COOL-MOS失效案例

ESD
0.5~0.6 1.0~1.1 0.8~1.0 1.0~1.1 0.6~0.8KV
EAS(L=10mH)
Ias(A)
Eas（mJ）
6.5~7.1
203~257
7.0~7.5
26ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ~306
6.2~6.8
209~252
6.8~7.8
252~267
5.8~6.5
183~230
雪崩失效波形图
附件一
EAS失效图一
ESD失效照片
EAS失效照片
J系列案例
1. ESD失效 MBH=0.8~1.0KV；放电一次；
2. EAS失效 IAS=6.2A~6.8A; L=10mH。 EAS=209mJ~252mJ(失效极限能量)
3. 第10页ESD失效照片 第11页EAS失效照片
J系列：2.2*2.4mm
ESD失效照片
EAS失效照片
M系列案例
1. ESD失效 MBH=1.0~1.1KV；放电一次；
2. EAS失效 IAS=6.8A~7.8A; L=10mH。 EAS=252mJ~267mJ(失效极限能量)
3. 第13页ESD失效照片 第14页EAS失效照片
M系列：1.8*2.8mm
ESD失效照片
EAS失效照片
3. 上述两项实验都取得良好的重复性，对确定COOL-MOS的 ESD与EAS有参考作用。
4. 以上五个系列都是选择4A,650V超结产品，（相当于COOLMOS F65R950S）以便于比较各厂家芯片的优劣；
5. ESD与EAS失效特征（失效区域，位置，形状等）有明显不 同，但属于EOS失效范畴。
R系列案例
1. ESD失效 MBH=0.6~0.8KV；放电一次；
2. EAS失效 IAS=5.8A~6.5A; L=10mH。 EAS=183mJ~230mJ(失效极限能量)
3. 第16页ESD失效照片 第17页EAS失效照片
R系列：2.6*2.6mm
ESD失效照片
EAS失效照片
产品类型
ABI BBG JBD MBH RBG
注：COOL-MOS对应电流仅供参考
结束语：
1. COOL-MOS的EDS实验失效方法是定义为“MBH（人体放 电模式）”，采用逐步增加电压方式，最终确定MBH单次击 毁器件电压的范围；
2. COOL-MOS的EAS实验失效方法是固定L=10mH电感值，采 取逐步增加雪崩电流IAS（ Δ IAS =0.1A）的方式，最终确定 器件失效的雪崩电流范围；
A系列：1.8*2.8mm
ESD失效照片
EAS失效照片
B系列案例
1. ESD失效 MBH=1.0~1.1KV；放电一次；
2. EAS失效 IAS=7.0A~7.5A; L=10mH。 EAS=267mJ~306mJ(失效极限能量)
3. 第7页ESD失效照片 第8页EAS失效照片
B系列：2.6*2.6mm
COOL-MOS Esd And Eas
失效案例
1
A系列案例
2
B系列案例
3
J系列案例
4
M系列案例
5
R系列案例
6
附件
A系列案例
1. ESD失效 MBH=0.5~0.6KV；放电一次；
2. EAS失效 IAS=6.5A~7.1A; L=10mH。 EAS=230mJ~275mJ(失效极限能量)
3. 第4页ESD失效照片 第5页EAS失效照片
EAS失效图二
EAS良品图
附件二 COOL-MOS产品的命名方法
表示
全封 产品
表示电 压650V
表示超洁
表示导通电 阻190mΩ
COOL-MOS与VDMOSFET对应 F65R190S················18~22A F65R300S················16~18A F65R420S················12~16A F65R500S················8~12A F65R700S················6~8A F65R950S················4~6A F65R1K1S················2~4A