标 准 曲线 的校 正 和 绘 制 校 准 曲线 所 用 标 准 样 品 的 选择 。 特
Ｖｏ． １ ２，Ｎ Ｏ． １
７ ～７ ０， ３
电感 耦 合等 离子体 原 子发 射 光谱 法测 定 铜 合金 中 锆 量 的不 确 定 度 评 定
Ｃ
ｈ
ｅ
Ｓ
雷 宏 田
（ 中国第一汽 车股份 有 限公 司技 术 中心 ，长春 １ ０ １ ） ３ ０ １
摘 要 讨 论 了采 用 电感 耦 合 等 离 子 体 发 射 光谱 法 测 定 铜 合 金 中 锆 量 分 析 结 果 不 确 定 度 产 生 的原 因 。
高频课程设计报告_调频发射机
高频课程设计报告_调频发射机目录1. 内容概述 (2)1.1 课程背景 (3)1.2 报告目的 (3)1.3 报告结构 (4)2. 调频发射机概述 (5)2.1 调频通信原理 (6)2.2 调频发射机组成 (7)3. 调频发射机设计要求 (8)3.1 系统指标 (10)3.2 性能要求 (11)4. 设计方案与实现 (11)4.1 发射机结构设计 (13)4.2 高频电路设计 (14)4.3 调制和解调电路设计 (15)4.4 电源模块设计 (17)5. 调试与优化 (19)5.1 测试方法 (21)5.2 调试过程 (22)5.3 性能优化 (23)6. 测试结果与分析 (25)6.1 发射功率 (26)6.2 频谱纯度 (27)6.3 调制质量 (28)6.4 系统稳定性 (30)7. 结论与展望 (31)7.1 设计总结 (32)7.2 存在问题 (34)7.3 未来改进方向 (35)1. 内容概述本报告详细介绍了调频发射机的高频课程设计，围绕其工作原理、设计要点、实现路径以及未来改进方向展开深入探讨。
从调频发射机的基本原理出发，我们讨论了信号调制、载波频率的调整以及功率放大等关键技术点。
报告紧密结合实际工程需求，详尽阐述了调频发射机的工作著魔步骤和各个模块的功能设计，包括射频前端、调制器、功率放大器等核心部件。
在分析过程中，我们考虑了复杂信号环境下的抗干扰性设计，确保信号传输的稳定性和清晰度。
通过对调频发射机的仿真和数据分析，本报告优化了不同负载条件下的性能表现，为实际生产提供了有效的理论支持。
本课程设计报告还包括了项目实施过程中的遇到的挑战和解决方案，同时讨论了调频发射机在现代无线通信技术中的应用及其市场潜力。
报告最后展望了的未来科技发展趋势，提出了进一步提升调频发射机性能的潜在技术和创新方向。
通过本报告的学习与应用，读者能够获得关于高频调频发射机设计过程的全面了解，并为后续相关研究提供有益的参考和指导。
RN8302B用户手册_v3.0(低成本)
1 芯片介绍..........................................................................................................................................4 1.1 芯片特性...............................................................................................................................4 1.2 功能框图...............................................................................................................................5 1.3 管脚定义...............................................................................................................................6 1.4 典型应用...............................................................................................................................8
三相多功能防窃电计量芯片 RN8302B
RN8302B 用户手册
日期：2011-6-20 初次发布
日期: 2013-8-16 升级至版本: 2.2 日期：2013-12-25 升级至 RN8302B（版本 v3.0）
电感耦合等离子体原子发射光谱法快速测定玻璃中的铈
１ 实 验
１ １ 主 要仪 器 ．
ＶＳ Ａ— Ｒ ＩＴ Ｐ Ｏ全谱直读 电感耦合等离子体原子发射光谱仪（ 国 Ｖ ｒ ｎ 美 ａ ａ 公司） ｉ 。
１ ２ 主要 试剂 ．
表 １ 分 析 谱 线 的选 择
Ｔａ ｌ Ｃｈ ｉ ｅ ｏ ｎ ｌ ｓｓｗａ ｅｅ ｇ ｈ ｂｅ１ ｏ ｃ ｆａ ａｙ ｉ ｖ ｌｎ ｔ
・
２・
玻 璃与搪 瓷
２ｌ 年 １ ０１ ２月
２ １２ 雾化气 流量 的选 择 ．．
仪器其它参数设置 ： 功率 １０ｋ 冷却气流量 １ ｍｎ 辅助气流量 １５Ｌ ｍｎ 泵速 １ ｍｎ 稳定 时 Ｗ； ５ｌ ｉ； Ｍ ． ／ ｉ； ５ｒ ｉ； ／ 间 ４Ｓ样 品提 升 时间 ３ ； ； ０Ｓ雾化器 清洗 时 间 ５Ｓ 。重 复测 量次 数 ３ 。
