模电各章重点内容及总复习 (2)

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模拟电子电路复习重点

模拟电子电路复习重点

第0章绪论电子系统组成:模电的核心主线:“电压放大”模电/数电的区别与联系:信号上:时间/幅度上是否离散/量化器件:三极管工作区域:放大/ 饱和、截至联系:理论:采样定理/电路:AD/DA转换课程要求:基本概念+基本电路+基本分析方法+一定的设计综合(应用)能力。

第1章常用半导体基础(数/模电基础)本征/杂志半导体中的两种载流子:多子/少子的概念PN结原理:多子扩散/少子漂移的平衡及偏置对平衡的影响结果PN结单向导电性:二极管等效电路:三极管特性:(三极2结)放大原理:Ib控制IC(流控电流源—>电流分配)Ube控制IC(压控电流源)三极管的输入输出特性曲线与三个工作区:放大(模拟)/饱和截至(数字电路)温度对三极管输入输出曲线、特性等的影响: 温度影响电路性能的本质!I:增加1倍/10°。

CBO输入曲线:左移输出曲线:上移动(与二极管相同:沿远点逆时针转动) 场效应管(不要求)第2章 **基本放大电路(三种放大电路接法)----重点!放大概念:(电压/电流/功率放大:突出有源器件的作用之一) 衡量电路放大性能的参数及其意义: Ri :从前往后看到底,包含RL ,不含RS Ro: 从后往前看到底,包含Rs ,不含RL负载效应/匹配的概念---》举例:大马拉小车/小马拉大车 A U / A US /A UL 定义(负载效应)其他参数:通频带/非线性失真系数/最大不失真输出电压/最大功率效率等 线性失真/非线性失真区别。

放大电路原理:直流偏置与信号放大的关系: 非线性系统的分段线性化:y=kx:线性系统y=kx+b 线性,本质上非线性系统(齐次性+叠加性)直流分析:正确偏置Q 点在线性区!发射结正偏,集电结反偏,会正确判断交流分析:图解法:特征点/交直流负载线参数法:h 参数低频交流小信号模型 等效参数:三种方法电路的比较: 共射/共集/共基 等效电阻的“看法”: 三种放大电路接法:第3章 多级放大电路1、 耦合方式:直接耦合/非直接耦合比较2、 多级放大电路的计算(输入输出电阻/放大倍数):Ri:看到底,往往决定于第一级Ro:看到底,往往决定于最后级Au: 多级放大倍数之积(特别注意负载效应!) 后级输入是前级的负载前级输出是后级的信号源内阻。

学习模电每章重点

学习模电每章重点
模电是一门内容多、涉及面广、新知识点多,学时少的学科。刚学模电时,感觉打开书后全是重点,它的特点决定了它的难学性,在此,我只能根据自己的情况总结出一些自己觉得比较重要的知识点,仅供大家参考。
第一章
这章是基础,所有的知识点都要在弄懂的情况下才能够进一步展开对模电的后一步学习,要贯彻理解不同的晶体管和场效应管的结构,特性曲线,熟练掌握它的主要参数及等效电路(特别是三极管的等效电路)。
3、定性了解多级放大电路频带宽度与单级的关系 。
第六章
这章是重点章节,平时没怎么学的,想要拿一个看得过去的分数,得从这章下手。反馈又是这章出现频率最高的词汇,所以很明显,反馈(也可以说负反馈)是重点的重点。在这章的学习中,我们需要:
1、理解反馈的基本概念,负反馈放大电路增益的一般表达式,4种反馈组态及其特点。
4、学会用图解法分析放大电路的静态、动态工作情况;
5、熟练掌握运用小信号模型等效电路法计算放大电路的动态性能指标;
6、熟练掌握共射(包括工作点稳定电路)、共集和共基放大电路的工作原理及特点;
7、掌握场效应管放大电路的分析方法和指标计算。
第三章
这章的主要主角是多级放大电路和差分放大电路,考点较前两章来说并不是很多的,所以掌握好它的各个考点,考起试来就会胸有成竹哦。
(3)非正弦信号产生电路:单门限电压比较器和迟滞比较器的工作原理,理解方波、矩形波、三角波、锯齿波发生器的工作原理。
第九章
主要内容:
1.功率放大电路的输出功率、效率和非线性失真之间的关系。
2.甲乙类功率放大电路的组成、工作原理、各项指标的计算及BJT的选择。
第十章
由于我们班老师没把这章讲完,暂且还看不出来重点是什么,这就需要大家在课堂上和习题课上认真听讲,自己归纳总结啦。补上一点,我的学习总结也许只适合部分人,大家应该根据自己的具体情况进行模电高效率的复习,最后,衷心希望大家都能在模电上取得一个满意的成绩!

