外部存储器接口
mcu储存原理
mcu储存原理MCU(Microcontroller Unit)是微控制器单元的缩写,它是一种集成电路芯片,集成了微处理器、存储器和各种输入输出接口。
MCU 储存原理即指MCU中的存储器原理,下面将对MCU储存原理进行详细介绍。
MCU中的存储器主要分为两种类型:闪存(Flash)存储器和随机存取存储器(SRAM)。
我们来了解闪存存储器。
闪存是一种非易失性存储器,它可以在通电和断电时都能保持数据的存储。
MCU中的闪存存储器主要用于存储程序代码和常量数据。
当MCU上电时,代码会从闪存中被加载到内部的程序存储器中,并被执行。
闪存存储器的特点是容量相对较大,能够存储大量的代码和数据,同时具备快速的读取速度和较长的寿命。
此外,闪存还支持擦写操作,可以通过特定的命令将存储的数据擦除或重新写入。
接下来,我们了解随机存取存储器(SRAM)。
SRAM是一种易失性存储器,它可以在通电时存储数据,但断电后数据将会丢失。
MCU中的SRAM主要用于存储变量数据和临时计算结果。
SRAM存储器的特点是读写速度快,能够实时响应数据的读取和写入操作。
然而,SRAM的容量相对较小,通常只有几KB到几十KB,因此无法存储大量的数据。
除了闪存和SRAM,部分MCU还配备了额外的存储器,如EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)和外部存储器接口。
EEPROM是一种可擦写的只读存储器,它可以在电子擦除的条件下被重新编程。
EEPROM主要用于存储少量的配置信息和用户数据。
外部存储器接口则可以连接外部存储器设备,如SD卡或外部闪存芯片,以扩展MCU的存储容量。
MCU中的存储器原理是基于电子元件的工作原理实现的。
闪存和EEPROM存储器是通过电子的浮动栅技术实现的,利用栅电荷的累积和释放来存储和擦除数据。
SRAM存储器则是通过存储单元中的存储电容来存储数据,由于电容的电荷会逐渐泄漏,因此SRAM需要定期进行刷新操作以保持数据的稳定。
存储器接口 (2)
地把双端口RAM看作是本地RAM一样进行访问,不 仅方便了软件设计,还大大地提高了系统的工作 效率。
二、半导体存储器的主要性能指标 主要从一下几方面考察: 1、存储容量 2、速度 3、功耗 4、集成度 5、可靠性
三、存储芯片的组成
1、地址译码器:接收来自CPU的N位地址信息, 经译码后产生2的N次方个地址选择信号对片内 寻址。
/CS=0,/OE=0时为读; /CS=0,/WE=0时为写。 /WE和/OE分别接CPU的/WR和/RD信号。
2、存储器与CPU数据总线的连接 根据存储器结构选择连接CPU的数据总线。
6.3 主存储器接口
主存储器的类型不同,则接口不同。以 EPROM、SRAM、DRAM为例分别介绍。
一、EPROM与CPU的接口 目前广泛使用的典型EPROM芯片有Intel公
(1)Tc=总容量/N×8/M=128K/8K×8/8 =16片
(2)Tc=128K/8K×16/8=32片
6.2存储器接口技术
一、存储器接口中应考虑的问题
1、存储器与CPU的时序配合
几个问题: (1)什么是总线周期?(2)什么 是时钟周期?(3)什么是T状态?(4)如何实 现二者之间的时序配合?(5)设计产生等待信 号电路应注意那些问题?(见图6-3)
2、如何完成寻址功能?
要完成寻址功能必须具备两种选择:
(1)片选:即首先要从众多存储器中,选中要 进行数据传输的某一存储器芯片,称为片选。一 般由接口电路中的端口译码产生。
(2)字选:然后从该芯片内选择出某一存储单 元,称为字选。由存储器内部的译码电路完成。
3、片选控制的译码方法
常用方法有:线选法、全译码法、部分译码法、 混合译码法等。
或列出地址分配表; ③根据地址分配图或分配表确定译码方法并画出
哈工大51单片机存储器扩展
并行接口特点
串行接口特点
串行接口具有数据传输速度较慢、数 据总线宽度较小等缺点,但电路连接 简单、占用引脚少。
并行接口具有数据传输速度快、数据 总线宽度大等优点,但电路连接复杂。
51单片机存储器的访问方式
01
02
03
直接寻址方式
直接寻址方式是指直接给 出存储单元的地址,通过 该地址访问存储器中的数 据。
通过哈工大51单片机的外部存 储器接口,将存储器芯片与单 片机连接。
根据存储器芯片的规格书,设 计相应的电路和连接方式。
根据实际需求,编写相应的程 序来读写扩展的存储器。
05 扩展存储器的应用与优化
扩展存储器在系统中的应用
数据存储
01
扩展存储器用于存储大量数据,如传感器采集的数据、用户数
据等。
程序存储
02
扩展存储器用于存储应用程序的代码,以支持更复杂的功能和
更大的程序。
缓存
03
扩展存储器可以作为高速缓存,提高系统的整体性能。
扩展存储器的性能优化
读写速度
通过优化硬件设计和软件算法,提高扩展存储器的读写速度。
可靠性
采用错误检测和纠正技术,提高扩展存储器的可靠性。
兼容性
确保扩展存储器与主控制器和其他组件的兼容性,以实现无缝集 成。
间接地址映射
扩展存储器的地址通过特 定的寄存器映射到单片机 的地址空间,可以实现更 灵活的地址管理。
段地址映射
将扩展存储器分成若干段, 每段独立映射到单片机的 地址空间,可以实现较大 的存储空间扩展。
04 哈工大51单片机存储器扩 展方案
扩展方案的比较与选择
方案一:并行扩展 优点:扩展速度快,适用于对速度要求较高的应用。
emif接口原理
emif接口原理EMIF(外部存储器接口)是一种用于连接处理器和外部存储器的接口技术。
它允许处理器通过总线与外部存储器进行数据交换,实现数据的读取和写入操作。
在现代计算机系统中,EMIF接口被广泛应用于各种设备,如微处理器、嵌入式系统、通信设备等。
本文将介绍EMIF接口的原理和工作机制。
EMIF接口的原理基于总线通信技术,它通过一组信号线实现了处理器与外部存储器之间的数据传输。
在EMIF接口中,有两个重要的信号线:地址线和数据线。
地址线用于传输处理器发送的存储器地址,而数据线则用于传输存储器中的数据。
此外,还有一些控制信号线,用于控制数据传输的开始和结束。