摘要 ： 绍 了用高 氯酸 、 介 氢氟酸 和 盐酸处 理玻 璃样 品， 然后 用 电感 耦 合 等 离子体 原 子 发 射 光谱 法 测定 玻璃 中的铈 的方 法。 测定 时选 择 ４ ８６９ｎ 为 分 析 线 ， 择 Ｆｔｄ背景 校 正进 行 背 景 扣 １．５ ｍ 选 ｉｅ ｔ
除。精密度试验表明， 同一样 品进行 ｌ 对 ０次测定得到铈 的相对标准偏差小于 １ ％。用标准加入 法作 了回收 率试验 ， 所得 回收率在 ９ ％ ～１０ 。该 法 已成 功地 应用于 玻璃 中铈 的测定 。 ２ １％
Ｈ Ｉ６ ｏ／ ） Ｈ （２ ｏ Ｌ ， Ｃ０ （８ ｌＬ 等所 用 试剂 均不低 于分 析纯 ， 为蒸馏水 。 Ｃ（ ｍ ＬＬ ， Ｆ １ｍ ｌ ） Ｈ １ １ｍｏ ） ／ ／ 水
AD9625_cn
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产品特性 .......................................................................................... 1 应用 ........................................................
cqi—19标准中文版检测步骤
cqi—19标准中文版检测步骤嘿，咱今儿就来聊聊这个 CQI-19 标准中文版检测步骤。
你可别小瞧了这玩意儿，它就像是一把精准的尺子，能衡量出好多关键的东西呢！首先啊，你得把相关的文件资料啥的都准备齐全咯，这就好比战士上战场前得把武器装备都带齐了，不然咋打仗呀！然后仔细研读这些资料，把每一个细节都给琢磨透了，这可不是随便看看就行的，得用心去体会。
接下来，就该进入实际操作的环节啦。
就像厨师做菜一样，每一个步骤都得恰到好处。
先设定好检测的环境和条件，要保证这个环境稳定可靠，不能一会儿热一会儿冷的，那可不行。
然后呢，按照标准的流程一步一步地进行检测。
这里可不能马虎，每一个动作都得精确到位，就像走钢丝一样，稍有偏差可能就前功尽弃啦。
好比盖房子，一块砖没放好，可能整栋房子都不稳固呢！在检测的过程中，要时刻保持警惕，注意观察每一个数据的变化，这可关系到最终的结果啊。
就好像医生给病人看病，一点点细微的症状都不能放过。
检测完了可不算完事儿哦，还得对数据进行仔细的分析和评估。
这就像是老师批改作业，要找出问题所在，给出合理的评价和建议。
你说，这 CQI-19 标准中文版检测步骤是不是很重要啊？要是哪一步没做好，那可就麻烦大啦！所以啊，咱可得认真对待，不能有丝毫的懈怠。
咱再想想，这检测步骤就像是一场精彩的演出，每一个环节都是一个精彩的节目，只有每个节目都表演好了，这场演出才能圆满成功。
而且啊，这可不是一次性的事情，得经常去做，不断地去完善和提高。
就像运动员训练一样，只有不断地练习，才能在比赛中取得好成绩。
总之呢，要做好 CQI-19 标准中文版检测步骤，就得有耐心、细心和责任心。
这可不是随便说说就能做到的，得实实在在地去行动。
你说是不是这个理儿？咱可不能马虎对待呀，这可是关系到好多重要的事情呢！你想想，要是检测不准确，那会带来多大的影响啊！所以呀，咱得重视起来，把每一步都做好，让检测结果准确可靠，这样才能让人放心呀！。
ic晶圆测试采点方式
ic晶圆测试采点方式IC晶圆测试是集成电路生产过程中非常重要的环节，用于测试晶圆上每个芯片的性能和功能。
而采点方式的选择则直接影响到测试的准确性和效率。
本文将介绍和分析IC晶圆测试中常用的采点方式。
1. Scribe Line采点方式Scribe Line采点方式是最常见的IC晶圆测试采点方式之一。
在晶圆制造过程中，芯片之间通常会有纹理或“划线”，这些线条叫做scribe lines。
通过在scribe lines上采取测试点，可以避免对芯片自身造成损害。
这种方式适合于对于整个晶圆的统一测试，能够在保证测试有效性的情况下，最大限度地减少对芯片的损坏。
2. Site-by-Site采点方式Site-by-Site采点方式是一种逐片测试的方法。
在这种方式下，测试仪器会在每个芯片的不同测试点上逐一测试，而不是统一测试整个晶圆。
这种方式可以更详细地了解每个芯片的性能和功能，并提供更精确的测试结果。
然而，这种采点方式需要更多时间和资源，因为它需要逐片测试整个晶圆。
3. Die-by-Die采点方式Die-by-Die采点方式是一种逐个芯片测试的方法。
在这种方式下，测试仪器会在每个单独的芯片上的多个测试点进行测试。
这种方式不仅可以提供非常详细的测试结果，还可以发现芯片内部的不同区域之间的差异。
然而，由于需要测试每个芯片的多个测试点，这种方式需要更多的时间和资源，适用于对测试结果要求非常高的情况。
4. Random方式Random方式是一种随机选择测试点的方法。
在这种方式下，测试仪器会根据预定的规则在晶圆上随机选择测试点进行测试。
这种方式可以避免选择性测试带来的偏差，并提高测试的全面性。
然而，由于测试点的不确定性，这种方式可能需要更多的测试次数才能获得准确的测试结果。
在实际的IC晶圆测试中，通常会综合使用上述不同的采点方式。
对于整个晶圆的初步测试，可以采用Scribe Line采点方式，确保测试的速度和整体性能。
中国南方电网有限责任公司单相电子式电能表(费控)技术规范
