MOSFET_Device_IRF选型
mosfet管的选型
mosfet管的选型功率是选择MOSFET管的一个重要考虑因素。
功率是指MOSFET管能够承受的最大功率。
根据具体应用需求，我们需要选择功率适合的MOSFET管。
如果功率过小，可能无法满足电路需求；如果功率过大，可能会浪费资源或导致其他问题。
电压是选择MOSFET管的另一个重要因素。
电压是指MOSFET管能够承受的最大电压。
在选择MOSFET管时，我们需要确保其能够正常工作在所需的电压范围内。
如果电压过高，可能会导致MOSFET管损坏；如果电压过低，可能无法正常工作。
电流也是选择MOSFET管的一个关键参数。
电流是指MOSFET管能够承受的最大电流。
在选择MOSFET管时，我们需要根据所需的电流大小来选择合适的管子。
如果电流过大，可能会导致MOSFET管过载而损坏；如果电流过小，可能无法满足电路的需求。
开关速度也是选择MOSFET管的一个重要考虑因素。
开关速度是指MOSFET管的开关速度，即MOSFET管从开启到关闭或从关闭到开启的时间。
在某些应用中，快速的开关速度是必需的。
因此，在选择MOSFET管时，我们需要根据具体应用需求来选择开关速度适合的管子。
除了上述关键参数外，还有一些其他因素也需要考虑。
例如，温度特性、封装类型、价格等。
温度特性是指MOSFET管在不同温度下的性能表现。
封装类型是指MOSFET管的封装形式，如TO-220、SOT-23等。
价格是指MOSFET管的价格，我们需要根据预算来选择合适的管子。
在选择MOSFET管时，我们可以参考供应商提供的参数表和规格书。
这些文档通常提供了详细的参数信息，帮助我们选取适合的MOSFET 管。
此外，我们还可以咨询专业工程师或在相关技术论坛上寻求帮助。
选择合适的MOSFET管是确保电路正常工作的重要一步。
通过考虑功率、电压、电流、开关速度等关键参数，以及其他因素如温度特性、封装类型、价格等，我们可以选择到适合的MOSFET管，从而提高电路性能和可靠性。
栅极驱动选型参数解读
栅极驱动选型参数解读
栅极驱动是电子设备中常用的一种技术，它为控制场效应晶体管（FET）的开
关操作提供所需的信号。
在选择适当的栅极驱动选型参数时，以下几个关键因素需要考虑。
1. 驱动电压（VDD）：驱动电压是指应用于栅极驱动电路的电压。
根据应用需求和FET的规格，选择合适的驱动电压是十分重要的。
过低的驱动电压可能导致FET无法完全开启，而过高的驱动电压则可能导致功耗增加和设备寿命缩短。
2. 上升时间（tR）和下降时间（tF）：上升时间和下降时间分别指FET的开启
和关闭过程中栅极驱动信号的上升和下降时间。
这两个参数影响FET的响应速度
和开关效率。
较快的上升和下降时间可以提高设备的性能，但同时也增加了设计和生产过程中的复杂性和成本。
3. 驱动能力（IOUT）：驱动能力是指栅极驱动器可以提供给FET栅源极的最
大电流。
较高的驱动能力可以提高FET的响应速度和开关效率，但也需要注意不
要超过FET的最大栅极电流。
4. 抗干扰能力：在电子设备中，抗干扰能力是栅极驱动器的一个重要性能指标。
较好的抗干扰能力可以降低设备受外部电磁干扰的影响，提高设备的可靠性和稳定性。
5. 功耗：功耗是衡量栅极驱动器性能的一个重要指标。
较低的功耗可以提高设
备的能效和使用寿命，尤其对于便携式电子设备而言更为重要。
综上所述，栅极驱动选型参数的选择需根据具体的应用需求和FET规格来确定。
合理的驱动电压、上升时间、下降时间、驱动能力、抗干扰能力和功耗设计可以提高设备的性能和可靠性，同时也要注意平衡成本和复杂性。
MOSFET选型注意事项及应用实例
MOSFET选型注意事项及应用实例MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。
在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。
当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。
导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。
必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。
如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。
当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。
虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。
1）沟道的选择。
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。
在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N 沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。
2）电压和电流的选择。
额定电压越大，器件的成本就越高。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。
就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。
不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220V AC 应用为450～600V。
在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。
脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。
MOS功率与选型
品牌：美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA；NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。
MOS管选型指南.xls关于MOS选型第一步：选用N沟道还是P沟道低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
第二步：确定额定电流额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。
MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。
器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。
对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。
第三步：确定热要求器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。
根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。
第四步：决定开关性能选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。
影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。
这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。
MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。
详细的MOS管的选型可以参考资料3MOS管正确选择的步骤正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。
第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
IR公司_大功率MOS管选型
I DContinuous Drain Current(A)70°Micro3Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPartNumberPD Max.PowerDissipation (W)N-ChannelLogic LevelIRLML2402*912570.54200.25 1.20.95230H1IRLML2803912580.54300.251.20.93230P-ChannelLogic LevelIRLML6302*912590.54-200.6-0.62-4.8230H1IRLML5103912600.54-300.6-0.61-4.8230* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°Micro6Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPartNumberPD Max.PowerDissipation (W)N-ChannelLogic LevelIRLMS1902915401.7200.10 3.2 2.675H2IRLMS1503915081.7300.103.22.675P-ChannelLogic LevelIRLMS6702*914141.7-200.20-2.3-1.975H2IRLMS5703914131.7-300.20-2.3-1.975* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°Micro8Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)N-Channel Logic LevelIRF7601* 912611.820 0.035 5.7 4.6 70 H3IRF7603 912621.830 0.035 5.6 4.5 70Dual N-Channel Logic LevelIRF7501* 912651.220 0.135 2.4 1.9 100 H3IRF7503 912661.2530 0.135 2.4 1.9 100P-Channel Logic LevelIRF7604* 912631.8-20 0.09 -3.6 -2.9 70 H3IRF7606 912641.8-30 0.09 -3.6 -2.9 70Dual P-Channel Logic LevelIRF7504* 912671.25-20 0.27 -1.7 -1.4 100 H3IRF7506 912681.25-30 0.27 -1.7 -1.4 100Dual N- and P-Channel Logic LevelIRF7507* 912691.2520 0.1352.4 1.9 100 H3-20 0.27 -1.7 -1.4IRF7509 912701.2530 0.135 2.4 1.9 100-30 0.27 -1.7 -1.4* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-Pak D -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro8 2 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°SO-8Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRF7413913302.5300.011139.250H4IRF7413A 916132.5300.0135128.450IRF9410915622.5300.0375.850Dual N-ChannelIRF7311914352.0200.029 6.6 5.362.5H4IRF7313914802.0300.029 6.5 5.262.5IRF7333917002.0300.10 3.5 2.862.5917002.0300.050 4.9 3.962.5IRF9956915592.0300.103.52.862.5Dual P-ChannelIRF7314914352.0-200.058-5.3-4.362.5H4IRF7316915052.0-300.058-4.9-3.962.5IRF9953915602.0-300.25-2.3-1.862.5* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°SO-8Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)RΘMax.ThermalResistance(°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)Dual N- and P-ChannelIRF7317 915682.020 0.029 6.6 5.3 62.5 H42.0-20 0.058 -5.3 -4.3 62.5IRF9952 915622.030 0.103.5 2.8 62.5915622.0-30 0.25 -2.3 -1.8 62.5IRF7319 916062.030 0.029 6.5 5.2 62.52.0-30 0.058 -4.9 -3.9 62.5* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-Pak D -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro8 2 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°SO-8Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelLogic LevelIRF7401912442.5200.0228.77.050H4IRF7201911002.5300.0307.0 5.650IRF7403912452.5300.0228.55.450Dual N-ChannelLogic LevelIRF7101908712.0200.10 3.5 2.362.5H4IRF7301912382.0200.050 5.2 4.162.5IRF7303912392.0300.050 4.9 3.962.5IRF7103910952.0500.1303.02.362.5P-ChannelLogic LevelIRF7204911032.5-200.060-5.3-4.250H4IRF7404912462.5-200.040-6.7-5.450IRF7205911042.5-300.070-4.6-3.750IRF7406912472.5-300.045-5.8-3.750IRF7416913562.5-300.02-10-7.150* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°SO-8Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)Dual P-ChannelLogic LevelIRF7104910962.0-200.250-2.3-1.862.5H4IRF7304912402.0-200.090-4.3-3.462.5IRF7306912412.0-300.10-3.6-2.962.5Dual N- and P-Channe Logic LevelIRF7307912421.4200.050 4.3 3.490H4-200.090-3.6-2.9IRF7105910972.0250.1093.5 2.862.52-250.25-2.3-1.862IRF7309912432.0300.050 4.9 3.962.5-300.10-3.6-2.9* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°SOT-223Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFL4105913812.1550.045 3.7 3.060H6IRFL110908612.01000.54 1.50.9660IRFL4310913682.11000.20 1.6 1.360IRFL21090868 2.02001.50.960.660IRFL214908622.02502.00.790.560P-ChannelIRFL9110908642.0-1001.2-1.1-0.6960H6N-ChannelLogic LevelIRLL3303913792.1300.031 4.6 3.760H6IRLL014N 914992.1550.14 2.0 1.660IRLL2705913802.1550.043.83.060* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D-PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFR33039164257300.0313321 2.2H7IRFR024N9133638550.0751610 3.3IRFR41059130248550.0452516 2.7IRFR12059131869550.0273723 1.8IRFR11090524251000.54 4.3 2.75IRFR120N 91365391000.219.1 5.8 3.2IRFR391091364521000.11159.5 2.4IRFR2109052625200 1.5 2.6 1.75IRFR22090525422000.8 4.833IRFR21490703252502 2.2 1.45IRFR2249060042250 1.1 3.8 2.43IRFR3109059725400 3.6 1.7 1.15IRFR3209059842400 1.8 3.123IRFR42090599425003 2.4 1.53IRFRC2090637426004.421.33* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D-PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)P-ChannelIRFR55059161057-550.11-18-11 