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irf9540场效应管参数代换

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IRF9540中文资料_数据手册_参数

Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%.
-ID , D rain-to-S ou rc e C urre nt (A )
100 VGS
TOP
- 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
10
100
VGS
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
G
l Fully Avalanche Rated
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
max. junction temperature. ( See fig. 11 )

irf540nspbf中文资料

IRF540NSPbF IRF540NLPbFHEXFET ® Power MOSFET3/18/04 1Advanced HEXFET ® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.The D 2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D 2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.The through-hole version (IRF540NL) is available for low-profile applications.lAdvanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Ratingl 175°C Operating Temperature l Fast Switchingl Fully Avalanche Rated l Lead-Free DescriptionAbsolute Maximum RatingsParameterMax.UnitsI D @ T C= 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 33I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 23A I DMPulsed Drain Current 110P D @T C = 25°C Power Dissipation 130W Linear Derating Factor 0.87W/°C V GS Gate-to-Source Voltage ± 20V I AR Avalanche Current16A E AR Repetitive Avalanche Energy 13mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 7.0V/ns T J Operating Junction and-55 to + 175T STGStorage Temperature RangeSoldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )°CMounting torque, 6-32 or M3 srew10 lbf•in (1.1N•m)D 2Pak IRF540NSPbF TO-262IRF540NLPbFParameterTyp.Max.UnitsR θJC Junction-to-Case––– 1.15R θJAJunction-to-Ambient (PCB mount)**–––40Thermal Resistance°C/WPD - 95130IRF540NS/LPbFSource-Drain Ratings and CharacteristicsRepetitive rating; pulse width limited bymax. junction temperature. (See fig. 11) Starting T J = 25°C, L =1.5mHR G = 25Ω, I AS = 16A. (See Figure 12)I SD ≤ 16A , di/d t ≤ 340A/µs, V DD ≤ V (BR)DSS , T J ≤ 175°CPulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%.Notes:This is a typical value at device destruction and represents operation outside rated limits.This is a calculated value limited to T J = 175°C . Uses IRF540N data and test conditions.**When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)IRF540NS/LPbF 3Fig 4. Normalized On-ResistanceVs. TemperatureIRF540NS/LPbFFig 8. Maximum Safe Operating AreaGate-to-Source VoltageDrain-to-Source Voltage Fig 7. Typical Source-Drain DiodeForward Voltage1101001000V DS , Drain-toSource Voltage (V)0.11101001000I D , D r a i n -t o -S o u r c e C u r r e n t (A )IRF540NS/LPbF 5Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-CaseCase TemperatureV V d(on)rd(off)fV DDFig 10a. Switching Time Test CircuitFig 10b. Switching Time WaveformsIRF540NS/LPbF6VDSCurrent Sampling ResistorsV GSFig 13b. Gate Charge Test CircuitFig 13a. Basic Gate Charge Waveform Fig 12b. Unclamped Inductive WaveformsI ASFig 12c. Maximum Avalanche EnergyVs. Drain CurrentV DDIRF540NS/LPbF 7Peak Diode Recovery dv/dt Test CircuitV DD* Reverse Polarity of D.U.T for P-ChannelV GS*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices Fig 14. For N-channel HEXFET ® power MOSFETsTO-262 Package OutlineIRF540NS/LPbFData and specifications subject to change without notice.This product has been designed and qualified for the industrial market.Qualification Standards can be found on IR’s Web site.IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105TAC Fax: (310) 252-7903Visit us at for sales contact information .03/04344TRRFEED DIRECTION1.85 (.073)1.65 (.065)1.60 (.063)1.50 (.059)4.10 (.161)3.90 (.153)TRLFEED DIRECTION 10.90 (.429)10.70 (.421)16.10 (.634)15.90 (.626)1.75 (.069)1.25 (.049)11.60 (.457)11.40 (.449)15.42 (.609)15.22 (.601)4.72 (.136)4.52 (.178)24.30 (.957)23.90 (.941)0.368 (.0145)0.342 (.0135)1.60 (.063)1.50 (.059)13.50 (.532)12.80 (.504)330.00(14.173) MAX.27.40 (1.079)23.90 (.941)60.00 (2.362) MIN.30.40 (1.197) MAX.26.40 (1.039)24.40 (.961)NOTES :1. COMFORMS TO EIA-418.2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.3. DIMENSION MEASURED @ HUB.4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.D 2Pak Tape & Reel InfomationDimensions are shown in millimeters (inches)/package/。

40n25场效应管参数

40n25场效应管参数
场效应管（FET）是一种三端器件，其中包括栅极、漏极和源极。

它的特性由许多参数描述，其中一些包括：
1. 饱和漏极电流（IDSS），这是在栅极和源极之间施加零电压时，漏极电流的最大值。

2. 饱和漏极电压（Vp），这是在栅极和源极之间的电压，当漏
极电流达到IDSS时。

3. 转导导纳（gm），这是指在特定工作点处，漏极电流与栅极
-源极电压之间的变化率。

4. 截止电压（VGS(off)），这是栅极-源极电压，当漏极电流
为零时。

5. 输出电导（rd），这是指在特定工作点处，漏极-源极电压
与漏极电流之间的变化率。

6. 输入电阻（Rin），这是指FET的输入端（栅极）的电阻，
通常是指在特定工作点处的值。

这些参数可以根据特定的FET型号和制造商而有所不同。

因此，如果你有特定的FET型号，我可以帮助你找到更准确的参数数值。

IRF9540S中文资料

Max.
-19 -13 -72 150 3.7 1.0 0.025 ±20 640 -19 15 -5.5 -55 to + 175 300 (பைடு நூலகம்.6mm from case)
Units
A W W/°C V mJ A mJ V/ns °C
VGS EAS IAR E AR dv/dt TJ, TSTG
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VDSS = -100V
G S
RDS(on) = 0.20Ω ID = -19A
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SMD-220 is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The SMD-220 is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.