3.1 介质 ............................................................................................................................................................ 1 3.2 固态介质 .................................................................................................................................................... 1 3.3 虚拟介质 .................................................................................................................................................... 1 3.4 累计电量 .................................................................................................................................................... 1 3.5 负荷开关 .................................................................................................................................................... 1
全面射频IC EDA及测试工具方案介绍
提参建模：生成 PDK model 文件，完美表征成熟半导体工艺线 设计仿真：MMIC，RFIC，电路级设计，电磁和热分析，封装模拟 电路测试：片上测试，封装后测试；
射频芯片，模拟芯片，数字芯片
Electro-thermal
是德科技 芯片测试宝典
及其他半导体IC 数字芯片测试 ...................................................................................... 04 技术概述 .................................................................................................................. 04 手机 baseband ....................................................................................................... 08
FROM MODELING,
SIMULATION TO TEST
覆盖IC全产业链，是德科技提供最 全面IC EDA及测试工具
Start IC Specs
是德科技（原安捷伦电子测量事业部），不仅是世界上最大的硬 件电子测试测量仪器公司，也是 RFIC design EDA 软件 ADS 的 生产厂商。我们提供大量的软件，硬件，覆盖 IC 全产业链测试 与仿真需求。
－编解码器逻辑测试 .......................................................
锰的溶解。LiMn2O4中Mn3...
关键词：锂离子电池；大容量；软包装材料；关键工艺；电化学性能
II
硕士学论文
Abstract
With the advent of the energy crisis and the environmental crisis, the whole world has an urgent need for renewable clean energy, as well as the electric vehicles industry. Lithium ion battery currently has got international attention as the new clean energy, which has high operating voltage, high specific energy, light weight, long cycle life, no memory effect, low self-discharge and pollution-free, etc. and has already been applied to all aspects of people's lives, especially widely used in digital products and electric vehicles. However, lithium ion battery also has some disadvantages, such as: low capacity and poor consistent performance, which will seriously affect the application of lithium battery, therefore, preparation of high capacity and good consistent performance of lithium ion battery will be a new challenge of the lithium ion battery industry.