模电各章节主要知识点总结

模电各章节主要知识点总结

(2)若是开环(无反馈),或正反馈,则放大器处于饱和状态 2、理想运放条件: Ri ,由此得到虚断, i i 0
Avo ,由此得到虚短, v v
3、虚短和虚断:
RO 0 KCMRR
各种运算(比例,加减法,积分微分电路等)中,
i i 0,说明两个输入端无电流 ; v v,说明两个输入端等电位
2
Rb2
VCC
,

VE
VB
VBE
IE

VE RE
IC
VCE
VCC
IC (RC
RE )
(2)图解分析方法:
要求: (a)用图解分析方法,判断什么情况下会发生截止和饱和失真现象,如何解决? (b)对于共射极放大器,用直流负载线和交流负载线求解最大不失真输出电压幅度
Vom VCEQ VCES ,以及ICQ RL ' 二者取最小的,即为最大不失真输出电压幅度。
Feedback Amplifier
反 馈 判 一、反馈性质判断(瞬时极性) 断 总 结 : 下图是常见器件的瞬时极性,务必掌握!
输入
-
+
+
+
输入 +
输入
+
+
+
输入
二、输入端的链接方式(串联还是并联)
并联负反馈
(+) X i
(-) X f
串联负反馈
X(+i) (+) X f
并联负反馈
(+)
1、K1、K3闭合,K2断开; 2、K2、K3闭合,K1断开; 3、K1、K2闭合,K3断开; 4、K1、K2、K3闭合。

(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电知识点总结讲义

模电知识点总结讲义

模电知识点总结讲义第一部分:基本概念1. 电子元件电子元件是指能处理信息的基本部件,包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。

- 电阻:用于限制电流或降低电压的元件。

- 电容:用于储存电荷或储存能量的元件。

- 电感:用于储存磁场能量或阻碍电流变化的元件。

- 二极管:用于整流、开关、放大等功能的元件。

- 晶体管:用于放大、开关、稳压等功能的元件。

2. 电路电路是由电子元件连接而成的路径,用于传输电流或信号。

- 直流电路:电流方向不变的电路。

- 交流电路:电流方向时而正时而负的电路。

- 数字电路:用于处理数字信号的电路。

- 模拟电路:用于处理模拟信号的电路。

3. 电路分析电路分析是指根据电路中元件的特性和连接关系,计算电压、电流等参数的过程。

- 基尔霍夫定律:电路中各节点的电流代数和为零。

- 欧姆定律:电流与电压成正比,电阻是电压和电流的比值。

- 诺顿定理:任意线性电路均可用一个等效的电压源和串联电阻来替代。

- 戴维南定理:任意线性电路均可用一个等效的电流源和并联电阻来替代。

4. 信号处理信号是指传输信息的载体,信号处理是对信号进行增强、滤波、调制等操作的过程。

- 放大器:用于增强信号幅度的电路。

- 滤波器:用于去除或增强特定频率的电路。

- 调制器:用于将低频信号调制到高频载波上的电路。

第二部分:放大器1. 放大器类型- 基本放大器:包括共射、共集、共底极等类型。

- 差分放大器:用于抑制共模信号的放大器。

- 电压跟随器:用于输出跟随输入信号的放大器。

2. 放大器设计- 选型:根据放大器的功率、频率、噪声等性能要求选择适当的器件。

- 偏置:通过电阻、电容等元件来设置放大器工作点。

- 反馈:通过串联或并联的电阻、电容等元件来控制放大器的增益、带宽等性能。

3. 放大器应用- 信号放大:用于将传感器输出的微弱信号放大到可测量范围。

- 信号传输:用于增强信号以便传输到远处或驱动加载。

第三部分:滤波器1. 滤波器类型- 低通滤波器:允许低频信号通过,阻断高频信号。

模电知识点识点总结

模电知识点识点总结

模电知识点识点总结一、电路分析电路分析是模拟电子技术中的基础知识点,它涉及到电路的基本元件、电路定律、戴维南定理、诺顿定理、等效电路、交流电路分析等内容。

在电路分析中,学生需要掌握电路元件的特性和参数,熟练掌握欧姆定律、基尔霍夫电压定律、基尔霍夫电流定律等基本定律,能够准确分析电路中的电压、电流和功率等参数。

二、放大电路放大电路是模拟电子技术中的重要内容之一,它是指通过放大器将输入信号放大的过程。

学生需要掌握放大器的基本分类、放大器的基本参数、放大器的频率特性等知识,理解放大器的工作原理,能够设计各种类型的放大电路。

三、模拟信号处理模拟信号处理是模拟电子技术中的核心内容之一,它涉及到模拟信号的获取、处理、传输和存储等过程。

学生需要掌握模拟信号的采样定理、量化处理、模拟信号滤波等知识,能够设计模拟信号处理系统,提高模拟信号处理的质量和效率。

四、模拟滤波器设计滤波器是模拟电子技术中的重要内容之一,它是指用于对信号进行滤波处理的电路。

学生需要掌握滤波器的分类、滤波器的性能指标、滤波器的设计方法等知识,能够设计各种类型的模拟滤波器,提高信号的质量和准确性。

五、集成电路设计集成电路设计是模拟电子技术中的核心内容之一,它涉及到集成电路的设计原理、工艺流程、器件制造等一系列内容。

学生需要掌握集成电路的基本结构、工作原理、设计方法等知识,能够设计各种类型的集成电路,提高集成电路的性能和可靠性。

总之,模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门课程,它涉及到电路分析、放大电路、模拟信号处理、模拟滤波器设计、集成电路设计等方面的知识。

学生在学习模拟电子技术的过程中,需要注重理论与实践相结合,通过实验和项目设计来提高自己的技能水平,从而更好地应用模拟电子技术知识解决实际问题。

模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述

模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述

《模电》第一章重点掌握内容:一、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。

5、P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。

6、N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。

其死区电压:S i管约0。

5V,G e管约为0。

1 V ,其死区电压:S i管约0.5V,G e管约为0.1 V 。

其导通压降:S i管约0.7V,G e管约为0.3 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的二极管。