IRF9540中文资料

IRF9540, RF1S9540SM
-100 -100 -19 -12 -76 ±20 150
1 960 -55 to 175
300 260
UNITS V V A A A V W
W/oC mJ oC
oC oC
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this speciﬁcation is not implied.
ID(ON) IGSS rDS(ON) gfs
ID = -250µA, VGS = 0V (Figure 10) VGS = VDS, ID = -250µA VDS = Rated BVDSS, VGS = 0V VDS = 0.8 x Rated BVDSS, VGS = 0V, TC = 125oC VDS > ID(ON) x rDS(ON) MAX, VGS = -10V VGS = ±20V ID = -10A, VGS = -10V (Figures 8, 9) VDS > ID(ON) x rDS(ON) MAX, ID = -6A (Figure 12)
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TL Package Body for 10s, See Techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Tpkg

翔威电子穿心电容规格书

0.1uF
Z
7A 16VDC X7R
LC4030-7008X-100V-223M
额定电压 (DC 直流与 AC 交流)
材料: X=X7R Y=Y5U/Y5V/Y5P N=NPO ……..
S=SL
注意:
1．如果需方有自己的尺寸与规格要求，也可告知我们，我们接受定做。 2．如需定做请尽量提供完整的性能参数及规格尺寸图，以便我们研发生产。 3．免费样品：5 只（特殊产品除外）单位：毫米（MM）
L
L3
L1
D S
M L2
L
L3
L1
D2 D
D1
订货方式：
XW H C 38 22 - 50 08
L2
X -ห้องสมุดไป่ตู้100VDC - 102M
D2/ M
D1/S
公
电路式:
司
C型
名
Pi 型
称
LC 型
T型
L1
d 08=0.8mm 10=1.0mm
安装方式: H:焊接式 L:螺纹式 G:管状式
电容量 + 精度 100=10PF, K=±10% 101=100PF, M=±20% 102=1000PF,S=+50%,-20% 103=0.01uF, Z=+80%,-20% 104=0.1uF, P=+100%,-0% 105=1uF，……
C
100pF
Z
7A 50VDC SL
LC4030-7008S-50V-101Z
4
M3-0.5 0.8 30.3 7 3 8.3 C
100pF
Z
7A 100VDC SL
LC4030-7008X-50V-103Z

艾默生灵冻

使用说明书我们的愿景:艾默生环境优化技术将与我们的合作伙伴一起,向世界范围的客户提供整合的环境优化解决方案,提高人类生活舒适度,保障食品安全,保护环境。

领先技术造就一流产品艾默生环境优化技术,作为艾默生业务板块,是世界领先的家用及工商业应用领域采暖、空调和制冷解决方案提供商。

公司以卓越的技术、工程、设计、销售、培训和服务为全球客户提供定制的气候控制整体解决方案。

艾默生环境优化技术的创新技术,帮助提升人体舒适度、护航食品保鲜,保护环境。

和 ,以节23ZX系列冷凝机组声明感谢购买艾默生环境优化技术提供的ZX系列冷凝机组。

ZX系列冷凝机组在制冷量和运行范围上均表现出市场领先的品质。

ZX冷凝机组专为中温和低温制冷应用而设计,具有高可靠性和高效率的特点,并能持续监控压缩机运行状态,显示冷凝机组的运行或故障状态。

为保证机组的安全可靠运行,ZX系列冷凝机组的安装必须遵循行业标准,其选型、安装和维修必须由专业人员进行。

本用户手册并未包含所有制冷设备安装需遵循的行业准则。

对于由无经验或未经专业培训的人员操作、或由于错误的安装设计造成的损失,将不作为合理的追责理由。

如有任何疑问,请向当地销售办公室提供机组铭牌上的机组型号和序列号进行咨询。

如随机附带的接线图与本手册中的接线图发生不符情况,请以随机附带的接线图为准。

ZX冷凝机组介绍ZX中温、ZXB中温、ZXD数码中温和ZXL低温系列冷凝机组已享誉市场,以其节约能耗、友好的控制体验在亚洲市场取得巨大成功。

ZX/ZXB/ZXD/ZXL机组在亚洲范围内应用于著名的终端用户和冷链零售商现场。

ZX平台产品在全球市场上得到广泛认可,特制开发的机型已出口美国、欧洲和中东市场。

收到机组的检查所有机组运输前均充有一定正压的干氮气。

机组和包装均贴有明显的标签。

机组截止阀上配有维修接口以便检查机组保压状态。

注意!当您从艾默生或授权代表处收到机组时,对每一台机组进行保压检查是非常重要的。

如发现保压已消失,请联系艾默生或授权代表。

SFI9540中文资料

Capacitance [pF]
RDS(on) , [ Ω] Drain-Source On-Resistance
P-CHANNEL POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
VGS
Top : - 15 V
- 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
Drain Current-Pulsed
O1
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
O2
Avalanche Current
O1
Repetitive Avalanche Energy
O1
Peak Diode Recovery dv/dt
O3
25 oC
@ Notes : 1. VGS = 0 V 2. 250 µs Pulse Test
10-1 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
-VSD , Source-Drain Voltage [V]
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Advanced Power MOSFET
SFW/I9540
FEATURES
n Avalanche Rugged Technology n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area n 175oC Operating Temperature n Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = -100V n Low RDS(ON) : 0.161 Ω (Typ.)

