832微电子器件-电子科技大学2015硕士入学考试真题

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621英语水平测试-电子科技大学2015硕士入学考试真题

电子科技大学

2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题电子科技大学2016年硕士研究生入学考试初试自命题科目及代码汇总

•111单独考试政治理论•241法语(二外)

•242德语(二外)

•243日语(二外)

•244英语(二外仅日语方向) •288单独考试英语

•601数学分析

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•694生物学综合

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•852近代物理基础

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•855辩证唯物主义和历史唯物主

义

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微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

1.处于平衡态的PN结，其费米能级EF（）。

答案:

处处相等

2.由PN结能带图可见，电子从N区到P区，需要克服一个高度为（）的

势垒。

答案:

3.不考虑势垒区的产生-复合电流，Jdn和Jdp在PN结的势垒区（）。

答案:

均为常数

4.正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域

内载流子出现（）过程占优。

答案:

复合

5.对突变PN结，反向电压很大时，可以略去，这时势垒电容与（）成反

比。

答案:

6.在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。也可采用掺铂、

电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（）。

答案:

引入复合中心降低少子寿命

7.双极晶体管效应是通过改变（）。

答案:

正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流

8.在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为

（）。

9.在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。

答案:

反偏和反偏

10.为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。

答案:

高浓度、深结深

11.ICBO代表( ) 时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。

答案:

发射极开路、集电结反偏

12.以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。

减小栅氧化层厚度

13.以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。

答案:

降低衬底掺杂浓度

14.以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。

答案:

增加衬底掺杂浓度

15.当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

2010年电子科大微电子器件考研试题

电子科技大学

2010年攻读硕士学位研究生入学试题

832微电子器件

一、填空题

1.在反偏的P+N结中，电场峰值出现在()处，且N掺杂浓度越低，则耗尽区宽度越()。耐压越()。向P+区扩展的耗尽区宽度比向N区扩展的耗尽区宽度()，N区耗尽区电荷总数与P+区耗尽区电荷总数()。(5分)

2.在分析PN电流电压特性时，肖克莱方程做了以下假设。①()近似；②()近似，③()假设，④在耗尽层中不存在产生-复合电流，此外也未计入中性区的()。如果考虑耗尽区的产生-复合过程，则总的反向电流为()和()之和。(6分)

3.对于硅材料，P+N+结的主要击穿机理是()，P+N-结的主要击穿机理是()。其中，雪崩击穿是由于()现象所造成，雪崩击穿的判定条件是满足表达式()。(4分)

4.当P+N-P结构的N-区全耗尽时，该结构的电流电压特性呈现()状态；当P+N-N 结构的N-区全耗尽时，该结构的电流电压特性呈现()状态。(2分)

5.晶体管的共基电流增益与基区输运系数和发射结发射效率有关。其中，基区输运系数被定义为()电流与()电流之比，影响它的主要结构和材料参数为()。发射结发射效率被定义为()电流和()电流之比，影响它的结构和材料主要参数为()。(6分)

6.随集电极电流逐渐增加，在小注入和中等注入水平情况，晶体管电流增益会()，进入大注入状态，会出现()效应。在极低电流水平下．电流增益是较小的。要提高该状态下电流增益，应()体内陷阱。(3分)

7.降低基极电阻的工艺和版图措施有①()

②()③()。(3分)

8.在高频晶体管中，当W B较大时，提高f T的主要措施是()和()，但是上述做法会带来()，因此需折衷。(3分)。

微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

1.线性缓变结的耗尽层宽度正比于【图片】。

参考答案:

正确

2.反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。

参考答案:

正确

3.减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向抽

取电流。

参考答案:

错误

4.在异质结双极型晶体管中，通常用（）。

参考答案:

宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区

5.( )的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为BVCBO。

参考答案:

发射极开路时，使

6.【图片】对高频小信号注入效率的影响的物理意义是，【图片】的存在意味

着【图片】必须先付出对势垒区充放电的多子电流【图片】后，才能建立起

一定的【图片】。这一过程需要的时间是（）。

参考答案:

发射结势垒电容充放电时间常数

7.某长方形扩散区的方块电阻为200Ω，长度和宽度分别为100μm和20μm，

则其长度方向的电阻为（）。

参考答案:

1KW

8.要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。

参考答案:

减小基区掺杂浓度_减小基区宽度

9.防止基区穿通的措施是提高（）。

参考答案:

增大基区宽度_增大基区掺杂浓度

10.从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb ，将对输运过程产生

三方面的影响( )。

参考答案:

时间延迟使相位滞后_渡越时间的分散使减小_复合损失使小于1

11.晶体管的共发射极输出特性是指以输入端电流【图片】作参量，输出端电流

【图片】与输出端电压【图片】之间的关系。

参考答案:

正确

12.电流放大系数与频率成反比，频率每提高一倍，电流放大系数下降一半，功

电子科技大学微电子器件 (习题解答)

NPN 缓变基区晶体管在放大区时的能带图
2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图
pE0
nB0
pC0
3、
IC1 80
I B1
0
dIC dIB
IC IB
IC2 IC1 IB2 IB1
100
6、
由
J nE
qDBnB (0) , WB
可得：nB (0)
J nEWB qDB
,
将
JnE 0.1Acm2 , WB 2 104 cm, q 1.6 1019 C, DB 15cm2 s1
NB 1017 cm3,
VBE 0.7 V,
kT 0.026 V 之值代入， q
得：IC 4.55 (mA)
0.9936,
1
155,
IB
IC
0.029 (mA)
10、
(1)
1
DEWB NB
DB
WE 0
NEdx
1
DE AEqWB NB
DB AEq
WE 0
wenku.baidu.comNEdx
1 QBO DE QEO DB
， npn
1 DpWB NB , DnWE NE
pnp
1 DnWB NB DpWE NE
由 D kT 可知，D q
n p , Dn Dp , npn pnp

电子科技大学微电子器件实验报告MICRO-3

电子科技大学

实验报告（实验）课程名称微电子器件

实验三：晶体管特征频率的测量分析

学生姓名：

学号：201203*******

指导教师：刘继芝

实验地点：211楼605

实验时间：2015、6、18

一、实验室名称：微电子器件实验室

二、实验项目名称：晶体管特征频率的测量分析

三、实验学时：3

四、实验原理：

晶体管放大系数与频率的关系如下： ()βωωωωββj jm b +-=1exp 0 ()[]

21201βββf f += 直接在利用晶体管放大系数β为1的条件测量晶体管特征频率T f 较为困难，而利用下式，根据图中αβf f f <

五、实验目的：

掌握晶体管T f 的“増益—带宽”积的测试原理，并熟练地运用T f 测试仪测试双极晶体管的特征频率。

六、实验内容：

1、在规定Vce, Ie 偏置下测晶体管特征频率T f 。

2、 Vce 置定值，测量T f —Ie 关系。

3、 Ie 置定值，测量T f —Ie 关系。

4、发射结并数

pF 电容，观察特征频率T f 变化

七、实验器材（设备、元器件）：

QT16高频小功率晶体管T f 测试仪、高频小功率双极晶体管

八、实验步骤：

a.熟悉晶体管特征频率测试仪的测量范围，信号源工作频率，然后开机预热。

b. 从器件手册上查出所选器件的范围。

c.确定信号源工作频率，校准仪器

d.按实验方法所述进行测量。

九、实验数据及结果分析：

a 、特征频率分别与Ie 、Vce 的关系如下图：

b 、特征频率与并联电容的关系如下：

十、实验结论：

通过测试，可以知道：高频小功率NPN 晶体管的特征频率与工作状态密切相关，在一定的偏置下可以达到最大值，这对电路设计具有指导意义。另一方面，结电容对晶体管的特征频率影响极大，小的发射结电容可以获得高的特征频率。

西安电子科技大学硕士研究生入学考试试题(含答案)