(压降为0.7V,)②加反向电压时截止,相当断开。

③加反向电压并击穿(即满足U﹥U Z)时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。

二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判)参考答案:a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,(将二极管短路)使输出电压为U0=3V 。

模电必考知识点总结

模电必考知识点总结

模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础,了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。

2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。

3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法,包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。

4. 传输线理论了解传输线的基本特性,包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。

二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理,包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。

2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法,包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。

3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性,包括截止频率、增益带宽积等相关知识。

4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类,了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。

三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性,包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。

2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用,掌握运算放大器的基本应用方法。

四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用,包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。

2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法,了解它们在滤波电路中的应用。

3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻(陷波)滤波器的设计方法和特性,掌握模拟滤波器的设计技巧。

五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法,包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。

模电重点总结复习必备

模电重点总结复习必备
H参数的确定
混合型等效电路
简化的混合型等效电路
场效应管等效电路
其中:gmugs是压控电流源,它体现了输入电压对输出电流的控制作用。

-
+
+
d
g
s
gs
u
u
ds
i
d
+

+
+
-
gs
m
u
gs
u
u
-
S
ds
g
g
d
S
d
i
运算放大器
工作在线性区时的特点
虚短 虚断
工作在非线性区时的特点
虚断
波特图
画复杂电路或系统的波特图,关键在于一些基本因子
(4)输出电阻
反馈放大电路
反馈类型的判断
负反馈对放大电路性能的影响
深度负反馈下的近似估算
反馈稳定性判断
深度负反馈条件下的近似计算
一、 估算的依据
深度负反馈:
深度负反馈条件下,闭环增益只与反馈系数有关。


方法一:
估算电压增益
方法二:
根据

代入上式

即:输入量近似等于反馈量
净输入量近似等于零
截止频率的计算方法是“时间常数法”,即根据信号传递的具体情况,求出每一个起作用的电容所在RC回路的时间常数,进而求出截止频率。
直流稳压电源
工作原理
整流
滤波
稳压
计算
(1)差模电压增益
(3)差模输入电阻
不论是单端输入还是双端输入,差模输入电阻Rid是基本放大电路的两倍。
单端输出时, 双端输出时,
等效电路法

模电知识点复习总结

模电知识点复习总结

模电知识点复习总结模拟电子技术(模电)是电子工程中的重要基础学科之一,主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。

下面是我对模电知识点的复习总结:一.基础知识1.电路基本定律:欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。

2.信号描述与频域分析:时间域与频域的关系。

傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。

3.理想放大器:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。

4.放大器基本电路:共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。

二.放大器设计1.放大器的参数:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。

2.放大器的稳定性:稳态稳定性和瞬态稳定性。

3.放大器的频率响应:截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。

4.放大器的非线性失真:交趾略失真、交调失真、互调失真等。

5.放大电路的优化设计:负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。

三.运算放大器1.运算放大器的基本性质:增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。

2.电压放大器:非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。

3.运算放大器的应用电路:比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。

4.运算放大器的非线性失真:输入失真、输出失真、交调失真等。

四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理:输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。

2.双向可调电源的电路结构:移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。

3.双向可调电源的控制方式:串行控制和并行控制。

五.滤波器设计1.常见滤波器类型:低通、高通、带通和带阻滤波器。

2.滤波器的频率响应特性:通频带、截止频率、衰减量。

3.滤波器的传输函数:频率选择特性、阶数选择。

4.滤波器的实现方法:RC、RL、LC和电子管等。

六.可控器件1.二极管:理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。

2.可控硅:双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。

3.功率晶体管:NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。

模电知识点复习总结

模电知识点复习总结

3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法பைடு நூலகம்
1.二极管V-I 特性的建模
将指数模型 iD=IS(e分vD段VT线性1)化,得到二极管特性的 等效模型。 (1)理想模型
(a)V-I特性 (b)代表符号 (c)正向偏置时的电路模型 (d)反向偏置时的电路模型
(2)恒压降模型
(3)折线模型
(a)V-I特性 (b)电路模型
漂移运动: 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动.
扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动.
3.2.2 PN结形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分 别形成N型半导体和P型半导体.此时将在N型半导 体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
因浓度差
多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区
特别注意: ▪ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ▪ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下,且vD>>VT 。
3.5 特殊二极管
(一)稳压二极管
I/mA
1 结构:面接触型硅二极管
2 主要特点: (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性
• 较大的 I 较小的 U •工作在反向击穿状态. 在一定范围内,反向击穿 具有可逆性。
则 = ICICEO
IB
当IC
IC

EO
, IC
IB
是另一个电流放大系数。同样,它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。
一般 >> 1 。
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示; 共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示; 共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示.