日本富士变频器功能表

F27 日本富士变频器功能表时间: 2008年10月01日来源:溧阳电梯网作者: 佚名浏览次数:735 【字体：大中小】一、基本功能功能码名称 LCD 画面显示可设定范围单位最小单位出厂设定运行时变更备注 F00 密码功能 F00 DATA PRTC 0--FFFF - - 0F01 频率设定1 F01 FREQ CMD 1 0:键盘操作(∧∨键) 1:电压输入(端子12)(0--+10VDC)2:电流输入(端子C1)(4--20mADC)3:电压输入+电流输入(端子12+端子C1)4:用极性信号可作反向运行(端子12)(0--10VDC) - - 0 F02 运行操作 F02 OPR METHOD 0:键盘操作 FWD REV STOP 键1:外部信号(数字输入)(用 FWD REV 端子信号运行) - - 0 选择运行操作的输入方式F03 最高输出频率1 F03 MAX Hz - 1 50 - 120 Hz 1 60 可设定输出的最高频率 F04 基本频率1 F04 BASE Hz - 1 25 - 120 Hz 1 50 设定基本频率F05 额定电压1（基本频率1时） F05 RADET V - 1 0:输出与电源电压成比例的电压80 - 240: AVR 动作(200V 级)320 - 480: AVR 动作(400V 级) V 1 200V 级:200400V 级:400 设定基本频率1(F04)时的电压F06 最高输出电压1（最高输出频率时） F06 MAX V - 1 80 - 240V: AVR 动作(200V 级)320 - 480V: AVR 动作(400V 级) V 1 200V 级:200400V 级:400 设定最高输出频率1(F03)时的电压F07 加减速时间1 F07 ACC TIME 1 0.01-3600 s 0.01 6.00 ∨F08 加减速时间2 F08 DEC TIME 1 0.01-3600 s 0.01 6.00 ∨F09 转矩提升1 F09 TRQ BOOST 1 0.0:自动转矩提升(恒转矩特性负载用)0.1-0.9:平方转矩特性负载用1.0-1.9:比例转矩特性负载用2.0-20.0:恒转矩特性负载用 - 0.1 0.0 ∨F10 电子继电器动作选择 F10 ELCTRN OL 1 0:不动作1:动作(通用电机)2:动作(变频专用电机) - - 2 ∨F11 电子继电器动作值 F11 OL LEVEL 1 变频器额定电流的20-135%电流值为A的设定值 A 0.01 *1) ∨F12 电子继电器热时间常数 F12 TIME CNST 1 0.5 - 75.0 min 0.1 5.0 ∨F13 未使用（DB电阻） F13 DBR OL 数据保护 - - - -F14 未使用（再启动） F14 RESTART 数据保护 - - - -F15 频率上限 F15 H LIMITER 0 - 120 Hz 1 70 ∨F16 频率下限 F16 L LIMITER 0 - 120 Hz 1 0 ∨F17 增益（频率设定信号） F17 FREQ GAIN 0.0 - 200.0 % 0.1 100.0 ∨F18 偏置频率 F18 FREQ BIAS -120.0 - +120.0 Hz 0.1 0.0 ∨F19 不使用 - - - - - -F20 直流制动开始频率 F20 DC BRK Hz 0.0 - 60.0 Hz 0.1 0.0 ∨F21 直流制动动作值 F21 DC BRK LVL 0 - 100 % 1 0 ∨F22 直流制动时间 F22 DC BRK t 0.0s(不动作)0.1 - 30.0 s 0.1 0.0 ∨F23 起动频率 F23 START Hz 0.0 - 60.0 Hz 0.1 0.0F24 起动频率持续时间 F24 HOLDING Hz 0.0 - 10.0 s 0.1 0.0 ×F25 停止频率 F25 STOP Hz 0.1 - 6.0 Hz 0.1 0.1 ×F26 电机转动声(载波频率) F26 MTR SOUND 2 - 15 KHz 1 15 ∨下一页电机转动声(音色)F27 MTR TONE 0:0级1:1级2:2级3:3级 - - 0 ∨可选择4种音调.载波频率(F26)在7[KHz]以下时有效,即使超过7[KHz]时也可设定,不过不能调整音色.F28 不使用 - - - - - -F29 不使用 - - - - - -F30 FMA端子电压调整 F30 FMA V - ADJ 0 - 200 % 1 100 ∨F31 FMA端子功能选择 F31 FMA FUNC 0:速度调节器设定值( BSR )1:输出频率2:输出电流3:输出电压4:转矩指令输出( BSFB )5:负载率6:耗电7:未使用8:检测速度9:直流中间电压10:未使用11:转矩偏置平衡调整( BTBB )12:转矩偏置增益调整( BTBG ) - - 0 ∨ FMA端子0 - 10V定义0:0-最高速度(绝对值)1:0-最高频率(绝对值)8:0-最高速度(绝对值)11:转矩-100% - +100%12:转矩-100% - +100%F32 不使用 - - - - - -F33 FMP端子脉冲率 F33 FMP PULSES 300 - 6000 (100%时的脉冲) p/s 1 1440 ∨F34 FMP端子电压调整 F34 FMP V - ADJ 0:脉冲频率输出(50%幅值固定)1 - 200:输出电压调整(2670p/s固定,脉冲宽度调整) % 1 0 ∨F35 FMP端子功能选择 F35 FMP FUNC 0:速度调节器设定值1:输出频率2:输出电流3:输出电压4:输出转矩5:负载率6:耗电7:未使用8:检测速度9:直流中间电路电压10:未使用 - - 0 ∨ FMA端子0-10V的定义0:0-最高速度(绝对值)1:0-最高频率(绝对值)8:0-最高速度(绝对值)F36 30RY动作模式 F36 30RY MODE 0:跳闸时激磁动作1:通常时激磁动作 - - 0 ×F37 不使用 - - - - - -F38 不使用 - - - - - -F39 不使用 - - - - - -F40 转矩限制1(驱动) F40 DRV TRQ 1 20 - 200 999(不动作) % 1 200 ∨F41 转矩限制1(制动) F41 BRK TRQ 1 0 (再生回避),20 - 200 999(不动作) % 1 200 ∨F42 未使用 F42 TRQVECTOR 1 数据保护 - - - -二、端子功能功能码名称 