EMIF接口的工作机制可以简单描述为以下几个步骤:1. 处理器发送地址:当处理器需要从外部存储器中读取数据时,首先会将读取操作的地址发送到EMIF接口。
地址线的数量取决于外部存储器的容量,通常可以支持数百万个地址。
2. 存储器响应:当EMIF接口接收到地址后,会将该地址发送到外部存储器。
外部存储器根据地址找到相应的数据,并将其发送回EMIF接口。
3. 数据传输:EMIF接口接收到外部存储器发送的数据后,会将其传输到处理器。
数据线的宽度决定了每次传输的数据量,通常有8位、16位或32位等不同宽度。
4. 控制信号:在数据传输过程中,EMIF接口还使用控制信号线来控制数据传输的开始和结束。
例如,读取操作时,EMIF接口会发送一个读取信号给外部存储器,以指示开始读取数据。
通过以上步骤,EMIF接口实现了处理器和外部存储器之间的数据交换。
这种接口技术使得处理器可以方便地读取和写入外部存储器中的数据,扩展了计算机系统的存储能力。
除了基本的读写操作,EMIF接口还支持其他功能,如时序控制和中断处理。
时序控制用于确保数据的稳定传输,避免数据冲突和错误。
中断处理则可以提高系统的响应能力,当外部存储器中的数据发生变化时,EMIF接口可以及时通知处理器进行相应的操作。
ARM外围接口电路工作原理
ARM外围接口电路工作原理ARM11是一种基于ARM架构设计的32位处理器。
它具有较高的计算能力和低功耗特性,被广泛应用于嵌入式系统和移动设备中。
ARM11外围接口电路是ARM11芯片上的硬件模块,用于扩展处理器的功能和连接外部设备。
1.串行接口ARM11芯片上的串行接口可以实现与外部设备的通信。
它一般包括UART(通用异步接收器/发送器)和SPI(串行外设接口)等模块。
UART模块实现了与外部设备的异步串口通信,而SPI模块则是一种同步串行接口,用于高速数据传输。
2.并行接口ARM11芯片上的并行接口通常用于与外部存储器、显示器、键盘等设备的连接。
ARM11芯片一般配备了SRAM接口、SDRAM接口和LCD接口等模块。
SRAM接口和SDRAM接口用于连接外部存储器,实现数据的读写操作。
LCD接口用于连接液晶显示器,实现图像和文字的显示。
3.时钟时钟模块是ARM11芯片中非常重要的一个模块,它用于提供系统的时钟信号。
ARM11芯片一般具有内部和外部时钟源,通过时钟分频器将外部时钟源分频后,提供给不同的模块使用。
时钟模块还负责产生处理器的时钟信号,控制处理器的工作频率。
4.中断控制中断控制模块用于处理外部的中断请求信号,并向处理器发送中断请求。
当外部设备需要与ARM11芯片通信或请求处理器的服务时,会产生中断请求信号。
中断控制模块会接收到这个信号,然后通过处理器的中断控制单元将中断请求传递给处理器,使得处理器能够及时响应和处理。
当需要与外部设备通信时,首先需要配置相关的接口模块。
比如,在使用串行接口进行通信时,需要设置相关的波特率和数据格式;在使用并行接口连接显示器时,需要配置显示器的分辨率和显示模式。
然后,通过编程方式向相应的接口模块写入数据或读取数据,实现与外部设备的数据交互。
在整个工作过程中,时钟模块起着关键的作用。
时钟模块提供稳定的时钟信号,保证各个接口模块按照预定的时序要求工作,从而实现数据的准确传输。
ADSP2106X扩展外部存储器和接口时的地址译码方法
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
A P 1 6 扩 展 外 部 存 储 器 和 接 口时 的 地 址 译 码 方 法 DS 20 X
文 章 编 号 :0 3 5 5 ( 0 7 1 - 0 0 0 1 0— 80 2 0 )10 4 —3
A S 2 0 X 扩展 外 部存 储 器 和接 口时 的地 址译 码 方 法 D P 16
c rs or e pon ng s g lac ins o xt r albus p r DSP2 06 ,t s p pe ic s d t r l m s s h a ddr s s rb e a di i na to fe e n o tofA 1 X hi a r d s us e he p ob e uc s a e sdi ti ut nd a r s od n ne d d t e c sde e s e an ng e e na dd e s c i g e e O b on i r d a xp di xt r lmem o is a n era e o DSP21 X ,a r s nt he c nc e e re nd i t f c s f r A 06 nd p e e s t o r t de i a pl . xp rm e s,i s b e s sgn ex m es By e e i nt tha e n howe ha h e m e ho r i n lxi e,a v oo pa si lt d t tt es t dsa erghta d fe bl nd ha e g d ex n biiy.T he e s
me h d a e g o e e e c au o e i n n t o sh v o d r f r n e v l e f r d sg i g ADS 1 6 p l a i n s s e n t e P a p ia in s s e . P2 0 X a p i t y t ms a d o h rDS p l to y t ms c o c KEYW ORDS ADS 1 6 , x e n lb s p r , x e n l mo y,n e f c , d r s o i g P2 0 X e t r a u o t e t r a me r i t r a e a d e sc d n
东大14秋学期《嵌入式软件设计》在线作业3答案
一,单选题
1. LPC2210/2212/2214具备外部存储器接口,通过外部存储器控制器(EMC)可以扩展4个Bank的存储器组,每个Bank寻址空间为()
A. 4MB
B. 8MB
C. 16MB
D. 32MB
?