模电知识重点总结

模电知识重点总结

模电知识重点总结(直流电源比较简单却是考试和做设计的重点,几乎所有设计都用到直流电源。

负反馈也是非常重要的一章,运放应用主要是线性应用,所以负反馈用的比较多。

总之,现在的趋势是复杂理论计算的题越来越少,应用型的设计、分析类题目会越来越多,尤其是结合一些集成芯片的应用。

)第一章绪论放大电路的基本知识第二章半导体二极管及其基本电路半导体物理基础PN结及其单向导电性(重点)半导体二极管外特性、主要参数和二极管正向V-I特性的建模及二极管电路模型法分析法(重点)稳压管的外特性。

第三章半导体三极管及放大电路基础三极管的电流分配、放大原理及特性曲线和主要参数放大电路的组成原则、基本工作原理放大电路的两种分析方法:图解法分析方法(通过放大电路图解分析法的学习,主要掌握如何确定静态工作点,以及了解静态工作点的不同选择对非线性失真的影响)和小信号等效电路分析法(小信号分析法是分析动态指标的重要工具,熟练掌握BJT的H参数小信号模型的建立、受控电源的概念,能够熟练的应用H参数小信号等效电路计算放大电路的电压增益、输入电阻和输出电阻等)(重点)放大电路工作点的稳定问题共射、共集、共基三种组态电路的分析计算(重点掌握射极偏置电路的工作原理和静态、动态指标的计算)(重点)多级放大电路的分析计算放大电路的频率响应(要求掌握一阶RC电路的波特图)(重点)第四章场效应管(FET)放大电路结型场效应管(JFET)、绝缘栅型场效应管(IGFET)及其场效应管(FET)放大电路的组成、工作原理(以JFET、MOSFET为重点),用公式计算法分析场效应管(FET)放大电路静态工作点,用小信号模型分析波分析场效应管(FET)放大电路的动态指标。

第五章功率放大电路(重点)功率放大电路的特点和主要研究对象互补对称功放(OCL、OTL)电路的组成、分析计算和功率BJT的选择(熟练掌握乙类互补功率对称放大电路的组成、分析计算和功率BJT的选择)(重点)第六章集成电路、运算放大器正确理解镜像电流缘、微电流源的工作原理、特点及主要用途,重点掌握差分放大电路的分析和各项指标的计算(重点)定性理解集成运放的基本组成、工作原理和主要参数第七章反馈放大电路正确理解反馈的基本概念及分类,负反馈放大器的方框图及放大倍数的一般表达式,反馈类型及极性的判断正确解释负反馈对放大器性能的影响深度负反馈条件下的负反馈放大器的分析方法(利用“虚短”和“虚断”的概念,进行近似计算为主)(重点)负反馈放大电路的稳定问题第八章信号的运算与处理电路理想运放及参数虚短、虚断的概念运放的三种基本电路(同相放大电路、反相放大电路、差分式放大电路)和信号运算电路(加法器、减法器、积分器、微分器)(熟练掌握基本运算电路的分析计算)(重点) 信号处理电路(有源滤波器)了解对数和反对数运算的工作原理、集成模拟乘法器的工作原理及应用第九章信号产生电路正弦波振荡电路的相位平衡条件及幅度平衡条件(重点)RC串并联正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅原理及振荡频率的计算(重点)LC正弦波振荡电路的工作原理和振荡频率的计算比较器(单门限电压比较器、迟滞比较器)方波发生电路第十章直流稳压电源单相桥式整流、电容滤波电路的工作原理及指标计算(重点)稳压管稳压电路稳压原理和限流电阻的计算串联反馈式稳压电路的稳压原理和输出电压的计算(重点)集成三端稳压器使用方法和典型应用。

