K9F1G08UOM数据手册
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参数 特征 最小 典型 最大 单位 有效块的数目 Nvb 1004 1024 Block 注意：第１块，位于块地址 00h，被允许有效，且不需要错误纠正。
m A 5 5 15 15 1 10 10 20 20 1 µA 10 50 10 50
页 编 ICC2 程 擦除 ICC3 ISB1 等待状态电流 （TTL） 等待状态电流 （CMOS） 输入开漏电流 输出开漏电流
ISB2
IL1 IL0
-
-
±10 ±10
-
-
±10 ±10 VCC V +0.3 0.8 -
6． 命令/地址/ 数据复用端口： 7. 硬件数据保护：编程/擦除操作在电源转换时关闭。 8. 可靠的 CMOS 浮置门技术： --保证：100K 编程/ 擦除次数。 --数据保持时间: 10 年。 9. 命令寄存器操作 10. 为高速编程设置的缓冲编程操作。 11. 通电自动读操作。 12. 智能复制拷贝操作。 13．为防盗版而设置的唯一的 ID 保护。 14. 封装。 - K9F1GXXX0M-YCB0/YIB0 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch) - K9F1G08U0M-VCB0/VIB0 48 - Pin WSOP I (12X17X0.7mm)
器件描述
三星 K9F1GXXX0M 提供了 128M*8Bit/64M*16Bit 的存储容量，另外还有 32 M 的空闲存储器，它是采用 NAND 技术的大容量、高可靠的 Flash 存储器。 它对 2112 字节一页（*8device ）或者 1056 字（*16device）一页的写操作。典型 时间是 300 微秒。对 128 字节／64K 字一块的擦除时间是 50 纳秒。输出引脚可 以作为数据／地址／命令复用。每一页的数据读出时间也很快，平均每个字节只 需 50 纳秒。片内的写控制器，可以自动执行写操作和擦除功能，包括必要的脉 冲产生器，内部校验和冗余数据。 K9F1G08 提供了实时映像算法的纠错码，写 操作系统可以利用 K9F1G08U0M 扩展的 100K 编程/ 擦除。K9F1G08U0M 为大 容量存储，新型电可擦写的非易失性半导体存储器，提供了最优方案。
参数 供电电压 供电电压 特征位 VCC VSS K9F1GXXQOM(1.8V) Min Typ Max 1.65 1.8 1.95 0 0 0 K9F1GXXUOM(3.3V) Min Typ Max 2.7 3.3 3.6 0 0 0 Unit V V
电源和操作参数
参数 操 作 连续 电流 读页 特征 ICC1 测试条件 tRC=50ns, CE=VIL IOUT=0mA CE=VIH, WP=PRE=0V/V CC CE=VCC-0.2, WP=PRE=0V/V CC VIN=0 to Vcc(max) VOUT=0 to Vcc(max) K9F1GXXQ0M : IOH=-100µA K9F1GXXU0M : IOH=-400µA K9F1GXXQ0M : IOL=100uA K9F1GXXU0M : IOL=2.1mA K9F1GXXQ0M : VOL=0.1V K9F1GXXU0M : VOL=0.4V K9F1GXXQOM(1. 8V) Min Typ Max 5 15 K9F1GXXUOM(3. 3V) Min Typ Max 10 20 单 位
１１． VSS：芯片接地端。 １２． NC：悬空。 注意：把各个器件的VCC或者VSS 接到共同的电源输出端，不可以把VCC或者 VSS悬空。( 共地问题) 表1-1 K9F1G08*OM(*8) 功能化模块结构图
表2-1 K9F1G08*OM(*8) 存储阵列结构
注意： 列地址：寄存器开始的地址。 *L 必须被置低。 *除了要求的地址周期，存储器禁止输入任何额外的地址周期。 表 1-2 K9F1G16*OM(*16) 功能化模块结构图
K9F1G08UOM 数据手册