正确答案:C
2.跳转到标号waiter处,用指令()
A.错误
B.正确
?
正确答案:B
5. LPC2000系列微控制器的片内SRAM支持64位的读写访问。
A.错误
B.正确
?
正确答案:A
6. Inte处理器也属于嵌入式处理器。
A.错误
B.正确
?
正确答案:A
7. ARM7有37个用户可见寄存器,其中6个状态寄存器,31个通用寄存器。
A.错误
B.正确
?
正确答案:B
C. SUBS PC,R14_fiq,#4
D. SUBS PC,R14_irq,#4
?
正确答案:D
5.将R1中数据保存到R0+0x12地址处,能实现这个功能的语句是()
A. STR R1,[R0,#0x12]
Bபைடு நூலகம் LDR R1,[R0,#0x12]
C. STR R1,[R0,-#0x12]
D. LDR R1,[R0,-#0x12]
8. LPC2000系列ARM7微控制器要求向量表所有数据32位累加和为零。
A.错误
B.正确
?
正确答案:B
9.嵌入式系统是专用计算机系统。
A.错误
B.正确
?
正确答案:B
10.学习嵌入式系统开发一定要掌握大型数据库的使用。
外存储器_精品文档
外存储器外存储器,也称为外部存储器,是指计算机系统中用于存储数据和程序的设备,与计算机的主存储器(内存)相对应。
外存储器通常具有更大的存储容量、较低的成本和较长的数据保持时间。
常见的外存储器包括硬盘驱动器(HDD)、固态硬盘(SSD)、光盘(CD/DVD)、闪存驱动器(USB闪存驱动器、SD卡等)、磁带存储器等。
硬盘驱动器(HDD)硬盘驱动器是一种使用磁盘存储数据的外存储器。
它由至少一个旋转的磁盘和用于读写数据的磁头组成。
磁盘通过旋转在高速马达的驱动下进行操作,而磁头则在盘片表面上移动以读取或写入数据。
硬盘驱动器具有很高的存储容量、较低的成本和较长的数据保持时间,因此被广泛应用于个人计算机、服务器和大型数据中心等计算机系统中。
固态硬盘(SSD)固态硬盘是一种使用闪存存储数据的外存储器。
相比于传统的硬盘驱动器,固态硬盘不需要旋转磁盘和机械式读写头,而是使用闪存芯片直接读写数据。
固态硬盘具有较高的读写速度、较低的能耗和噪音,使其成为了替代传统硬盘驱动器的理想选择。
然而,固态硬盘的存储容量较小,成本较高,在一些需要大容量存储的场景中仍然难以取代传统硬盘驱动器。
光盘光盘是一种使用激光技术存储数据的外存储器。
光盘使用了一个圆形的塑料介质盘片,盘片上分布着一个个微小的凹坑。
当激光束照射到盘片上时,根据凹坑的有无反射光信号的变化,计算机可以读取或写入数据。
光盘具有较大的存储容量,适用于存储音频、视频、软件等大型文件,广泛应用于娱乐、存档和发行等领域。
闪存驱动器闪存驱动器,也称为闪存盘或者USB闪存驱动器,是一种使用闪存存储数据的外存储器。
它使用了闪存芯片来读取和写入数据,采用了USB接口,可以直接插入计算机或其他设备的USB端口。
闪存驱动器具有小巧便携、使用方便、读写速度快的特点,并且不需要外接电源,广泛应用于数据传输和备份等场景。
磁带存储器磁带存储器是一种使用磁带带介质存储数据的外存储器,适用于大量数据的备份和长期存档。
第8章 外部存储器的扩展
Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND
62128
Vcc WE A13 A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 11
采用线选法外扩3片6264RAM的接口电路
思考一下:3片6264RAM的各自所占的地址空间?