模电章节知识点总结

模电章节知识点总结

模电章节知识点总结模拟电子技术的核心知识点包括模拟信号的表示与处理、模拟电路的基本元件与分析方法、放大电路、滤波电路、混频电路、调制与解调电路等。

本文将对这些知识点进行总结,以帮助读者更好地理解和掌握模拟电子技术。

一、模拟信号的表示与处理1. 模拟信号的表示模拟信号是连续变化的信号,一般可以表示为关于时间的函数。

常见的模拟信号包括正弦信号、三角波信号、方波信号等,它们可以用数学函数进行表示。

2. 模拟信号的处理模拟信号的处理包括模拟信号的采集、放大、滤波、混频、调制等过程。

其中,模拟信号的采集是将连续的模拟信号转换为离散的数字信号,而放大、滤波、混频、调制等过程则是对模拟信号进行增强、筛选、整合以及变换的过程。

二、模拟电路的基本元件与分析方法1. 电阻、电容、电感电阻、电容、电感是模拟电路中最基本的元件,它们分别用于限制电流、储存电荷和储存能量。

在模拟电路分析中,常常需要对这些元件进行分析,计算其电压、电流和功率等参数。

2. 理想电路元件的模型在实际的模拟电路中,可以将电阻、电容、电感等元件看作是理想的元件,从而简化模拟电路的分析。

这些理想的元件模型可以大大简化模拟电路的分析。

3. 基本的电路分析方法基本的电路分析方法包括基尔霍夫定律、叠加定理、戴维南定理等。

这些方法可以帮助工程师准确、快速地分析模拟电路中的电压、电流和功率等参数。

三、放大电路1. 放大器的基本原理放大器是模拟电路中最常见的电路之一,它可以将输入的弱信号放大到一定的程度。

放大器的基本原理是利用管子的放大作用,从而使得输入信号经过电压、电流的放大后,输出信号获得放大。

2. 常见的放大电路常见的放大电路包括共集极放大电路、共基极放大电路、共射极放大电路等,它们分别适用于不同的放大应用场景。

这些放大电路可以通过适当的电路设计和参数调整,来实现对不同信号类型的放大。

四、滤波电路1. 滤波器的分类滤波器是模拟电路中的重要组成部分,它可以对信号进行频率筛选。

模电1~10章总复习知识点

模电1~10章总复习知识点
三端固定式集成稳压器(78XX、79XX)及其使用
9 信号处理与信号产生电路
滤波电路的定义、分类
滤波电路的传递函数、幅频特性
正弦波振荡的条件
正弦波振荡电路的组成
RC振荡电路和LC振荡电路
相位平衡条件的判断 桥式、变压器反馈式、三点式、晶体
电压比较器
单门限、迟滞
10 直流稳压电源
桥式整流电路 电容滤波电路 串联反馈式稳压电路
三端集成稳压器
抑制温漂的原理、输出输入关系、共模抑制比
集成运放的参数及典型值、理想运放的特点 实际运放参数的对应用电路的影响
7 反馈放大电路
反馈的概念与分类、反馈类型的判断
负反馈电路闭环增益
不同反馈类型的信号量、增益和反馈系数的含义
负反馈对放大电路性能的影响
提高放大倍数的稳定性、减小反馈环内的非线性失真、抑制噪声、 扩展频带、影响输入输出电阻等
1 绪论
电信号源的电路表达形式 放大电路模型
电压放大模型、电流放大模型、互阻放大模型、互导放大模型
放大电路的主要性能指标
输入电阻、输出电阻、增益、频率响应及带宽、非线性失真
分贝、对数坐标、归一化、波特图、通频带、 半功率点、传输特性
2 运算放大器
运算放大器的电压传输特性 工作在线性区的运放电路
在深负反馈条件下的近似计算 负反馈放大电路的稳定性
自激振荡及稳定工作的条件、稳定性分析 增益裕度、相位裕度
8 功率放大电路
功放电路的特点 乙类双电源互补对称功率放大电路的计算
功率BJT的选择依据
交越失真的产生及消除方法
利用二极管进行偏置的甲乙类互补对称功率放大电路
功率器件安全运行采取的措施
直流负载线、交流负载线 非线性失真的产生及消除

模电知识点总结

模电知识点总结

模电知识点总结第一篇:模电知识点总结第一章绪论1.掌握放大电路的主要性能指标:输入电阻,输出电阻,增益,频率响应,非线性失真2.根据增益,放大电路有那些分类:电压放大,电流放大,互阻放大,互导放大第二章预算放大器1.集成运放适合于放大差模信号2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如:在运算电路中,集成运放的反相输入端是否均为虚地。

3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈4.当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。

5.根据输入输出表达式判断电路种类同相:两输入端电压大小接近相等,相位相等。

反相:虚地。

第三章二极管及其基本电路1.二极管最主要的特征:单向导电性2.半导体二极管按其结构的不同,分为面接触型和点接触型3.面接触型用于整流。

点接触型用于高频电路和数字电路4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏,锗二极管的开启电压为0.1伏7.硅二极管管压降0.7伏,锗二极管管压降0.2伏8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压下进行,反向电流随光照强度的增加而上升14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好.当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路第四章双极结型三极管及放大电路1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏饱和区,发射结集电极正偏截止区,发射结集电极反偏4.NPN,PNP,硅锗管的判断5.工作在放大区的三极管,若当Ib以12μA增大到22μA时,Ic 从1mA变为2mA,β约为1006.直流偏置电路的作用是给放大电路设置一个合适的静态工作点,若工作点选的太高——饱和失真。

模电复习各章要点

模电复习各章要点

1半导体二极管1.本征半导体在本征激发后导电,载流子浓度与温度T 有关。

2.P 型半导体中多子为空穴,少子为电子; N 型半导体中多子为电子,少子为空穴。

掺入杂质后,半导体的导电能力会有显著提高。

3.PN 结又称空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区,有单向导电性:正向电阻很小,反向电阻很大。

4.二极管的伏安方程是:)1(-=TV V s eI I ,其中:s I 是二极管的反向饱和电流,与温度有关;T V 是温度的电压当量,室温下为0.026mV 。

二极管正偏时,TV V s eI I ≈,反偏时,s I I -≈5.二极管反向偏置电压达到击穿电压BR V 时,其PN 结发生电击穿(雪崩击穿和齐纳击穿),此时电流变化很大而电压变化不大——由此做成稳压管。

2 晶体管1.晶体管(BJT )是双极型电流控制器件,晶体管进行电流放大的前提是发射结正偏置、集电结反偏置。

2.晶体管的外部电流关系是E C I I α≈、B C I I β≈、B C E I I I +=3.晶体管有三个工作区域:放大区、饱和区、截止区,晶体管通过电流控制实现信号放大的条件是工作在放大区。

4.晶体管处于正常放大状态时,发射结正偏置,集电结反偏置,为满足此条件,NPN 型晶体管的各极电位关系应该是E B C V V V >>;PNP 型晶体管的各极电位关系应该是E B C V V V <<。

5.当th BE V v >且BE CE v v >时,晶体管工作于放大区;当th BE V v ≤且BE CE v v ≥时,晶体管工作于截止区;当th BE V v >且BE CE v v ≤时,晶体管工作于饱和区。

6.场效应管(FET )是单极型电压控制器件,栅源电阻大。

场效应管有三个工作区域:可变电阻区、恒流区、击穿区,场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。

7.放大器的直流栅源电压的偏置应保证场效应管能正常工作,以N 沟道为例,结型场效应管的0≤GS v 后有D i ,GS v 越负,D i 越小;增强型绝缘栅场效应管的T GS V v >(T V 为正)后有D i ,GS v 越正,D i 越大;耗尽型绝缘栅场效应管的V GS 可正可负,GS v 越大,D i 越大, P GS V v =(P V 为负)时0=D i 。