LCD画面显示可设定范围单位最小单位出厂设定运行时变更备注E01 X1端子功能选择 E01 X1 FUNC 多段速频率选择段段多段速频率选择段段多段速频率选择段段未使用未使用未使用自由运转指令异常复位外部报警点动运行未使用未使用直流制动指令未使用未使用未使用未使用未使用允许编辑指令可更换数据未使用未使用未使用取消转矩控制选择链接运行万能未使用未使用未使用零速指令未使用强制停止预备激磁转矩偏置段段转矩偏置段段转矩偏置段段选择畜电池运行转矩偏置保持 - - 0 ×E02 X2端子功能选择 E02 X2 FUNC - - 1 ×E03 X3端子功能选择 E03 X3 FUNC - - 2 ×E04 X4端子功能选择 E04 X4 FUNC - - 8 ×E05 X5端子功能选择 E05 X5 FUNC - - 4 ×E06 X6端子功能选择 E06 X6 FUNC - - 4 ×E07 X7端子功能选择 E07 X7 FUNC - - 4 ×E08 X8端子功能选择 E08 X8 FUNC - - 4 ×E09 X9端子功能选择 E09 X9 FUNC - - 4 ×E10 加速时间2 E10 ACC TIME 2 0.01 - 3600 s 0.01 6.00 ∨E11 减速时间 2 E11 DEC TIME 2 0.01 - 3600 s 0.01 6.00 ∨E12 加速时间 3 E12 ACC TIME 3 0.01 - 3600 s 0.01 6.00 ∨E13 减速时间 3 E13 DEC TIME 3 0.01 -3600 s 0.01 6.00 ∨E14 加速时间 4 E14 ACC TIME 4 0.01 - 3600 s 0.01 6.00 ∨E15 减速时间 4 E15 DEC TIME 4 0.01 - 3600 s 0.01 6.00 ∨E16 未使用 E16 DRV TRQ 2 数据保护 - - - -E17 未使用 E17 BRK TRQ 2 数据保护 - - - -E18 未使用 - - - - - -E19 未使用 - - - - - -E20 Y1 端子功能选择 E20 Y1 FUNC 运行中频率到达的频率检测欠电压停止中转矩控制检测制动驱动转矩限制中未使用过载预报面板运行中停止中运行准备中未使用未使用未使用未使用端子功能用未使用未使用未使用未使用未使用跳闸原因显示信号跳闸原因显示信号跳闸原因显示信号跳闸原因显示信号冷却风扇控制未使用万用散热片过热预报未使用未使用频率检测过载预报未使用速度有信号制动控制信号加速中减速中速度一致制动控制信号 - - 0 ×E21 Y2 端子功能选择 E21 Y2 FUNC - - 38 ×E22 Y3 端子功能选择 E22 Y3 FUNC - - 39 ×E23 Y4 端子功能选择 E23 Y4 FUNC - - 6 ×E24 Y5A Y5C 端子(RY输出) E24 Y5 FUNC - - 6 ×E25 Y5RY 动作模式 E25 Y5RY MODE 0:用ON 信号激磁1:用OFF信号激磁 - - 0 -E26 未使用 - - - - - -E27 未使用 - - - - - -E28 未使用 - - - - - -E29 未使用 - - - - - -E30 速度一致(FAR)(检出值) E30 FAR HYSTR 0.0 - 10.0 Hz 0.1 2.5 ∨E31 频率检测(FDT)(动作值) E31 FDT LEVEL 0.0 - 120.0 Hz 0.1 60.0 ∨E32 频率检测(FDT)(滞后幅值) E32 FDT HYSTR 0.0 - 30.0 Hz 0.1 0 ∨E33 过载预报动作选择 E33 OL WARNING 0:电子热继电器1:输出电流 - - 0 ∨E34 过载预报动作值 E34 OL LEVEL 变频器额定电流的5 - 200 % 0.01 *1) ∨E35 过载预报定时器时间 E35 OL TIMER 0.0 - 60.0 s 0.1 10.0 ∨E36 频率检测2(FDT2)动作值 E36 FDT2 LEVEL 0.0 - 120 Hz 0.1 60.0 ∨E37 过载预报2 动作值 E37 OL2 LEVEL 变频器额定电流的5 - 200 % 0.01 *1) ∨E38 未使用 - - - - - -E39 未使用 - - - - - -E40 显示系数A E40 COEF A 0.00 - 200.0 - 0.01 100.0 ∨E41 显示系数B E41 COEF B -100.00 - - -100.00 ∨设定不能修改E42 显示滤波器 E42 DISPLAYFL 0.0 - 5.0 s 0.1 0.5 ∨E43 LDE 监示器(显示选择) E43 LDE MNTR 0:速度调节器设定值[BSR] 1:输出频率2:频率设定值3:输出电流4:输出电压5:电机转速6:线速度7:负载转速8:转矩运算值9:耗电10:转矩偏置平衡调整 [BTBB] 11:转矩偏置平衡调整 [BTBB]12:转矩偏置增益调整 [BTBG] - - 0 ∨ E44 LCD 监示器(停止显示) E44 LCD MNTR 2 0:设定值显示1:输出值显示 - - 0 ∨ 变频器停止时的LED 显示内容的设定E45 LCD 监示器显示选择 E45 LCD MNTR 0:操作指导显示画面1:条形图(输出频率,输出电流,输出转矩) - - 0 ∨ 以变频器额定电流作基准显示 E46 LCD 监示器语种选择 E46 LANGUAGE 0:日本语1:英语2:德语3:法语4:西班牙语5:意大利语 - - 0 ∨E47 LCD 监示器对比度调整 E47 CONTRAST 0(浅) - 10(深) - - 5 ∨三、控制功能功能码名称 LCD 画面显示可设定范围单位最小单位出厂设定运行时变更备注 C01 频率跳越 1 C01 JUMP Hz1 0 - 120 Hz 1 0 ∨C02 频率跳越 2 C02 JUMP Hz2 0 - 120 Hz 1 0 ∨C03 频率跳越 3 C03 JUMP Hz3 0 - 120 Hz 1 0 ∨C04 频率跳越幅值 C04 JUMP HYSTR 0 - 30 Hz 1 60 ∨C05 多段频率 1 C05 MULTI Hz-1 0.00 - 120.00 Hz 0.01 0.00 ∨C06 多段频率 2 C06 MULTI Hz-2 0.00 - 120.00 Hz 0.01 0.00 ∨C07 多段频率 3 C07 MULTI Hz-3 0.00 - 120.00 Hz 0.01 0.00 ∨C08 多段频率 4 C08 MULTI Hz-4 