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2SC2611Silicon NPN Triple DiffusedApplicationHigh voltage amplifier TV VIDEO outputOutlineAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)Item Symbol Ratings Unit300V Collector to base voltage VCBO300V Collector to emitter voltage VCEOEmitter to base voltage V5VEBO100mA Collector current ICCollector power dissipation P1.25WCJunction temperature Tj150°C Storage temperature Tstg–55 to +150°C2SC26112Electrical Characteristics (Ta = 25°C)ItemSymbol Min Typ Max Unit Test conditions Collector to base breakdown voltageV (BR)CBO300——V I C = 10 µA, I E = 0Collector to emitter breakdown voltageV (BR)CEO 300——V I C = 1 mA, R BE = ∞Emitter to base breakdown voltageV (BR)EBO 5——V I E = 10 µA, I C = 0Collector cutoff current I CEO —— 1.0µAV CE = 250 V, R BE = ∞DC current transfer ratio h FE 30—200V CE = 20 V, I C = 20 mA Collector to emitter saturation voltageV CE(sat)—— 1.5V I C = 20 mA, I B = 2 mA Gain bandwidth product f T 5080—MHz V CE = 20 V, I C = 20 mA Collector output capacitanceCob——4.0pF V CB = 20 V, I E = 0, f = 1 MHz2SC261132SC26114Unit: mm 元器件交易网Cautions1.Hitachi neither warrants nor grants licenses of any rights of Hitachi’s or any third party’s patent,copyright, trademark, or other intellectual property rights for information contained in this document.Hitachi bears no responsibility for problems that may arise with third party’s rights, includingintellectual property rights, in connection with use of the information contained in this document.2.Products and product specifications may be subject to change without notice. Confirm that you have received the latest product standards or specifications before final design, purchase or use.3.Hitachi makes every attempt to ensure that its products are of high quality and reliability. However,contact Hitachi’s sales office before using the product in an application that demands especially high quality and reliability or where its failure or malfunction may directly threaten human life or cause risk of bodily injury, such as aerospace, aeronautics, nuclear power, combustion control, transportation,traffic, safety equipment or medical equipment for life support.4.Design your application so that the product is used within the ranges guaranteed by Hitachi particularly for maximum rating, operating supply voltage range, heat radiation characteristics, installationconditions and other characteristics. Hitachi bears no responsibility for failure or damage when used beyond the guaranteed ranges. Even within the guaranteed ranges, consider normally foreseeable failure rates or failure modes in semiconductor devices and employ systemic measures such as fail-safes, so that the equipment incorporating Hitachi product does not cause bodily injury, fire or other consequential damage due to operation of the Hitachi product.5.This product is not designed to be radiation resistant.6.No one is permitted to reproduce or duplicate, in any form, the whole or part of this document without written approval from Hitachi.7.Contact Hitachi’s sales office for any questions regarding this document or Hitachi semiconductor products.Hitachi, Ltd.Semiconductor & Integrated Circuits.Nippon Bldg., 2-6-2, Ohte-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004, Japan Tel: Tokyo (03) 3270-2111 Fax: (03) 3270-5109Copyright ' Hitachi, Ltd., 1999. All rights reserved. Printed in Japan.Hitachi Asia Pte. Ltd.16 Collyer Quay #20-00Hitachi TowerSingapore 049318Tel: 535-2100Fax: 535-1533URLNorthAmerica : http:/Europe : /hel/ecg Asia (Singapore): .sg/grp3/sicd/index.htm Asia (Taiwan): /E/Product/SICD_Frame.htm Asia (HongKong): /eng/bo/grp3/index.htm Japan : http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htmHitachi Asia Ltd.Taipei Branch Office3F, Hung Kuo Building. No.167, Tun-Hwa North Road, Taipei (105)Tel: <886> (2) 2718-3666Fax: <886> (2) 2718-8180Hitachi Asia (Hong Kong) Ltd.Group III (Electronic Components)7/F., North Tower, World Finance Centre,Harbour City, Canton Road, Tsim Sha Tsui,Kowloon, Hong Kong Tel: <852> (2) 735 9218Fax: <852> (2) 730 0281 Telex: 40815 HITEC HXHitachi Europe Ltd.Electronic Components Group.Whitebrook ParkLower Cookham Road MaidenheadBerkshire SL6 8YA, United Kingdom Tel: <44> (1628) 585000Fax: <44> (1628) 778322Hitachi Europe GmbHElectronic components Group Dornacher Stra§e 3D-85622 Feldkirchen, Munich GermanyTel: <49> (89) 9 9180-0Fax: <49> (89) 9 29 30 00Hitachi Semiconductor (America) Inc.179 East Tasman Drive,San Jose,CA 95134 Tel: <1> (408) 433-1990Fax: <1>(408) 433-0223For further information write to:。

2SC4331中文资料(renesas)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

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3. 7.5厘米 × 0.7毫米,陶瓷电路板装
封装图(单位: mm)
6.5 ±0.2 5.0 ±0.2 1.5
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2.3 ±0.2 0.5 ±0.1
1.6 ±0.2 1
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13.7最小. 7.0最低
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TO-251 (MP-3)
6.5 ±0.2 5.0 ±0.2 4.4 ±0.2
8. 你应该使用由瑞萨电子所指定范围内本文档中描述瑞萨电子产品,特别是相对于所述最大额定值,操作电源电压范围,移 动电源电压范围,热辐射特性,安装和其它产品特性.瑞萨电子有权对因使用瑞萨电子产品除这些特定范围故障或损坏 不承担任何责任.
9. 本公司一直致力于提高产品质量和可靠性,半导体产品有 具体特点,如故障以一定速率和故障某些使用条件下发生.进一步, 瑞萨电子产品不受辐射性设计.请一定要采取安全措施,以
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RX32S11 参考手册说明书