模电各章节主要知识点总结

模电各章节主要知识点总结

06
第六章:信号发生器与信号变换器
信号发生器的定义和分类
总结词
信号发生器是用于产生所需信号的电子设备 ,根据产生信号的方式不同,可以分为振荡 器和调制器两类。
详细描述
信号发生器是用来产生各种所需信号的电子 设备,这些信号可以是正弦波、方波、脉冲 波等。根据产生信号的方式不同,信号发生 器可以分为两类:振荡器和调制器。振荡器 是利用自激反馈产生所需信号的电子设备, 而调制器则是利用调制技术将低频信号加载
THANKS
感谢观看
限流、分压、反馈等
电阻的串并联
串联增大阻值,并联减小阻值
电容
电容的种类
电解电容、瓷片电容、薄膜电 容等
电容的参数
标称容量、允许偏差、额定电 压、绝缘电阻等
电容的作用
隔直流通交流、滤波、耦合等
电容的充电放电
在交流电下,电容具有“隔直 流通交流”的作用,即让高频 信号通过,阻止低频信号通过
电感
电感的种类
信号变换器的工作原理和应用
• 总结词:模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化和 编码,转换成数字信号输出;数字式信号变换器则是将输入的数字信号进行解 码和数模转换,转换成模拟信号输出。
• 详细描述:模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化 和编码,转换成数字信号输出。采样是将连续时间信号转换为离散时间信号的 过程,量化是将采样后的离散值进行近似取整的过程,编码则是将量化后的离 散值转换为二进制码元的过程。数字式信号变换器的工作原理是将输入的数字 信号进行解码和数模转换,转换成模拟信号输出。解码是将输入的数字码元进 行解码的过程,数模转换则是将解码后的离散值转换为连续时间信号的过程。 模拟式和数字式信号变换器在通信、测量、控制等领域有着广泛的应用。

模拟电子各章要点

模拟电子各章要点

模拟电子技术讲课要点第一章常用半导体器件一. 本章的重点和难点半导体中载流子的运动以及又载流子的运动而阐述的半导体二极管、晶体管和场效应管的工作原理是学习的难点,但不是学习的重点。

本章的重点是从使用的角度出发掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要参数。

因此,讲述管子的内部结构和载流子的运动目的是为了更好的理解管子的外特性,应引导学生不要将注意力过多放在管子内部,而以能理解外特性为度。

二. 讲课要点1.为什么采用半导体材料制作电子器件。

2.纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体,本征半导体中有两种载流子导电,且其导电性与温度有关。

3.在本征半导体中利用扩散的方法掺入杂质就形成N型半导体和P型半导体,它们到典型的强弱与掺入杂质的多少成正比,实现了导电性的可控性。

4.将N型半导体和P型半导体制作在一起就形成PN结,PN结具有单向到典型,用伏安特性描述。

5.二极管由一个PN结封装而成,二极管的电流方程、伏安特性及主要参数。

6.由于PN结中的载流子数目与环境温度有关,因而二极管的伏安特性与温度有关;二极管对温度的敏感性造成其温度稳定性较差,但可用其作为热敏元件。

由于PN结有电容效应,所以二极管存在最高工作效率。

7.稳压二极管和发光二极管的特点。

8.晶体管有发射结、集电结两个PN结,发射区、基区、集电区三个区域,发射极、基极、集电极三个极;u BE>U on且u CE≥u BE时工作在放大状态,此时i C=βi B。