0.00 - 120.00 Hz 0.01 0.00 ∨C09 多段频率 5 C09 MULTI Hz-5 0.00 - 120.00 Hz 0.01 0.00 ∨C10 多段频率 6 C10 MULTI Hz-6 0.00 - 120.00 Hz 0.01 0.00 ∨C11 多段频率 7 C11 MULTI Hz-7 0.00 - 120.00 Hz 0.01 0.00 ∨C12 多段频率 0 C12 MULTI Hz-8 0.00 - 120.00 Hz 0.01 0.00 ∨C13 蓄电池运行速度 C13 MULTI Hz-9 0.00 - 120.00 Hz 0.01 0.00 ∨ C14 未使用 C14 MULTI Hz-10 数据保护 - - - -C15 未使用 C15 MULTI Hz-11 数据保护 - - - -C16 未使用 C16 MULTI Hz-12 数据保护 - - - -C17 未使用 C17 MULTI Hz-13 数据保护 - - - -C18 未使用 C18 MULTI Hz-14 数据保护 - - - -C19 未使用 C19 MULTI Hz-15 数据保护 - - - -C20 点动频率 C20 JOG Hz 0.00 - 120.00 Hz 0.01 5.00 ∨C21 未使用 C21 PATTERN 数据保护 - - - -C22 未使用 C22 STAGE 1 数据保护 - - - -C23 未使用 C23 STAGE 2 数据保护 - - - -C24 未使用 C24 STAGE 3 数据保护 - - - -C25 未使用 C25 STAGE 4 数据保护 - - - -C26 未使用 C26 STAGE 5 数据保护 - - - -C27 未使用 C27 STAGE 6 数据保护 - - - - C28 未使用 C28 STAGE 7 数据保护 - - - -C29 未使用 - - - - - - C30 未使用 C30 FREQ CMD 2 数据保护 - - - -C31 模拟输入(端子12) C31 OFFSET 12 -100.0 -- +100.0 % 0.1 0.0 ∨ C32 偏值调整(端子C1) C32 OFFSET C1 -100.0 -- +100.0 % 0.1 0.0 ∨ C33 模拟输入滤波器 C33 REF FILTER 0.00 -- 5.00 s 0.01 0.05 ∨四、电动机1 参数功能码名称 LCD 画面显示可设定范围单位最小单位出厂设定运行时变更备注 P01 电机1极数 P01 M1 POLES 2 - 14 极 2 4P02 电机1容量 P02 M1 CAP 0.01 - 45.00 KW 0.01 *1)P03 电机1额定电流 P03 M1 -Ir 0.00 - 2000 A 0.01 *1)P04 电机1自整定 P04 M1 TUN 1 0:不动作1:动作(电机停止状态下整定%R1,%X)2:动作(电机旋转状态下整定%R1,%X) - - 0P05 电机1在线自整 P05 M1 TUN 2 0:不动作1:动作 - - 0P06 电机1空载电流 P06 M1 -Io 0.00 - 2000 A 0.01 *1)P07 电机1%R1 P07 M1 -%R1 0.00 - 50.00 % 0.01 *1) ∨P08 电机1%X P08 M1 -%X 0.00 - 50.00 % 0.01 *1) ∨P09 电机1转差补偿量 P09 SLIP COMP 1 0.00 - 15.00 Hz - 0.00 ∨五、高级功能功能码名称LCD 画面显示可设定范围单位最小单位出厂设定运行时变更备注H01未使用------H02未使用------H03数据初始化H03 DATA INIT0:使用说明书设定值 1:初始值(出厂设定值) --H04未使用H04 AUTO-RESET数据保护----H05未使用H05 RESET INF数据保护----H06冷却风扇ON/OFF控制H06 FAN STOP0:不动作1:动作--∨H07未使用H07 ACC PTN数据保护----H08未使用H08 REV LOICK数据保护----H09未使用H09 START MODE 数据保护----H10未使用H10 ENERGY SAV 数据保护----H11减速模式H11 DEC MODE 0:常规减速1:自由运行--∨H12瞬时过电流限制H12 INST CL0:不动作1:动作--H13未使用H13 RESTART t数据保护----H14电流限制时频率降低率H14 FALL RATE0.00 - 100.00Hz/s0.0110.00∨H15未使用H15 HOLD V数据保护----H16未使用H16 SELFHOLD t数据保护----H17未使用-----H18转矩控制动作选择H18 TRQ CTRL0:不动作1:端子12(模拟输入)转矩指令(无极性)(0 - +10V/0 - 200%) 2:端子12(模拟输入)转矩指令(无极性)(0 - 10V/0- 200%) 3:端子12(模拟输入)转矩偏置(无极性)(0 - 10V/0- 100%) 4:端子C1(模拟输入)转矩偏置(无极性)(4 - 20mA/0 - 100%) --H19未使用H19 AUT RED-----H20未使用H20 PID MODE-----H21未使用H21 FB SIGNAL----H22未使用H22 P-GAIN-----H23未使用H23 I-GAIN-----H24未使用H24 D-GAIN-----H25未使用H26PTC 热敏电阻动作选择H26 PTC MODE0:不动作1:动作-∨H27PTC 热敏电阻动作值H27 PTC LEVEL0.00 - 5.00V0.011.60∨H28未使用H28 DROOP数据保护----H29未使用------H30链接功能动作选择H30 LINK FUNK0 - 3-∨H31RS485设定站址H31 RS485 ADDRESS1 - 31-11H32RS485设定发生出错时动作选择H32 MODE ON ER0 - 3--∨H33RS485设定出错处理定时器时间H33 TIMER0.0 - 60.0s0.12.0∨H34RS485设定传送速度H34 BAUD RATE0 - 4--1H35RS485 数据长度选择H35 LENGTH0: 8bit 1:7bit--∨H36RS485 奇偶位选择H36 PARITY0 - 2--H37RS485 停止位选择H37 STOP BITS0:2bit 1:1bit--∨H38RS485 