第1章 晶体二极管和二极管整流电路
第一章二极管试题
第⼀章⼆极管试题
⼀、晶体⼆极管和⼆极管整流电路
⼀、填空
1、纯净的半导体称为,它的导电能⼒很。在纯净的半导体中掺⼊少量的价元素,可形成P型半导体,⼜称型半导体,其中多数载流⼦为,少数载流⼦为。
2、在本征半导体中掺⼊价元素,可形成N型半导体,其中多数载流⼦为,少数载流⼦为,它的导电能⼒⽐本征半导体。
3、如图,这是材料的⼆极管的____ 曲线,在正向电压超过V
后,⼆极管开始导通,这个电压称为电压。正常导通后,此管的正向压降约为V。当反向电压增⼤到V时,
即称为电压。其中
稳压管⼀般⼯作在区。
4
5、⼆极管的重要特性是,具体指:给⼆极管加电压,⼆极管导通;给⼆极管加电压,⼆极管截⽌。
6、PN结的单向导电性指,当反向电压增⼤到时,反向电流会急剧增⼤,这种现象称。
7、⼆极管的主要参数有 ________、_________和,⼆极管的主要特性是。
8、⽤模拟式万⽤表欧姆档测⼆极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较⼩,则表明⼆极管内部;若两次测得的阻值都较⼤,则表明⼆极管内部。两次测的阻值相差越⼤,则说明⼆极管的性能越好。
9、整流是指_______________________________________,整流电路分可为:和电路。将交流电转换成较稳定的直流电,⼀般要经过以下过程:
___________→____________→____________ →____________
10、有⼀直流负载R
L =9Ω,需要直流电压V
L
=45V,现有
2CP21(I
FM =3000mA,V
RM
=100V)和2CP33B(I
二极管试题
晶体二极管和二极管整流电路
1、纯净的半导体称为,它的导电能力很 。在纯净的半导体中 掺入少量的价元素,可形成P 型半导体,又称型半导体,其中多数载流子 为,
少数载流子为。 2、 在本征半导体中掺入 价元素,可形成N 型半导体,其中多数载流 子为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导体 3、 如图,这是 材料的二极管的 __ 曲线,在正向电压超过V 后,二极管开始导通,
这个电压称为 电压。正常导通后,此管的正向压降约 为 V 。当反向电压增大到 V 时,
即称为电压。其中稳压管一般工作在区。
4、 二极管的伏安特性指 和矢系: .
后,二极管导通。正常导通后,二极管的正
小,错管约为V 。
5、 二极管的重要特性是
,具体指:给二极管加电压, 二极管
导通;给二极管加电压,二极管截止。 6、 PN 结的单向导电性指 ,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称 。 7、 二极管的主要参数有 _______ 、 __________ 和,二极管 的主要特性是。 8、 用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻 值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管 内部。两次测的阻值相差越大,则说明二极管的性能越好。 9、 整流是指 ______________________________________ 整流电路分可
为:和电路。将交流电转换成较稳定的直流电,一般要经过以下过程: —> __________ — ____________ 一 ___________
晶体二极管整流电路(1)
选管条件:
(1)二极管允许的最大反向电压应大于承受的反向峰值 电压;
(2)二极管允许的最大整流电流应大于流过二极管的实 际工作电流。
电路缺点:电源利用率低,纹波成分大。 解决办法:全波整流
1.2.2 单相全波整流电路 (一)变压器中心抽头式单相全 波整流电路
1. 电路如图 1.2.2:Байду номын сангаас
全波整流桥 变压 式器中心抽头式
晶体二极管整流电路(1)
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1.2 晶体二极管整流电路
整流:把交流电变成直流电的过程。 二极管单相整流电路:把单相交流电变成直流电的电路。 整流原理:二极管的单向导电特性
(1.2.10)
(3)二极管的平均电流IV
IV
1 2
IL
(1.2.11)
(4)二极管承受反向峰值电压 VRM
VRM 2V2 (1.2.12)
优点:输出电压高,纹波小,VRM 较低。应用广泛。
[例1.2.1] 有一直流负载,需要直流电压VL 60 V,
直流电流IL 4 A。若采用桥式整流电路,求电源变压器
可见,在v1一周期内,流过二极管的电流iV1 、iV2叠加形 成全波脉动直流电流iL,于是RL两端产生全波脉动直流电压 vL。故电路称为全波整流电路。
二极管试题
一、晶体二极管和二极管整流电路
一、填空
1、纯净的半导体称为,它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为。
2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导体。
3、如图,这是材料的二极管的
曲线,在正向电压超过 V
后,二极管开始导通,这个电压称为
电压。正常导通后,此管的正向压降约
为 V。当反向电压增大到 V时,
即称为电压。其中
稳压管一般工作在区。