RX32S11 参考手册说明书

R X32S11参考手册文档编号:RM00002基于Arm○R Cortex○R-M0内核的32位专业电机微控制器版本:V2.0目录1 简介 (16)2 文档约定 (17)2.1 寄存器缩写列表 (17)2.2 词汇表 (17)3 系统和存储器概述 (18)3.1 系统架构 (18)3.2 存储器结构 (18)3.2.1 介绍 (18)3.2.2 存储器映像和寄存器边界地址 (19)3.3 内置SRAM (20)3.4 Flash概述 (20)4 内置Flash存储器(FLASH) (21)4.1 介绍 (21)4.2 Flash主要特征 (21)4.3 Flash功能描述 (21)4.3.1 Flash结构 (21)4.3.2 Flash擦除和编程 (21)4.3.3 解锁Flash (22)4.3.4 Flash擦除流程 (22)4.3.5 FLASH写入流程 (22)4.4 选项字节功能描述 (22)4.5 Flash寄存器 (23)5 电源控制(PWR) (24)5.1 电源 (24)5.2 电源管理器 (24)5.2.1 上电复位(POR)和掉电复位(PDR) (24)5.2.1 可编程电压检测器(PVD) (25)5.3 低功耗模式 (26)5.3.1 睡眠模式 (26)5.3.2 待机模式 (27)5.4 低功耗模式下的自动唤醒(AWU) (27)5.5 电源控制寄存器 (27)5.5.1 PMU配置寄存器(PWR_PMUCON) (27)5.5.2 电源检测阈值配置寄存器(PWR_VDETCFG) (28)5.5.3 PMU中断使能寄存器(PWR_PMUIE) (28)5.5.4 PMU中断标志寄存器(PWR_PMUIF) (28)5.5.5 PMU状态寄存器(PWR_PMUSTA) (29)5.5.6 唤醒标志寄存器(PWR_WAKEIF) (29)6 复位和时钟控制 (31)6.1 复位 (31)6.1.1 系统复位 (31)6.1.2 电源复位 (31)6.2 时钟 (32)6.2.1 HSI时钟 (33)6.2.2 LSI时钟 (33)6.2.3 系统时钟(SYSCLK)选择 (33)6.2.4 RTC时钟 (33)6.2.5 看门狗时钟 (33)6.2.6 时钟输出 (33)6.3 CMU寄存器 (33)6.3.1 写保护寄存器(CMU_WPREG) (33)6.3.2 系统时钟配置寄存器(CMU_SYSCLKCFG) (34)6.3.3 芯片状态指示寄存器(CMU_JTAGSTA) (34)6.3.4 LSI时钟调整寄存器(CMU_LSIADJ) (35)6.3.5 HSI时钟调整寄存器(CMU_HSIADJ) (35)6.3.6 时钟状态寄存器(CMU_CLKSTA) (35)6.3.7 系统时钟分频寄存器(CMU_SYSCLKDIV) (36)6.3.8 CLKOUT时钟选择寄存器(CMU_CLKOUTSEL) (36)6.3.9 CLKOUT时钟分频寄存器(CMU_CLKOUTDIV) (36)6.3.10 内部模块使能控制寄存器0(CMU_CLKCTRL0) (37)6.3.11 内部模块使能控制寄存器1(CMU_CLKCTRL1) (38)6.3.12 FLASH控制寄存器(CMU_FLASHCON) (39)6.3.13 FLASH锁定寄存器(CMU_FLASHLOCK) (39)6.3.14 INFO Flash锁定寄存器(CMU_INFOLOCK) (40)6.3.15 FLASH访问周期配置寄存器(CMU_MULTFUNCFG) (40)6.3.16 芯片版本寄存器(CMU_CHIPID) (40)6.3.17 时钟滤波控制寄存器(CMU_FLTCTR) (41)7 通用和复用功能I/O(GPIO) (42)7.1 介绍 (42)7.2 GPIO主要特征 (42)7.3 GPIO功能复用 (42)7.3.1 通用IO(GPIO) (43)7.3.2 IO引脚复用功能 (43)7.3.3 I/O端口控制寄存器 (44)7.3.4 I/O端口数据寄存器 (44)7.3.5 I/O复用功能输入/输出 (44)7.3.6 外部中断/唤醒线 (44)7.3.7 输入模式配置 (44)7.3.8 输出模式配置 (45)7.3.9 复用功能配置 (46)7.3.10 模拟功能配置 (46)7.4 GPIO寄存器 (47)7.4.1 端口功能配置寄存器1(GPIOx_IOCFG) (47)7.4.2 端口复用功能配置寄存器1(GPIOx_AFCFG1) (48)7.4.3 端口复用功能配置寄存器2(GPIOx_AFCFG2) (48)7.4.4 端口方向配置寄存器(GPIOx_PTDIR) (49)7.4.5 端口上下拉配置寄存器(GPIOx_PUPDN) (49)7.4.6 端口数据寄存器(GPIOx_PTDAT) (49)7.4.7 端口设置寄存器(GPIOx_PTSET) (50)7.4.8 端口复位寄存器(GPIOx_PTCLR) (50)7.4.9 端口翻转寄存器(GPIOx_PTTOG) (51)7.4.10 端口开漏配置寄存器(GPIOx_PTOD) (51)7.4.11 端口高阻控制寄存器(GPIOx_HIIPM) (51)7.4.12 端口电平读取寄存器(GPIOx_IDR) (51)8 嵌套向量中断控制器(NVIC) (52)8.1 NVIC主要特征 (52)8.2 中断和异常向量 (52)9 中断和事件控制器(EXTI) (54)9.1 EXTI简介 (54)9.2 框图 (54)9.3 功能说明 (54)9.4 EXTI寄存器 (55)9.4.1 外部中断边沿配置寄存器(EXTI_EXTIE) (55)9.4.2 外部中断标志寄存器(EXTI_EXTIF) (55)9.4.3 外部中断滤波使能寄存器(EXTI_FIL TEN) (56)9.4.4 外部中断串口数字滤波使能寄存器(EXTI_RXFILTEN) (57)9.4.5 