2.2H7IRFR53059140289-550.065-28-18 1.4IRFR90149065425-600.5-5.1-3.25IRFR90249065542-600.28-8.8-5.63IRFR91109051925-100 1.2-3.1-25IRFR91209052042-1000.6-5.6-3.63IRFR9120N 9150739-1000.48-6.5-4.1 3.2IRFR92109052125-2003-1.9-1.25IRFR92209052242-200 1.5-3.6-2.33IRFR92149165850-250 3.0-2.7-1.7 2.5IRFR93109166350-4007.0-1.8-1.12.5* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D-PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelLogic LevelIRLR27039133538300.0452214 3.3H7IRLR33039131657300.0313321 2.2IRLR31039133369300.0194629 1.8IRLR024N 9136338550.0651711 3.3IRLR27059131746550.042415 2.7IRLR29059133469550.0273623 1.8IRLR120N 91541391000.18511 6.9 3.2IRLR341091607521000.10159.52.4* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D 2PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFZ24NS 913554555 0.07 17 12 3.3 H10IRFZ34NS 913116855 0.04 29 20 2.2IRFZ44NS 9131511055 0.022 49 35 1.4IRFZ46NS 9130512055 0.020 53 37 1.3IRFZ48NS 9140814055 0.016 64 45 1.1IRF1010NS 913723.855 0.011 84 60 40IRF3205S 9130420055 0.008 110 80 0.75IRFZ44ES 9171411060 0.023 48 34 1.4IRF1010ES 9172017060 0.012 83 59 0.90IRF2807S 9151815075 0.013 71 50 1.0IRF520NS 9134047100 0.2 9.5 6.7 3.2IRF530NS 9135263100 0.11 15 11 2.4IRF540NS 91342110100 0.052 27 19 1.6IRF1310NS 91514120100 0.036 36 25 1.3IRF3710S 91310150100 0.028 46 33 1.0IRF3315S 9161794150 0.082 21 15 1.6IRF3415S 91509150150 0.042 37 26 1.0IRFBC20S 9.101450600 4.4 2.2 1.4 2.5IRFBC30S 9101574600 2.2 3.6 2.3 1.7IRFBC40S 91016130600 1.2 6.2 3.9 1.0* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-Pak D -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro8 2 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D 2PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemandNumberCase Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)IRFBF20S 9166554900 8.0 1.7 1.1 2.3 H10P-ChannelIRF5305S 91386110-55 0.06 -31 -22 1.4 H10IRF4905S 914783.8-55 0.02 -74 -52 40IRF9520NS 9152247-100 0.48 -6.7 -4.8 3.2IRF9530NS 9152375-100 0.20 -14 -9.9 2.0IRF9540NS 9148394-100 0.117 -19 -13 1.6IRF5210S 91405150-100 0.06 -35 -25 1.0* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-Pak D -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro8 2 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D 2PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)N-Channel Logic LevelIRL3302S 916925720 0.020 39 25 2.2 H10IRL3202S916756920 0.016 48 30 1.8IRL3102S 916918920 0.013 61 39 1.4IRL3402S 9169311020 0.01 85 54 1.1IRL3502S 9167614020 0.007 110 67 0.89IRL2703S 913604530 0.04 24 17 3.3IRL3303S 913236830 0.026 38 27 2.2IRL3103S 9133811030 0.014 64 45 1.4IRL2203NS 9136717030 0.007 116 82 0.90IRL3803S 9131920030 0.006 140 98 0.75IRLZ24NS 913584555 0.06 18 13 3.3IRLZ34NS 913086855 0.035 30 21 2.2IRLZ44NS 9134711055 0.022 47 33 1.4IRL3705NS 9150217055 0.01 89 63 0.90IRL2505S 9132620055 0.008 104 74 0.75IRLZ44S 9090615060 0.028 50 36 1.0IRL530NS 9134963100 0.1 15 11 2.4IRL2910S 91376150100 0.026 48 34 1.0* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-Pak D -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro8 2 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°SOT-227Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous DrainCurrent 25°C(A)RΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelFully Isolated Low ChargeFA38SA50LC 916155005000.1338240.25H21FA57SA50LC916506255000.0857360.20* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°I-PakThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFU33039164257300.0313321 2.2H8IRFU024N 9133638550.0751610 3.3IRFU41059130248550.0452519 2.7IRFU12059131869550.0273723 1.8IRFU11090524251000.54 4.3 2.7 5.0IRFU120N 91365391000.219.1 5.8 3.2IRFU391091364521000.11159.5 2.4IRFU2109052625200 1.5 2.6 1.7 5.0IRFU22090525422000.80 4.8 3.0 3.0IRFU2149070325250 2.0 2.2 1.4 5.0IRFU2249060042250 1.1 3.8 2.4 3.0IRFU3109059725400 3.6 1.7 1.1 5.0IRFU3209059842400 1.8 3.1 2.0 3.0IRFU4209059942500 3.0 2.4 1.5 3.0IRFUC2090637426004.42.01.33.0I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°I-PakThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)P-ChannelIRFU55059161057-550.11-18-11 2.2H8IRFU53059140289-550.065-28-18 1.4IRFU90149065425-600.50-5.1-3.2 5.0IRFU90249065542-600.28-8.8-5.6 3.0IRFU91109051925-100 1.2-3.1-2.0 5.0IRFU91209052042-1000.60-5.6-3.6 3.0IRFU9120N 9150739-1000.48-6.5-4.1 3.2IRFU92109052125-200 3.0-1.9-1.2 5.0IRFU92209052242-200 1.5-3.6-2.3 3.0IRFU92149165850-2503.0-2.7-1.7 2.5IRFU93109166350-4007.0-1.8-1.12.5N-ChannelLogic LevelIRLU27039133538300.0452214 3.3H8IRLU33039131657300.0313321 2.2IRLU31039133369300.0194629 1.8IRLU024N 9136338550.0651711 3.3IRLU27059131746550.04241715IRLU29059133469550.0273623 1.8IRLU120N 91541391000.18511 6.9 3.2IRLU341091607521000.10159.52.4I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°HEXDIPThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFD014907001.3600.2 1.7 1.2120H9IRFD024906991.3600.1 2.5 1.8120IRFD110903281.31000.54 1.00.71120IRFD120903851.31000.27 1.30.94120IRFD210903861.3200 1.50.60.38120IRFD220904171.32000.80.80.50120IRFD214912711.3250 2.00.570.32120IRFD224912721.3250 1.10.760.43120IRFD310912251.3400 3.60.420.23120IRFD320912261.3400 1.80.600.33120IRFD420912271.3500 3.00.460.26120IRFDC20912281.36004.40.320.21120I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI D Continuous Drain Current (A)100°TO-220Qg TotalGate Charge(nC)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C (A)R ΘMax.Thermal Resistance(°C/W)1Faxon Demand Number Case OutlineKeyPart Number P D Max.Power Dissipation (W)N-ChannelLow ChargeIRF737LC91314743000.75 6.1** 1.7 3.9H11IRF740LC 910681254000.5510** 1.039IRF840LC 910691255000.858.0** 1.039IRFBC40LC910701256001.26.2**1.039I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220ABThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFZ24N 9135445550.071712 3.3H12IRFZ34N9127656550.042618 2.7IRFZ44N 9130383550.0244129 1.8IRFZ46N 9127788550.024633 1.7IRFZ48N 9140694550.0165337 1.6IRF1010N 91278130550.0127251 1.2IRF320591279150550.0089869 1.0IRFZ34E 9167268600.0422820 2.2IRFZ44E 91671110600.0234834 1.4IRF1010E 91670170600.01281570.90IRF280791517150750.0137150 1.0IRF520N 91339471000.209.5 6.79.5IRF530N 91351601000.111511 2.4IRF540N 91341941000.0522719 1.6IRF1310N 916111201000.0363625 1.3IRF3710913091501000.0284633 1.0IRF331591623941500.0822115 1.6IRF3415914771501500.0423726 1.0IRFBC209062350600 4.4 2.2 1.4 2.5IRFBC309048274600 2.2 3.6 2.3 1.7IRFBC4090506125600 1.2 6.2 3.9 1.0IRFBE2090610548006.51.81.22.3I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220ABThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)IRFBE3090613125800 3.0 4.1 2.6 2.0H12IRFBF3090616125900 3.7 3.6 2.3 1.0IRFBG209060454100011 1.40.86 2.3IRFBG309062012510005.03.12.01.0P-ChannelIRF9Z24N 9148445-550.175-12-8.53.3H12IRF9Z34N 9148556-550.10-17-12 2.7IRF530591385110-550.06-31-22 1.4IRF490591280150-550.02-64-45 1.0IRF9530N 9148275-1000.20-13-9.2 2.0IRF9540N 9143794-1000.117-19-13 1.6IRF521091434150-1000.06-35-25 1.0IRF62159147983-1500.29-11-7.81.8I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220ABThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)N-Channel Logic LevelIRL3302 916965720 0.020 39 25 2.2 H12IRL3202 916956920 0.016 48 30 1.8IRL3102 916948920 0.013 61 39 1.4IRL3402 9169711020 0.01 85 54 1.1IRL3502 9169814020 0.007 110 67 0.89IRL2703 913594530 0.04 24 17 3.3IRL3303 913225630 0.026 34 24 2.7IRL3103 913378330 0.014 56 40 1.8IRL2203N 9136613030 0.007 100 71 1.230 0.007 61 43 3.2IRL3803 9130115030 0.006 120 83 1.0IRLZ24N 913574555 0.06 18 13 3.3IRLZ34N 913075655 0.035 27 19 2.7IRLZ44N 913468355 0.022 41 29 1.8IRL3705N 9137013055 0.01 77 54 1.2IRL2505 9132520055 0.008 104 74 0.75IRL520N 9149447100 0.18 10 7.1 3.2IRL530N 9134863100 0.10 15 11 2.4IRL540N 9149594100 0.044 30 21 1.6IRL2910 91375150100 0.026 48 34 1.0I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI D Continuous Drain Current (A)100°TO-220 FullPak (Fully Isolated)Qg TotalGate