128M*8Bit/64M*16Bit NAND Flash Memory 产品列表 型号 K9F1G08QOM-Y K9F1G16QOM-Y K9F1G08UOM-Y K9F1G16UOM-Y K9F1G08UOM-V 供电电压范围 1.65~1.95V 2.7~3.6V 组织 X8 X8 X8 X8 X8 封装 TSOP1
任意引脚对地电压
Temperatu K9F1GXXXOM-YCBO/VC re Under BO Bias K9F1GXXXOM-YIBO/VIB O K9F1GXXXOM-YCBO/VC 存储温度 BO K9F1GXXXOM-YIBO/VIB O 短路电流
-40~+125
°C
IOS
5
mA
推荐操作条件
元阵列时，可以将数据写入缓冲寄存器。当在需要时将很多页数据写入的时候， 由于使用了缓冲写操作技术使得写入操作有很大的提高。 芯片包含了通电读操作。 可以在通电后第一页自动存取数据而不需要地 址和命令，除了增加结构和接口之外，器件提供了从一页到另一页的写操作技术 而不需要把数据传送到另外的缓冲存储区。
引脚名称（TSOP1）
封装尺寸
引脚名称（WSOP1）
封装尺寸
引脚说明 １． I/O0 ~ I/O7：数据输入输出，在读操作期间，I/O 引脚被用作输入命令／地址／数据。当芯片未被选 中或输出，I/O 呈高阻状态。I/O8 ~ I/O15仅用于*16结构存储器中。当操作写８位地址或命令输入时 I/O8 ~ I/O15不能用作输入命令或者地址，I/O 8 ~ I/O15被用于数据输入或输出。 ２． CLE：命令锁存允许。CLE输入使输入的命令发送到命令寄存器。当电平为高，在WE（写芯片使能） 信号上升沿，输入的命令通过I/O8 ~ I/O1锁存到命令寄存器。 ３． ALE：地址锁存允许。ALE控制地址输入到片内的地址寄存器。在电平为高时，在WE（写芯片使能） 信号上升沿时，地址被锁存。 ４． CE：选通芯片使能， 片送信号，当器件在忙状态时，CE＝１被忽略，器件不会回到等待状态。 ５． RE：读芯片使能，在RE的下降沿，RE控制把数据放到数据总线上，数据输出控制，Trea时间后数 据有效，同时使用内部的列地址自动加１。 ６． WE：写芯片使能。控制把数据从I/O 写入。命令CLE／地址ALE／数据CE在WE上升沿时锁存。 ７． WP：写保护。为不在意的写／擦除操作提供保护。在WP ＝０时（低电平有效）内部的高压生成器 复位。 ８． R/B：准备／忙输出，R/B 反应当前设备的状态，当它是低电平时，表示编程／擦除操作或随机读写 正在进行中，在R/B＝1时，表示这些操作已经完成，它采用开漏输出结构，在芯片未被选中时，不 会保持为高阻状态。 ９． PRE：通电读操作，PRE用于控制通电时的自动读操作，当PRE接到VCC 实现通电自动读操作。 １０． VCC ：电源端。
表 2-2 K9F1G16*OM(*16) 存储阵列结构
注意： 列地址：寄存器开始的地址。 *L 必须被置低。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
产品说明
K9F1G***OM 是 1056Mbit 存储容量，包括 65536 行，和 2112*8(8 位) 列或 1056*16(16 位)列。 在列地址的 2048~2111(*8device) 包括空闲的 64(*8) 列。 一个 2112 字节数据寄存器和 2112 字节缓冲寄存器互相联系。在读操作，和写 操作时，为在 I/O 缓冲区和存储单元之间方便的传输数据，这些数据寄存器和命 令寄存器互相联系着。 存储单元由 32 个互相联系的存储单元组成一个 NAND 结 构，每个存储阵列在不同的页中。一块包括 64 页，由 2 个 NAND 结构组成， 总 计３２个存储阵列，总计 33792NAND 结构。读操作和写操作都是以页为单位 的，而擦除是以块为单元的，存储阵列由 1024 个可擦除的 128K 字节一块组成 的，这意味着以位为单位的擦除操作是被禁止的。 K9F1G08UOM 的 I/O 有地址复用的功能。这一功能减少了引脚的数目。 还允许系统升级。命令、地址、和数据在 CE=0,WE=0 时通过 I/O 口写入，数据 在 WE 的上升沿被锁存。