桂林电子科技大学813材料科学基础A2015年(B卷)考研真题

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桂林电子科技大学817电子技术综合(2015年-B)考研真题

2、有两个放大器，空载时的输出电压均为 3V，当它们接入相同的负载时，甲放大器的输出电压为 2V，乙放大器的输出电压为 1V，则说明甲比乙的（ A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 3、在图所示各电路中，不能构成复合管的是：（））。 D、输出电阻小
4、与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是（ A、不用输出变压器 B、不用输出端大电容 C、效率高
2、与八进制数(47.3)8 等值的数为：（） A、(100111.011)2 B、(27.6)16 C、(27.3 )16 D、 (100111.11)2 。
3、用三态输出反相器不能够实现的是 A.数据双向传输 C.接成总线结构 4、下列描述不正确的是（）
+VCC
D、500mV
Rc vo c1 Rb vi1
Rc
c2 Rb
T1
T2 vi2
Re
-VEE
6、集成运放接成迟滞电压比较器时，电路形式应为（ A、电压负反馈 B、串联负反馈
）。第 1ຫໍສະໝຸດ 页共 5 页C、并联负反馈
D、正反馈
7 、某负反馈放大电路，其开环增益 Aiu 9.9mS ，反馈系数 Fui 10k ，开环输入电阻 Ri 5.0K ，可推算出其闭环输入电阻 Rif =（）。
10、若 JK 触发器的原状态为 0，欲在 CP 作用后仍保持为 0 状态，则激励函数 JK 的值应是（）。 B、J=0，K=0 C、 J=0，K=d D、 J=d，K=d
A、J=1，K=1
五、化简逻辑函数（每题 5 分，共 10 分） 1．用公式法化简 Y1 ABC ( A B)C ，化为最简与或表达式。 2．用卡诺图化简 Y3=(A.B.C.D)=∑(m2.m3.m7.m8.m11.m14).给定约束条件为

桂林电子科技大学813材料科学基础A10-16.18年真题

桂林电子科技大学2011年硕士研究生入学考试试卷考试科目代码：813考试科目名称：材料科学基础请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。

一、概念辨析题（说明下列各组概念的异同。

任选六题，每小题5分，共30分）1晶体结构与空间点阵2热加工与冷加工3上坡扩散与下坡扩散4间隙固溶体与间隙化合物5相与组织6交滑移与多滑移7金属键与共价键8全位错与不全位错9共晶转变与共析转变二、简答题（30分，每小题6分）1.简要说明成分过冷的形成及其对单相固溶体结晶组织形态的影响。

2.晶体中的滑移系与其塑性有何关系？3.细化材料铸态晶粒的措施有哪些？4.何为固溶强化？请简述其强化机制。

5.请比较二元共晶转变与包晶转变的异同。

三、作图计算题（每题10分，共40分）1.请比较FCC晶体中和两位错的畸变能哪个较大。

2.画出成分过冷形成原理示意图（至少画出三个图）。

3.如图1所示，图中阴影面为晶体的滑移面，该晶体的ABCD表面有一个圆形标记，它与滑移面相交，在标记左侧有根位错线，试画出当刃型、螺型位错线从晶体左侧移到右侧时，表面的标志发生的变化。

图14.综合画出冷变形金属在加热时的组织变化示意图和晶粒大小、内应力、强度和塑性变化趋势图。

四、综合分析题(本大题共3小题，总分50分)1．在870℃比在930℃渗碳有一定优越性，淬火变形小又可得到较细的晶粒，碳在γ铁中的D0=2.0×10-5m2/s,Q=140×103J/mol,请计算：(本题共15分)(a)870℃时碳在γ铁中的扩散系数；(5分)共2页第1页请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。