Charge(nC)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous DrainCurrent 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1Fax on Demand Number Case OutlineKeyPart Number P D Max.Power Dissipation (W)N-ChannelLow ChargeIRFI740GLC91209404000.55 6.0** 3.139H13IRFI840GLC 91208405000.85 4.8** 3.139IRFIBC40GLC91211406001.24.0**3.139I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220 FullPak (Fully Isolated)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFIZ24N 9150126550.07139.2 5.8H14IRFIZ34N9148931550.041913 4.8IRFIZ44N 9140338550.02428200.024IRFIZ46N 9130640550.023122 3.8IRFIZ48N 9140742550.0163625 3.6IRFI1010N 9137347550.0124431 3.2IRFI32059137448550.0085640 3.1IRFIZ24E 9167329600.071149.6 5.2IRFIZ34E 9167437600.0422115 4.1IRFI510G 90829271000.54 4.5 3.2 5.5IRFI520N 91362271000.207.2 5.1 5.5IRFI530N 91353331000.11117.8 4.5IRFI540N 91361421000.0521813 3.6IRFI1310N 91611451000.0362216 3.3IRFI371091387481000.0252820 3.1IRFI620G 90832302000.8 4.1 2.6 4.1IRFI630G 90652322000.4 5.9 3.7 3.6IRFI640G 90649402000.189.8 6.2 3.1IRFI614G 9083123250 2.0 2.1 1.3 5.5IRFI624G 9083330250 1.1 3.4 2.2 4.1IRFI634G 90738322500.45 5.6 3.5 3.6IRFI644G 90739402500.287.953.1I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220 FullPak (Fully Isolated)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)IRFI720G 9083430400 1.8 2.6 1.7 4.1H14IRFI730G 9065032400 1.0 3.7 2.3 3.6IRFI740G 90651404000.55 5.4 3.4 3.1IRFI734G 9100135450 1.2 3.4 2.1 3.6IRFI744G 91002404500.63 4.9 3.1 3.1IRFI820G 9064130500 3.0 2.1 1.3 4.1IRFI830G 9064632500 1.5 3.12 3.6IRFI840G 90642405000.85 4.6 2.9 3.1IRFIBC20G 90850306004.41.71.1 4.1IRFIBC30G 90851356002.2 2.5 1.63.6IRFIBC40G 9085240600 1.2 3.5 2.2 3.1IRFIBE20G 9085330800 6.5 1.4.86 4.1IRFIBE30G 9085435800 3.0 2.1 1.4 3.6IRFIBF20G 90855309008.0 1.2.79 4.1IRFIBF30G90856359003.71.91.23.6P-ChannelIRFI9Z24N 9152929-550.175-9.5-6.7 5.2H14IRFI9Z34N 9153037-550.10-14-10 4.1IRFI49059152663-550.02-41-29 2.4IRFI9540G 9083742-1000.117-13-9.2 3.6IRFI9540N 9148742-1000.117-13-9.2 3.6IRFI52109140448-1000.06-20-14 3.1IRFI9634G 9148835-2501.0-4.1-2.63.6I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220 FullPak (Fully Isolated)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelLogic LevelIRLI2203N 9137847300.0076143 3.2H14IRLI38039132048300.0066747 3.1IRLIZ24N 9134426550.06149.9 5.8IRLIZ34N 9132931550.0352014 4.8IRLIZ44N 9149838550.0222820 4.0IRLI3705N 9136947550.014733 3.2IRLI25059132763550.00858412.4IRLI520N 91496271000.187.7 5.4 5.5IRLI530N 91350331000.10117.8 4.5IRLI540N 91497421000.04420143.6IRLI291091384481000.02627193.1P-ChannelLogic LevelIRFI9520G 9083537-1000.6-5.2-3.6 4.1H14IRFI9530G 9083638-1000.03-7.7-5.4 3.6IRFI9620G 9087430-200 1.5-3.0-1.9 4.1IRFI9630G 9083840-2000.8-4.3-2.7 3.6IRFI9640G9083940-2000.5-6.1-3.93.1I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI D Continuous Drain Current (A)100°TO-247Qg TotalGate Charge(nC)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C (A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1Fax on Demand Number Case OutlineKeyPart Number P D Max.Power Dissipation (W)1N-ChannelLow ChargeIRFP350LC912291904000.3018**0.6570H16IRFP360LC 912302804000.2023**0.4598IRFP450LC 912311905000.4016**0.6570IRFP460LC 912322805000.2720**0.4598IRFPC50LC 912331906000.6013**0.6570IRFPC60LC912342806000.4016**0.4598I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not rated。
mosfet管的选型
mosfet管的选型MOSFET管的选型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在选择MOSFET管时，我们需要考虑多个因素，以确保电路的性能和稳定性。
本文将介绍一些关键的选型要点和常见的MOSFET参数，帮助读者更好地进行选型决策。
我们需要了解MOSFET的基本工作原理和结构。
MOSFET由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。
通过在栅极施加电压，可以控制漏极和源极之间的电流。
MOSFET有两种类型：N沟道MOSFET（N-MOSFET）和P沟道MOSFET（P-MOSFET），其区别在于电荷载流子类型的不同。
在选型过程中，第一个要考虑的因素是MOSFET的工作电压（Vds）。
这是指MOSFET能够承受的最大漏极-源极电压。
选择合适的工作电压范围是至关重要的，以确保MOSFET在实际应用中不会受到过电压的损坏。
第二个要考虑的因素是MOSFET的最大漏极电流（Id）。
这是指MOSFET能够承受的最大漏极电流。
根据实际应用需求，我们需要选择合适的最大漏极电流，以确保MOSFET能够正常工作，并不会因为过大的电流而发生故障。
除了工作电压和最大漏极电流，还有一些其他重要的参数需要考虑。
其中之一是阈值电压（Vth），它是指在栅极和源极之间的电压，MOSFET开始导通的最低电压。
阈值电压的选择将直接影响MOSFET 的导通特性和工作状态。
我们还需要考虑MOSFET的导通电阻（Rds(on)）。
导通电阻是指当MOSFET导通时，漏极和源极之间的电压降。
较低的导通电阻将导致更高的效率和更小的功耗，因此在一些高性能应用中，选择具有较低导通电阻的MOSFET是非常重要的。
除了这些参数，还有一些其他因素也需要考虑，例如开关速度、温度特性、封装类型和价格等。
这些因素根据实际应用需求和预算来决定。
为了确保选型的准确性，我们可以参考厂商提供的数据手册和应用指南。
这些资料通常包含详细的参数表、性能曲线和应用电路，可以帮助我们更好地了解和评估不同型号的MOSFET。
MOS管选型
MOS管选型最近在推MOS管的过程中，遇到一些问题，最主要的是一个品牌替换参数的对应问题，很多时候我们只关注了电流电压满足要求，性能上的比较我们很少做比较，特从网上摘录此文，供大家参考：与系统相关的重要参数：在MO S管选择方面，系统要求相关的几个重要参数是：1．负载电流IL。
它直接决定于MOSF ET的输出能力；2．输入—输出电压。
它受M OSFET负载占空比能力限制；3．开关频率FS。
这个参数影响M OSFET开关瞬间的耗散功率；4． MOSF ET最大允许工作温度。
这要满足系统指定的可靠性目标。
MOSFE T设计选择：一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被确定，功率MOSFE T在参数方面的选择如下：1 RDSO N的值。
最低的导通电阻，可以减小损耗，并让系统较好的工作。
但是，较低电阻的MOS FET其成本将高于较高电阻器件。
2散热。
如果空间足够大，可以起到外部散热效果，就可以以较低成本获得与较低RDSON一样的效果。
也可以使用表面贴装的MOSF ET达到同样效果，详见下文第15行。
3 MOS FET组合。
如果板上空间允许，有时候，可以用两个较高RDSO N的器件并联，以获得相同的工作温度，并且成本较低。
计算MOSF ET的功率损耗及其壳温：在MOSFE T工作状态下，有三部分功率损耗：1． MOS FET在完全打开以后（可变电阻区）的功率损耗：PON=I Load2 × RD SON ×占空比ILoad为最大直流输出电流。
2． MOSF ET在打开上升时功率损耗：PTRON= （IL oad × VDS× Tr×FS）/ 2其中：。
mosfet 选型注意事项
mosfet 选型注意事项
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，选型时需要考虑以下几个注意事项：
1. 额定电压（Vds）：根据实际工作电压要求选择合适的MOSFET。
额定电压应略大于实际工作电压，以确保稳定性和可靠性。
2. 最大漏极电流（Id）：根据应用中的最大负载电流需求选择MOSFET。
确保所选器件的最大漏极电流能够满足工作条件下的要求。
3. 开关速度（开关时间和关断时间）：开关速度与开关特性有关，一般由电荷注入和排除时间决定。
根据应用的频率和需求，选择合适的开关速度。
高频应用通常需要更快的开关速度。
4. 导通电阻（Rds(on)）：导通电阻是指MOSFET在导通状态下的电阻，直接影响功耗和效率。
较低的导通电阻意味着更小的功耗和更高的效率，因此选择较低的导通电阻更为理想。
5. 耐压能力：MOSFET的耐压能力决定了其在高压环境下的可靠性和稳定性。
根据实际工作电压需求选择合适的耐压能力。
6. 温度特性：MOSFET在高温环境下会产生热量，因此需要考虑器件的温度特性以及散热措施。
确保所选MOSFET
具有良好的温度特性，并能够在实际工作条件下稳定工作。
7. 附加特性：根据应用需求，可能还需要考虑其他附加特性，如阻尼比、静态工作点等。
根据具体应用场景，选择适合的附加特性。
最后，为了确保选型准确，建议参考器件的数据手册和规格书，以获得更详细和专业的信息。
功率MOSFET器件选型的3大法则
功率MOSFET器件选型的3大法则功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。
1. 功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。
需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：(1) 笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。
(2) 通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。
(3) 笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。
2. 选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：(1) 温升和热设计是选取封装最基本的要求不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素，基本原则就是在保证功率MOSFET 的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOSFET。
有时候由于其他条件的限制，需要使用多个MOSFET并联的方式来解决散热的问题，如在PFC应用、电动汽车电机控制器、通信系统的模块电源次级同步整流等应用中，都会选取多管并联的方式。
MOSFET选型参考文档
MOSFET选型参考文档最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。
根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。
设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
ID - 连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。
因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。
补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。
IDM -脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于：线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。
如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。
长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。
因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。
区域的分界点在Vgs和曲线相交点。
因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。
这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。
考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。
MOSFET的选型
Poff_on=
fs
×∫
V (t) Tx DS(off_on)
×
I (t) D(off_on)S
×
dt
实际计算中主要有两种假设 — 图 (A) 那种假设认为 V (t) DS(off_on) 的开始下降与 I (t) DS(off_on) 的逐渐上升同时发 生；图 (B) 那种假设认为 V (t) DS(off_on) 的下降是从 I (t) DS(off_on) 上升到最大值后才开始。图 (C) 是 FLYBACK 架 构路中一 MOSFET 实际测试到的波形，其更接近于 (A) 类 假设。针对这两种假设延伸出两种计算公式：
建议初选之基本步骤：
下面详细解释其中各参数选择之原则及注意事项。 1 ）电压应力：
在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即：
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SAMWIN
Semiconductors
VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS
SW 04-3-01 V1.01
注：一般地， V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V(BR)DSS 值作 为参考。
2） 漏极电流：
其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流 不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ；漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极 脉冲电流峰值的 90% 即： ID_max ≤ 90% * I D