外部中断边沿配置寄存器(EXTI_EXTIE2) (57)9.4.6 外部中断标志寄存器2(EXTI_EXTIF2) (57)9.4.7 外部中断滤波选择寄存器(EXTI_FIL TSEL) (58)10 模拟数字转换器(ADC) (59)10.1 ADC简介 (59)10.2 ADC主要特征 (59)10.3 ADC功能描述 (59)10.3.1 ADC引脚/通道 (60)10.3.2 ADC开关 (61)10.3.3 ADC时钟 (61)10.3.4 通道选择 (61)10.3.5 单次转换模式 (61)10.3.6 连续转换模式 (61)10.3.7 扫描模式 (62)10.4 校准 (62)10.5 可编程的通道采样时间 (62)10.6 ADC寄存器 (63)10.6.1 SADC控制寄存器(ADC_SADCCON) (63)10.6.2 SADC序列转换控制寄存器(ADC_SADCSTR) (64)10.6.3 SADCCLK时钟配置寄存器(ADC_SADCCLK) (64)10.6.4 SADC中断控制寄存器(ADC_SADCIE) (64)10.6.5 SADC中断标志寄存器(ADC_SADCIF) (65)10.6.6 SADC采样时间配置寄存器(ADC_SADCSAMP) (65)10.6.7 SADC采样时间配置寄存器(ADC_SADCSAMP2) (66)10.6.8 SADC触发源及扫描序列长度寄存器(ADC_SADCTRGLEN) (66)10.6.9 SADC序列信道配置寄存器(ADC_SADCSEQCFG) (67)10.6.10 SADC序列数据寄存器(ADC_SADCDAT) (68)10.6.11 SADCx通用数据寄存器(ADC_SADCxDAT) (68)10.6.12 CALDATx校准值寄存器(ADC_SADC_SADC_CALDATx) (68)11 直接存储器访问控制器(DMA) (69)11.1 DMA简介 (69)11.1.1 DMA主要特征 (69)11.2 功能描述 (70)11.3 DMA处理 (70)11.3.1 仲裁器 (70)11.3.2 DMA通道 (70)11.3.3 DMA通道请求列表 (71)11.4 DMA寄存器 (72)11.4.1 DMA中断使能寄存器(DMA_DMAIE) (72)11.4.2 DMA中断标志寄存器(DMA_DMAIF) (72)11.4.3 DMA状态寄存器(DMA_CHNSTA) (73)11.4.4 DMA通道控制寄存器(DMA_CHNxCTL) (73)11.4.5 DMA通道源地址寄存器(DMA_CHNxSRC) (74)11.4.6 DMA通道目的地址寄存器(DMA_CHNxTAR) (74)11.4.7 DMA通道传输数量寄存器(DMA_CHNxCNT) (75)11.4.8 DMA已传输数据个数寄存器(DMA_CHNxTCCNT) (75)11.4.9 DMA通道块传输设置寄存器(DMA_CHNxBULKNUM) (75)12 高级控制定时器(TIM8) (76)12.1 TIM8简介 (76)12.2 TIM8主要特征 (76)12.3 TIM8功能描述 (78)12.3.1 时基单元 (78)12.3.2 计数器模式 (80)12.3.3 重复计数器 (90)12.3.4 时钟选择 (91)12.3.5 捕获、比较通道 (94)12.3.6 输入捕获模式 (96)12.3.7 PWM 输入模式 (97)12.3.8 强制输出模式 (97)12.3.9 输出比较模式 (98)12.3.10 PWM模式 (99)12.3.11 非对称PWM模式 (101)12.3.12 互补输出和死区插入 (104)12.3.13 使用刹车功能 (105)12.3.14 在外部事件时清除OCxREF信号 (108)12.3.15 产生六步PWM输出 (108)12.3.16 单脉冲模式 (110)12.3.17 编码器接口模式 (111)12.3.18 定时器输入异或 (113)12.3.19 与霍尔传感器接口 (113)12.3.20 TIM8定时器和外部触发的同步 (114)12.4 TIM8寄存器 (118)12.4.1 TIM8控制寄存器1(TIM8_CR1) (118)12.4.2 TIM8控制寄存器2(TIM8_CR2) (119)12.4.3 TIM8从模式控制寄存器(TIM8_SMCR) (120)12.4.4 TIM8 DMA/中断使能寄存器(TIM8_DIER) (122)12.4.5 TIM8状态寄存器(TIM8_SR) (123)12.4.6 TIM8事件产生寄存器(TIM8_EGR) (124)12.4.7 TIM8捕获/比较模式寄存器1(TIM8_CCMR1) (126)12.4.8 TIM8捕获/比较模式寄存器2(TIM8_CCMR2) (128)12.4.9 TIM8捕获/比较使能寄存器(TIM8_CCER) (130)12.4.10 TIM8计数器(TIM8_CNT) (133)12.4.11 TIM8预分频器(TIM8_PSC) (133)12.4.12 TIM8自动重装载寄存器(TIM8_ARR) (133)12.4.13 TIM8重复计数寄存器(TIM8_RCR) (134)12.4.14 TIM8捕获/比较寄存器1(TIM8_CCR1) (134)12.4.15 TIM8捕获/比较寄存器2(TIM8_CCR2) (135)12.4.16 TIM8捕获/比较寄存器3(TIM8_CCR3) (135)12.4.17 TIM8捕获/比较寄存器4(TIM8_CCR4) (136)12.4.18 TIM8刹车和死区寄存器(TIM8_BDTR) (136)12.4.19 TIM8捕获/比较寄存器5(TIM8_CCR5) (139)12.4.20 TIM8捕获/比较模式寄存器3(TIM8_CCMR3) (139)12.4.21 