CLE 和 ALE 是各自为地址和命令复用服务的，许多命 令要求一个总线周期。复位命令，读状态命令只需要一个总线周期。其他命令， 如读页操作和块擦除命令，页编程操作需要两个周期（一个周期建立，另一个周 期是执行操作）。 128M 物理空闲区需要 28(*8) 或者 27(*16)地址，因此需要 4 个周期寻 址，列寻址需要 2 个周期。读页操作和写页操作在命令输入后需要同样的 4 个 地址周期。在块擦除操作，仅有 2 行地址周期需要，通过为命令寄存器写入明确 的命令，选择适当的器件操作，表 1 定义了明确的命令。器件在一块中提供了缓 冲写操作。在缓冲写操作模式时，当数据被存储时数据寄存器时，被写入存储单
表 1 命令设置
命令 第一周期 第二周期 30H 35H O 10H 15H 10H D0H E0H O 在忙 时接收命 令
Read 读命令 00H Read for Copy Back 读复录 00H Read ID 读ID 90H Reset 复位 FFH Page Program 80H 页编程 Cache Program 缓冲编程 80H Copy-Back Program 复录写入 85H Block Erase 块擦除 60H Random Data Intput 随机数据输入 85H Random Data Output 随机数据输出 05H Read Status 读状态 70H 注意：1.一页可以执行随机数据输入／数据输出。 警告：任何未被定义的命令不允许输出。
WSOP1
特性
1. 供电电压 ----1.8V 设备（K9F1G**Q0M）:1.70 ~ 1.95V ----3.3V 设备（K9F1G**U0M ）: 2.7 ~ 3.6V 2. 结构： --存储单元阵列： *8 设备 （K9F1G08*0M） ： （128 M+4096 K）Bit*8 Bit *16 设备 （K9F1G16*0M） ： （64 M+2048 K）Bit*8 Bit --数据寄存器： *8 设备 （K9F1G08*0M） ： （2K +64）Bit*8 Bit *16 设备 （K9F1G16*0M） ： （1K +32）Bit*8 Bit --缓冲寄存器： *8 设备 （K9F1G08*0M） ： （2K +64）Bit*8 Bit *16 设备 （K9F1G16*0M） ： （1K +32）Bit*8 Bit 3. 自动编程与芯片擦除： --页编程： *8 设备 （K9F1G08*0M） ： （2K +64）Bit*8 Bit *16 设备 （K9F1G16*0M） ： （1K +32）Bit*8 Bit --块擦除: *8 设备 （K9F1G08*0M） ： （128 K+4 K）Bit*8 Bit *16 设备 （K9F1G16*0M） ： （64 K + 2 K）Bit*8 Bit 4. 读页大小; --页大小： *8 设备 （K9F1G08*0M） ：2 K 一字节 *16 设备 （K9F1G16*0M） ：1 K 一字节 --随机最大读取时间：25 微秒。 --连续存取时间：50 纳秒。 5. 快速写循环时间： --页编程典型时间：300 微秒。 --块擦除典型时间：2 毫秒。
输 入 高 电 平电 VIH 压 输 入 低 电 平电 VIL 压 输 出 高 电 平电 VOH 压
VCC -0.4 -0.3 VCC -0.1
VCC 2.0 +0.3 0.4 -0.3 2.4
输 出 低 电 平电 VOL 压
-
-
0.1
-
-
0.4
输 出 低 电 平电 IOL 流
3
4
-
8
10
-
m A
有效块
电特性参数
参数 参考值 单 特 征 K9F1GX K9F1GXX 位 位 X UOM(3.3 QOM(1. V) 8V) VIN/OU -0.6~+2. -0.6~+4.6 T 45 V VCC -0.2~+2. -0.6~+4.6 45 -10~+125 TB\AS TSTG -65~+150
°C
m A 5 5 15 15 1 10 10 20 20 1 µA 10 50 10 50