12
采用译码法外扩4片62128RAM的接口电路
Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND
27128
Vcc PGM A13 A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3
Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND
27256
Vcc A14 A13 A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3
目前常用的编程方法主要有两种:一种是使用通用编
程器编程,比如RF1800,另一种是使用下载型编程器进 行编程。下面介绍如何对AT89S51片内的Flash存储器进 行编程。
23
23
AT89C5X与AT89LV5X之间的主要区别: 1.AT89LV5X工作电压为2.7~6V,可在低电压条件下工作。
24 。 2. AT89LV5X振荡器的最高频率为12MHz,而AT89C5X振荡器的最高频率为24MHz
17
MCS-51
P2.7-2.0
P0.7-0.0
ALE
W
R
D R
D7-D0
74LS138
74LS373
A
B
C
G2B
G2A
G
1
G
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
存储器接口类型
存储器接口类型存储器接口类型可分为:异步存储器接口和同步存储器接口两大类型。
异步存储器接口类型是最常见的,也是我们最熟知的,MCU一般均采用此类接口。
相应的存储器有:SRAM、Flash、NvRAM…等,另外许多以并行方式接口的模拟/数字I/O器件,如A/D、D/A、开入/开出等,也采用异步存储器接口形式实现。
同步存储接口相对比较陌生,一般用于高档的微处理器中,TI DSP中只有C55x和C6000系列DSP包含同步存储器接口。
相应的存储器有:同步静态存储器:SBSRAM和ZBTSRAM,同步动态存储器:SDRAM,同步FIFO等。
SDRAM可能是我们最熟知的同步存储器件,它被广泛用作PC机的内存。
C2000、C3x、C54x系列DSP只提供异步存储器接口,所以它们只能与异步存储器直接接口,如果想要与同步存储器接口,则必须外加相应的存储器控制器,从电路的复杂性和成本的考虑,一般不这么做。
C55x、C6000系列DSP不仅提供了异步存储器接口,为配合其性能还提供了同步存储器接口。
C55x和C6000系列DSP的异步存储器接口主要用于扩展Flash和模拟/数字I/O,Flash 主要用于存放程序,系统上电后将Flash中的程序加载到DSP片内或片外的高速RAM中,这一过程我们称为BootLoader同步存储器接口主要用于扩展外部高速数据或程序RAM,如SBSRAM、ZBTSRAM或SDRAM等。
如何设计DSP系统的外部存储器电路,即DSP如何正确地与各种类型的存储器芯片接口。
是存储器设计中的难点。
另外,在DSP外部存储器电路设计中经常会遇到下列一些问题:1.DSP提供的外部存储器接口信号与存储器芯片所需要的接口信号不完全一致,某些DSP支持多种数据宽度的访问,如8/16/32位数据宽度等,存储器电路中如何实现?2.数据线、地址线在PCB布线时,为了走线方便,经常会进行等效交换,哪些存储器可以作等效交换、哪些不行?异步存储器:Flash对于flash,读操作与SRAM相同,擦除和写入操作以命令序列形式给出,厂商不同,命令序列可能稍有不同写入命令序列后,Flash自动执行相应操作,直到完成,随后自动转为读状态。
电脑无法读取外部存储器故障及解决方法
电脑无法读取外部存储器故障及解决方法在日常使用电脑的过程中,我们经常会遇到电脑无法读取外部存储器的问题,这给我们的工作和娱乐带来了困扰。
那么,为什么会出现这样的故障呢?又该如何解决呢?接下来,本文将为您详细介绍电脑无法读取外部存储器故障的常见原因以及相应的解决方法。
一、电脑无法读取外部存储器的常见原因1. 存储器接口问题其中一种常见的原因是存储器接口问题。
现在,大部分电脑使用的是USB接口进行连接,而USB接口相对脆弱,容易受到撞击而导致连接不稳定。
另外,插入不正确也会导致读取错误。
2. 存储器驱动问题存储器驱动也是导致电脑无法读取外部存储器的原因之一。
有时候,我们会遇到存储器驱动丢失或者过期的情况,这就会导致电脑无法正确读取外部存储器。
3. 存储器本身故障外部存储器的质量也会影响电脑读取的效果。
如果存储器本身存在硬件故障或者损坏,那么电脑就无法正常读取其中的数据。
4. 电脑系统设置问题电脑系统设置也可能导致无法读取外部存储器。
有时候,我们可能会在电脑系统设置中将外部存储器的读取权限关闭,这将导致电脑无法读取。
二、解决电脑无法读取外部存储器的方法1. 检查存储器接口首先,我们需要检查存储器的接口是否连接稳定。
确保存储器插入电脑的接口时没有松动并且插入正确。
2. 更新或重新安装驱动当我们发现存储器驱动过期或丢失时,我们可以通过更新或重新安装驱动程序来解决问题。
我们可以访问存储器的官方网站,下载最新的驱动程序并进行安装。
或者,我们还可以通过设备管理器来卸载原有驱动程序,然后重新安装驱动程序。
3. 检查存储器本身如果存储器本身存在硬件故障或损坏,我们可以尝试将存储器插入到其他电脑或设备上,看是否能正常读取。
如果其他设备也无法读取该存储器,那么我们可以考虑更换新的存储器来解决问题。
4. 检查电脑系统设置有时候,电脑系统设置中可能关闭了对外部存储器的读取权限。
我们可以在电脑设置中查找“设备管理”或“存储器管理”选项,确保该选项已打开。
DSP原理与应用---第3章 EMIF
DRAM是Dynamic RAM的缩写,中文含义为动态随机存取存储器, 需要不断的刷新,才能保存数据。而且是行列地址复用的,许多都有 页模式。SDRAM:Synchronous DRAM,即数据的读写需要时钟 来同步。 一个是静态的,一个是动态的,静态的是用的双稳态触发器来保存信 息,而动态的是用电子,要不时的刷新来保持。