芯片IC检验标准
1. 抽样计划标准
正常情况下，根据公司标准抽取样品和本公司实际情况作出的芯片检验标准为准则。
非正常情况下，转换规则如下： 正常 加严：在正常检验状态下，如果连续3批中有1批抽检时发现问题，则由正常检验转为加严检验（全检）。
加严
正常：在加严检验状态下，如果连续3批没有发现问题，则由加严检验转为正常检验。
停止检验：在加严检验状态下，如果退货数累积到3批或者连续2批被拒收将停止检验，直至措施已被有 效执行方恢复检验，检验从正常检验开始。
2. 接收标准（AQL ）（客户有要求是按客户要求执行）
致命缺陷（CR ）： 0 严重缺陷（MA ）：0.25 轻微缺陷（MI ）： 0.65
3. 物料是否接收和退货，及判定标准，参照下列缺陷分类
4. QC 检验员接触IC 时，必须配戴防静电装置
备注：以上表格打印出来根据每一批次作出质检报告(内含质检人员及时间供应商) 每一批次都有跟踪都有追溯。
22-三维芯片测试调度技术研究和基于RTW与VxWorks的半物理仿真系统实现
三维芯片测试调度技术研究和基于 RTW 与 VxWorks 的半 物理仿真系统实现
Research on Test Scheduling Technology for 3D Chips and Realization of Semi-physical Simulation System Based on RTW and VxWorks
VII
致谢
岁月如流，日月如梭，不知不觉研究生生涯即将结束。在读研期间， 在良师益友的悉心指导和无私帮助下，我不仅学到了专业知识，还收获了 感动和认可。在这毕业论文封笔之时，请接受我对你们诚挚的感谢。 首先感谢我的导师王伟副教授三年来对我的悉心指导与教诲。他知识 渊博，治学严谨，不仅在学业上给予了我极大帮助，使我的科研能力和知 识水平得到了较大的提高，也教会了我很多为人处事的道理。他给了我充 分的思想自由，允许我自由选择感兴趣的研究方向并加以指导，同时还为 我们提供很多课题项目，锻炼我们的解决问题能力和动手实践能力。正是 在他的严格要求与亲切关怀下才使我能够顺利地完成学业 ，他的治学态度 和待人处事的人格魅力将不断地激励我前进。 感谢梁华国、欧阳一鸣、陈田、刘军、易茂祥、黄正峰等老师，为我 的研究提供了很多无私的帮助。同时，我还要感谢 董福弟、张欢、兰方勇 和高晶晶等师兄师姐，还有唐勇、李欣等研究生同学，他们给了我很大的 帮助。感谢张欢、杨国兵、董寅冬等师弟师妹，他们给我的学习和生活提 供了很多无私的帮助与支持。感谢课题项目合作单位的领导和负责人对我 的认可。在此向他们表示深深的感谢并祝愿他们未来的生活一帆风顺。 感谢侯宝剑、丁凯、段坤等室友，在生活上他们给了我许多欢笑、照 顾和理解，在此祝愿他们工作顺利，前程似锦！ 感谢家中的父母亲友，没有他们默默的支持，我也不会顺利地完成学 业。没有他们的关心也不会有我今天的成功，我的成功也凝聚着他们的汗 水，祝愿他们身体健康，平平安安！ 最后，衷心感谢为评阅论文而付出辛勤劳动的各位专家学者，以及本 论文所引用参考文献的作者们！ 谨以此文献给所有关心理解帮助和支持过我的人们。
asic晶圆的验证流程
asic晶圆的验证流程ASIC晶圆的验证流程通常包括以下几个步骤：1. 设计验证：在ASIC设计完成后，需要进行功能验证以确保其符合设计要求。
这一步骤通常包括逻辑仿真、功能仿真和验证集合的开发。
- 逻辑仿真：使用RTL（Register Transfer Level）仿真器对设计进行验证，检查逻辑功能是否符合预期。
- 功能仿真：使用功能仿真器对设计进行验证，通过对多种情况和输入组合进行仿真测试，以确保设计在各种场景下工作正常。
- 验证集合开发：根据设计规范和要求，开发验证集合来测试设计的各个功能单元和整体运行。
2. 格式验证：在设计验证通过后，需要进行格式验证以确保设计可以正确映射到硅芯片。
格式验证通常包括布局验证和电气验证。
- 布局验证：使用布局工具对设计进行布局，并进行物理规则检查，以确保没有布局冲突和物理规则违规。
- 电气验证：使用电气仿真器对设计进行仿真，以确保设计在各种电压和温度条件下的电气性能符合规范。
3. 物理验证：在格式验证完成后，需要进行物理验证以确保设计在硅芯片制造过程中可以成功转换为物理布局。
- 物理布局验证：使用物理布局工具对设计进行布局，并进行电路布线规则检查和时序分析，以确保布局满足电路性能要求。
- 物理仿真：使用仿真器对物理布局进行功耗、时序和噪声分析，检查设计的各项指标是否满足要求。
4. 测试验证：在物理验证完成后，需要进行芯片级别的测试验证以确保硅芯片的功能和性能符合设计要求。
- 测试集合开发：根据设计规范和要求，开发测试集合以对芯片进行各种功能和性能测试。
- 芯片测试：使用测试设备对芯片进行测试，收集测试数据并进行数据分析，评估芯片的功能和性能是否符合设计要求。
5. 系统验证：在芯片测试完成后，还需要进行一些系统级别的验证，以确保芯片能够在整个系统中正常工作。