TIM8捕获/比较寄存器6(TIM8_CCR6) (140)12.4.22 TIM8捕获/比较模式寄存器(TIM8_CCR1N) (140)12.4.23 TIM8捕获/比较模式寄存器(TIM8_CCR2N) (141)12.4.24 TIM8捕获/比较模式寄存器(TIM8_CCR3N) (141)13 通用定时器(TIMx) (142)13.1 TIMx简介 (142)13.2 TIMx主要功能 (142)13.3 TIMx功能描述 (143)13.3.1 时基单元 (143)13.3.2 时钟的选择 (144)13.3.3 周期定时模式 (144)13.3.4 PWM模式 (145)13.3.5 捕获模式 (148)13.3.6 事件计数模式 (148)13.3.7 中断模式 (149)13.4 TIMx寄存器 (149)13.4.1 定时器控制寄存器(TIMx_TMRCON) (149)13.4.2 预分频寄存器(TIMx_TMRDIV) (150)13.4.3 周期寄存器(TIMx_TMRPRD) (150)13.4.4 捕获数据寄存器(TIMx_TMRCAP) (150)13.4.5 计数寄存器(TIMx_TMRCNT) (150)13.4.6 比较寄存器(TIMx_TMRCMP) (151)13.4.7 定时器中断使能寄存器(TIMx_TMRIE) (151)13.4.8 定时器中断标志寄存器(TIMx_TMRIF) (152)14 运算放大器(PGA/OPA) (153)14.1 运算放大器简介 (153)14.2 运算放大器特征 (153)14.3 运算放大器框图 (153)14.4 运算放大器寄存器 (154)14.4.1 运算放大器控制寄存器(OPA_CR) (154)15 比较器(CMP) (155)15.1 比较器简介 (155)15.2 比较器特征 (155)15.3 比较器开关控制 (155)15.4 比较器器输入和输出 (155)15.5 比较器锁定机制 (155)15.6 比较器轮询功能 (155)15.7 比较器框图 (155)15.8 比较器迟滞功能 (157)15.9 比较器消隐功能 (157)15.10 比较器寄存器 (159)15.10.1 CMP控制寄存器1(CMPx_CR1) (159)15.10.2 CMP控制寄存器2(CMPx_CR2) (160)15.10.3 CMP校正寄存器(CMPx_CAL) (162)15.10.4 轮询寄存器(PLC) (162)15.10.5 寄存器(PLS) (164)16 电机专用协同处理器(ME) (165)16.1 简介 (165)16.2 DIV模块 (165)16.2.1 概述 (165)16.2.2 除法器的使用方法 (165)16.2.3 DIV CR寄存器(DIV_CR) (166)16.2.4 DIV DD寄存器(DIV_DD) (166)16.2.5 DIV DI寄存器(DIV_DI) (167)16.2.6 DIV DQ寄存器(DIV_DQ) (167)16.2.7 DIV DR寄存器(DIV_DR) (167)16.3 SQRT模块 (167)16.3.1 概述 (167)16.3.2 SQRT使用方法 (167)16.3.3 SQRT CR寄存器(SQRT_CR) (168)16.3.4 SQRT DI寄存器(SQRT_DI) (168)16.3.5 SQRT DO寄存器(SQRT_DO) (168)16.4 SIN COS 表 (169)16.4.1 使用方法 (169)16.5 坐标转换 (169)16.5.1 使用方法 (169)16.6 IPD运算 (169)16.6.1 使用方法 (169)16.7 SMO运算 (170)16.7.1 使用方法 (170)16.8 SVPWM运算 (170)16.8.1 使用方法 (170)16.9 中断功能 (170)16.10 ME寄存器 (171)16.10.1 ME控制寄存器(ME_CR) (171)16.10.2 ME Ia寄存器(ME_Ia) (172)16.10.3 ME Ib寄存器(ME_lb) (172)16.10.4 ME Ic寄存器(ME_lc) (172)16.10.5 ME Ialpha寄存器(ME_Ialpha) (173)16.10.6 ME Ibeta寄存器(ME_Ibeta) (173)16.10.7 ME Iq寄存器(ME_Iq) (173)16.10.8 ME Id寄存器(ME_Id) (173)16.10.9 ME Vq寄存器(ME_Vq) (173)16.10.10 ME Vd寄存器(ME_Vd) (174)16.10.11 ME Valpha寄存器(ME_Valpha) (174)16.10.12 ME Vbeta寄存器(ME_Vbeta) (174)16.10.13 ME Angle寄存器(ME_Angle) (174)16.10.14 ME Cos寄存器(ME_Cos) (174)16.10.15 ME Sin寄存器(ME_Sin) (175)16.10.16 ME IPDSin寄存器(ME_IPDSin) (175)16.10.17 ME Kslid寄存器(ME_Kslid) (175)16.10.18 ME Kslf寄存器(ME_Kslf) (175)16.10.19 ME KF寄存器(ME_KF) (175)16.10.20 ME KG寄存器(ME_KG) (176)16.10.21 ME E0寄存器(ME_E0) (176)16.10.22 ME Ealpha寄存器(ME_Ealpha) (176)16.10.23 ME Ebeta寄存器(ME_Ebeta) (176)16.10.24 ME Zalpha寄存器(ME_Zalpha) (177)16.10.25 ME Zbeta寄存器(ME_Zbeta) (177)16.10.26 ME IalphaError寄存器(ME_IalphaError) (177)16.10.27 