6） 耗散功率约束：
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SAMWIN
Semiconductors
mosfet驱动变压器 选型原则
mosfet驱动变压器选型原则全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：MOSFET驱动变压器是现代电子设备中常见的元器件之一，它主要用于控制电力的变换和传输。
在选择合适的MOSFET驱动变压器时，有一些重要的选型原则需要考虑，以确保电路稳定可靠、性能优良。
本文将详细介绍MOSFET驱动变压器的选型原则，帮助读者更好地了解和选择适合自己需求的变压器。
一、电路需求分析在选择MOSFET驱动变压器之前，首先需要对电路的需求进行充分的分析。
包括输出功率、输入电压、输出电压、频率等参数的需求。
通过分析电路的需求，可以确定所需要的变压器的性能指标，为后续的选型提供依据。
二、工作环境考虑MOSFET驱动变压器在工作时会受到温度、湿度等环境因素的影响，因此需要考虑工作环境对变压器的影响。
一般来说，工作环境温度越高，变压器的功率损耗越大，因此需要选择适合高温环境下工作的变压器。
三、电压容忍度在选择MOSFET驱动变压器时，还需要考虑其电压容忍度。
即变压器能够承受的最大电压。
需要根据电路输入输出的电压范围来选择合适的变压器，以避免电压过高导致变压器损坏。
四、响应速度MOSFET驱动变压器的响应速度对电路的稳定性和性能有很大影响，因此在选型时需要考虑变压器的响应速度。
一般来说，响应速度越快，电路的响应时间越短，但也可能导致电路的不稳定性。
五、脉冲宽度调制脉冲宽度调制（PWM）是现代电子设备中常用的调制技术，能够有效控制电路输出功率。
在选择MOSFET驱动变压器时，需要考虑其支持PWM技术的能力，以确保电路正常工作。
六、尺寸和重量还需要考虑MOSFET驱动变压器的尺寸和重量。
一般来说，尺寸越小、重量越轻的变压器在实际应用中更加方便，能够节省空间和降低成本。
选择MOSFET驱动变压器的选型原则包括电路需求分析、工作环境考虑、电压容忍度、响应速度、脉冲宽度调制以及尺寸和重量等方面。
通过综合考虑这些因素，可以选择出适合自己需求的MOSFET驱动变压器，确保电路的稳定性、性能和可靠性。
MOSFET选取办法
MOSFET选取办法1、选择要点：在电子镇流器和开关电源中常选择N沟道增强型器件。
主要考虑三个参数：漏极与源极之间的击穿电压BVdss、连续漏极电流Id、导通态电阻Rds。
Rds会随着BVdss增加和Id减少而增大,其值越小越好。
在电路中没有PFC电路，BVdss取值≥400V即可，如果有PFC电路，BVdss取值通常为500～600V。
在导通时，栅极信号应能迅速达到导通电平；关断时驱动电压应很快降到Ugs门限以下，使沟道电阻Rch很快从0变化到∞，否则会增加关断损耗。
驱动要求如下：驱动电路延迟时间要短，驱动电路峰值电流要大，栅极电压变化率dU/dt要大。
2、驱动设计要点：2.1在栅极串联电阻（R5、R9）防止发生寄生振荡，在栅极与地之间并接电阻(R4、R10)可加速场效应管关断，采用全隔离驱动效果最好。
2.2在使用场效应管时, 要注意漏源电压、漏源电流及耗散功率等, 不要超过规定的最大允许值。
3、mos管主要参数1）夹断电压U GS（off）或开启电压U GS（th）2）饱和漏极电流I DSS3）漏源击穿电压U（BR）DS4) 栅源击穿电压U（BR）GS5）直流输入电阻R GS6）最大耗散功率P DM7）跨导gm3.1 耗散功率PD：MOS管所能承受的最大功耗，超过此功耗值，MOS管可能因发热厉害而烧坏，导致功能性损坏。
此项参数的确定要综合考虑漏极电流ID和RDS(on)两项参数。
因为PD=ID*ID* RDS(on)。
MOS管或者IGBT,我们统称全控开关器件,其功耗分4部分：导通损耗,截止损耗,开关损耗,驱动损耗。
对于截止损耗和驱动损耗来说,可忽略不记。
⑴、分析其导通损耗,基本上由导通时前向电压和有效电流决定,我们可通过导通时候的电压电流来知道,电流可通过我们实际电路大致计算可得,电压可查其对应电流的DATASHEET。
⑵、分析其开关损耗,其中又分开通损耗和关断损耗,可通过电流大小(计算得知)、驱动电阻(实际电路)、驱动电压(实际电路)、CE/DS电压(实际电路)这些变量,查寻DATASHEET计算,我们一般在开发初期要先确定大致的损耗范围。
IRFR场效应管
IRFR-IRHM器件索引∙IRFR3410(Power MOSFET)∙IRFR3411(HEXFET Power MOSFET)∙IRFR3412(SMPS MOSFET)∙IRFR3418(HEXFET Power MOSFET)∙IRFR3504(AUTOMOTIVE MOSFET)∙IRFR3504PbF(AUTOMOTIVE MOSFET)∙IRFR3505(AUTOMOTIVE MOSFET)∙IRFR3518(HEXFET Power MOSFET)∙IRFR3704(Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A ))∙IRFR3704Z(HEXFET Power MOSFET)∙IRFR3706(Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=75A ))∙IRFR3707(Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A ))∙IRFR3707Z(HEXFET Power MOSFET)∙IRFR3707ZPBF(HEXFET Power MOSFET)∙IRFR3708(Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, Id=61A ))∙IRFR3709Z(HEXFET Power MOSFET)∙IRFR3710Z(Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi)∙IRFR3711(Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id=110A ))∙IRFR3910(Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A))∙IRFR3911(SMPS MOSFET)∙IRFR410(1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs)∙IRFR4104(Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A))∙IRFR4105(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=27A ))∙IRFR4105Z(Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A))∙IRFR410B(500V N-Channel MOSFET)∙IRFR420(Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A))∙IRFR420(2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs)∙IRFR420A(SMPS MOSFET)∙IRFR420B(500V N-Channel MOSFET)∙IRFR430A(SMPS MOSFET)∙IRFR430B(500V N-Channel MOSFET)∙IRFR48Z(AUTOMOTIVE MOSFET)∙IRFR48ZPBF(AUTOMOTIVE MOSFET)∙IRFR5305(Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A))∙IRFR5410(Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A))∙IRFR5505(Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A))∙IRFR6215(Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A))∙IRFR9010(P-CHANNEL POWER MOSFETS)∙IRFR9014(Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-5.1A))∙IRFR9014TRL(HEXFET Power MOSFET)∙IRFR9020(REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS)∙IRFR9024(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)∙IRFR9024(Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A))∙IRFR9024N(Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A))∙IRFR9110(3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs)∙IRFR9110TRL(Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A))∙IRFR9120(Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A))∙IRFR9120(5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs)∙IRFR9120N(Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A))∙IRFR9210(Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A))∙IRFR9214(Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A))∙IRFR9220(3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs)∙IRFR9220(Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A))∙IRFR9310(Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A))∙IRFR9N20D(Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A))∙IRFRC20(Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A))∙IRFS11N50A(SMPS MOSFET)∙IRFS140A(Advanced Power MOSFET)∙IRFS150A(Advanced Power MOSFET)∙IRFS240B(200V N-Channel MOSFET)∙IRFS244B(250V N-Channel MOSFET)∙IRFS250(200V N-Channel MOSFET)∙IRFS254B(250V N-Channel MOSFET)∙IRFS3306PBF(High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS)∙IRFS340A(Advanced Power Mosfet)∙IRFS340B(400V N-Channel MOSFET)∙IRFS350A(Advanced Power MOSFET)∙IRFS4227PBF(PDP SWITCH)∙IRFS440A(Advanced Powre MOSFET)∙IRFS440B(500V N-Channel MOSFET)∙IRFS450(500V N-Channel MOSFET)∙IRFS510(Advanced Power MOSFET)∙IRFS520A(Advanced Power MOSFET)∙IRFS530(Advanced Power MOSFET)∙IRFS540(Advanced Power MOSFET)∙IRFS550A(Advanced Power MOSFET)∙IRFS610A(Advenced Power MOSFET (N-CHANNEL))∙IRFS630A(Advanced Power MOSFET)∙IRFS634A(Advanced Power MOSEFT)∙IRFS640(Improved inductive ruggedness)∙IRFS640(200V N-Channel MOSFET)∙IRFS640A(Rugged Gate Oxide Technology)∙IRFS650A(Advanced Power MOSFET)∙IRFS650B(200V N-Channel MOSFET)∙IRFS720(400V N-Channel MOSFET)∙IRFS730A(Advanced Power MOSFET)∙IRFS750(Advanced Power MOSFET)∙IRFS820A(Advanced Power MOSFET)∙IRFS840(500V N-Channel MOSFET)∙IRFS840A(Advanced Power MOSFET)∙IRFS9N60A(SMPS MOSFET)∙IRFSL11N50A(HEXFET Power MOSFET)∙IRFSL9N60A(SMPS MOSFET)∙IRFU1N60A(SMPS MOSFET)∙IRFU3504Z(AUTOMOTIVE MOSFET)∙IRFU9210N(HEXFET Power MOSFET)∙IRFV064(HEXFET TRANSISTOR, N-CHANNEL)∙IRFV260(TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=200V, Rds(on)=0.060ohm, Id=45A*))∙IRFV360(REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR)∙IRFV460(REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED)∙IRFW510A(Advanced Power MOSFET)∙IRFW710(400V N-Channel MOSFET)∙IRFW720(400V N-Channel MOSFET)∙IRFW730(400V N-Channel MOSFET)∙IRFW740(400V N-Channel MOSFET)∙IRFW840(500V N-Channel MOSFET)∙IRFWI530A(Advanced Power MOSFET)∙IRFY044(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS)∙IRFY044C(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS)∙IRFY044CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.040ohm, Id=16A*))∙IRFY120(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS)∙IRFY130(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS)∙IRFY130CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14.4A))∙IRFY1310M-T257(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)∙IRFY140(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)∙IRFY140C(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS)∙IRFY140CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=16*A))∙IRFY230(N?CHANNEL POWER MOSFET FOR HI?REL APPLICATIONS)∙IRFY240(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)∙IRFY240CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=16A))∙IRFY330(N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Package)∙IRFY340(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)∙IRFY340CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=8.7A))∙IRFY430(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)∙IRFY430CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rd(on)=1.5ohm, Id=4.5A))∙IRFY430M-T257(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)∙IRFY440CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=7.0A))∙IRFY9120(P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Package)∙IRFY9130(P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)∙IRFY9130CM(POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.3ohm, Id=-11.2A))∙IRFY9140(P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)∙IRFY9140C(P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)∙IRFY9140CM(POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-15.8A))∙IRFY9230(P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)∙IRFY9240(POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.51ohm, Id=-9.4A))∙IRFZ10(HEXFETR