电沉积法制备金纳米结构

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固定沉积时间为30 min，分别选取4 个电压一0.3,0.1,0.3,0.5 V作为沉积电 压，以寻找合适的生长条件。当沉积 电压为一0.3 V时，形成的纳米颗粒粒 径大约为20 nm士2 nm的球形颗粒， 颗粒间间距较大。随着沉积电压的增 大，所形成的纳米结构增大，颗粒间 的间隙减小，形成较大的纳米簇。
沉积电压为0.1 V，沉积时间分别 为1,10,30,60 min。当沉积时间越 长，沉积位点越多，并且颗粒逐 渐增大，颗粒间的间距逐渐减小， 颗粒表面形成凹凸不平的结构。 颗粒粒径由20nm士2 nm逐渐增大 到180 nm士4 nm。可通过调节成 核时间，得到适宜疏密程度和大 小的成核位点和种子，以制备不 同形貌的纳米材料。沉积时间 “控制”了纳米结构的尺寸，随 着生长时间的增加，在纳米结构 的表面会沉积更多的金原子，使 纳米结构不断长大，纳米结构之 间的间距逐渐变小，当超过一定 时间后，纳米结构继续生长，最 后连接成片
电沉积法制备金纳米结构
应化13-2 李睿
材料与方法
1.材料
氯金酸(HAuCl4 } 4H20 , 99.9%，购自上海化学试剂有限公司。 ITO导电玻璃，厦门爱特欧光电实业有限公司。 所有用水皆为超纯水，由Milli-pore-Q纯水仪制备。
2.电沉积法制备金纳米结构
将清洁干Biblioteka Baidu的ITO玻璃作为工作电极，Pt电极为对电极，232饱和甘汞电极为参照电极，选择 适当的电沉积电压和电沉积时间，在导电玻璃表面原位沉积得到一定疏密程度和尺寸的纳米 金结构。本试验中，用ITO玻璃作为工作电极，沉积电压分别选择了0.3 , 0.1, 0.3 , 0.5 V，沉积 时间为1,10,30,60 min