ME IbetaError寄存器(ME_IbetaError) (177)16.10.28 ME EstIalpha寄存器(ME_EstIalpha) (178)16.10.29 ME EstIbeta寄存器(ME_EstIbeta) (178)16.10.30 ME SMOTheta寄存器(ME_SMOTheta) (178)16.10.31 ME SMOIalpha寄存器(ME_SMOIalpha) (178)16.10.32 ME SMOIbeta寄存器(ME_SMOIbeta) (178)16.10.33 ME BEMFA寄存器(ME_BEMFA) (179)16.10.34 ME BEMFB寄存器(ME_BEMFB) (179)16.10.35 ME IPDTheta寄存器(ME_IPDTheta) (179)16.10.36 ME SVZone寄存器(ME_SVZone) (179)16.10.37 ME FOVM寄存器(ME_FOVM) (179)16.10.38 ME TPWM寄存器(ME_TPWM) (180)16.10.39 ME LSMIN寄存器(ME_LSMIN) (180)16.10.40 ME PDCH1寄存器(ME_PDCH1) (180)16.10.41 ME PDCH2寄存器(ME_PDCH2) (180)16.10.42 ME PDCH3寄存器(ME_PDCH3) (181)16.10.43 ME IER寄存器(ME_IER) (181)16.10.44 ME IFR寄存器(ME_IFR) (182)16.10.45 ME MCYC寄存器(ME_MCYC) (183)17 PID运算单元(PID) (184)17.1 PID简介 (184)17.2 PID使用方法 (184)17.3 PID寄存器 (185)17.3.1 PID CR寄存器(PID_CR) (185)17.3.2 PID REF寄存器(PID_REF) (185)17.3.3 PID FB寄存器(PID_FB) (185)17.3.4 PID OUT寄存器(PID_OUT) (186)17.3.5 PID ERR寄存器(PID_ERR) (186)17.3.6 PID INTG寄存器(PID_INTG) (186)17.3.7 PID KPG寄存器(PID_KPG) (186)17.3.8 PID KIG寄存器(PID_KIG) (187)17.3.9 PID KDG寄存器(PID_KDG) (187)17.3.10 PID KIMULP寄存器(PID_KIMULP) (187)17.3.11 PID DIV寄存器(PID_DIV) (187)17.3.12 PID INTGLIM寄存器(PID_INTGLIM) (188)17.3.13 PID OUTLIM寄存器(PID_OUTLIM) (188)18 实时时钟(RTC) (189)18.1 RTC简介 (189)18.2 主要特性 (189)18.3 功能描述 (189)18.3.1 概述 (189)18.3.2 复位过程 (189)18.3.3 中断功能 (190)18.4 RTC寄存器 (190)18.4.1 RTC控制寄存器(RTC_RTCCON) (190)18.4.2 RTC中断使能寄存器(RTC_RTCIE) (190)18.4.3 RTC中断标志寄存器(RTC_RTCIF) (191)18.4.4 RTC定时器2寄存器(RTC_RTCTMR2) (191)19 独立看门狗(IWDT) (192)19.1 IWDT简介 (192)19.2 IWDT主要特性 (192)19.3 WDT功能描述 (192)19.4 工作模式 (193)19.5 看门狗寄存器 (193)19.5.1 WDT喂狗与时间配置寄存器(WDT_WDTCLR) (193)19.5.2 WDT计数寄存器(WDT_WDTCNT) (193)20 I2C接口 (194)20.1 I2C简介 (194)20.2 I2C主要特点 (194)20.3 框图 (195)20.4 I2C功能描述 (195)20.4.1 串行时钟生成 (195)20.4.2 中断生成 (195)20.4.3 传输模式 (196)20.4.4 模式选择 (204)20.5 I2C寄存器 (205)20.5.1 I2C数据寄存器(I2C_I2CDAT) (205)20.5.2 I2C地址寄存器(I2C_I2CADR) (205)20.5.3 I2C控制寄存器(I2C_I2CCON) (206)20.5.4 状态寄存器(I2C_I2CSTA) (206)21 通用异步收发器(UART) (207)21.1 UART介绍 (207)21.2 UART主要特性 (207)21.3 UART功能概述 (207)21.3.1 UART 特性描述 (208)21.3.2 发送器 (209)21.3.3 接收器 (210)21.3.4 校验控制 (210)21.4 串口通讯模式说明 (211)21.4.1 方式1 (211)21.4.2 方式2 (212)21.4.3 方式3 (212)21.4.4 方式4 (213)21.5 UART中断请求 (214)21.6 UART模式配置 (214)21.7 UART寄存器 (214)21.7.1 UART功能配置寄存器(UART_UARTCON) (214)21.7.2 串口波特率发生寄存器(UART_SREL) (215)21.7.3 串口数据缓冲寄存器(UART_SBUF) (215)21.7.4 UART状态寄存器(UART_UARTSTA) (216)22 版本历史 (217)表3.1 RX32S11存储器映像和外设边界地址 (20)表4.1 Flash结构 (21)表5.1 低功耗模式一览 (26)表5.3睡眠模式进入和唤醒 (26)表5.2待机模式进入和唤醒 (27)表8.1 RX32S11向量表 (52)表10.1 ADC引脚 (60)表10.2 ADC通道 (60)表11.1 DMA通道请求列表 (71)表12.1 计数方向与编码器信号的关系 (111)表12.2 带刹车功能的互补输出通道OCx和OCxN的控制位 (132)表21.1 帧格式 (210)表21.2 UART中断请求 (214)表21.3 UART模式设置(1) (214)表22.1版本历史 (217)图3.1 存储器映像 (19)图5.1 电源框图 (24)图5.2 上电复位和掉电复位波形图 (25)图5.3 PVD门限 (25)图6.1 复位电路框图 (31)图6.2 时钟树 (32)图7.1 I/O端口位基本结构 (43)图7.2 输入浮空/上拉/下拉结构 (45)图7.3 输出框图 (45)图7.4 复用功能框图 (46)图7.5 模拟引脚框图 (47)图9.1 外部中断控制器框图 (54)图10.1 ADC框图 (60)图10.2 校准时序图 (62)图11.1 DMA框图 (69)图12.1 高级控制定时器框图 (77)图12.2 当预分频器的参数从1变成2时,计数器的时序图 (79)图12.3 当预分频器的参数从1变成4时,计数器的时序图 (79)图12.4 计数器时序图,内部时钟分频因子为1 (80)图12.5 计数器时序图,内部时钟分频因子为2 (81)图12.6 计数器时序图,内部时钟分频因子为4 (81)图12.7 计数器时序图,内部时钟分频因子为N (82)图12.8 计数器时序图,当ARPE=0时的更新事件(TIM8_ARR没有预装入) (82)图12.9 计数器时序图,当ARPE=1时的更新事件(预装入了TIM8_ARR) (83)图12.10 计数器时序图,内部时钟分频因子为1 (84)图12.11 计数器时序图,内部时钟分频因子为2 (84)图12.12 计数器时序图,内部时钟分频因子为4 (85)图12.13 计数器时序图,内部时钟分频因子为N (85)图12.14 计数器时序图,当没有使用重复计数器时的更新事件 (86)图12.15 计数器时序图,内部时钟分频因子为1,TIM8_ARR=0x6 (87)图12.16 计数器时序图,内部时钟分频因子为2 (87)图12.17 计数器时序图,内部时钟分频因子为4,TIM8_ARR=0x36 (88)图12.18 计数器时序图,内部时钟分频因子为N (88)图12.19 计数器时序图,ARPE=1时的更新事件(计数器下溢) (89)图12.20 计数器时序图,ARPE=1时的更新事件(计数器溢出) (89)图12.21 不同模式下更新速率的例子,及TIM8_RCR的寄存器设置 (90)图12.22 一般模式下的控制电路,内部时钟分频因子为1 (91)图12.23 TI2外部时钟连接例子 (92)图12.24 外部时钟模式1下的控制电路 (92)图12.25 外部触发输入框图 (93)图12.26 外部时钟模式2下的控制电路 (94)图12.27 捕获、比较通道(如:通道一输入部分) (94)图12.28 捕获/比较通道1的主电路 (95)图12.29捕获/比较通道的输出部分(通道1至3) (95)图12.30 捕获/比较通道的输出部分(通道4和5) (96)图12.31 PWM输入模式时序 (97)图12.32 输出比较模式,翻转OC1 (99)图12.33 边沿对齐的PWM波形(ARR=8) (100)图12.34 中央对齐的PWM波形(APR=8) (101)图12.35 边沿对齐向上计数的PWM波形(ARR=8) (102)图12.36 中央对齐的PWM波形(APR=8) (103)图12.37 带死区插入的互补输出 (104)图12.38 死区波形延迟大于负脉冲 (104)图12.39 死区波形延迟大于正脉冲 (105)图12.40 响应刹车的输出 (107)图12.41 清除TIM8的OCxREF (108)图12.42 产生六步PWM,使用COM的例子(OSSR=1) (109)图12.43 单脉冲模式的例子 (110)图12.44 编码器模式下的计数器操作实例 (112)图12.45 IC1FP1反相的编码器接口模式实例 (113)图12.46 霍尔传感器接口的实例 (114)图12.47 复位模式下的控制电路 (115)图12.48 门控模式下的控制电路 (116)图12.49 触发器模式下的控制电路 (116)图12.50 外部时钟模式2+触发模式下的控制电路 (117)图13.1 通用定时器框图 (142)图13.2 当预分频器的参数从1变到2时,计数器的时序图 (143)图13.3 当预分频器的参数从1变到4时,计数器的时序图 (144)图13.4 当计数器的值等于设定的周期寄存器溢出时,进入周期中断图 (145)图13.5 向上计数PWM输出波形图 (146)图13.6 向下计数PWM输出波形图 (147)图13.7 中央计数PWM输出波形图 (148)图14.1 运算放大器框图 (153)图15.1 比较器框图 (156)图15.2 比较器迟滞 (157)图15.3 比较器输出遮罩 (158)图16.1 ME框图 (165)图17.1 PID概念图 (184)图18.1 简化的RTC框图 (189)图19.1 看门狗框图 (192)图20.1 模块功能框图 (195)图20.2 I2C总线协议 (205)图21.1 UART框图 (208)图21.2 字长设置 (209)图21.3 方式1时串行发送数据时序 (211)图21.4 方式1时串行接收数据时序 (211)图21.5 方式2时串行发送数据时序 (212)图21.6 方式2时串行接收数据时序 (212)图21.7 方式3时串行发送数据时序 (212)图21.8 方式3时串行接收数据时序 (213)图21.9 方式4时串行发送数据时序 (213)图21.10 方式4时串行接收数据时序 (213)1简介本参考手册用于帮助开发者理解并使用睿兴科技(南京)有限公司(后文简称“睿兴”或“RX”)的芯片。