DRAM容量大,SRAM容量小
SDRAM的结构
FLASH ROM
Flash-ROM(闪存)已经成为了目前最成功、流行的一种固态内存,与 EEPROM 相比具有读写速度快,而与 SRAM 相比具有非易失、以及价廉等优 势。而基于 NOR 和 NAND 结构的闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技 术。 Intel 于 1988 年首先开发出 NOR flash 技术,彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着,1989 年东芝公司发表了 NAND flash 技术(后将该技术无偿转让给韩国 Samsung 公司),强调降低每比特的成 本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。 NOR 的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可以直 接在闪存内运行,不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高,在 1~4MB 的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影 响了它的性能。 NAND 结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的 速度也很快,这也是为何所有的 U 盘都使用 NAND 闪存做为存储介质的原因。 应用 NAND 的困难在于需要特殊的系统接口。
NAND flash和NOR flash的对比
接口差别 NOR 闪存带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可 以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND闪存使用复杂的I/O口来串行地存取资料,各个产品 或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地 址和资料信息。NAND读和写操作采用512字节的块,这 一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的 闪存就可以取代硬盘或其它块设备。
存储器接口电路分析
/999/18686.aspx存储器接口电路分析寻址原理以S3C2410为例,内核提供了32位的地址总线,理论上可以寻址的空间为4GB,但实际留给外部可寻址的空间只有1GB,也就是0X00000000~0X3fffffff,总共应该有30根地址线(230)引出来。
在这1GB的空间,2410处理器又根据所支持的设备的特点将它分为了8份,每份空间有128MB,这每一份的空间又称为一个BANK(图1)。
其中6个用于ROM、SRAM 等存储器,2个用于ROM、SRAM、SDRAM等存储器。
当2410对外寻址时,采用了部分译码的方式,即低位地址线用于外围存储器的片内寻址,而高位地址线用于外围存储器的片外寻址。
对于系统要访问的任意外部地址,2410可以方便地利用内部地址总线的高3位ADDR[29:27]来选择该地址属于哪一个存储器组(Bank),从而激活相应的Bank选择信号(nGCSx)。
这8个片选信号可以看作是2410处理器内部30根地址线的最高三位所做的地址译码的结果。
正因为这3根地址线所代表的地址信息已经由8个片选信号(nGCS7~nGCS0)来传递了,因此2410处理器最后输出的实际地址线就只有A26~A0。
Bank的内部寻址由外部地址总线A[26:0]来实现,寻址范围为128M(227),从而使得其外围地址访问空间为1GB(128MB×8)。
S3C2410正是通过这种机制来完成外部地址空间的寻址全过程。
图1 处理器存储空间每个Bank的特性细节请参考数据手册。
外接的存储芯片一般包括Nor Flash,,NAND FLASH和SDRAM,下面分别介绍。
Nor Flash它的接口与RAM完全相同,可以像其他存储器那样连接(与传统的8051外扩ROM 类似),可在上面直接运行代码。
它的特点是存取动作简单,缺点是它受地址线的限制,即n条地址线,所能寻址的空间就是2的n次方个单元,所以通常容量较小。
tms320f28030引 读写
tms320f28030引读写一、概述TMS320F28030是一款基于TexasInstruments的TMS320C28x系列DSP芯片,广泛应用于工业控制、电机控制、音频处理等领域。
该芯片具有丰富的外设和接口,提供了强大的数据处理能力。
在使用TMS320F28030时,需要了解其引脚定义和读写操作方法,以便正确连接硬件和编写代码。
二、引脚说明TMS320F28030芯片共有40个引脚,分为电源、地、控制、输入输出、时钟等几个部分。
其中,需要特别关注以下引脚:1.外部存储器接口(EMIF)引脚:用于连接外部存储器,如SD 卡、RAM等。
2.通用输入输出(GPIO)引脚:用于连接外部设备或其他芯片的接口。
3.时钟(CLK)引脚:用于设置系统时钟。
三、读写操作TMS320F28030芯片的读写操作可以通过软件编程实现。
下面介绍一些常用的读写操作方法:1.读取寄存器值:可以通过访问芯片的寄存器地址,读取相应寄存器的值。
例如,要读取GPIO口的值,可以通过访问相应的寄存器地址来读取该口的状态。
2.写入寄存器值:可以将数据写入指定的寄存器地址,从而对芯片进行配置或控制。
例如,要设置GPIO口的输出模式,可以将相应的数据写入相应的寄存器地址。
3.读写内存:可以通过EMIF接口读写外部存储器的数据。
例如,要读取SD卡中的数据,需要先通过EMIF接口将SD卡与芯片连接,然后通过读写内存操作来读取数据。
四、注意事项在进行读写操作时,需要注意以下几点:1.正确设置时钟和时序,以确保读写操作的正确性和可靠性。