(b)将渗层加深一倍需多长时间？(5分)(c)若规定0.3%C 作为渗碳层厚度的量度，则在930℃渗碳10小时的渗层厚度为870℃渗碳10小时的多少倍？(5分)(气体常数R =8.314J/mol ·K,渗层厚度Dt αδ=)2.根据铁碳二元合金相图，对含C 为4.5％的铁碳合金：（本题共20分）(a)分析从液态平衡冷却到室温的相转变过程；(5分)(b)画出液态平衡冷却到室温的转变过程的冷却曲线示意图；(5分)(c)计算室温下组织组成物和相组成物的相对含量。

桂林电子科技大学2018年《813材料科学基础(A)》考研专业课真题试卷

第1 页共2 页桂林电子科技大学2018年考研专业课真题试卷科目代码: 813 科目名称: 材料科学基础（A ）注意：答案必须全部写在考点提供的答题纸上，写在试题上无效；答案要标注题号，答题纸要填写姓名和考号，并标注页码与总页数；交卷时，将答题纸与试题一起装入原试卷袋，用我校提供的密封条密封并签名。

一单项选择题（本大题共5小题，每小题3分，共15分）1. 对面心立方晶体而言，表面能最低的晶面是 .A 、 (100)；B 、(110)；C 、(111)；D 、(121)；2. 面心立方结构的铝中，每个铝原子在本层（111）面上的原子配位数为。

A 、12；B 、6；C 、4；D 、33.已知聚氯乙烯的平均相对分子质量是27500，则其平均聚合度是。

A 、4400；B 、4800；C 、3600；D 、50004．间隙相和间隙固溶体的区别之一是。

A 、间隙相结构比间隙固溶体简单；B 、间隙相的间隙原子比间隙固溶体中的间隙原子大；C 、间隙相的固溶度比间隙固溶体大；D 、间隙相的结构和其组元的结构不同5. 在面心立方晶体结构的置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为。

A. 原子互换机制；B.间隙机制；C.空位机制； D 环绕机制二、如图1所示，在一个立方晶胞中确定6个表面面心位置的坐标。

6个面心构成一个正八面体，指出这个八面体各个表面的晶面指数、各个棱边和对角线的晶向指数。

（本题共15分）图1三、面心立方结构晶胞和体心立方结构晶胞中各有几种间隙，间隙个数各有几个？（本题共15分）四、简述铸锭典型组织。

（本题共15分）。

2016年桂林电子科技大学考研复试试题材料科学基础A卷

（图中未标注的各点的横坐标分别为，H：0.09，J：0.17，B：0.53，P：0.0218，Q：0.0008）
（1）标注出图中（I）、（II）、（III）、（IV）区域内的相。（4分）
（2）请问碳在奥氏体中的最大固溶度是多少？奥氏体属于空间点阵；碳在铁素体中的最大固溶度是多少？铁素体属于空间点阵。（4分）
10、由1、2两组元构成的体系，1组元的摩尔分数和扩散系数分别为X1和D1，2组元的摩尔分数和扩散系数分别为X2和D2，则该体系的互扩散系数为。
（A）X1·D1+X2·D2（B）X1·D1-X2·D2或X2·D2-X1·D1
（C）X1·D2+X2·D1（D）X1·D2-X2·D1或X2·D1-X1·D2
15、什么是细晶强化？细晶强化的机理是什么？
16、写出Hall-Petch公式，并说明公式中各字母的含义。材料在凝固的过程中，获得细晶粒的措施主要有哪些？
17、在同一晶胞中画出立方晶系中的晶面以及晶向。
共2页第1页
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
五、综合题（共16分）
根据下图所示的Fe-Fe3C相图回答以下问题。
桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷
考试科目代码：223考试科目名称：材料科学基础（A卷）
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
一、填空题（每题5分，共25分）
1、面心立方的密排面为，密排晶向为，配位数为，每一个晶胞中共有个原子，致密度为。
2、在位错发生滑移时，请分析螺型位错的位错线l与柏氏矢量b、外加切应力τ之间的夹角关系。
7、立方晶体中（110）面和（211）面同属于_________晶带
（A）[110]（B）[100]（C）[ 11]（D）[111]