2SK2850-01中文资料

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Symbol VDS ID ID(puls] VGS IAR *2 EAS *1 PD Tch Tstg
Ratings 900 ±6 ±24 ±30 6 277 125
+150 -55 to +150
*1 L=14.1mH, Vcc=90V
Unit
V A A V A mJ W °C °C *2 Tch<=150°C
1.0 900
10
Max. Units
V
3.5 V
500
µA
1.0 mA
100
nA
2.50 Ω
S
1450
pF
210
120
30
ns
80
170
90
A
1.5 V
ns
µC
Thermalcharacteristics Item Thermal resistance
Symbol Rth(ch-c)
Rth(ch-a)
Zthch-c [K/W]
Transient thermal impedande Zthch=f(t) parameter:D=t/T
101
100 D=0.5
0.2
0.1 10-1 0.05
0
0.02 0.01
t t
D= T
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
t [s]
4
100
150
Eas [mJ]
10-1
10-2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VSD [V]
100 50 0 0

2SK2381中文资料

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62.5
°C / W
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C. Note 2: VDD = 50 V, Tch = 25°C (initial), L = 4.2 mH, RG = 25 Ω, IAR = 5 A Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.
z Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.56 Ω (typ.)
z High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.5 S (typ.)
z Low leakage current
: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 200 V)
1
2006-11-21
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Gate leakage current Drain cut−off current Drain−source breakdown voltage Gate threshold voltage Drain−source ON resistance Forward transfer admittance Input capacitance Reverse transfer capacitance Output capacitance

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Ta=120°C
3
2
25°C
VCE=5V
10
--40°C
DC电7流增益,hFE
5
3 2
23
10 7 5
5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
集电极电流,IC - 一个
ITR05612
VBE(星期六) - IC
IC / IB=5
3 2
基极 - 1发.0射极 Ta=--40°C 饱和电7 压,VBE(星期六) - V 25°C
5
3
2 23
120 °C
5 7 0.1 2 3 5 7 1.0
集电极电流,IC - 一个
2 3 5 7 10 ITR05614
No.1596–2/4
芯片中文手册,看全文,戳
2SC3461
IC -- VBE
9
VCE=5V
8
7
6 5 4
集电极电流,IC - 一个
3 2
2°0C Ta1=
三洋承担所造成产品使用AT超越,即使是瞬间值,设备故障不承担任何责任,额定数值(例如最大 额定值,工作环境范围或其他参数)任何产品规格及所有SANYO产品描述或此处包含上市.
芯片中文手册,看全文,戳
接上页.
Parameter
Gain-Bandwidth Product Output Capacitance Collector-to-Emitter Saturation Voltage Base-to-Emitter Saturation Voltage Collector-to-Base Breakdown Voltage Collector-to-Emitter Breakdown Voltage Emitter-to-Base Breakdown Voltage Collector-to-Emitter Sustain Voltage Turn-ON Time Storage Time Fall Time

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1.71 1.8 1.89
V

1.425 1.5 1.575 V
电源电压为输出缓冲器,1.2-V
手术

1.14 1.2 1.26
V
VCCA (3)
VCCD_PLL (3) VI VO
供应(模拟)电压PLL
调节器
供应(数字)电压PLL
输入电压 输出电压
TJ
工作结温
tRAMP IDiode
电源斜坡时间
电源电压为输出缓冲器,3.3-V
手术

1.15 1.2 1.25
V

3.135 3.3 3.465 V
电源电压为输出缓冲器,3.0-V
手术

2.85
3
3.15
V
VCCIO (3), (4)
电源电压为输出缓冲器,2.5-V
手术
电源电压为输出缓冲器,1.8-V
手术
电源电压为输出缓冲器,1.5-V
手术

2.375 2.5 2.625 V
直流电流幅度
当启用PCI-钳位二极管

— — —
对于商业用途 工业用 对于扩展温度 对于汽车使用 标准上电复位
(POR) (5) 快速POR (6)

2.375 2.5 2.625 V
1.15 1.2 1.25
V
–0.5 —
3.6
V
0

VCCIO
V
0

85
°C
–40 — 100 °C
–40 — 125 °C
表1-4 列出I / O引脚泄漏 目前Cyclone III器件.
f
有关功耗估算工具更多信息 ,请参