2.避免对正在使用的寄存器进行读写操作,以免造成系统崩溃或数据丢失。
3.在进行读写操作时,需要考虑到芯片的功耗和发热情况,以延长芯片的使用寿命。
五、总结本文介绍了TMS320F28030芯片的引脚说明和读写操作方法,希望能对使用该芯片的用户提供帮助。
在使用该芯片时,需要仔细阅读相关文档和资料,并按照正确的步骤进行操作,以确保系统的稳定性和可靠性。
单片机与外部存储器的数据交互
单片机与外部存储器的数据交互在单片机系统中,外部存储器的数据交互是非常重要的。
单片机通常具有内部存储器,但其容量有限,不足以存储大量数据。
因此,需要与外部存储器进行数据交互,以扩展系统的存储容量。
一、单片机系统中的外部存储器外部存储器是指单片机系统中除了内部存储器之外的存储器设备,包括闪存、EEPROM、SD卡等。
这些外部存储器具有较大的容量,并可以长期保存数据。
在单片机系统中,外部存储器对于实现数据存储和读取起着重要的作用。
二、数据存储与读取的基本流程在单片机系统中,数据存储与读取的基本流程如下:1. 初始化外部存储器:首先,需要对外部存储器进行初始化设置,包括设置存储器的通信接口、地址线和数据线的连接方式等。
2. 写入数据:接下来,单片机将需要存储的数据通过数据线发送给外部存储器,同时发送相应的地址信息,以确定数据写入的位置。
外部存储器将数据存储后,发送写入完成的信号给单片机。
3. 读取数据:当需要读取外部存储器中的数据时,单片机通过发送相应的地址信息,并请求读取数据。
外部存储器将数据通过数据线发送给单片机,完成数据的读取过程。
三、数据交互的通信方式单片机与外部存储器之间的数据交互可以通过多种通信方式进行,例如SPI、I2C、USART等。
下面以SPI通信方式为例进行介绍。
SPI(Serial Peripheral Interface)是一种串行外围设备接口,主要用于单片机与外部设备之间的通信。
它使用四根信号线进行数据交互,包括时钟线、数据线、主片选线和从片选线。
在SPI通信中,单片机作为主设备,外部存储器作为从设备。
主设备通过时钟线控制数据传输的时序,通过数据线发送数据。
从设备在接收到主设备的请求后,通过数据线将数据发送给主设备。
主设备和从设备通过片选线来选择通信的对象。
四、外部存储器的读写操作在单片机中,与外部存储器的数据交互主要包括读写操作。
下面分别介绍外部存储器的写操作和读操作。
1. 外部存储器的写操作:(1)设置片选线:首先,单片机需要将需要进行数据交互的外部存储器的片选线拉低,以选择通信的对象。
外部存储器接口优秀课件
Hold≥(th-toh(f))/E=(1-0)/10=0.1 一般Setup可取1,这样由第1个条件便可以得出Strobe的值为 10;再由第2和第3个条件得到Hold的值为1。
FLASH 的写时序
FLASH 的写时序
FLASH 的写时序
DRAM是Dynamic RAM的缩写,中文含义为动态随机存取存储器, 需要不断的刷新,才能保存数据。而且是行列地址复用的,许多都有 页模式。SDRAM:Synchronous DRAM,即数据的读写需要时钟 来同步。
一个是静态的,一个是动态的,静态的是用的双稳态触发器来保存信 息,而动态的是用电子,要不时的刷新来保持。
CExCTL寄存器
SDCTL寄存器
SDTIM寄存器
SDEXT寄存器
6.2 SDRAM接口设计
SRAM是Static Random Access Memory的缩写,中文含义为静态 随机访问存储器,它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要 不掉电,存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与DRAM不同, DRAM需ห้องสมุดไป่ตู้进行周期性的刷新操作。 同时,我们不应将SRAM与只 读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆,因为SRAM是一种易失性 存储器,它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随 机访问”是指存储器的内容可以任意顺序访问,而不管前一次访问的 是哪一个位置。
CE1CTL控制寄存器
FLASH 的读时序
FLASH 的读时序
数据是在Strobe阶段结束,ARE信号变高之前的时钟上升沿处 被DSP读取,因此可以得出读操作中CE1空间控制寄存器有关 参数设定的3个限制条件,设EMIF时钟频率为100MHz,得时 钟周期E为10ns,则计算如下:
DSP之外部设备连接接口之EMIF
DSP之外部设备连接接⼝之EMIF外部设备连接接⼝包括外部存储器连接接⼝(EMIF)、主机接⼝(HPI)等。
外部存储器接⼝主要⽤来同并⾏存储器连接,这些存储器包括SDRAM、SBSRAM、Flash、SRAM存储器等,外部存储器接⼝还可以同外部并⾏设备进⾏连接,这些设备包括并⾏A/D、D/A转换器、具有异步并⾏接⼝的专⽤芯⽚,并可以通过外部存储器接⼝同FPGA、CPLD等连接;主机接⼝主要⽤来为主控CPU和C55x处理器之间提供⼀条⽅便、快捷的并⾏连接接⼝,这个接⼝⽤来对DSP进⾏控制、程序加载、数据传输等⼯作。
这⾥主要是EMIF。
EMIF输⼊输出信号图:EMIF为3种类型的存储器提供了⽆缝接⼝:1 异步存储器,包括ROM,FLASH,异步SRAM2 同步突发静态存储器(SBSRAM)3 同步动态存储器(SDRAM)异步存储器可以是静态随机存储器(SRAM)、只读存储器(ROM)和闪存存储器等存储器,在实际使⽤中还可以⽤异步接⼝连接并⾏A/D采样器件、并⾏显⽰接⼝等外围设备,但使⽤这些⾮标准设备时需要增加⼀些外部逻辑来保证设备的正常使⽤。
在使⽤外部存储器接⼝时应区分字寻址和字节寻址之间的区别,当TMS320C55x访问数据时,CPU⽤23位地址访问16位字,该⽅式下数据空间被分成128页,每页字长64K。