桂林电子科技大学813材料科学基础（2013-A）2013年硕士研究生考研真题

第 1 页共 2 页桂林电子科技大学2013年研究生统一入学考试试题科目代码：813 科目名称：材料科学基础（A ）（A 卷）请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。

（各题标题字号为黑体五号字，题干字号为标准宋体五号字。

）1、若A 和B 之间的键合中离子特性所占的百分数可近似地用下式表示：()()[]10025.0exp 1(%)2´---=B A x x IC式中A x 和B x 分别为A 和B 元素的电负性。

已知Ti,O,In 和Sb 的电负性分别为1.5,3.5,1.7和1.9，试计算TiO 2和InSb 的()%IC . 依据计算结果说明化合物的特性。

(15分)2、标出面心立方晶胞中()111面上各点的坐标，面上各点的坐标，并判断并判断úûùêëé-111晶向是否位于()111面上，然后计算úûùêëé-111方向上的线密度。

(15分) 3、 (1) 若按照晶体的钢球模型，若球的直径不变，当Fe 从fcc 转变为bcc 时，计算其体积膨胀多少（2）经X 射线衍射测定，在912℃时，α-Fe 的a=0.2892nm ，γ-Fe 的a=0.3633nm ，计算从γ-Fe 转变为α-Fe 时，其体积膨胀为多少？（2）与（1）相比，说明其产生的原因。

(15分)4 某固溶体中含有()MgO x 为30%，()LiF x 为70%。

（1）试计算该固溶体中--++22,,,O F Mg Li 的质量分数。

（2）若MgO 的密度为3.6g/cm 3，LiF 的密度为2.6g/cm 3，那么该固溶体的密度为多少？已知Mg 、O 、Li 、F 的相对原子质量分别为24.31、16.00、6.94和19.00.（15分）5 已知Al 为fcc 晶体结构，其点阵常数a=0.405nm ，在550℃时的空位浓度为6102-´，计算这些空位均匀分布在晶体中的平均间距。

2015年桂林电子科技大学811数学分析(2015-A)考研真题

1 dx sin (2 x)
2
4.

0
sin 4 x cos 4 x d x
三、计算题（每小题9分，共36分） xdy ydx 1. 求 2 ，其中 L 是光滑的不通过原点的正向闭曲线. L x y2 2. 求在两个曲面 x 2 xy y 2 z 2 1 与 x 2 y 2 1 交线上到原点最近的点. 3. 设 z f ( x 2 y 2 , ) , 且 f 具有2阶连续偏导数, 计算
4. 将累次积分 0 d x x f ( x, y ) d y 交换积分次序后表示为_________.
2
1
x
二、计算下列极限与积分（每小题8分，共32分） 1. lim(cos n 1 cos n )
n
2. lim
x 0
1 x sin x cos x x sin x
3.
五、证明题（每小题9分，共36分） 1. 叙述数集E的上确界的定义. 并证明: 对任意有界数列 xn ,yn , 总有
sup xn yn sup xn sup yn .
2. 设 lim f ( x) a 0 , 用定义证明 lim
x x0
x x0
第2页共2页
y x
z 2 z , . x xy

4. 设为曲面 z x 2 y 2 介于平面 z 0 和 z 2 之间部分的下侧, 计算(1) d S , (2)
d x d y .

四、分析解答题（每小题10分，共30分） 1. 叙述函数项级数 un ( x) 在数集D上一致收敛的定义, 并证明: f ( x)
2 e x 1, x 0, 2. 设函数 f ( x) 在 x 0 处连续, 则 k ______________. sin x k , x 0 f ( a 2h) f ( a 2h) __________. 3. 若函数 f ( x) 在 x a 处可导, 则 lim h 0 h

2017年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题A卷

2017年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题A卷一、填空题（每题4分，共24分）1、体心立方的配位数为，每一个晶胞中共有个原子。