POWER MOSFET)∙IRFZ14(HEXFET Power MOSFET)∙IRFZ20(HEXFET TRANSISTORS)∙IRFZ24L(HEXFET Power MOSFET)∙IRFZ24N(Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A))∙IRFZ24N(N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor)∙IRFZ24NL(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A))∙IRFZ24NLPBF(HEXFET Power MOSFET)∙IRFZ24V(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A))∙IRFZ34(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A))∙IRFZ34E(HEXFET POWER MOSFET)∙IRFZ34L(HEXFET Power MOSFET)∙IRFZ34NLPbF(HEXFET Power MOSFET)∙IRFZ34NS(HEXFET㈢ Power MOSFET)∙IRFZ34VL(Advanced Process Technology)∙IRFZ34VLPbF(HEXFET Power MOSFET)∙IRFZ40(N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS)∙IRFZ40(N-CHANNEL POWER MOSFETS)∙IRFZ42(Power Field Effect Transistors)∙IRFZ44(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A))∙IRFZ44(N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor)∙IRFZ44E(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A))∙IRFZ44EL(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A))∙IRFZ44L(HEXFET Power MOSFET)∙IRFZ44NL(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A))∙IRFZ44NPBF(HEXFET-R Power MOSFET)∙IRFZ44NS(N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor)∙IRFZ44R(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A))∙IRFZ44V(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A))∙IRFZ44VPBF(Ultra Low On-Resistance)∙IRFZ44VS(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A))∙IRFZ44VZL(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A))∙IRFZ44Z(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A))∙IRFZ46(Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.024ohm, Id=50*A))∙IRFZ46N(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=16.5mohm, Id=53A))∙IRFZ46NL(HEXFET POWER MOSFET)∙IRFZ46S(HEXFET Power MOSFET)∙IRFZ46ZS(AUTOMOTIVE MOSFET)∙IRFZ48(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A))∙IRFZ48(N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor)∙IRFZ48L(HEXFET Power MOSFET)∙IRFZ48NL(Advanced Process Technology)∙IRFZ48V(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A))∙IRFZ48VS(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A))∙IRFZ48Z(AUTOMOTIVE MOSFET)∙IRFZ48ZLPBF(AUTOMOTIVE MOSFET)∙IRG4BC10K(Short Circuit Rated UltraFast IGBT)∙IRG4BC10KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A))∙IRG4BC10S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A))∙IRG4BC10SD-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V,Ic=2.0A))∙IRG4BC10UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A))∙IRG4BC15MD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.88V, @Vge=15V, Ic=8.6A))∙IRG4BC15UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A))∙IRG4BC15UD-L(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V,Ic=7.8A))∙IRG4BC20F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A))∙IRG4BC20FD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A))∙IRG4BC20FD-STRL(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A))∙IRG4BC20K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A))∙IRG4BC20KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A))∙IRG4BC20KD-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V,Ic=9.0A))∙IRG4BC20K-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A))∙IRG4BC20MD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A))∙IRG4BC20MD-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V,Ic=11A))∙IRG4BC20S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A))∙IRG4BC20SD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A))∙IRG4BC20SD-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A))∙IRG4BC20U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A))∙IRG4BC20UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A))∙IRG4BC20UD-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V,Ic=6.5A))∙IRG4BC20W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A))∙IRG4BC20WS(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A))∙IRG4BC30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A))∙IRG4BC30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A))∙IRG4BC30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRG4BC30KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRG4BC30KD-STRR(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRG4BC30K-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRG4BC30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A))∙IRG4BC30S-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A))∙IRG4BC30U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRG4BC30UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRG4BC30U-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRG4BC30U-SPBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4BC30W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRG4BC30WS(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRG4BC30W-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRG4BC30W-SPBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4BC40F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A))∙IRG4BC40K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A))∙IRG4BC40S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A))∙IRG4BC40U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A))∙IRG4BC40W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A))∙IRG4BH20K-L(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4BH20K-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4CC71KB(IRG4CC71KB IGBT Die in Wafer Form)∙IRG4IBC10UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4IBC20FD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4IBC20FDPBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4IBC20KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4IBC20UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4IBC20W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4IBC30F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4IBC30KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4IBC30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4IBC30UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙irg4ibc30w(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4IBC30WPBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4MC50F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4MC50U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4P254S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR)∙IRG4PC30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A))∙IRG4PC30FD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A))∙IRG4PC30K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRG4PC30KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRG4PC30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A))∙IRG4PC30U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRG4PC30UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRG4PC30W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRG4PC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A))∙IRG4PC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A))∙IRG4PC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A))∙IRG4PC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A))∙IRG4PC40K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A))∙IRG4PC40KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A))∙IRG4PC40U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A))∙IRG4PC40UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A))∙IRG4PC50F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A))∙IRG4PC50FD