- 集成测试：将芯片集成到系统中，并进行系统级别的测试，以验证芯片与其他系统组件的兼容性和协作性。
- 性能评估：在系统级别上对芯片进行性能评估，并进行性能测试和优化。
锆石中锆铪比值的匀称线对法无标准光谱测定
锆石中锆铪比值的匀称线对法无标准光谱测定
锆石中锆铪比值是衡量锆石复杂组成的一个重要指标，一般来说，锆石中锆与铪的比值越接近1:1，石料的纯度越高，质量也越好。
要对锆石中锆铪比值的匀称线进行检测，使用
的是无标准光谱测定法。
无标准光谱测定是一种纯物理实验方法，在这一测定方法中，将待测样品中的元素原子发
射出光谱图，使其陷入衰减状态，随后通过光谱仪收集发射出的光谱，测量不同元素发射
出的光谱线，从而完成无标准光谱测定法。
使用无标准光谱测定锆石中锆铪比值的匀称线，首先将锆石样品以粉末形式放入焙烧管中，经过一定的焙烧温度，将锆石中的元素原子发射出光谱图，将发射出的光谿方入衰减状态；随后，将发射出的元素光谱发射线，通过光谱仪收集，从而得到不同元素的光谱线；最后，对收集的元素的光谱线进行分析，并计算锆石中两种元素的比值。
经过上述步骤，可以有效测定出锆石中锆铪比值的匀称线。
鉴于无标准光谱测定方法的较高准确性，使其在石材实验中得到了广泛应用。
无标准光谱测定法不仅可以在石材行业用
来测量锆石中锆铪比值的匀称线，还可以用来测定其他石料中不同元素的比值。
总之，无标准光谱测定法是一种简单、有效的测定石料纯度的指标，在测定锆石中锆铪比值的匀称线时，具有较高的准确性，使得该测定方法得到广泛应用。
半导体制造专业术语
微电子制造专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
LYQSACP晶圆检验标准
A2 1.目的为CP 外观检验提供依据..2.适用范围本公司内晶圆的检验..3.职责品经部：负责检验标准之制定及修改;并依本标准对产品进行抽检.. 其他部门：依本标准对晶圆产品进行品质判定..4.标准内容光阻剥落或显影不良造成图形异常或呈现锯齿状.HD如右图护层不良;检验不管控NGOK HD如右图线路不良;检验不管控氧化/铝腐蚀/焊变PAD氧化、腐蚀或变黄色、咖啡色、黑褐色或有七彩色；针对XW的产品边缘晶圆外4圈区域不完整DIE不算一圈的PAD变色;不做管控;做允收判定..在50倍的目镜;铝路不可发生氧化;铝变色腐蚀;焊变..显微镜下观察pad上有荷叶状或蝴蝶状图案;观察其颜色偏黄或偏灰且边界明显; 线路表面不允许有..针痕不良针痕和因针痕造成的铝屑都不允许超出PAD的边框..背面刮痕：背面呈白色条状;为背面刮痕;不能伤及电性和露底层;可接受;但需在流程卡及检验报表上记录..刮痕呈黑色条形状裂痕;拒受..PAD上刮/压伤不得位于中央焊线区;总面积不得大于20%图略PAD开窗不良1、PAD开窗位移桥接邻近焊垫;开窗面积未超过1/4者允收;造成桥接拒收如图一：PAD已向左边偏移2、PAD上护层开窗不良而盖住PAD面积1/4以上者---拒收且不得位于中央焊线区3、因开窗〈蚀刻〉错位;使其超过PAD外围上的N、P扩散线---拒收4、开窗不足：开窗面积＜PAD 3/4---拒收≥PAD 3/4----接收PAD不良PAD缺损超过原来面积的10%.. 图一图二墨迹1)墨迹点覆盖于晶粒表面上呈分散状;不可崩散残留在良品晶粒上超过1个PAD面积以总溅墨点合计;不含PAD区域..2)晶粒表面上之墨点迹;且有规则之外形;类似圆型或椭圆型状总面积大于1/4 PAD面积—拒收不含PAD区域..墨迹残留在PAD开窗区域内不可超过PAD开窗区域的25%且不得位于中央焊线区..气泡/突起物PAD和铝路上不得有气泡和突起物..空洞破损1，线路空洞破损2，空洞破损＞1/2线宽;拒收3，空洞破损≤1/2 线宽;接收4，PAD空洞破损5，空洞破损＞1/10 PAD面积;拒收6，空洞破损≤1/10 PAD面积;接收桥接PAD桥接与线路桥接---拒收分散状圆形椭圆形5.相关文件无6.使用表单无7.附件无。
国家标准《铝及铝合金化学分析方法第19部分：锆含量的测定 方法二》征求意见稿
GB/T 20975.19-201X1铝及铝合金化学分析方法第19部分：锆含量的测定方法二：EDTA 滴定法1 范围本部分规定了铝中间合金中锆含量的测定方法。
本部分适用于铝中间合金中锆含量的测定。
测定范围：2.5％～18.0％。
2 方法提要试料用盐酸和过氧化氢溶解，在强酸介质中，锆与EDTA 作用生成稳定的络合物，反应定量进行。
用甲基百里酚蓝作指示剂、在0.8～1.5mol/L 盐酸酸度并在煮沸溶液中趁热进行滴定。
铪定量干扰测定结果，若样品中含有铪应采用icp-AES 测定铪后从滴定结果中扣除。
3 试剂3.1过氧化氢（ρ1.10g/mL ）。
3.2盐酸(ρ1.19g/mL)。
3.3盐酸（1+1）。
3.4氯化亚锡溶液(100g/L)：称取5g 氯化亚锡于250mL 烧杯中，加入15mL 盐酸（3.2），微热溶解，冷却，用水稀释至50mL ，现用现配。