9.晶体管的输入特性、输出特性、主要参数和三个工作区域,放大电路中晶体管应工作在放大区。

10.场效应管的主要特点,结型、绝缘栅型场效应管的工作原理、转移特性、输出特性、主要参数和三个工作区域。

第二章基本放大电路一. 本章的重点和难点本章是课程的重点,对于初学者也是难点所在。

本章所讲述的基本概念、基本电路和基本分析方法是学习后面各章节的基础。

本章的重点是放大的概念、放大电路的主要指标参数、基本放大电路和放大电路的分析方法。

模电期末复习重点

模电期末复习重点

模电期末复习重点1、掌握内容2-8章为重点内容;9-10章作为了解内容;以讲授内容为考核范围。

2、需要掌握的电路分析与计算方法(1)放大电路分析,包括直流工作点分析,画出交流等效电路,分析交流参数(六种基本组态放大电路及其两级级联电路);(2)多级放大电路、差动放大电路与负反馈放大电路的组合分析,包括开环放大电路分析,反馈类型判断,闭环放大倍数与输入输出电阻求解;(3)基本运算电路(比例、加法、减法、积分、微分)的分析,作图,利用虚短、虚断条件进行求解;(4)运算电路和比较器的组合电路分析,包括电路类型识别,表达式分析,波形绘图;(5)弛张振荡器分析,互补跟随乙类功率放大器分析3、需要掌握的概念与分析内容第四章:半导体器件(1)掺杂半导体,漂移扩散电流,PN结单向导电性,PN结击穿特性,PN结电容;(2)二极管特性方程,二极管直流与交流电阻求解,工作状态,电路模型,二极管电路分析,稳压二极管特性,电路分析;(3)双极型晶体管结构、放大状态工作原理,工作区,直流模型,直流工作点分析(4)场效应晶体管结构,工作原理,工作区,类型与符号第五章基本放大电路(1)放大器组成规则(小信号放大器),直流偏置电路与直流工作点求解,晶体管偏置状态与类型判断,直流通路与交流通路绘制(2)放大电路图解法分析:直流与交流负载线,饱和、截止失真,最大不失真输出电压(3)双极型晶体管和场效应晶体管的交流小信号等效模型(H参数模型),模型参数确定(rbe,rce,gm,rds),放大器交流等效电路绘制与交流参数分析(A,Ri,Ro)(4)六种基本组态放大器电路结构、交流特性,对比(5)放大器级联方式,多级放大器交流参数求解第六章集成运放(1)运放组成结构与各部分功能,电流源电路(2)零点漂移,差动放大电路结构、直流工作点(3)差动放大电路的差模和共模特性分析,任意输入信号处理方法(4)交越失真,互补射极跟随器(5)运放电路定性分析,各部分结构与功能,同相与反相输入端第七章:频率响应(1)频率失真,线性失真,非线性失真,上限频率、下限频率、通频带,混合∏等效模型,β与α的上限频率,特征频率,密勒定理(2)三种基本组态放大电路的高频效应的对比,波特图表示法,附加相移与增益下降斜率(3)影响高频、低频响应的电抗元件(4)多级放大器的频率响应第八章:反馈(1)负反馈概念、分类,负反馈优点,反馈类型判断,求反馈系数;(2)深度负反馈放大电路分析,稳定性判断(3)振荡器、正反馈,文氏电桥振荡器第二章:运算电路(1)比例、加法、减法、积分、微分、电流-电压转换等运算电路结构、分析方法,表达式(2)仪表用放大器(3)滤波器种类与用途,有源滤波的优点第三章:电压比较器、弛张振荡器(1)简单比较器、迟滞比较器结构与分析,U OH,U OL,U TH,U TL(2)两种弛张振荡器结构与分析第九章:功率放大器(1)功率放大器的工作状态(A、B、C、AB)与各自特点(2)双电源和单电源互补跟随B类功率放大器结构与分析(3)复合管,桥式功率放大电路第十章:电源电路(1)电源电路结构,整流电路,滤波电路与Uo估算(2)稳压管稳压电路、串联型稳压电路的结构与原理。

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《模电》第一章重点掌握内容Powered by: Lyman一、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。

5、P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。

6、N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。

其死区电压:S i管约0。

5V,G e管约为0。

1 V ,其死区电压:S i管约0.5V,G e管约为0.1 V 。

其导通压降:S i管约0.7V,G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的二极管。

(压降为0.7V,)②加反向电压时截止,相当断开。

③加反向电压并击穿(即满足U﹥U Z)时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。

二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判)参考答案:a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,(将二极管短路)使输出电压为U0=3V 。

G、因V1正向电压为10V,V2正向电压13V,使V2 先导通,(将V2短路)使输出电压U0=3V,而使V1反偏截止。

h 、同理,因V1正向电压10V、V2正向电压为7V,所以V1先导通(将V1短路),输出电压U0=0V,使V2反偏截止。

(当输入同时为0V或同时为3V,输出为多少,请同学自行分析。

)三、书P31习题:1-3、1-4、1-6、1-8、1-13、1-16《模电》第二章重点掌握内容一、概念1、三极管由两个PN结组成。

从结构看有三个区、两个结、三个极。

(参考P40)三个区:发射区——掺杂浓度很高,其作用是向基区发射电子。

基区——掺杂浓度很低,其作用是控制发射区发射的电子。

集电区——掺杂浓度较高,但面积最大,其作用是收集发射区发射的电子。

两个结:集电区——基区形成的PN结。

叫集电结。

(J C)基区——发射区形成的PN结。

叫发射结。

(J e)三个极:从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C(或用a、b、c)对应的三个电流分别称基极电流I B、发射极电流I E、集电极电流I C。

并有:I E =I B+ I C2、三极管也有硅管和锗管,型号有NPN型和PNP型。

(参考图A。

注意电路符号的区别。

可用二极管等效来分析。

)3、三极管的输入电压电流用U BE、I B表示,输出电压电流用U CE、I C表示。

即基极发射极间的电压为输入电压U BE,集电极发射间的电压为输出电压U CE。

(参考图B)三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.4、三极管的输入特性(指输入电压电流的关系特性)与二极管正向特性很相似,也有:死区电压:硅管约为0.5V, 锗管约为0.1V 。

导通压降:硅管约为0.7V ,锗管约为0.2V 。

(这两组数也是判材料的依据)5、三极管的输出特性(指输出电压U CE与输出电流I C的关系特性)有三个区:①饱和区:特点是U CE﹤0.3V,无放大作用,C-E间相当闭合.其偏置条件J C, J e都正偏.②截止区:特点是U BE ≦0, I B=0, I C=0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件J C, J e都反偏.③放大区: 特点是U BE大于死区电压, U CE﹥1V, I C=β I B.其偏置条件J e正偏J C反偏.所以三极管有三种工作状态,即饱和状态,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态.6、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)(参考图B)7、对放大电路的分析有估算法和图解法估算法是:⑴先画出直流通路(方法是将电容开路,信号源短路,剩下的部分就是直流通路),求静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ。

⑵画交流通路,H参数小信号等效电路求电压放大倍数A U输入输出电阻R I和R0。

(参考P58图2.2.5)图解法:是在输入回路求出I B后,在输入特性作直线,得到工作点Q,读出相应的I BQ、U BEQ 而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线,得到工作点Q,读出相应的I CQ、U CEQ加入待放大信号u i从输入输出特性曲线可观察输入输出波形,。