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A))∙IRG4PC50K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A))∙IRG4PC50KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A))∙IRG4PC50S(INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A))∙IRG4PC50U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A))∙IRG4PC50UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A))∙IRG4PC50W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A))∙IRG4PC60F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4PC60U( INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4PF50W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4PF50WD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4PF50WPBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4PH20(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A))∙IRG4PH20KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V,Ic=5.0A))∙IRG4PH30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A))∙IRG4PH30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A))∙IRG4PH40K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.74V, @Vge=15V, Ic=15A))∙IRG4PH40KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A))∙IRG4PH40U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A))∙IRG4PH40UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A))∙IRG4PH40UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4PH40UD2-E(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4PH40UD2-EP(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4PH40UD2PBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4PH50(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A))∙IRG4PH50K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A))∙IRG4PH50KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A))∙IRG4PH50S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=1.47V, @Vge=15V, Ic=33A))∙IRG4PH50U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A))∙IRG4PSC71K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A))∙IRG4PSC71KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A))∙IRG4PSC71U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A))∙IRG4PSC71UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A))∙IRG4PSH71(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A))∙IRG4PSH71(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A))∙IRG4PSH71U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRG4RC10(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A))∙IRG4RC10(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A))∙IRG4RC10(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A))∙IRG4RC10SD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A))∙IRG4RC10U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A))∙IRG4RC10UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A))∙IRG4RC20F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRG4ZC70UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRG4ZH50KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGB10B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGB14C40L(IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps)∙IRGB15B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGB20B60PD1(SMPS IGBT)∙IRGB30B60K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRGB4055PBF(Advanced Trench IGBT Technology)∙IRGB420(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=7.5A))∙IRGB420UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=500V, @Vge=15V,Ic=7.5A))∙IRGB430(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A))∙IRGB430UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A))∙IRGB440U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A))∙IRGB5B120KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGB6B60K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRGB6B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGB8B60K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRGBC20(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A))∙IRGBC20FD2(IRGBC20FD2)∙IRGBC20K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A))∙IRGBC20KD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A))∙IRGBC20K-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A))∙IRGBC20M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))∙IRGBC20MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))∙IRGBC20MD2-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))∙IRGBC20M-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))∙IRGBC20S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A))∙IRGBC20SD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A))∙IRGBC20U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.5A))∙IRGBC20UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.5A))∙IRGBC30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A))∙IRGBC30FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A))∙IRGBC30K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A))∙IRGBC30K-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A))∙IRGBC30M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRGBC30MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRGBC30MD2-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRGBC30M-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRGBC30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A))∙IRGBC30U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRGBC30UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRGBC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A))∙IRGBC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A))∙IRGBC40M-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A))∙IRGBC40S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A))∙IRGBC40U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A))∙IRGBF20(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A))∙IRGBF30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A))∙IRGI4065PBF(PDP TRENCH IGBT)∙IRGIB10B60KD1(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGIB15B60KD1(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGIB6B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGIB7B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGIH50F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRGKIN050M12(CHOPPER LOW SIDE SWITCH IGBT INTAPAK)∙IRGMC30F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRGMC30U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRGMVC50U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ON-BOARD REVERSE DIODE)∙IRGP20B120UD-E(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGP20B120U-E(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRGP20B60PD(WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGP30B120KD-E(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGP30B60KD-E(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGP35B60PD(WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGP4050(PDP Switch)∙IRGP420U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=7.5A))∙IRGP430U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A))∙IRGP430UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A))∙IRGP440U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A))∙IRGP440UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A))∙IRGP450U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=33A))∙IRGP450UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=33A))∙IRGP50B60PD1(SMPS