检测通信中断时间H38 NO RES t0:无检测1:1 -60s1∨RS485 间隔响应时间H39 INTERVAL0.00 - 100s0.010.01∨六、电动机2参数功能码名称 LCD画面显示可设定范围单位最小单位出厂设定运行时变更备注A01 未使用 A01 MAX Hz-2 数据保护 - - - -A02 未使用 A02 BASE Hz-2 数据保护 - - - -A03 未使用 A03 RATED V-2 数据保护 - - - -A04 未使用 A04 MAX V-2 数据保护 - - - -A05 未使用 A05 TRQ BOOST 2 数据保护 - - - -A06 未使用 A06 ELCTRN OL 2 数据保护 - - - -A07 未使用 A07 OL LEVET 2 数据保护 - - - -A08 未使用 A08 TIME CNST 2 数据保护 - - - -A09 未使用 A09 TRQVECTOR 2 数据保护 - - - -A10 未使用 A10 M2 POLES 数据保护 - - - -A11 未使用 A11 M2-CAP 数据保护 - - - -A12 未使用 A12 M2-Ir 数据保护 - - - -A13 未使用 A13 M2 TUN 1 数据保护 - - - -A14 未使用 A14 M2 TUN 2 数据保护 - - - -A15 未使用 A15 M2-To 数据保护 - - - -A16 未使用 A16 M2-%R1 数据保护 - - - -A17 未使用 A17 M2-%X 数据保护 - - - -A18 未使用 A18 SLIP COMP 2 数据保护 - - - -七、选项功能码名称 LCD画面显示可设定范围单位最小单位出厂设定运行时变更备注o01 选择速度指令方式 o01 选项01 0:标准1:矢量控制 - - 1o02 速度指令滤波器时间常数 o02 选项02 0.000 - 5.000 s 0.001 0.020 ∨o03 编码器脉冲数 o03 选项03 20 - 3000 P 1 1024o04 ASR P常数(高速时) o04 选项04 0.01 - 200.00 倍 0.01 40.00 ∨o05 ASR I常数 o05 选项05 0.000 - 5.000 倍 0.001 0.003 ∨o06 速度检测用滤波器时间常数 o06 选项 06 0.000 - 5.000 - 0.001 0.003 ∨ o07 ASR P 常数切换频率1 o07 选项 07 0 - 120 Hz 1 5 ∨o08 ASR P 常数切换频率 2 o08 选项 08 0 -120 Hz 1 10 ∨o09 ASR P 常数(低速时) o09 选项 09 0.01 - 200.00 倍 0.01 40.00 ∨o10 多段速度指令一致定时器 o10 选项 10 0.000 - 0.100 s 0.001 0.005 ∨o11 加减速时间 9 o11 选项 11 0.01 - 3600 s 0.01 6.00 ∨o12 加减速时间 10 o12 选项 12 0 - 50 % 1 0o13 S 字设定 1 o13 选项 13 0 - 50 % 1 0o14 S 字设定 2 o14 选项 14 0 - 50 % 1 0o15 S 字设定 3 o15 选项 15 0 - 50 % 1 0o16 S 字设定 4 o16 选项 16 0 - 50 % 1 0o17 S 字设定 5 o17 选项 17 0 - 50 % 1 0o18 S 字设定 6 o18 选项 18 0 - 50 % 1 0o19 S 字设定 7 019 选项 19 0 - 50 % 1 0o20 S 字设定 8 o20 选项 20 0 - 50 % 1 0o21 S 字设定 9 o21 选项 21 0 - 50 % 1 0o22 S 字设定 10 o22 选项 22 0 - 50 % 1 0o23 运行指令一致定时器 o23 选项 23 0.000 - 0.100 s 0.001 0.000 ∨o24 转矩偏置起动定时器 o24 选项 24 0.00 - 1.00 s 0.01 0.2 ∨o25 制动释放定时器 o25 选项 25 0.00 - 5.00 s 0.01 0.1 ∨o26 制动抱闸定时器 o26 选项 26 0.00 - 5.00 s 0.01 0.1 ∨o27 速度一致检测幅 o27 选项 27 0.0 - 25.0 % 0.01 0.1 ∨o28 速度一致OFF 延迟 o28 选项 28 0.00 - 10.00 s 0.01 0.10 ∨o29 控制开关 o29 选项 29 0 - 3 - 1 0o30 Di 转矩偏置 0 o30 选项 30 -200 - +200 % 1 0 ∨o31 Di 转矩偏置 1 o31 选项 31 -200 - +200 % 1 0 ∨o32 Di 转矩偏置 2 o32 选项 32 -200 - +200 % 1 0 ∨o33 Di 转矩偏置 3 o33 选项 33 -200 - +200 % 1 0 ∨o34 Di 转矩偏置 4 o34 选项 34 -200 - +200 % 1 0 ∨o35 Ai 转矩偏置驱动侧 o35 选项 35 0.0 - 200.0 % 0.1 100.0 ∨o36 增益制动侧 o36 选项 36 0.0 - 200.0 % 0.1 100.0 ∨o37 转矩指令滤波器时间常数 o37 选项 37 0.000 - 5.000 s 0.001 0.000 ∨o38 起动时间 o38 选项 38 0.00 - 10.00 s 0.01 0.00o39 选择速度 0 o39 选项 39 000 - 111 - - 000o40 选择速度 1 o40 选项 40 000 -111 - - 001o41 选择速度 2 o41 选项 41 000 - 111 - - 010o42 选择速度 3 o42 选项 42 000 - 111 - - 011o43 选择速度 4 o43 选项 43 000 - 111 - - 100o44 选择速度5 o44 选项44 000 - 111 - - 101o45 选择速度6 o45 选项45 000 - 111 - - 110o46 选择速度7 046 选项46 000 - 111 - - 111富士FRE G11UD变频器故障代码表报警名称键盘面板显示动作内容LEDLCD过电流OC1OC DURING ACC加速时电动机过电流，输出电路相间或对地短路，变频器输出电流瞬时值超过过电流检出值时，过电流保护功能动作。