CPU访问程序代码时,⽤24位地址访问8位字节,DMA控制器访问存储器时也采⽤字节寻址⽅式。
如果多个请求服务同时到达,EMIF会根据每个请求优先级来进⾏处理。
最⾼为HOLD,最低为刷新。
对EMIF编程时,必须了解外部存储器地址如何分配给⽚使能空间,即CE空间,每个CE空间可以同那些类型的存储器连接,以及⽤那些寄存器位来配置CE空间。
TMS320C55x的外部存储器映射在存储空间的分布,相应于EMIF的⽚选使能信号,例如CE1空间的存储器,则必须将其⽚选引脚连接到EMIF的CE1引脚。
当EMIF访问CE1空间时,驱动CE1变低。
简述单片机的主要特点有哪些
引言概述:单片机作为嵌入式系统的重要组成部分,具有许多独特的特点。
本文将介绍关于单片机的五个主要特点,包括低功耗、多功能性、可编程性、易扩展性和成本效益。
通过详细介绍这些特点,可以更好地了解单片机的优势和应用领域。
正文内容:一、低功耗1.CMOS技术应用:单片机采用CMOS技术,具有低功耗的特点,因此能够节省电能。
2.待机模式和休眠模式:单片机具有待机和休眠模式,可以实现低能耗状态,并能及时唤醒进行任务处理。
3.功耗管理单元:单片机还配备了功耗管理单元,能够监控和调整系统的功耗,以保持最佳的能源利用效率。
二、多功能性1.多种接口功能:单片机通常具备多种接口功能,包括并行口、串行口、模拟输入输出口等,能够实现与其他外设的交互。
2.多种外设支持:单片机支持各种外设的连接,包括数码管、液晶屏、键盘、传感器等,以实现不同应用需求。
3.多种软件功能:单片机具备多种软件功能,可以实现定时、计数、中断等功能,并支持各种算法和协议的实现。
三、可编程性1.指令集丰富:单片机具备丰富的指令集,能够满足不同应用的需求。
2.可编程的存储器:单片机内部具备可编程的存储器,包括闪存、RAM等,可以存储程序代码和数据。
3.开发工具支持:单片机有专门开发工具的支持,包括编译器、仿真器等,方便程序的开发和调试。
四、易扩展性1.外部存储器接口:单片机通常具备外部存储器接口,可以连接额外的存储设备,扩展系统的存储容量。
2.外部中断和I/O口:单片机提供了外部中断和I/O口,可以灵活连接各种外设,实现数据的输入和输出。
3.总线接口:单片机支持各种总线接口,如SPI、I2C、CAN 等,可以连接多个设备,实现数据的传输和通信。
五、成本效益1.单芯片设计:单片机内部集成了处理器、存储器和各种接口功能,成本相对较低。
2.低功耗和高性能:单片机采用低功耗技术,功耗低,但性能较高,能够满足不同应用需求。
3.体积小巧:单片机的集成度高,体积小巧,适合于各种紧凑的嵌入式系统设计。
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6.2 SDRAM接口设计
SRAM是Static Random Access Memory的缩写,中文含义为静态 随机访问存储器,它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要 不掉电,存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与DRAM不同, DRAM需要进行周期性的刷新操作。 同时,我们不应将SRAM与只 读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆,因为SRAM是一种易失性 存储器,它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随 机访问”是指存储器的内容可以任意顺序访问,而不管前一次访问的 是哪一个位置。
ACTV命令的作用是激活存储器中的相关页,以尽量降低后续访问的延迟。 每次读/写SDRAM中新的一行之前,EMIF会自动发出ACTV命令。
READ 读命令
对SDRAM的突发访问,读取3个数据
WRT 写命令
对SDRAM写3个数据
接口时序的设计
EMIF与SDRAM的接口时序由SDCTL、SDTIM和SDEXT寄存器 控制,如何设置上述时间参数,需要用户去查看具体SDRAM芯 片的器件手册
写操作保持时间,写触发之后地址、片选和字节使能信号的时钟周期数
读操作建立时间,读触发之前地址、片选和字节使能信号的时钟周期数 对外部CE空间两次访问的最小时间间距 读操作触发时间 8位异步接口 16位异步接口 32位异步接口 32位SDRAM 32位SBSRAM 8位SDRAM 16位SDRAM 8位SBSRAM 16位SBSRAM 读操作保持时间,读触发之后地址、片选和字节使能信号的时钟周期数
CE1CTL控制寄存器
参数 W_SETUP/R_SETUP
说明 读/写建立时间宽度
W_STROBE/R_STROBE 读/写触发时间宽度 W_HOLD/R_HOLD 读写保持时间宽度 异步器件数据总线宽度 MTYPE = 0时选择8位总线 MTYPE = 1时选择16位总线 MTYPE = 2时选择32位总线 配置ASIZE位确定了EM_A和EM_BA引脚的功能
RFEN
0 1
DISABLE ENABLE
禁用SDRAM刷新 使能SDRAM刷新 初始化位
INIT
0
1
NO
YES OF(value) OF(value) OF(value)
不起作用
初始化SDRAM 设置SDRAM的tRCD值(单位为EMIF时钟周期数),TRCD=tRCD/tcyc-1 设置SDRAM的tRP值(单位为EMIF时钟周期数),TRP=tRP/tcyc-1 设置SDRAM的t 值(单位为EMIF时钟周期数),TRC=t /t -1
CLKOUT2输出使能位
CLK2EN
0 1
DISABLE ENABLE
CLKOUT2输出为高电平 CLKOUT2输出时钟信号
CExCTL寄存器
字段名称 WRSETUP WRSTRB
取值 0-Fh 0-3Fh
符号常量 OF(value) OF(value)
说明(时间单位为时钟周期数) 写操作建立时间,写触发之前地址、片选和字节使能信号的时钟周期数 写操作触发时间