页 编 ICC2 程 擦除 ICC3 ISB1 等待状态电流 （TTL） 等待状态电流 （CMOS） 输入开漏电流 输出开漏电流
ISB2
IL1 IL0
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±10 ±10
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±10 ±10 VCC V +0.3 0.8 -
6． 命令/地址/ 数据复用端口： 7. 硬件数据保护：编程/擦除操作在电源转换时关闭。 8. 可靠的 CMOS 浮置门技术： --保证：100K 编程/ 擦除次数。 --数据保持时间: 10 年。 9. 命令寄存器操作 10. 为高速编程设置的缓冲编程操作。 11. 通电自动读操作。 12. 智能复制拷贝操作。 13．为防盗版而设置的唯一的 ID 保护。 14. 封装。 - K9F1GXXX0M-YCB0/YIB0 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch) - K9F1G08U0M-VCB0/VIB0 48 - Pin WSOP I (12X17X0.7mm)
器件描述
三星 K9F1GXXX0M 提供了 128M*8Bit/64M*16Bit 的存储容量，另外还有 32 M 的空闲存储器，它是采用 NAND 技术的大容量、高可靠的 Flash 存储器。 它对 2112 字节一页（*8device ）或者 1056 字（*16device）一页的写操作。典型 时间是 300 微秒。对 128 字节／64K 字一块的擦除时间是 50 纳秒。输出引脚可 以作为数据／地址／命令复用。每一页的数据读出时间也很快，平均每个字节只 需 50 纳秒。片内的写控制器，可以自动执行写操作和擦除功能，包括必要的脉 冲产生器，内部校验和冗余数据。 K9F1G08 提供了实时映像算法的纠错码，写 操作系统可以利用 K9F1G08U0M 扩展的 100K 编程/ 擦除。K9F1G08U0M 为大 容量存储，新型电可擦写的非易失性半导体存储器，提供了最优方案。
参数 供电电压 供电电压 特征位 VCC VSS K9F1GXXQOM(1.8V) Min Typ Max 1.65 1.8 1.95 0 0 0 K9F1GXXUOM(3.3V) Min Typ Max 2.7 3.3 3.6 0 0 0 Unit V V
电源和操作参数
参数 操 作 连续 电流 读页 特征 ICC1 测试条件 tRC=50ns, CE=VIL IOUT=0mA CE=VIH, WP=PRE=0V/V CC CE=VCC-0.2, WP=PRE=0V/V CC VIN=0 to Vcc(max) VOUT=0 to Vcc(max) K9F1GXXQ0M : IOH=-100µA K9F1GXXU0M : IOH=-400µA K9F1GXXQ0M : IOL=100uA K9F1GXXU0M : IOL=2.1mA K9F1GXXQ0M : VOL=0.1V K9F1GXXU0M : VOL=0.4V K9F1GXXQOM(1. 8V) Min Typ Max 5 15 K9F1GXXUOM(3. 3V) Min Typ Max 10 20 单 位
１１． VSS：芯片接地端。 １２． NC：悬空。 注意：把各个器件的VCC或者VSS 接到共同的电源输出端，不可以把VCC或者 VSS悬空。( 共地问题) 表1-1 K9F1G08*OM(*8) 功能化模块结构图
表2-1 K9F1G08*OM(*8) 存储阵列结构
注意： 列地址：寄存器开始的地址。 *L 必须被置低。 *除了要求的地址周期，存储器禁止输入任何额外的地址周期。 表 1-2 K9F1G16*OM(*16) 功能化模块结构图
K9F1G08UOM 数据手册
128M*8Bit/64M*16Bit NAND Flash Memory 产品列表 型号 K9F1G08QOM-Y K9F1G16QOM-Y K9F1G08UOM-Y K9F1G16UOM-Y K9F1G08UOM-V 供电电压范围 1.65~1.95V 2.7~3.6V 组织 X8 X8 X8 X8 X8 封装 TSOP1