2、面心立方的致密度为，密排面为。

3、晶体中位错的基本类型分为和。

4、位错在晶体中运动有两种方式：和。

5、材料发生扩散的根本原因是；材料发生凝固的必要条件是。

6、金属材料在外力的作用下发生变形与断裂，一般要经历、和断裂三个阶段。

二、单项选择题（每题3分，共15分）7、共价键的特点是（A）有方向性（B）无饱和性（C）结合力较弱8、晶体学中，根据点阵参数之间的关系和特点划分为_________个晶系（A）5 （B）7 （C）99、在一定温度下具有一定平衡浓度的缺陷是（A）点缺陷（B）位错（C）晶界10、在均匀形核的过程中，当初始晶核为时，所需的临界形核功最小。

（A）球形（B）立方体形（C）圆柱体形11、多晶体发生塑性变形，至少需要个独立的滑移系。

（A）1 （B）3 （C）5三、名词解释（任选三个作答，每题4分，共12分）12、晶胞；13、显微组织；14、位错；15、共晶转变；16、珠光体四、简答分析题（任选三题作答，每题10分，共30分）17、什么是细晶强化？细晶强化的机理是什么？18、材料在凝固的过程中，获得细晶粒的三个主要措施是什么？19、什么是置换型固溶体，影响固溶体溶解度的因素有哪些？20、在同一晶胞中画出立方晶系中的)321(晶面以及]121[晶向。

五、综合题（共19分）21、根据下图所示的Ag－Cu二元合金相图，请分析以下问题。

（1）写出图中的液相线、固相线、共晶反应线；（3分）（2）Cu在Ag中的固溶度曲线是，最大固溶度为多少？Ag在Cu中的固溶度曲线是，最大固溶度为多少？（4分）（3）计算w(Cu)=60%的Ag-Cu合金（yy 线）在M点对应温度下β相和液相的相对含量；（3分）（4）英磅的银币中含有92.5wt.%的Ag和7.5wt.%的Cu，试根据Ag-Cu相图，说明选择这一成份，而不是纯Ag制造银币的原因。

2016年桂林电子科技大学考研复试试题材料科学基础B卷

共2页第1页
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
五、综合题（共16分）
根据下图所示的Pb-Sn合金相图回答以下问题。
（图中未标注的各点的横坐标分别为，f：4，g：100）
（1）标注出图中（I）、（II）、（III）区域内的相。（3分）
（2）请问Pb在Sn中的最大固溶度是多少？Sn在Pb中的最大固溶度是多少？（4分）
（A）电子共有化运动（B）有方向性（C）有饱和性（D）共用电子对
7、Cr和CsCl属于体心立方结构，但是Cr属于点阵，CsCl属于点阵
（A）体心立方简单立方（B）体心立方体心立方
（C）简单立方简单立方（D）简单立方体心立方
8、面心立方晶体结构中的（221）晶面和[221]晶向的夹角为
（A）30 º（B）45 º（C）60O（D）90 º
（3）写出w(Sn)=30%时发生共晶转变的反应式，指出该成分的合金在室温时存在哪些组织，并计算这些组织的相对含量。（5分）
（4）锡铅合金可以作为焊料，含铅38％的锡合金俗称焊锡，熔点约183℃，用于电器仪表工业中元件的焊接，以及汽车散热器、热交换器、食品和饮料容器的密封等。试从Pb-Sn合金相图说明选择这一成分作为焊料的原因。（4分）
共2页第2页
12、铸铁与碳钢的区别在于有无
（A）珠光体（B）莱氏体（C）铁素体（D）渗碳体
三、名词解释（每题4分，共8分）
13、临界分切应力；14、均匀形核
四、简答分析题（每题10分，共30分）
15、什么是置换固溶体？影响置换固溶体溶解度的因素有哪些？
16、何为固溶强化？固溶强化的位错机制是什么？
17、在同一晶胞中画出立方晶系中的晶面以及晶向。
桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷

桂林电子科技大学2015年考研试题813材料科学基础(2015-B)