TRCD TRP TRC
0-Fh 0-Fh 0-Fh
SDTIM寄存器
字位名称
值 0-3h
使用说明 控制SDRAM刷新次数
0
XRFR 1h
1次刷新
2次刷新
2h
3h
3次刷新
4次刷新
CNTR
PERIOD
0-FFFh
0-FFFh
当前刷新计数器的数值
设置刷新周期数
SDEXT寄存器
字位名称 WR2RD WR2DEAC
设置写操作与写操作之间最小的间隔时钟周期 设置中断读的写操作中,BEx信号要保持的最小时间
设置读操作与写操作之间最小的间隔时钟周期 设置读操作与DEAC/DCAB操作之间最小的间隔时钟周期 设置同一CE空间上两个读操作之间最小的间隔时钟周期 设置SDRAM的tHZP参数 设置SDRAM的tWR参数 设置SDRAM的tRRD参数 设置SDRAM的tRAS参数 设置SDRAM的tCAS参数 设置0表示2个ECLKOUT周期;设置1表示3个ECLKOUT周期
WRHLD
RDSETUP TA RDSTRB
0-3h
0-Fh 0-3h 0-3Fh 0h 1h 2h 3h
OF(value)
OF(value) OF(value) OF(value) ASYNC8 ASYNC16 ASYNC32 SDRAM32 SBSRAM32 SDRAM8 SDRAM16 SBSRAM8 SBSRAM16 OF(value)
GBLCTL寄存器
字段名称
取值
பைடு நூலகம்
符号常量
说明 HOLD输入位
HOLD
0 1
LOW HIGH
HOLD输入为低,外部器件请求EMIF总线 HOLD输入为高,没有外部总线请求 HOLDA输出位
HOLDA
0 1
LOW HIGH
HOLDA输出为低,外部器件占用EMIF总线 HOLDA输出为高,外部器件未占用EMIF总线 外部NOHOLD使能位
值 0~1 0~3h
使用说明 设置写操作与读操作之间最小的间隔时钟周期 设置写操作与DEAC/DCAB操作之间最小的间隔时钟周期
WR2WR R2WDQM
RD2WR RD2DEAC RD2RD THZP TWR TRRD TRAS TCL
0~1 0~3h
0~7h 0~3h 0~1 0~3h 0~3h 0~1 0~7h 0~1
DRAM容量大,SRAM容量小
SDRAM的结构
接口信号与SDRAM配置
对SDRAM的读写,需要依次分别给出行地址(row)和列地 址(column)
SDRAM的控制
EMIF所支持的SDRAM控制命令
命令
DCAB DEAC
功能
Deactivate,关闭所有的存储器,也称为precharge 关闭单个存储体
EMIF接口由一组存储器映射的寄存器进行控制与维护, 包括配置各个空间的存储器类型和设置读写时序等。 GBLCTL寄存器完成对整个片外存储空间的公共参数的 设置,CExCTL寄存器分别控制相应存储空间的存储器 类型和接口时序,另外3个SDRAM寄存器负责控制所有 属于SDRAM空间的存储接口情况
MTYPE
4h 8h 9h Ah Bh
RDHLD
0-7
SDCTL寄存器
字段名称
取值
符号常量
说明 SDRAM逻辑块的数量
SDBSZ
0 1 0-3h
2Banks 4Banks
1个逻辑块选择引脚(2个逻辑块) 2个逻辑块选择引脚(4个逻辑块) SDRAM行数
0
SDRSZ 1h 2h 0-3h 0 SDCSZ 1h 2h
EMIF接口宽度与字节定位
C67x 的 EMIF 可 以 访 问 8/16/32 位 宽 度 的 存 储 器 , 支 持 little-endian和big-endian模式。最低位逻辑地址规定由EA 管脚输出,EMIF内部会自动根据访问数据的字长,将逻辑 地址作移位调整输出。
EMIF控制寄存器
参数 说明 ECLKOUT 时钟周期数
tRC
tRCD tRP tCL
REFR命令到ACTV、MRS或是下一个REFR命令之间的时间
ACTV命令到READ或WRT命令之间的时间 DCAB/DEAC命令到ACTV、MRS、REFR命令之间的时间 SDRAM的CAS延迟时间
TRC+1
TRCD+1 TRP+1 TCL+2
DRAM是Dynamic RAM的缩写,中文含义为动态随机存取存储器, 需要不断的刷新,才能保存数据。而且是行列地址复用的,许多都有 页模式。SDRAM:Synchronous DRAM,即数据的读写需要时钟 来同步。 一个是静态的,一个是动态的,静态的是用的双稳态触发器来保存信 息,而动态的是用电子,要不时的刷新来保持。
tRAS
tRRD tWR tHZP
ACTV命令到DCAB/DEAC命令之间的时间
ACTV 块A到ACTV 块B之间的时间 C6000最后一个输出数据到DCAB/DEAC命令之间的时间 DCAB/DEAC命令到SDRAM输出高阻之间的时间
TRAS+1
TRRD+2 TWR+1 THZP+1
接口时序的设计
ACTV
READ WRT MRS REFR SLFREFR
激活所选的存储体,并选择存储器的某一行
输入起始的列地址,开始读操作 输入起始的列地址,开始写操作 Mode Register Set,设置模式寄存器 Refresh,使用内部地址自动进行周期性刷新 Self-refresh,自刷新模式
ACTV命令
11ROW
12ROW 13ROW
11个行地址引脚(每个逻辑块2048行)
12个行地址引脚(每个逻辑块4096行) 13个行地址引脚(每个逻辑块8192行) SDRAM列数
9COL 8COL 10COL
9个列地址引脚(每行512单元) 8个列地址引脚(每行256单元) 10个列地址引脚(每行1024单元) 刷新使能位,如果不使用SDRAM,确保RFEN=0
NOHOLD
0 1
DISABLE ENABLE
禁用NOHOLD,HOLDA输出信号应答HOLD输入的请求 使能NOHOLD,忽略HOLD输入的请求 ECLKOUT输出使能位
EKEN
0 1
ECLKOUT输出为低电平 ECLKOUT输出时钟信号(缺省)
CLK1EN
对C6713、C6712C、C6711C该位必须设置为0
MTYPE
FLASH 的读时序