任意引脚对地电压
Temperatu K9F1GXXXOM-YCBO/VC re Under BO Bias K9F1GXXXOM-YIBO/VIB O K9F1GXXXOM-YCBO/VC 存储温度 BO K9F1GXXXOM-YIBO/VIB O 短路电流
-40~+125
°C
IOS
5
mA
推荐操作条件
元阵列时，可以将数据写入缓冲寄存器。当在需要时将很多页数据写入的时候， 由于使用了缓冲写操作技术使得写入操作有很大的提高。 芯片包含了通电读操作。 可以在通电后第一页自动存取数据而不需要地 址和命令，除了增加结构和接口之外，器件提供了从一页到另一页的写操作技术 而不需要把数据传送到另外的缓冲存储区。
引脚名称（TSOP1）
封装尺寸
引脚名称（WSOP1）
封装尺寸
引脚说明 １． I/O0 ~ I/O7：数据输入输出，在读操作期间，I/O 引脚被用作输入命令／地址／数据。当芯片未被选 中或输出，I/O 呈高阻状态。I/O8 ~ I/O15仅用于*16结构存储器中。当操作写８位地址或命令输入时 I/O8 ~ I/O15不能用作输入命令或者地址，I/O 8 ~ I/O15被用于数据输入或输出。 ２． CLE：命令锁存允许。CLE输入使输入的命令发送到命令寄存器。当电平为高，在WE（写芯片使能） 信号上升沿，输入的命令通过I/O8 ~ I/O1锁存到命令寄存器。 ３． ALE：地址锁存允许。ALE控制地址输入到片内的地址寄存器。在电平为高时，在WE（写芯片使能） 信号上升沿时，地址被锁存。 ４． CE：选通芯片使能， 片送信号，当器件在忙状态时，CE＝１被忽略，器件不会回到等待状态。 ５． RE：读芯片使能，在RE的下降沿，RE控制把数据放到数据总线上，数据输出控制，Trea时间后数 据有效，同时使用内部的列地址自动加１。 ６． WE：写芯片使能。控制把数据从I/O 写入。命令CLE／地址ALE／数据CE在WE上升沿时锁存。 ７． WP：写保护。为不在意的写／擦除操作提供保护。在WP ＝０时（低电平有效）内部的高压生成器 复位。 ８． R/B：准备／忙输出，R/B 反应当前设备的状态，当它是低电平时，表示编程／擦除操作或随机读写 正在进行中，在R/B＝1时，表示这些操作已经完成，它采用开漏输出结构，在芯片未被选中时，不 会保持为高阻状态。 ９． PRE：通电读操作，PRE用于控制通电时的自动读操作，当PRE接到VCC 实现通电自动读操作。 １０． VCC ：电源端。
表 2-2 K9F1G16*OM(*16) 存储阵列结构
注意： 列地址：寄存器开始的地址。 *L 必须被置低。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
产品说明
K9F1G***OM 是 1056Mbit 存储容量，包括 65536 行，和 2112*8(8 位) 列或 1056*16(16 位)列。 在列地址的 2048~2111(*8device) 包括空闲的 64(*8) 列。 一个 2112 字节数据寄存器和 2112 字节缓冲寄存器互相联系。在读操作，和写 操作时，为在 I/O 缓冲区和存储单元之间方便的传输数据，这些数据寄存器和命 令寄存器互相联系着。 存储单元由 32 个互相联系的存储单元组成一个 NAND 结 构，每个存储阵列在不同的页中。一块包括 64 页，由 2 个 NAND 结构组成， 总 计３２个存储阵列，总计 33792NAND 结构。读操作和写操作都是以页为单位 的，而擦除是以块为单元的，存储阵列由 1024 个可擦除的 128K 字节一块组成 的，这意味着以位为单位的擦除操作是被禁止的。 K9F1G08UOM 的 I/O 有地址复用的功能。这一功能减少了引脚的数目。 还允许系统升级。命令、地址、和数据在 CE=0,WE=0 时通过 I/O 口写入，数据 在 WE 的上升沿被锁存。CLE 和 ALE 是各自为地址和命令复用服务的，许多命 令要求一个总线周期。复位命令，读状态命令只需要一个总线周期。其他命令， 如读页操作和块擦除命令，页编程操作需要两个周期（一个周期建立，另一个周 期是执行操作）。 128M 物理空闲区需要 28(*8) 或者 27(*16)地址，因此需要 4 个周期寻 址，列寻址需要 2 个周期。读页操作和写页操作在命令输入后需要同样的 4 个 地址周期。在块擦除操作，仅有 2 行地址周期需要，通过为命令寄存器写入明确 的命令，选择适当的器件操作，表 1 定义了明确的命令。器件在一块中提供了缓 冲写操作。在缓冲写操作模式时，当数据被存储时数据寄存器时，被写入存储单