m=0
f (k ) ←→
z ，z >1 z +1
−s 2
8
、单边拉普拉斯变换 F (s) = se + 1 的原函数为
B
A
、 sin(t − 1)ε (t − 1)
、 sin(t − 1)ε (t ) C、 cos(t − 1)ε (t − 1)
2
D
、 cos(t − 1)ε (t )
解：选 A。 sin(t )ε (t ) ←→ s 1+ 1
也可利用不进位乘法或列表法计算。 11、已知 H ( s ) 的零极点分布图如下图所示，单位冲激响应 h(t ) 的初始值 h(0 ) = 2 ，则该系统的系统函数 H (s) = 。
+
jω
×
j2
2 σ
−j2
−2 ×
解：由零极点分布图可写出
s →∞
H ( s) =
H 0 ( s − 2) ( s + 2) 2 + 4
δ (t )e jt +
e jt ↔ 2ε (1 − ω ) jπ t
故
F ( jω ) = 2ε (1 − ω )
的傅里叶逆变换
e jt f (t ) = δ (t ) + jπ t
、描述某连续系统的微分方程为 y′′(t ) + 3 y′(t ) + 2 y(t ) = 2 f ′(t ) + f (t ) ，画出该系统的直。接形式的信号流图为解：设零状态，对方程取拉氏变换，得

电子科技大学强军计划专业课考研真题、笔记、参考书、大纲、录取分数线、报录比

电子科技大学强军计划专业课考研真题、笔记、参考书、

大纲、录取分数线、报录比

电子科技大学强军计划专业课考研大纲

电子科技大学2013强军计划考生考研自主命题考试科目表已出，具体如下，请考生提前了解：

电子科技大学强军计划考生，全国统一命题考试科目改考对应的自主命题考试科目，具体为：

101思想政治理论改考111单独考试政治理论

201英语一、204英语二改考288单独考试英语

301数学一、302数学二、303数学三改考688单独考试高等数学

312心理学专业基础综合改考614单独考试心理学综合

408计算机学科专业基础综合改考820计算机专业基础

以上便是电子科技大学2013强军计划考生考研自主命题考试科目表的全部内容，希望对考生有所帮助。

一、总体要求专

主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。33623039

二、内容共

1．半导体器件基本方程kaoyantj

1）半导体器件基本方程的物理意义同济大学四平路

2）一维形式的半导体器件基本方程研

3）基本方程的主要简化形式共济网

2．PN结共济

1）突变结与线性缓变结的定义33626038

2）PN结空间电荷区的形成33626038

3）耗尽近似与中性近似课

4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算33623039

5）正向及反向电压下PN结中的载流子运动情况kaoyantj

6）PN结的能带图

7）PN结的少子分布图

8)PN结的直流伏安特性

9）PN结反向饱和电流的计算及影响因素

10）薄基区二极管的特点

11）大注入效应

832微电子器件-电子科技大学2015硕士入学考试真题

电子科技大学

2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题电子科技大学2016年硕士研究生入学考试初试自命题科目及代码汇总

•111单独考试政治理论•241法语(二外)

•242德语(二外)

•243日语(二外)

•244英语(二外仅日语方向) •288单独考试英语

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•625宪法学

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•855辩证唯物主义和历史唯物主

义

•856测控通信原理

•857概率论与数理统计

•858信号与系统

•859测控通信基础

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(完整版)电子科技大学微电子器件习题

第二章PN结

填空题

1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。

5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。

9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。

10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

电子科技大学微电子器件实验报告MICRO-2

电子科技大学

实验报告（实验）课程名称微电子器件

实验二：场效应晶体管直流特性的测试

学生姓名：

学号：*************

指导教师：***

实验地点：211楼605

实验时间：2015、6、

一、实验室名称：微电子器件实验室

二、实验项目名称：场效应晶体管直流特性的测试

三、实验学时：3

四、实验原理：

1. 实验仪器

实验仪器为XJ4810图示仪，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E间（相当于场效应管的G.S之间）外接一个电阻（如接1kΩ电阻），将输入电流转换成输入电压。

测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即S（源极）对应E（发射极）；G（栅极）对应B（基极）；D（漏极）对应C（集电极）。

值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。

另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成MOS管感应击穿，使管子损坏或指标下降。因而在检测MOS管时，应尽量避免栅极悬空，且源极接地要良好，交流电源插头也最好采用三眼插头，并将地线（E 接线柱）与机壳相通。存放时，要将管子三个电极引线短接。

2. 参数定义

（1）输出特性与转移特性

输出特性曲线（I DS－V DS）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图2-1所示。在曲线中，工作区可分为三部分：