2SC2328A中文资料

2SC2328A中文资料

UTC 2SC2328ANPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.1QW-R211-008,AAUDIO POWER AMPLIFIERFEATURES*Collector Dissipation Pc=1 W *3 W Output Application *Complement of 2SA928A1: EMITTER 2: COLLECTOR 3: BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltageV CBO 30 V Collector-emitter voltage V CEO 30 V Emitter-base voltage V EBO 5 V Collector dissipation Pc 1 W Collector currentIc 2 AJunction Temperature T j 150 °C Storage TemperatureT STG -55 ~ +150°CELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)PARAMETERSYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITCollector-base breakdown voltage BV CBO Ic=100µA,I E =0 30 VCollector-emitter breakdown voltage BV CEO Ic =10mA,I B 0 30 V Emitter-base breakdown voltageBV EBO I E =1mA,Ic 0 5 V Collector cut-off current I CBO V CB =30V,I E 0 100 nA Emitter cut-off current I EBO V BE =5V,Ic 0 100 nA DC current gain(note) h FE V CE =2V,Ic =500mA 100 320 Base-emitter on voltageV BE (on) V CE =2V,Ic =500mA 1 V Collector-emitter saturation voltageV CE (sat) Ic = 1.5A,I B =0.03A 2 V Output capacitaceCob V CB =10V, I E =0,f=1MHz 30 pF Current gain bandwidth product f T V CE =2V,Ic =500mA 120 MHzCLASSIFICATION OF hFERANK O YRANGE 100-200 160-320UTC 2SC2328ANPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.2QW-R211-008,ATYPICAL CHARACTERISTIC CURVES246810121416200400600800100012001400V CE (V),COLLECTOR-EMITTER VOLTAGEI C (m A ),C O L L E C T O R C U R R E N TFIG.1 STATIC CHARACTERISTIC00.20.40.60.81.01.2200400600800100012001400V BE (V),BASE-EMITTER VOLTAGEI C(m A ),C O L L E C T O R C U R R E N TFIG.2 BASE-EMITTER ON VLOTAGE1.4131030100300100030001030501003005001000Ic(mA),COLLECTOR CURRENT h F E D C C U R R E N T G A I NFIG.3 DC CURRENT GAIN 131030100300100030000.010.030.050.10.30.51Ic(mA),COLLECTOR CURRENT V C E (s a t )(V ),SA T U R A T I O N V O L T A G EFIG.4 COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE 30204060801001201401600.20.40.60.81.01.2Ta(°C),AMBIENT TEMPERATUREPD (W ),P O WE R D I S S I P A T I O NFIG.5 POWER DERATING0.30.01V CE (V), COLLECTOR EMITTER VOLTAGEI D (m A ),C O L L E C T O R C U R R E N TFIG.6 SAFE OPERATING AREA0.510.13510300.030.050.10.30.513550100。

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© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 May, 2006 − Rev. 4Publication Order Number:2SC4081RT1/D 12SC4081RT1General PurposeAmplifier TransistorNPN Surface MountFeatures•Moisture Sensitivity Level: 1•Pb−Free Package is AvailableMAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)Rating Symbol Value Unit Collector−Base Voltage V(BR)CBO60Vdc Collector−Emitter Voltage V(BR)CEO50Vdc Emitter−Base Voltage V(BR)EBO7.0Vdc Collector Current − Continuous I C100mAdc Collector Current − Peak I C(P)200mAdc THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max Unit Power Dissipation P D200mW Junction Temperature T J150°C Storage Temperature T stg−55 to +150°C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max UnitCollector−Emitter Breakdown Voltage(I C = 2.0 mAdc, I B = 0)V(BR)CEO50−VdcCollector−Base Breakdown Voltage(I C = 10 m Adc, I E = 0)V(BR)CBO60−VdcEmitter−Base Breakdown Voltage(I E = 10 m Adc, I C = 0)V(BR)EBO7.0−VdcCollector−Base Cutoff Current(V CB = 60 Vdc, I E = 0)I CBO−0.1m AdcCollector−Emitter Cutoff Current (V CE = 10 Vdc, I B = 0)(V CE = 30 Vdc, I B = 0)(V CE = 30 Vdc, I B = 0, T A = 80°C)I CEO−−−0.12.01.0m Adcm AdcmAdcDC Current Gain (Note 1)(V CE = 6.0 Vdc, I C = 2.0 mAdc)h FE180390−Collector−Emitter Saturation Voltage(I C = 100 mAdc, I B = 10 mAdc)V CE(sat)−0.5Vdc 1.Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, D.C. ≤ 2%.SC−70CASE 419MARKING DIAGRAM81 M GGCOLLECTORBASE EMITTERDevice*Package Shipping†ORDERING INFORMATION2SC4081RT1SC−703000/T ape & Reel*The “T1” suffix refers to a 7 inch reel.†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our T ape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.2SC4081RT1G SC−70(Pb−Free)3000/T ape & Reel 81= Device CodeM= Date Code*G= Pb−Free Package1(Note: Microdot may be in either location) *Date Code orientation may vary dependingupon manufacturing location.2SC4081RT1PACKAGE DIMENSIONSSC−70 (SOT−323)CASE 419−04ISSUE Mǒmm ǓSCALE 10:1*For additional information on our Pb−Free strategy and solderingdetails, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.PUBLICATION ORDERING INFORMATION。

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