3.5 甲基百里酚蓝指示剂：1g 甲基百里酚蓝指示剂与100g 氯化钠混匀，并研磨成粉末，贮于棕色磨口瓶中。
3.6苦杏仁酸溶液(150g/L)，过滤后使用。
3.7苦杏仁酸洗涤液：1000mL 水溶液中含有20mL 盐酸(3.2)及50g 苦杏仁酸。
过滤后使用。
3.8锆标准溶液（2mg/mL ）3.8.1配制：称取氧氯化锆(ZrOCl 2·8H 20)3.53g 置于400mL 烧杯中，加入100mL 水及50mL 盐酸(3.3)溶解，移入500mL 容量瓶中，以水稀释至刻度，混匀。
此溶液lmL 含2mg 锆。
3.8.2标定：移取25.00mL 锆标准溶液(3.8.1)于300mL 烧杯中，加入 30mL 盐酸(3.2)，加热至近沸，加入50mL 苦杏仁酸溶液(3.6)，充分搅拌，置于80℃的恒温水浴锅中，保温30min 后；取出冷却。
用中速滤纸过滤，用苦杏仁酸洗涤液(3.7)洗净烧杯，将沉淀全部转移到滤纸上，用苦杏仁酸洗涤液(3.7)洗涤沉淀6次～8次，将滤纸及沉淀置于已恒重的铂坩埚中，烘干，灰化，再放入1000℃高温炉中灼烧2h ～3h ，取出，放入干燥器中冷却30min 后称量。
CNAS-CL19试验室能力认可准则在金属材料检测领域的应用说明
CNAS-CL19试验室能力认可准则在金属材料检测领域的应用说明前言CNAS-CL19试验室能力认可准则是指针对各类检验和校准实验室的能力评估指南，可以对实验室的能力和信誉进行认证。
这个准则在各个领域都得到了广泛的应用，尤其是在金属材料检测领域。
在金属材料检测领域，由于材料的特性以及采用的检测方法的不同，往往需要实验室具备比较专业的检测设备和技术，CNAS-CL19准则则可以在这方面提供很好的支持和实用性。
CNAS-CL19试验室能力认可准则CNAS-CL19试验室能力认可准则是由中国合格评定国家认可委员会制定的，是用于检验和校准实验室的能力评估指南，其内容涵盖了实验室的人员、设备、技术、管理等多方面的要求。
在金属材料检测领域，实验室需要具备严格的测试设备和测试技术，与其它行业相比需要更多的严格标准。
CNAS-CL19试验室能力认可准则的应用可以帮助检测实验室做好各项准备，检验实验室所有的设备、技术和人员，这样可以有效保证实验室金属材料检测工作的质量和准确性，对于用户和制造商都具备较高的意义。
CNAS-CL19的应用CNAS-CL19试验室能力认可准则应用于金属材料检测领域主要有以下几个方面：1. 提高实验室测试技术的专业性和可靠性CNAS-CL19试验室能力认可准止可以帮助实验室做好所有的准备工作，如测试设备、技术、环境等，从而保障了实验室测试技术的专业性和可靠性。
实验员在执行检测任务时能做到精细规范，最大程度上避免人为因素对测试的影响。
2. 预防金属材料检测中的误差金属材料在制造以及使用过程中可能会受到一些特定的因素影响， CNAS-CL19试验室能力认可准则可以在检测的过程中跟踪和避免这些因素，从而减轻了测试中的错误风险。
实验室的人员与设备管理，在实验环境、操作流程以及数据处理等方面的规范控制，目的在于保障所有测试数据的准确性、可靠性和有效性。
3. 保障数据和结果的可信度金属材料的检测工作需要保证数据和结果的准确性和可信度，CNAS-CL19试验室能力认可准则可以帮助实验室规范各个环节的要求，并且保障检测的结果与数据能够得到更好的共享。
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2. 線上參數測試
晶圓製作期間
3. 晶圓分類(針測) 4. 預燒可靠性
晶圓製作後 已封裝 IC
5. 成品測試
已封裝 IC
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3
自動電性測試機
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BVox Idsat
2
10V
16
20mA
Vt Vtsat Idoff
22 16 20
0.21V 0.41V 5100pA
(接下頁)
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表 19.3
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線上參數測試的套裝範例(續)
測試參數 Rds Peakisub BVdss 敘述 在指定汲極電流與電壓下的Vds/Ids比值。 基板電流峰值。 具最小通道長度之電晶體，在其閘極接地於源極時所 測量到的汲極到源極的崩潰電壓 (衝穿電壓)。該測量 值必須比元件在正常工作時所看到的操作電壓值為大 。 以場氧化物作介電質的pMOSFET之臨界電壓。 以場氧化物作介電質的nMOSFET之臨界電壓。 利用兩端接觸法決定電阻值。 測試隔離結構的漏電特性。 藉由施加電壓並測量所產生電流而測試出二極體特性 。 在程式中典 型之測試代 號 20 6 典型之測量層級 251,000 5A