IGBT)∙IRGPC20F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A))∙IRGPC20M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))∙IRGPC20MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))∙IRGPC20U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.5A))∙IRGPC30F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRGPC30FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A))∙IRGPC30K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRGPC30M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRGPC30MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))∙IRGPC30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A))∙IRGPC30U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRGPC30UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A))∙IRGPC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A))∙IRGPC40FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A))∙IRGPC40M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A))∙IRGPC40MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A))∙IRGPC40S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A))∙IRGPC40U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A))∙IRGPC40UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A))∙IRGPC50F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=39A))∙IRGPC50FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V,Ic=39A))∙IRGPC50KD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGPC50M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A))∙IRGPC50MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A))∙IRGPC50S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=41A))∙IRGPC50UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A))∙IRGPF20F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A))∙IRGPF30F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A))∙IRGPF40F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V,@Vge=15V, Ic=17A))∙IRGPF50F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=28A))∙IRGPH20(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=6.6A))∙IRGPH20(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A))∙IRGPH30MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=9.0A))∙IRGPH30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=13A))∙IRGPH40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A))∙IRGPH40FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A))∙IRGPH40M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A))∙IRGPH40MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A))∙IRGPH40S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=20A))∙IRGPH50(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A))∙IRGPH50FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A))∙IRGPH50M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A))∙IRGPH50MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A))∙IRGPH50S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A))∙IRGPS40B120U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)∙IRGPS60B120KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGR3B60KD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGS10B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRGS4B60KD1(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)∙IRH3054(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE)。
IRF场效应管技术参数
IRF场效应管技术参数1.导通特性IRF场效应管的导通性能是其最基本和最重要的性能之一、导通特性包括静态导通电阻、漏极电流和漏极电压等。
静态导通电阻是指场效应管在导通状态下导通电阻大小，一般情况下，静态导通电阻越小，场效应管的导通性能越好。
漏极电流是指场效应管在导通状态下的漏极电流大小，一般情况下，漏极电流越小，场效应管的导通性能越好。
漏极电压是指场效应管在导通状态下的漏极电压大小，一般情况下，漏极电压越低，场效应管的导通性能越好。
2.开关特性IRF场效应管的开关特性是指其在无极耦合和导通状态之间切换的能力。
开关特性包括开关速度、开关电流和开关电压等。
开关速度是指场效应管从导通到截止或者从截止到导通的时间，一般情况下，开关速度越快，场效应管的开关性能越好。
开关电流是指场效应管在截止状态下的最大可承受电流，一般情况下，开关电流越大，场效应管的开关性能越好。
开关电压是指场效应管在截止状态下的最大可承受电压，一般情况下，开关电压越高，场效应管的开关性能越好。
3.温度特性IRF场效应管的温度特性是指其在不同温度下的导通和开关特性。
温度特性包括温度系数、热阻和温度范围等。
温度系数是指场效应管的导通和开关特性随温度变化的系数，一般情况下，温度系数越小，场效应管的温度特性越好。
热阻是指场效应管的散热性能，一般情况下，热阻越小，场效应管的温度特性越好。
温度范围是指场效应管的工作温度范围，一般情况下，温度范围越大，场效应管的温度特性越好。
4.封装5.可靠性IRF场效应管的可靠性是指其在长时间工作和恶劣环境下的稳定性能。
可靠性包括寿命、抗辐射性和抗击穿性等。
寿命是指场效应管的使用寿命，一般情况下，寿命越长，场效应管的可靠性越好。
抗辐射性是指场效应管对辐射干扰的能力，一般情况下，抗辐射性越强，场效应管的可靠性越好。
抗击穿性是指场效应管对电压击穿的能力，一般情况下，抗击穿性越强，场效应管的可靠性越好。
综上所述，IRF场效应管的技术参数包括导通特性、开关特性、温度特性、封装和可靠性等方面，这些参数决定了场效应管的性能和适用范围。
mos 最好的参数值
mos 最好的参数值【原创版】目录1.引言：介绍 MOSFET2.MOSFET 的参数3.如何选择 MOSFET 的参数4.最佳参数值的选择5.结论：总结 MOSFET 的最佳参数值选择正文一、引言MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备的半导体器件，以其高输入阻抗、低噪声和低功耗等优点而受到青睐。
在设计和应用 MOSFET 时，选择合适的参数值至关重要。
本文将介绍如何选择 MOSFET 的最佳参数值。
二、MOSFET 的参数MOSFET 的主要参数包括：1.沟道长度（L）：沟道长度决定了 MOSFET 的导通电流和开关速度。
较长的沟道长度可提高电流能力，但降低开关速度。
2.沟道宽度（W）：沟道宽度影响了 MOSFET 的导通电流和电流密度。
较宽的沟道宽度可提高电流密度，从而增加导通电流。
3.氧化层厚度（t 氧化）：氧化层厚度影响了 MOSFET 的阈值电压和可靠性。
较厚的氧化层可降低阈值电压，提高器件可靠性。
4.源极和漏极的夹层数（N）：夹层数决定了 MOSFET 的电流放大系数。
增加夹层数可提高电流放大系数，从而增加导通电流。
5.掺杂浓度（n）：掺杂浓度影响了 MOSFET 的阈值电压和电流密度。
较高的掺杂浓度可降低阈值电压，提高电流密度。
三、如何选择 MOSFET 的参数在实际应用中，选择 MOSFET 的参数值需要考虑以下几个方面：1.电流需求：根据应用电路的电流需求选择合适的 MOSFET 导通电流。
2.工作电压：根据应用电路的工作电压选择合适的 MOSFET 阈值电压。
3.开关速度：根据应用电路的响应速度要求选择合适的 MOSFET 开关速度。
4.功耗：根据应用电路的功耗要求选择合适的 MOSFET 电流密度和夹层数。
5.可靠性：根据应用电路的可靠性要求选择合适的 MOSFET 氧化层厚度和掺杂浓度。
四、最佳参数值的选择综合考虑以上各方面因素，选择 MOSFET 的最佳参数值需要进行多次迭代和优化。
常见MOSFET和二极管选型
常见MOSFET和二极管选型常用MOS管选型参考IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS 场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NmOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NmOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NmOS场效应IRF540 100V 28A 150W * * NmOS场效应IRF530 100V 14A 79W * * NmOS场效应IRF440 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF230 200V 9A 79W * * NmOS场效应IRF130 100V 14A 79W * * NmOS场效应BUZ20 100V 12A 75W * * NmOS场效应BUZ11A 50V 25A 75W * * NmOS场效应BS170 60V 0.3A 0.63W * * NmOS场效应2N7000 K30A K334C快恢复塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V μs(1)快恢复塑封整流二极管1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-112 ERA18-02~10 0.8A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02~10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02~10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13~15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5(2)SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02~30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02~30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02~30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02~30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41 (3)快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD8 RH1Z-RH1C 0.6A 200-1000V 1.3 4 DO-419 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-15超高频塑封二极管1 ERA34-10 0.1A 1000V 3 0.15 R-12 ERA32-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.1 DO-413 ERB32-02~10 1.2A 200-1000V 1.3 0.1 DO-154 ERC30-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.1 DO-156 EG01E-EG01C 0.5A 200-1000V 2 0.1 DO-417 EG1E-EG1C 1A 200-1000V 1.8 0.1 DO-418 RG10Z-RG10C 1.2A 200-1000V 2 0.1 DO-159 RG2Z-RG2C 1.5A 200-1000V 1.8 0.1 DO-1510 RG4Z-RG4C 3A 200-1000V 2 0.1 D0-201AD超快恢复塑封二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V ns(1)超快恢复塑封二极管1 长虹SF10-长虹SF50 1-5A 50-1000V 0.95-1.7 352 长虹SF80-长虹SF160 8-16A 50-600V 0.95-1.4 35 TO-2203 EGP10-EGP50 1-5A 50-200V 1.1 354 ERC38~04-ERC38~10 1A 400-1000V 1.7 50 DO-415 RL2-RL2C 2A 400-1000V 1.7 50 DO-156 RL3-RL3C 3A 400-1000V 1.7 50 DO-201AD7 1H1-1H8 1A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 R-18 HER10-HER60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-759 HER80-HER160 8-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 TO-22010 UF10-UF60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-7511 EL1Z-EL1 1.5A 200-350V 1.3 50 DO-15(2)MUR超快恢复整流二极管1 MUR120-MUR1120 1A 200-1200V 0.95-1.5 35-50 DO-412 MUR420-MUR4120 4A 200-1200V 0.95-1.6 35-75 DO-201AD3 MUR820-MUR8120 8A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC4 MUR1020-MUR10120 10A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC5 MUR1520-MUR15120 15A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC6 MUR2020-MUR20120 20A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AB7 MUR3020-MUR30120 30A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD8 MUR6020-MUR60120 60A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD (3)RHRP、RHRG超快恢复二极管1 RHRP820-RHRP8120 8A 200-1200V 2.1-3.2 35-70 TO-220AC2 RHRP1520-RHRP15120 15A 200-1200V 2.1-3.2 40-75 TO-220AC3 RHRP3020-RHRP30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-220AC4 RHRG3020-RHRG30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AC5 RHRG5020-RHRG50120 50A 200-1200V 2.1-3.2 50-100 TO-247AC6 RHRG6020-RHRG60120 60A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AD (4)BYV29~79、BYT28~79超快恢复二极管1 BYW29-100~200 8A 100-200V 1.1 25 TO-220AC2 BYV29-300~500 9A 300-500V 1.25 60 TO-220AC3 BYQ28-100~200 10A 100-200V 1.1 20 TO-220AB4 BYT28-300~500 10A 300-500V 1.4 60 TO-220AB5 BYV79-100~200 14A 100-200V 1.3 30 TO-220AC6 BYT79-300~500 14A 300-500V 