D
图 2 第 4 题所用的图
第1页共2页
5. 碳在α-Ti 中的扩散速率在以下温度被确定：
测量温度
扩散系数 D（m2/s）
736℃
2×10-13
782℃
4.75×10-13
835℃
1.3×10-12
若扩散满足公式 D=D0exp(-Q/RT)，请由表中数据计算出扩散常数 D0 和激活能 Q。(本题 25 分)
第2页共2页
P
O 图 1 某六方晶胞示意图 3. MgO 的密度为 3.58g/cm3，其晶格常数为 0.42nm，试求每个 MgO 单位晶胞内所含的肖脱基缺陷数。提示：MgO 晶胞为 NaCl 型结构。(本题 15 分)
4. 如图 2 所示，若由于嵌入额外的(111)面，使得 -Fe 内产生一个倾斜1 的小角度晶界，试求错排间的平均距离 D。提示：已知 -Fe 的原子半径为 0.1241nm。(本题 15 分)
桂林电子科技大学 2015 年研究生统一入学考试试题
科目代码：813 科目名称：材料科学基础 A 请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
1.列式计算体心立方晶胞的致密度（Atomic Packing Factor）。(本题 15 分) 2.如图 1 所示某六方晶胞示意图，请给出四轴制描述的 OP 方向的晶向指数。(本题 15 分)
6. 试指出-Fe 晶体易滑移的晶面和晶向，并求出滑移面间距，滑移方向上的原子间距及点
阵阻力。（已知 G-Fe=81.6GPa，v=0.3），点阵阻力可用公式表述为：
(本题 20 分)
PN
2G 1
exp[
2d
1 b
]
7. 证明任意形状晶核的临界晶核形成功 ΔG*与临界晶核体积 V*的关系：

2014桂林电子科技大学年硕士研究生入学考试复试试卷材料科学基础

桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷考试科目代码： 223 考试科目名称：材料科学基础（A 卷）请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。

一、名词解释（共20分）1、均匀形核；2、布拉菲格子；3、柯肯达尔效应；4、显微组织；5、临界分切应力、临界分切应力二、简答题（共30分）6、根据细晶强化有关知识回答以下问题、根据细晶强化有关知识回答以下问题（1）什么是细晶强化？（5分）分）（2）细晶强化的机理是什么？（5分）分）（3）写出Hall-Petch 公式，说明公式中各字母的含义。

（10分）分）（4）举例说明Hall-Petch 公式在细晶强化方面应用的优缺点。

（5分）分）（5）材料在凝固的过程中，获得细晶粒的措施主要有哪些？（5分）分）三、作图计算题（共20分）7、在同一晶胞中画出FCC 晶体中的)021(晶面以及]211[晶向。

（10分）分） 8、在Al 单晶中，（111）面上有一位错]110[21a b =。

()111面上有另一位错]011[22a b =。

若两位错发生反应，请画图绘出新位错，并判断其性质。

(10分) 四、综合分析题(30分)9、根据下图所示的Fe-Fe 3C 相图相图 (第2页) （图中未标注的各点的横坐标分别为，H ：0.09，J ：0.17，B ：0.53，P ：0.0218，Q ：0.0008）（1）标注出图中（I ）、（II ）、（III ）、（IV ）区域内的相。

（4分）分）（2）请问纯Fe 从室温至熔点过程中经历了哪三种晶体结构的转化。

（3分）分）（3）什么是奥氏体，碳在奥氏体中的最大固溶度是多少？奥氏体属于空间点阵（3分）分）（4）计算w (C)=2.5%的二次渗碳体的析出量。

（5分）分）（5）画出w (C)=0.77%的共析钢的冷却曲线，并在冷却曲线上标出相应的相以及存在的相变，以及室温组织示意图。

（5分）分）（注意：画图时请在冷却曲线上标注与图中共析钢成分线旁边注明的1、2、3(33(3’’)、4等对应的关键点）。

810材料科学基础答案(B卷)