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線上參數測試的理由
1.確認製程問題 2.通過／未通過標準 3.數據收集 4.特別的測試 5.晶圓級可靠性
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晶圓製作時，電性測試之時段
CMOS前段製程： 前段製程： 前段製程
井形成 淺溝渠隔離 多晶矽閘形成 源／汲極植入 接觸形成 局部內連線 第一層間介電層 第一金屬層沉積與蝕刻
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(Photo courtesy of Probe Technology)
照片 19.2
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探針卡之 θ 角調整
修正θ角未對準所需之 旋轉方向
Z
探針尖端 接合墊
Y θ X
晶圓上晶片 (DUT)
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圖 19.7
20
探針針腳之超越與刮擦
探針尖端 刮擦標記 墊
初始接觸後之尖端超越量
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圖 19.8
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墊上所形成探針標記之種類
由於過度刮擦所 引起的金屬線短路
正常的刮擦標記
過度刮擦
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_
VTH
+
閘極 源極 n+ e汲極 n+ ID
_ +
p-type silicon substrate
_
VDD
+
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圖 19.5
14
數據趨勢
1.在晶圓上相同的晶粒位置一直未能通過 某一參數測試。 2.在不同的晶圓裡，相同的參數均一致地 不通過測試。 3.在晶圓到另一晶圓(from wafer to wafer) 間所測得數據有過大的變化量(如大於 10%)。 4.相同的參數在批次間(lot-to-lot)的失效， 顯示存在有重大製程問題。
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圖 19.1
5
晶圓測試
線上參數測試(又稱之為晶圓電 性測試或WET) 晶圓分類(又稱之為電性分類)
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晶圓級可靠性測試
1.藉供應一高電流密度而施加應力於金屬線 以作電遷移(electronmigration)失效測試。 2.評估氧化物層能蓄存多少電荷以及其在被 破壞前能維持多久。 3.決定氧化物到底能捕捉多少電荷。 4.評量一新濕式清潔法製程對氧化物成長的 效果。
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圖 19.4
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線上參數測試的套裝範例
測試參數 Opens /shorts Gshorts Gateleak 敘述 針對開路或短接電路所作之測試，用以檢查訊號路 徑的完整性。因其屬於能迅速排除不良晶圓的快速 性測試，故經常被第一個實施。 針對短接閘極結構的測試。 測量閘極氧化物之漏電流，其為由少數載子所引起 的反向電流且與順向電流呈反方向流動，小元件尺 寸將使漏電流更為人所嚴重關切。 閘極氧化物崩潰電壓，這是針對閘極氧化物品質與 強度所做的一種快速檢測。 在施加已知閘極、汲極與基板電壓下，從汲極到源 極之飽和電流 (忽略通道電阻)。此為在施加最大閘 電壓下對汲極電流的測量。 測量電晶體開始有電流從汲極流向源極的閘臨界電 壓。 驅使汲極電流進入飽和時，在閘極端所需臨界電壓 的大小。 在截止模式下，元件之汲到源極間漏電流，此時閘 電壓大小並不足以形成通道。 在程式中典型 之測試代號 2 1 1 典型之測量層級 Go/No-go Go/No-go 1pA
VD
Iout
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_
Redrawn from Microelectronics Manufacturing Diagnostics Handbook, ed. A. Lanzberg (New York: Van Nostrand Reinhold, 1993).