微电子器件期末复习题含答案

19、扩散电容反映的是 PN 结的（非平衡载流子）电荷随外加电压的变化率。正向
电流越大，则扩散电容就越（大）
；少子寿命越长，则扩散电容就越（大）。
【P51】
20、在 PN 结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大
的反向电流。引起这个电流的原因是存储在（N）区中的（非平衡载流子）电荷。
14、在 PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（势垒区复合）电流为主；当电压较高
时，以（扩散）电流为主。
15、薄基区二极管是指 PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（该区的少子扩散长度）。
在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性分布）
。
16、小注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远小于该区的（平衡多
振荡频率 f M 。
59、晶体管的高频优值 M 是（功率增益）与（带宽）的乘积。
60、晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它
们是（集电结势垒电容）
、（发射结势垒电容）和（发射结扩散电容）
。
61、对于频率不是特别高的一般高频管， ec 中以（ Ib ）为主，这时提高特征频率 f T 的
；最大功率增益 Kpmax 降
¼
到原来的（）
。
p
57、
当（电流放大系数）降到 1 时的频率称为特征频率 f T 。

微电子器件期末复习题含答案

陈卉/题目王嘉达/答案
答案为个人整理，如有错误请仔细甄别！厚德博学求是创新
50、
发射极增量电阻 re 的表达式（ Re
KT
）。
室温下当发射极电流为 1mA 时，re =（ 26 ）。
q E
51、随着信号频率的提高，晶体管的、的幅度会（下降）
，相角会（滞后）。
29、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数
是指（发射）结正偏、（集电）结零
偏时的（集电极）电流与（基极）电流之比。
30、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（减小）基区宽度，
（降低）基区掺杂浓度。
31、某长方形薄层材料的方块电阻为 100Ω，长度和宽度分别为 300μm 和 60μm ，则
44、BVCEO 是指（基）极开路、
（集电）结反偏，当（ I CEO ）时的 VCE。
45、BVEBO 是指（集电）极开路、
（发射）结反偏，当（ I EBO ）时的 VEB。
46、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（基区）全部占据时，集电极
电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（增加）基区宽度、
所有解答为个人整理，如有错误请仔细甄别！
13 级
期末复习题库
典例解答
电子科技大学/命题
陈
王
卉 /转载

电子科技大学微电子器件习题

第二章PN结

填空题

1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和

（）电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

2015年电子科技大学成都考研真题825密码学基础与网络安全

电子科技大学

2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题

考试科目：825 密码学基础与网络安全

注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、单向选择题（每题1分，共20题，20分）

请在A、B、C和D四个选项中，选择一个最佳答案填写到答题纸上。

1. 下列关于安全服务与安全机制的关系不正确的说法是（）

A. 安全服务由安全机制实现

B. 安全机制与安全服务之间没有关系

C. 一种安全机制可以实现一种安全服务

D. 一种安全服务可以由一种安全机制来实现

2. 按照加密和解密密钥是否相同，密码算法可分为（）

A. 分组密码算法和序列密码算法

B. 对称密码算法和公钥密码算法

C. 基于密钥保密的算法和基于算法保密的算法

D. 古典密码算法和现代密码算法

3. 整数37的欧拉函数(37)

j等于（）

A. 35

B. 36

C. 37

D. 38

4. 反病毒软件具有副作用，当正常操作和病毒操作不能辨别时，可能会造成反病毒系统的（）

A. 误报

B. 不报

C. 漏报

D. 错报

5. 7804的后三位数字是（）

A. 400

B. 401

C. 402

D. 403

6. 以下关于美国国防部所提出的PDRR网络安全模型说法正确的是（）

A. 安全策略（Policy）是PDRR的重要内容

B. 依据PDRR模型，增加系统的保护时间可提高系统的安全性

C. 依据PDRR模型，增加系统的检测时间可提高系统的安全性

D. 依据PDRR模型，应该尽量增加系统暴露时间来提高系统的安全性

7. 以下说法不正确的是（）

A. 非对称加密算法较好地解决了密钥管理问题

成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案

电子科技大学

2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题

考试科目：832 微电子器件

注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共44分，每空1分）

1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到

（）处的电位差。掺杂浓度越高，内建电势将越（）。2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区

之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。

3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。

4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度

梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。

5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。

6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将

（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。

7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。

（填“变大”，“变小”或“不变”）

8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压

越（）。（填“大”或“小”）

9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与

（）电流之比。

10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率

γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。

11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。

12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。

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