4、二极管的伏安特性指和
_____后,二极管导通。正常导通后,硅管约为 V,锗管约为 V。
5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管导通;给二极管加电压,二极管截止。
6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到时,反向电流会急剧增大,这种现象称。
7、二极管的主要参数有 ________、_________和,二极管的主要特性是。
8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大,则说明二极管的性能越好。
9、整流是指_______________________________________,整流电路分可为:和电路。将交流电转换成较稳定的直流电,一般要经过以下过程:
___________ →____________ →____________ →____________
10、有一直流负载R
L =9Ω,需要直流电压V
2015年电子招收中职毕业生题库二
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第一章•晶体二极管及二极管整流电路
第一节.识记二极管单向导电性,二极管伏安特性和主要参数;
A:判断题:
1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别,若降低环境温度导电能力会减弱。()
2.用万用表测试晶体管时,选择欧姆档RX10K档位。()
3.在P型半导体中,少数载流子是空穴,多数载流子是电子。()
4.用万用表测试晶体管时,选择欧姆档RX0K档位()。
5.PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。()
6.N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。()
7 .二极管和三极管都是非线性器件。()
8.二极管加反向电压时,形成很小的反向电流,在电压不超过某一范围时,二极管的反
向电流随反向电压的增加而基本不变()
9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。()
B:选择题
1.P型半导体的多数载流子是()。
A.电子
B.空穴
C.电荷
D.电流
2.晶体硅或锗中,参与导电的是()。
A.离子
B.自由电子
C.空穴
D.B和C
3.下列说法正确的是()。
A.N型半导体带负
B.P型半导体带正
C.PN结型半导体为电中性体
D.PN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生
4.N型半导体的多数载流子是()。
A.电流
B.自由电子
C.电荷
D.空穴
5.关于P型.N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是()。
A.无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴
B.P型半导体中只有空穴导电
C.N型半导体中只有自由电子参与导电
D.在半导体中有自由电子•空穴•离子参与导电
第一章 晶体二极管及应用电路
第一章晶体二极管及应用电路
§1.1 知识点归纳
一、半导体知识
1.本征半导体
·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅(Si)和锗(Ge)(图1-2)。前者是制造半导体IC的材料(三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料)。
·纯净(纯度>7N)且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发或产生)(图1-3)。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高,本征激发越强。
+载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格·空穴是半导体中的一种等效q
+电荷的空位宏观定向运动(图1-4)。
中的空位,使局部显示q
·在一定的温度下,自由电子与空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程,当产生等于复合时,称载流子处于平衡状态。
2.杂质半导体
·在本征硅(或锗)中渗入微量5价(或3价)元素后形成N型(或P型)杂质半导体(N型:图1-5,P型:图1-6)。
·在很低的温度下,N型(P型)半导体中的杂质会全部电离,产生自由电子和杂质正离子对(空穴和杂质负离子对)。
·由于杂质电离,使N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴,而P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。
·在常温下,多子>>少子(图1-7)。多子浓度几乎等于杂质浓度,与温度无关;两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下,Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3.半导体中的两种电流