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CMOS後段製程： 後段製程： 後段製程
層間介電層沉積與CMP 介質孔形成 鎢介質孔填充與CMP 金屬沉積與蝕刻 以金屬層為基材重複上述步驟 墊金屬沉積與蝕刻 鈍化層與蝕刻
線上參數測試 (晶圓電性測試) 失效分析
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2005 DLIT, All rights reserved 圖 19.2
自動化參數測試器系統之系統方塊圖
測試設備
電子介面
電腦
探針卡 晶圓定位 (X, Y, Z, θ ) θ-Z移動台
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X-Y移動台
圖 19.6
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自動測試器之探針卡
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IC產品所採用之各種不同的電性測試 (從設計階段到已封裝IC)
測試 1. IC 設計驗證 IC 製作的階段 生產前 晶圓或晶片級 晶圓級 測試描述 特徵化、除錯與驗證該新式 晶片設計以確保其符合規 格。 晶圓級 在製程週期早期 (在前段製 程) 所執行的生產製程驗證 測試，其係用以監控製程。 晶圓級 產品功能測試以驗證每一晶 粒均符合產品規格。 已封裝晶片級 IC 在升溫下提供往上加功率 及測試以對產品施加應力來 偵測出早期失效 (在某些情 形下，可靠性測試亦會在線 上參數測試期間以晶圓層級 方式執行)。 已封裝晶片級 利用產品規格作產品功能測 試。
(Photo courtesy of Advanced Micro Devices)
照片 19.1
4
與測試有關之晶圓廠製作流程
晶圓製作 (前段) 啟始晶圓 薄膜 未圖案化晶圓 已完成晶圓 擴散 黃光 蝕刻 研磨
測試/分類
植入
(Used with permission from Advanced Micro Devices)
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被摒棄晶粒之晶圓圖
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圖 19.11
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晶圓分類之二位碼數字
Fail
Vcc Shorts Open/Shorts Initial Powerup Ramp Sequence Static Powerup Dynamic Powerup Ring Oscillator Transistor Test Scan Check BIST Bin 11 Bin 12 Scancheck 141 - 155, Bin 11 Cache Redundancy Redundancy Function Pass = Bin 17, Fail Bin 6 Cleanup Speed Leakage Bin 5 Bin 6 Bin 7 Cache 112- 155 Bin 12, 17, 18, 20 Bitmap & Cache Fail Bin 19 Bin 10 Bin 8 Bin 9 Bin 10 Bin 13 Bin 14 Fails Open, Sbin 80 Fails Shorts, Sbin 90 2.0 to 3.0 V @ 40 MHz, SBIN 10 Fails Static Powerup, SBIN 45 Fails Dynamic Powerup, SBIN 46
晶圓探測
通過
8
切割線中之監控用測試結構
具監控用測試 結構之切割線
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圖 19.3
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測試用結構之實施例
測試用結構
獨立電晶體 不同線寬 箱中有箱
故障測量
漏電流、崩潰電壓、臨界電壓及通道有效長 度 臨界尺寸 臨界尺寸及重疊對準
10
10V
Pfieldvt Nfieldvt Res2t Isolation Diode fvmi
2 2 21 11 2
12V 12V 21k 100nA 10nA
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