全系列场效应管参数

全系列场效应管参数场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关和调节等功能。

场效应管有三种主要类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘体门极场效应管（IGFET）。

（一）结型场效应管（JFET）结型场效应管是最早出现的一种场效应管。

它可以分为N沟道型（N-channel）和P沟道型（P-channel）两种。

1.N沟道型JFET的主要参数：（1）漏极电流（IDSS）：即在栅极与源极之间施加零偏压时，漏级电流的最大值。

它是JFET工作时的参考电流。

（2）增益参数（gm）：漏极电流对栅极-源极电压变化的响应速度，也是电流放大系数。

（3）转导电导（gm）：指沟道中的电流与栅极电压之间的关系。

（4）金属-半导体界面反向电容（Cgd）：栅极-漏极间的电容。

（5）漏极电流温度系数（IDSS/°C）：指漏极电流随温度变化的百分比。

2.P沟道型JFET的主要参数与N沟道型类似。

（二）金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）金属氧化物半导体场效应管是目前最常用的场效应管。

它也可以分为N沟道型和P沟道型两种。

1.N沟道型MOSFET的主要参数：（1）漏极电流（ID）：漏极电流的大小。

（2）增益参数（gm）：漏极电流对栅极电压变化的响应速度，类似于JFET中的增益参数。

（3）沟道电阻（RDSon）：沟道中的电阻。

（4）栅极电压范围（VGS）：栅极电压的最大允许范围。

（5）漏极-源极电流温度系数（ID/°C）：指漏极-源极电流随温度变化的百分比。

2.P沟道型MOSFET的主要参数与N沟道型类似。

（三）绝缘体门极场效应管（IGFET）绝缘体门极场效应管是一种特殊的MOSFET，其中绝缘层用于隔离栅极和沟道。

1.二极管结型（D-MOSFET）的主要参数：（1）漏极电流（ID）：漏级电流的大小。

（2）增益参数（gm）：漏级电流对栅极电压变化的响应速度。

IRF9530NPBF中文资料

Thermal Resistance
RθJC RθCS RθJA
Parameter Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat, Greased Surface Junction-to-Ambient
PD - 94980
IRF9530NPbF
HEXFET® Power MOSFET
D
VDSS = -100V
RDS(on) = 0.20Ω
ID = -14A
S
TO-220AB
Max. -14 -10 -56 79 0.53 ± 20 250 -8.4 7.9 -5.0 -55 to + 175
300 (1.6mm from case ) 10 lbfin (1.1Nm)
Typ. 0.50
4.5
7.5
760 260 170
Units V
V/°C Ω V S µA nA
nC
ns
nH
pF
Conditions
VGS = 0V, ID = -250µA
Reference to 25°C, ID = -1mA VGS = -10V, ID = -8.4A
VDS = VGS, ID = -250µA VDS = -50V, ID = -8.4A
VDS = -100V, VGS = 0V VDS = -80V, VGS = 0V, TJ = 150°C
VGS = 20V VGS = -20V
ID = -8.4A VDS = -80V
VGS = -10V, See Fig. 6 and 13 VDD = -50V
l Lead-Free
Description

几种常用的MOS管参数、应用电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF9540

⼏种常⽤的MOS管参数、应⽤电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF95401. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)，漏极（Drain—D）漏源电压（Vdss）100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）33A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻44mΩ @ 16A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）130W类型N沟道IRF540N（NMOS管）应⽤电路MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。

说⽩了，给箭头⽅向相反的压降就是导通，⽅向相同就是截⽌可以在单⽚机和栅极之间加⼀个1k的电阻，起到限流作⽤；此外，可以栅极和源极之间加⼀个10k的电阻，⼀是为提供；⼆是起到泻放电阻的作⽤：保护栅极G-源极S2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）23A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻117mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）140W类型P沟道IRF9540N（PMOS管）应⽤电路3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。

漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）19A(Tc)栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻200mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）150W(Tc)类型P沟道。

irf540参数

IRF540参数简介IRF540是一种高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。

它具有低开启电阻和高电流能力，适用于各种高电压和高功率应用，如电源开关、电机驱动器和电子开关等。

参数概述IRF540的参数可以分为静态参数和动态参数两部分：静态参数静态参数是指在稳态工作条件下的性能指标，包括： - 额定电压：VDS（Drain-Source Voltage）表示MOSFET的最大允许电压，通常为100V。

- 额定电流：ID （Drain Current）表示经过MOSFET的最大允许电流，它受到功率和散热的限制，通常为28A。

- 导通电阻：RDS(ON)（Drain-Source On-Resistance）表示MOSFET在导通状态下的电阻，一般为0.077Ω。

- 阈值电压：VGS(TH)（Gate-Source Threshold Voltage）表示MOSFET的门极阈值电压，它决定了其导通状态，通常为2-4V。

- 级间电容：Ciss（Input Capacitance）表示MOSFET的输入电容，一般为1100pF。

- 级间电容：Crss（Reverse Transfer Capacitance）表示MOSFET的反向传输电容，一般为5pF。

- 输出电容：Coss（Output Capacitance）表示MOSFET的输出电容，一般为400pF。

动态参数动态参数是指在快速开关过程中的性能指标，包括： - 上升时间：tr（Turn-On Time）表示MOSFET从导通到截止的时间，当输入信号施加到开关管时，tr是S型曲线上的一点。

- 下降时间：tf（Turn-Off Time）表示MOSFET从截止到导通的时间。

主要应用IRF540由于其高功率和高电流能力，在各个领域中得到了广泛的应用，包括但不限于以下几个方面：电源开关IRF540可以作为电源开关使用，用于调节和分配电源。