西安科技大学2014年硕士研究生入学考试试题答案(B 卷)─────────────────────────────────科目编号：810 科目名称：材料科学基础一、选择题（每小题3分，共30分）1.（A ）；2.（C ）；3.（B ）；4.（B ）；5.（A ）；6.（C ）；7.（A ）；8. (B.)；9.（B ）；10.（C ）二、填空题(（每空1分，共30分）1. √3/4a ，8，0.68或68%。

2. 化学位。

3. 刃型。

4.变形储存能，晶界能。

5.螺型位错，刃型位错。

6. 滑移，孪生。

7.包晶转变、共晶转变、共析转变8.铁素体α、奥氏体γ、渗碳体。

9.0.0218%，2.11%（质量分数）。

10.共析反应，铁素体，渗碳体。

11.{111}，<110> 。

12. 变形组织呈现各向异性。

13．4 14. 1。

15.原子尺寸因素，电负性因素，电子浓度三、作图、计算题（每小题10分，共30分）1.作图表示出立方晶系中的（110），（111），（100）以及六方晶系中的[0001]，[2110]。

答：2.在A-B 二元系统中，组元A 的熔点为1000℃，组元B 的熔点为600℃，在800℃存在一个包晶反应，在500℃存在一个共晶反应，即α0.05B+L 0.15B →β0.30BL 0.70B →β0.40B +γ0.90B依据以上数据，绘出概略的的A-B 二元相图。

解答：A-B 二元相图如下图所示。

- - - -a 23. 铜具有面心立方结构，其原子半径为0.1278nm ，相对原子质量为63.5，试计算其密度。

（精确到小数点后两位）答: 铜为面心立方点阵,每个晶胞有4个原子, 因为 r=1.414×a ÷4点阵常数a=2×1.414×r=0.3615nm.密度ρ=m/V=4×63.5÷6.023×1023÷(0.3615×10-9)=8.93Mg/m 3=8.93g/cm 3四、简答题（每小题10分，共40分）1. 什么是成分过冷？成分过冷对固溶体晶体的生长形态有何影响？答案要点：成分过冷：固溶体结晶时，尽管实际温度分布不变，但是液/固界面前沿液相中溶质分布发生变化，液相的熔点也随着变化。

桂林电子科技大学材料科学基础A卷2013年考研复试专业课真题试卷

桂林电子科技大学 2013 年硕士研究生入学考试复试试卷
考试科目代码： 223
考试科目名称：材料科学基础（A 卷）
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。一、名词解释（每题 4 分，共 20 分）
1、非均匀形核；2、肖特基缺陷；3、柯肯达尔效应；4、显微组织；5、珠光体二、简答题（每题 10 分，共 40 分） 6、（1）什么是细晶强化？（2）细晶强化的机理是什么？（3）写出 Hall-Petch 公式，并说明公式中各字母的含义以及该公式在细晶强化方面的应用价值。（4）材料在凝固的过程中，获得细晶粒的措施主要有哪些？
7、分析位错反应
a[100]

a 2
[111]

a 2
[111]
能否发生？（要求写出判断依据）
8、写出 FCC 晶体结构的配位数，致密度，密排晶面，并计算密排面的面间距（设晶格常
数为 a，要求写出计算过程）。
9、假设晶体内部原子从 A 处迁移到 B 处，在 500°C 时的跳跃频率（Γ）为 5×108 次/s，800°C
（注意：画图时请在冷却曲线上标注与图中共析钢成分线旁边注明的 1、2、 3(3’)、4 等对
应的关键点）。
（5）结合自己的学习和工作实际，谈谈 Fe-Fe3C 相图在生产实践和科研工作中的地位和作用。（8 分）。
共11、根据下图所示的 Fe-Fe3C 相图 (第 2 页) （图中未标注的各点的横坐标分别为，H：0.09，J：0.17，B：0.53，P：0.0218，Q：0.0008）
共 2页
第1 页
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。（1）标注出图中（I）、（II）、（III）、（IV）区域内的相。（4 分）