六西格玛在长电科技半导体封装制程中的推行及运用(下)

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评估项目：ＩＭＣ生长厚度Ｂ时间（）ｈ
ｌ０５４
ｌ５６６
１５７８
对ＩＣ厚度数据收集了２组，Ｍ５如表４所示。
品质特性：ＭＩｃ厚度约３ｕ．ｒ０ｎ
田口分析：根据信噪比最大值判断，最佳参数组合为ＡＢ即后固化温度为１０，ｆ￣８小时，１３５ ℃，，ｎ１ｑ如图９所示。
８１５６３．３９７９．４３８３．３９４１４１３９３８３８３９４１４．３９３８３９．８．．．．．．．．１．．．３８３８３９４１４１３９３８３９３９．－．．．．．．．２
７１５４３２３２３３３４７．．．．３５３４３３３４．．＿．３５３２３５３４３．．．－３３．３５３２３５３２３５３４３．３－３５３２３５３３８４．－．．．Ｉ３４．－．．６
，
表４ＩＣ厚度汇总表Ｍ
ＮｏＡ．Ｂ１２３４５６７８９１１１】１１１１１１２２２２２２５Ｍｅ｜０】２３４５６７８９Ｏ１２３４凸１
９１５８４６７．４７．４．４４４３４７５．＿．４．４６４５４４８．．．４．４７４８４６３．．．４５４－４５４４．４．．４－４．４８４６３７．．４５．４．４５４５４．．４
试验产品：Ａ５ＣＢＴ４Ｗ试验因子水平如表３示。所表３试验因子水平表
Ｌｖｌｅｅ
Ｆａｔｒｃｏｓ
２４第四阶段为ＩｐｏｅＰａｅ改善阶段．ｍｒｖｈｓ
在这个阶段我们将通过ＤＥ方法来优化后固化参数。Ｏ因包封后产品进入后固化流程，固化温度、后时间影响着ＩＣＭ生长的情况，因此对后固化作业关键参数进行２因子３水平Ｌ９的ＤＥ试验（Ｏ每组试验各后固化１０条，切片２５只）。
５Ｉ５６６３１３２３２．．．３．３２３３３４３３３５３１３２３３３４１．．．．．．．－．３－３５３１３５３１３２３３．．．．．３３４３３３５３１３５．－．．．３２４．８６ｌ５８６３９４．３８３７３８４４１３９．．．．．４．３８３１．盘４４１３９４１３８４．３８３８４４１３９４１３８４１３９．．．．１．－．．．．．．４
厂绿色质量与管理
ｊｔｅａｉｅｎＯｕｌｙ＆Ｍａａｅｔｎｇｍｅｔｎ
６
图８方差分析图
通过以上三大系列实验验证得出结论：固化温度、间后时是影响ＩＣ生长的主要因素。在下一阶段我们将对主要因素Ｍ进行优化改善。
１１０４５ｌ５１６１６１５１６１６１５１６１６１５１６１６１５１６１６１５１６１５１６１６１５１６１６１５１６１５４＿．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．６２１Ｏ６５２３２４－．２４２３２４２４２－２４２４２３２．２４２．－．．３．．．４．３２４２＿２３２４２－４．．３２４２４．．２－２４２４２－２．２３４３．．３４－６
４１５４６２４２４２５２．２６２５２４２６２５２４２６．．．５．．．．．．．２５２４２６２５２４．．．．．２．２４２６２５２－２６２５２４５．．．４．．．２．２４８５．８
３１０８３１３２５．．３２３１３２３２３．３２３３３２．．．．１．＿．３－３２３１３２３＿３－３３３２３２３２３１３２３３３．３３２＿．．３２－．．．．．＿２－３２．