表 1 命令设置
命令 第一周期 第二周期 30H 35H O 10H 15H 10H D0H E0H O 在忙 时接收命 令
Read 读命令 00H Read for Copy Back 读复录 00H Read ID 读ID 90H Reset 复位 FFH Page Program 80H 页编程 Cache Program 缓冲编程 80H Copy-Back Program 复录写入 85H Block Erase 块擦除 60H Random Data Intput 随机数据输入 85H Random Data Output 随机数据输出 05H Read Status 读状态 70H 注意：1.一页可以执行随机数据输入／数据输出。 警告：任何未被定义的命令不允许输出。
WSOP1
特性
1. 供电电压 ----1.8V 设备（K9F1G**Q0M）:1.70 ~ 1.95V ----3.3V 设备（K9F1G**U0M ）: 2.7 ~ 3.6V 2. 结构： --存储单元阵列： *8 设备 （K9F1G08*0M） ： （128 M+4096 K）Bit*8 Bit *16 设备 （K9F1G16*0M） ： （64 M+2048 K）Bit*8 Bit --数据寄存器： *8 设备 （K9F1G08*0M） ： （2K +64）Bit*8 Bit *16 设备 （K9F1G16*0M） ： （1K +32）Bit*8 Bit --缓冲寄存器： *8 设备 （K9F1G08*0M） ： （2K +64）Bit*8 Bit *16 设备 （K9F1G16*0M） ： （1K +32）Bit*8 Bit 3. 自动编程与芯片擦除： --页编程： *8 设备 （K9F1G08*0M） ： （2K +64）Bit*8 Bit *16 设备 （K9F1G16*0M） ： （1K +32）Bit*8 Bit --块擦除: *8 设备 （K9F1G08*0M） ： （128 K+4 K）Bit*8 Bit *16 设备 （K9F1G16*0M） ： （64 K + 2 K）Bit*8 Bit 4. 读页大小; --页大小： *8 设备 （K9F1G08*0M） ：2 K 一字节 *16 设备 （K9F1G16*0M） ：1 K 一字节 --随机最大读取时间：25 微秒。 --连续存取时间：50 纳秒。 5. 快速写循环时间： --页编程典型时间：300 微秒。 --块擦除典型时间：2 毫秒。
输 入 高 电 平电 VIH 压 输 入 低 电 平电 VIL 压 输 出 高 电 平电 VOH 压
VCC -0.4 -0.3 VCC -0.1
VCC 2.0 +0.3 0.4 -0.3 2.4
输 出 低 电 平电 VOL 压
-
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0.1
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0.4
输 出 低 电 平电 IOL 流
3
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10
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m A
有效块
电特性参数
参数 参考值 单 特 征 K9F1GX K9F1GXX 位 位 X UOM(3.3 QOM(1. V) 8V) VIN/OU -0.6~+2. -0.6~+4.6 T 45 V VCC -0.2~+2. -0.6~+4.6 45 -10~+125 TB\AS TSTG -65~+150
°C