若工作点Q点设得合适,(在放大区)则波形就不会发生失真。

(参考P52图2.2.2)8、失真有三种情况:⑴截止失真:原因是I B、I C太小,Q点过低,使输出波形后半周(正半周)失真。

消除办法是调小R B,以增大I B、I C,使Q点上移。

⑵饱和失真:原因是I B、I C太大,Q点过高,使输出波形前半周(负半周)失真。

消除办法是调大R B,以减小I B、I C,使Q点下移。

⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真,消除办法是调小信号源。

应用举例:说明:图A:三极管有NPN型和PNP型,分析三极管的工作状态时可用二极管电路来等效分析。

图B:三极管从BE看进去为输入端,从CE看进去输出端。

可用小信号等效电路来等效。

其三极管的输入电阻用下式计算:rbe =200+(1+β)26/ I EQ=200+26/ I BQI C=β I B.图C的图1因发射结正偏,集电结反偏,所以是放大;图2因发射结电压为3伏,所以管烧;图3因发射结集电结都正偏,所以是饱和;图4因发射结正偏,集电结反偏,所以是放大。

图D:a图为固定偏置电路,b图为直流通路,c图为H参数小信号等效电路。

(其计算在下一章)二、习题:P81 2-1、2-2、2-4abc、2-9《模电》第三章重点掌握内容一、概念1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。

(固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极,故称共发射极电路)。

共射电路的输出电压U0与输入电压U I反相,所以又称反相器。

共集电路的输出电压U0与输入电压U I同相,所以又称同相器。

2、差模输入电压U id=U i1-U i2指两个大小相等,相位相反的输入电压。

(是待放大的信号)共模输入电压U iC= U i1=U i2指两个大小相等,相位相同的输入电压。

(是干扰信号)差模输出电压U0d 是指在U id作用下的输出电压。

共模输出电压U0C是指在U iC作用下的输出电压。

差模电压放大倍数A ud= U0d / /U id是指差模输出与输入电压的比值。

共模放大倍数A uc =U0C /U iC是指共模输出与输入电压的比值。

(电路完全对称时A uc =0)共模抑制比K CRM=A ud /A uc是指差模共模放大倍数的比值,电路越对称K CRM越大,电路的抑制能力越强。

3、差分电路对差模输入信号有放大作用,对共模输入信号有抑制作用,即差分电路的用途:用于直接耦合放大器中抑制零点漂移。

(即以达到U I =0,U0=0的目的)4、电压放大器的主要指标是电压放大倍数A U和输入输出电阻R i ,R0 。

功率放大器的主要指标要求是(1)输出功率大,且不失真;(2)效率要高,管耗要小,所以功率放大电路通常工作在甲乙类(或乙类)工作状态,同时为减小失真,采用乙类互补对称电路。

为减小交越失真采用甲乙类互补对称电路。

5、多级放大电路的耦合方式有:直接耦合:既可以放大交流信号,也可以放大直流信号或缓慢变化的交流信号;耦合过程无损耗。

常用于集成电路。

但各级工作点互相牵连,会产生零点漂移。

阻容耦合:最大的优点是各级工作点互相独立,但只能放大交流信号。

耦合过程有损耗,不利于集成。

变压器耦合:与阻容耦合优缺点同,已少用。

二、电路分析。

重点掌握以下几个电路:1、固定偏置电路;如图D-a(共射电路)A)会画直流通路如图D-b,求工作点Q。

(即求I BQ、I CQ、U CEQ)即;I BQ =(U CC—U BE)/ R BI CQ =β I B.U CEQ = U CC—I CQ R CB)会画微变等效电路,如图D-c,求电压放大倍数和输入输出电路:A U、R i、R O。

即:A U = —β R L// rbe ,R i = R B∥rbe ,R O = R C2、分压式偏置电路;如图E-a(为共射电路)A)会画直流通路如图E-b,求工作点Q。

(即求I BQ、I CQ、U CEQ)即:V B =R B2*U CC/(R B1+R B2)I CQ≈I EQ= (V B—U BE)/R EU CEQ = U CC—I CQ(R C+R E)B)会画微变等效电路,如图E-c,求电压放大倍数和输入输出电路:A U、R i、R O即:A U = —β R L// rbe ,R i = R B1∥R B2∥rbe ,R O = R C设:R B1=62KΩ,R B2=16 KΩ,R C=5KΩ, R E=2KΩ,R L=5 KΩ,U CC=20V,β=80,U BE=0.7V,试求工作点(Q)I BQ、、I CQ、U CEQ和A U、R i、R O。

(请同学一定要完成上两道题,并会画这两个电路的直流通路和微变等效电路。

)3、射极输出器,如图F-a(为共集电路,又称同相器、跟随器)重点掌握其特点:①电压放大倍数小于近似于1,且U O与U i同相。

②输入电阻很大。

③输出电阻很小,所以带负载能力强。

了解其电路结构,直流通路(图F-b)和微变等效电路(图F-c)的画法。

《模电》第四章重点掌握内容一、概念1、反馈是指将输出信号的一部分或全部通过一定的方式回送到输入端。

2、反馈有正反馈(应用于振荡电路)和负反馈(应用于放大电路)之分。

3、反馈有直流反馈,其作用:稳定静态工作点。

有交流反馈,其作用:改善放大器性能。

包括:①提高电压放大倍数的稳定度;②扩展通频带;③减小非线性失真;④改善输入输出电路。

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