功率放大芯片IRF540NS资料

IRF540NSIRF540NLHEXFET ® Power MOSFET02/14/02 1Advanced HEXFET ®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.The D 2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D 2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.The through-hole version (IRF540NL) is available for low-profile applications.lAdvanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Ratingl 175°C Operating Temperature l Fast Switchingl Fully Avalanche Rated Description Absolute Maximum RatingsParameterMax.UnitsI D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS@ 10V 33I D @ TC = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 23A I DMPulsed Drain Current 110P D @T C = 25°C Power Dissipation 130WLinear Derating Factor 0.87W/°C V GS Gate-to-Source Voltage ± 20V I AR Avalanche Current16A E AR Repetitive Avalanche Energy 13mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 7.0V/ns T J Operating Junction and-55 to + 175T STGStorage Temperature RangeSoldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )°CMounting torque, 6-32 or M3 srew10 lbf •in (1.1N •m)D 2Pak IRF540NS TO-262IRF540NLParameterTyp.Max.UnitsR θJC Junction-to-Case––– 1.15R θJAJunction-to-Ambient (PCB mount)**–––40Thermal Resistance°C/WPD - 91342IRF540NS/IRF540NLSource-Drain Ratings and CharacteristicsRepetitive rating; pulse width limited bymax. junction temperature. (See fig. 11) Starting T J = 25°C, L =1.5mHR G = 25Ω, I AS = 16A. (See Figure 12)I SD ≤ 16A, di/dt ≤ 340A/µs, V DD ≤ V (BR)DSS , T J ≤ 175°CPulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%.Notes:This is a typical value at device destruction and represents operation outside rated limits.This is a calculated value limited to T J = 175°C . Uses IRF540N data and test conditions.**When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)IRF540NS/IRF540NL 3Fig 4. Normalized On-ResistanceVs. TemperatureIRF540NS/IRF540NLFig 8. Maximum Safe Operating AreaGate-to-Source VoltageFig 5. Typical Capacitance Vs.Drain-to-Source Voltage Fig 7. Typical Source-Drain DiodeForward Voltage1101001000V DS , Drain-toSource Voltage (V)0.11101001000I D , D r a i n -t o -S o u r c e C u r r e n t (A )IRF540NS/IRF540NL 5Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-CaseCase TemperatureV V d(on)rd(off)fV DDFig 10a. Switching Time Test CircuitFig 10b. Switching Time WaveformsIRF540NS/IRF540NL6VDSCurrent Sampling ResistorsV GSFig 13b. Gate Charge Test CircuitFig 13a. Basic Gate Charge Waveform Fig 12b. Unclamped Inductive WaveformsI A SFig 12c. Maximum Avalanche EnergyVs. Drain CurrentV D DRIRF540NS/IRF540NL 7Peak Diode Recovery dv/dt Test CircuitV DD* Reverse Polarity of D.U.T for P-ChannelV GS*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices Fig 14. For N-channel HEXFET ® power MOSFETsIRF540NS/IRF540NLD 2Pak Package OutlineD 2Pak Part Marking Information10.16 (.400) RE F.6.47 (.255)6.18 (.243)2.61 (.103)2.32 (.091)8.89 (.350) RE F.- B -1.32 (.052)1.22 (.048)2.79 (.110)2.29 (.090)1.39 (.055)1.14 (.045)5.28 (.208)4.78 (.188)4.69 (.185)4.20 (.165)10.54 (.415)10.29 (.405)- A -21 315.49 (.610)14.73 (.580)3X0.93 (.037)0.69 (.027)5.08 (.200)3X1.40 (.055)1.14 (.045)1.78 (.070)1.27 (.050)1.40 (.055) M AX.NO TE S:1 DIM ENS IONS A FTER SO LDE R DIP.2 DIM ENSIONING & TOLE RANCING P ER ANS I Y14.5M , 1982. 3 CONTROLLING DIM ENS ION : INCH.4 HE ATSINK & LEA D DIM E NSIONS DO NOT INCLUDE B URRS.0.55 (.022)0.46 (.018)0.25 (.010) M B A MMINIMUM RECOM ME NDE D F OOTP RINT11.43 (.450)8.89 (.350)17.78 (.700)3.81 (.150)2.08 (.082) 2XLE AD AS SIGNME NTS 1 - GATE 2 - DRA IN 3 - SOURCE2.54 (.100) 2XT N UM B ERIN TER NA RE CTIFIE R LO G O DATE C OD E (YYW W )YY = YEAR W W = W EE KA S SEM BLY LO T CO DEIRF540NS/IRF540NL 9TO-262 Package OutlineIRF540NS/IRF540NLData and specifications subject to change without notice.This product has been designed and qualified for the industrial market.Qualification Standards can be found on IR ’s Web site.IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105TAC Fax: (310) 252-7903Visit us at for sales contact information .02/02D 2Pak Tape & Reel Information344TR RFEED D IRE CTION1.85 (.073)1.65 (.065) 1.60 (.063)1.50 (.059)4.10(.161)3.90(.153)TR LFEE D D IREC TIO N 10.90(.429)10.70(.421)16.10(.634)15.90(.626)1.75 (.069)1.25 (.049)11.60(.457)11.40(.449)15.42 (.609)15.22 (.601)4.72 (.136)4.52 (.178)24.30 (.957)23.90 (.941)0.368 (.0145)0.342 (.0135)1.60 (.063)1.50 (.059)13.50 (.532)12.80 (.504)330.00(14.173) M A X.27.40 (1.079)23.90 (.941)60.00 (2.362) M IN.30.40 (1.197) M A X.26.40 (1.039)24.40 (.961)N O TE S :1. CO M F OR M S TO E IA -418.2. CO N TR O L LIN G D IM E N SIO N : M IL LIM E T ER.3. DIM E NS IO N M EA S UR E D @ H U B.4. IN C LU D ES FL AN G E DIST O R T IO N @ O UT E R E D G E.。

irf240参数及代换

irf240参数及代换
【最新版】
目录
1.IRF240 概述
2.IRF240 参数详解
3.IRF240 的代换方法
4.结语
正文
一、IRF240 概述
IRF240 是一款由 Infineon 公司生产的双极型晶体管，具有高速、高电流、低失真以及高电压等特性。

广泛应用于开关模式电源、信号放大、高频信号开关等电子设备中。

二、IRF240 参数详解
1.集电极 - 发射极电压 VCEO：该参数表示在集电极和发射极之间的最大可重复电压，IRF240 的 VCEO 为 500V。

2.集电极 - 基极电压 VCBO：该参数表示在集电极和基极之间的最大可重复电压，IRF240 的 VCBO 为 60V。

3.发射极 - 基极电压 VBE：该参数表示在发射极和基极之间的最小电压，IRF240 的 VBE 为 0.7V。

4.集电极电流 IC：该参数表示在集电极上的最大连续电流，IRF240 的 IC 为 15A。

5.功耗 Pd：该参数表示设备在关闭状态下的功耗，IRF240 的 Pd 为250mW。

三、IRF240 的代换方法
在实际应用中，有时需要对 IRF240 进行代换。

以下是 IRF240 的代换方法：
1.根据电路设计要求，选择合适的晶体管型号。

2.确保所选晶体管的电压、电流等参数与 IRF240 相近。

3.将所选晶体管的引脚与 IRF240 的对应引脚相连接。

4.在焊接时，注意焊接温度和时间，防止对晶体管造成损坏。

四、结语
IRF240 作为一款性能优越的晶体管，在电子设备中有着广泛的应用。