1.4 60 TO-220AC7 BYV32-100~200 20A 100-200V 1.1 25 TO-220AB8 BYV34-300~500 20A 300-500V 1.1 60 TO-220AB9 BYV42-100~200 30A 100-200V 1.1 28 TO-220AB10 BYV44-300~500 30A 300-500V 1.25 60 TO-220AB肖特基整流二极管序号型号IF VRRM VF 封装A V V(1)肖特基塑封整流二极管1 1N5817-1N5819 1A 20-40V 0.45-0.6 DO-412 1N5820-1N5822 3A 20-40V 0.45-0.6 DO-201AD3 SRT12-SRT100 1A 20-100V 0.55-0.85 R-14 SR10-SR50 1-5A 20-100V 0.55-0.855 SB120-SB1B0 1A 20-100V 0.55-0.85 DO-416 SB220-SB2B0 2A 20-100V 0.55-0.85 DO-157 SB320-SB3B0 3A 20-100V 0.55-0.85 DO-201AD8 SB520-SB5B0 5A 20-100V 0.55-0.85 D0-201AD9 ERA81-002~009 1A 20-90V 0.55-0.9 DO-4110 ERB81-002~009 2A 20-90V 0.55-0.9 DO-1511 ERC81-002~009 3A 20-90V 0.55-0.9 DO201AD12 EK03-EK09 1A 20-90V 0.55-0.81 DO-4113 EK13-EK19 1.5A 20-90V 0.55-0.81 DO-1514 EK33-EK39 2A 20-90V 0.55-0.81 DO-1515 EK43-EK49 3A 20-90V 0.55-0.81 DO-201AD(2)MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管1 MBR1020-MBR1060 10A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC2 MBR1620-MBR1660 16A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC3 MBR2020CT-2060CT 20A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB4 MBR2520CT-2560CT 25A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB5 MBR3020PT-3060PT 30A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD6 MBR4020PT-4060PT 40A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD7 MBR6020PT-6060PT 60A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD8 PBYR735-745 7A 20-45V 0.56-0.66 TO-220AC9 PBYR1020-1060 10A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC10 PBYR1635-1660 16A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC11 PBYR2020CT-2045CT 20A 20-45V 0.56-0.65 TO-220AB12 PBYR3035PT-3060PT 30A 20-60V 0.56-0.77 TO-247AD 玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V ns(1)BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管1 BYV26A-BYV26E 1A 200-1000V 1.5 0.03 DO-204AP2 BYV12-BYV16 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP3 BYV96A-BYV96E 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP4 BYV27-50~200 2A 50-200V 1.1 0.025 DO-204AP5 BYV28-50~200 3.5A 50-200V 1.1 0.03 G36 BYT52A-BYT52M 1A 50-1000V 1.3 0.2 DO-204AP7 BYT54A-BYT54M 1.25A 50-1000V 1.5 0.1 DO-204AP8 BYT53A-BYT53M 1.5A 50-1000V 1.1 0.05 DO-204AP9 BYT56A-BYT56M 3A 200-1000V 1.4 0.1 G310 BYM26A-BYM26M 2.3A 200-1000V 1.5 0.03 G311 BYM36A-BYM36M 3A 200-1000V 1.1 0.15 G312 BYW32-BYW38 2A 200-1000V 1.1 0.2 DO-204AP13 BYW52-BYW56 2A 200-1000V 1.1 4 DO-204AP14 BYW72-BYW76 3A 200-600V 1.1 0.2 G315 BYW96A-BYW96E 3A 200-1000V 1.5 0.2 G316 BY228 3A 1500V 1.5 20 G3(2)GP、RGP系列玻钝芯片塑封二极管17 GP10-GP30 1-3A 50-1000V 1.118 RGP01-10~RGP01-20 0.1A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4119 RGP05-10~RGP05-20 0.5A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4120 RGP10-RGP60 1-6A 50-2000V 1.3 0.15-0.5PD、TR、PR系列【高压】塑封二极管1 PD0112-PD0160 0.1A 1200-6000V 1.2-5 DO-412 PD0312-PD0360 0.3A 1200-6000V 1.2-5 DO-153 PD0512-PD0560 0.5A 1200-6000V 1.2-5 DO-154 PD112-PD130 1A 1200-3000V 1.2-4 DO-155 PD1512-PD1530 1.5A 1200-3000V 1.2-4 DO-156 PD212-PD220 2A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD7 PD312-PD320 3A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD8 PD612-PD620 6A 1200-2000V 1.2-2.5 R-69 TR0112-TR0160 0.1A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-4110 TR0312-TR0360 0.3A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1511 TR0512-TR0560 0.5A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1512 TR112-TR130 1A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1513 TR1512-TR1530 1.5A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1514 TR212-TR220 2A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 DO-201AD15 TR312-TR320 3A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.7 DO-201AD16 TR612-TR620 6A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 R-617 PR01-PR1 0.1-1A 1200-3000V 1.5-4 0.1-0.5 DO-1518 RC2 0.3A 2000V 3 0.5 DO-4119 RU4D-RP3F 1.5A-2A 1300-1500V 1.5 0.3 DO-201AD稳压二极管序号型号名称PZM VZW V1 BZX55 稳0.5W 2.4V-47V2 1N5985B~1N6031B 0.5W 2.4V-200V3 1N4728~1N4764 压1W 3.3V-100V4 1N5911B~1N5956B 1.5W 2.7V-200V5 2CW37-2.4~36 二0.5W 2.4V-36V6 2CW51-2CW68 0.25W 3V-28.5V7 2CW101-2CW121 极1W 3V-37.5V8 2DW50-2DW64 1W 41V-190V9 2DW80-2DW190 管3W 41V-190V10 2DW110-2DW151 10W 4.3V-470V11 2DW170-2DW202 50W 4.3V-200V12 2DW230-2DW236 【温度wd】补偿0.2W 5.8V-6.6V 稳压二极管高速开关二极管序号型号IC VRM Trr 封装mA V ns1 1N4148 150 100V 4 DO-352 1N4149-1N4154 150 35-100V 2--4 DO-353 1N4446-1N4454 150 40-100V 1--4 DO-354 1N914 75 100V 4 DO-355 BAV17-BAV21 250 25-250V 50 DO-356 BAW75-BAW76 300 35-75V 4 DO-357 2CK70-2CK79 10-280 20-60V 3--10 DO-358 2CK80-2CK85 10-300 20-60V 5--10 DO-359 1S1553-1S1555 100 70-35V 3 DO-3510 1S2471-1S2473 130-110 90-40V 3 DO-35塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF 封装A V V1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-12 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-413 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-154 2A01-2A07 2A 50-1000V 1 DO-155 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-67 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-68 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 19 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1 DO-4110 2CP21-2C康佳 P29 0.3A 100-1000V 1 DO-4111 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1 DO-4112 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1 DO-4113 BYW27 1A 200-1300V 1 DO-4114 DR202-DR210 2A 200-1000V 1 DO-1515 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-517 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1 R-121 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1 DO-1522 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1 DO-1523 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1 DO-1524 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1 DO-201AD25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-1526 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-1527 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-1528 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-1529 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 快恢复塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V μs(1)快恢复塑封整流二极管1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-112 ERA18-02~10 0.8A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1515 ERC18-02~10 1.2A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02~10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02~10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13~15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5(2)SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02~30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02~30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02~30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02~30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41 (3)快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD8 RH1Z-RH1C 0.6A 200-1000V 1.3 4 DO-419 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-15。
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MOSFET
IRF MOSFET 系列
IR - Power MOSFETs
型号FET 极性V DSS (V)I D @25℃ (A)
R DS(on)Max
IRF024N型沟道551675.0IRF1010N型沟道608112.0IRF1404N型沟道40162 4.0IRF2807N型沟道758213IRF3205N型沟道55988.0IRF3415N型沟道1504342.0IRF3710N型沟道1005723.0IRF4905P型沟道-55-7420.0IRF530N型沟道1001790.0IRF5305P型沟道-55-3160.0IRF630N型沟道2009.5300IRF640N型沟道20018150.0IRF7413N型沟道301311IRF7807N型沟道308.325.0IRF7811N型沟道301414IRF7832N型沟道3020.0 4.0IRF9530P型沟道-100-14200.0IRF9540P型沟道-100-23117.0IRF9Z24P型沟道-55-12175.0IRF9Z34
P型沟道
-55
-17
100.0
Vishay - Power MOSFETs
型号FET 极性V DS (V)I D @25℃ (A)
R DS(on) (Ω
IRF024N型沟道60140.10IRF530N型沟道100140.16IRF610N型沟道200 3.3 1.5IRF620N型沟道200 5.20.80IRF630N型沟道2009.00.40IRF634N型沟道2508.10.45IRF640
N型沟道
200
18
0.18
IRF644N型沟道250140.28
IRF730N型沟道400 5.5 1.0
IRF740N型沟道400100.55
IRF820N型沟道500 2.5 3.0
IRF830N型沟道500 4.5 1.5
IRF840N型沟道5008.00.85
IRF9530P型沟道-100-120.30
IRF9540P型沟道-100-190.20
IRF9610P型沟道-200-1.8 3.0
IRF9630P型沟道-200-6.50.80
IRF9Z24P型沟道-60-110.28
IRF9Z34P型沟道-60-180.14版权所有 © 2005-2009 深圳市微雪电子有限公司。