在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流(这与金属导电一致);还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
晶体二极管及二极管整流电路试题
《晶体二极管及二极管整流电路》试题
一、判断题(每空2分,共36分)
1. N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。()
2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。()
3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。()
4. 二极管是线性器件。()
5. 二极管处于导通状态,呈现很大的电阻,在电路中相当于开关的断开特性。()
6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。()
7. PN结的单向导电性,就是PN结正向偏置时截止,反向偏置时导通。()
8. 二极管两端加反向电压时,反向电流不随反向电压变化而变化,这时二极管的状态为截止。()
9. 二极管只要工作在反向击穿区,就一定会被击穿损坏。()
10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。()
11. 所谓理想二极管,就是当其正向偏置时,结电阻为零,等效成开关闭合;当其反向偏置时,结电阻为无穷大,等效成开关断开。()12. 使用稳压管时应阳极接高电位,阴极接低电位。
13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围,二极管将会发生热击穿,所以,与其配合的电阻往往起到限流的作用。()
14. 整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。()
15. 用两只二极管就可实现单相全波整流,而单相桥式整流电路却用了四只二极管,这样做虽然多用了两只二极管,但降低了二极管承受的反向电压。()
16. 在电容滤波整流电路中,滤波电容可以随意选择()
17. 在电容滤波整流电路中,电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。
()
18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。()
part1 二极管和三极管的特性
当vBE大于三极管的死区电压vth后,iC开
始上升。
三极管正常导通时,硅管VBE约为0.7V,
锗管约为0.3V,此时的VBE值称为三极管工作时 的发射结正向压降。
输人特性曲线
2.输出特性曲线
输出特性曲线是反映三极管输出回路电压与电流关系的曲线,是指基极电
流IB为某一定值时,集电极电流IC与集电极电压VCE对应关系的曲线。
定值。
稳压管在电路中主要功能是起
击穿特性
稳压作用。
稳压二极管工作在反向击穿区 域。
正向特性
稳压管的伏安特性曲线
三极管的结构
三极管的核心是两个互相联系的PN结,按两个PN结的组合方式不同, 可分为NPN型和PNP型两类。
PNP型三极管
NPN型三极管
三极管内部有发射区、基区和集电区,引出电极分别为发射极e、 基极b、集电极c。
第一章 晶体二极管及整流电路
1.1.1 半导体的主要特性 1.掺杂性 2.热敏性 3.光敏性
1.1.2 P型半导体和N型半导体
1.P型半导体
特点是:空穴数量多,自由电子数量少,参与导电的主要是带正电的 空穴。
2.N型半导体
特点是:自由电子数量多,空穴数量少,参与导电的主要是带负电的 自由电子。
1.2.2 二极管的结构与导电特性 1.结构
在实际放大电路中,除了共发射极联接方式外,还有共集电极和共基 极联接方式。
第1章晶体二极管及其整流电路
1.晶体二极管 (1)外形:由密封的管体 和两条正、负电极引线所组 成。管体外壳的标记通常表 示正极。如图所示;
(2)符号: 三角形——正极, 竖杠——负极, V——二极管的文字符号。
2.晶体二极管的单向导电性:
半导体的两种载流子 动画 两种载流子
2.本征半导体:不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或 本征锗。
本征半导体电导率低,为提高导电性能,需掺杂,形成杂 质半导体。
3.杂质半导体:为了提高半导体的导电性能,在本征半导 体(4 价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。
根据掺杂的物质不同,可分两种:
(1)P 型半导体:本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3 价)所 形成的半导体,如P型硅。多数载流子为空穴,少数载流子为电 子。
桥式整流电路工作过程
由波形图可见,v2 一 周期内,两组整流二极管
轮流导通产生的单方向电
流 i1 和 i2 叠加形成了 iL。 于是负载得到全波脉动直
流电压 vL。
桥式整流电路工作波形图
3.负载和整流二极管上的电压和电流
(1)负载电压 VL
(2)负载电流 IL
VL 0.9V2
IL
VL RL
0.9V2 RL
解 因为 VL = 0.9V2
02电子线路《第一章第二节晶体二极管整流电路》(陈其纯主编)
1.2.2 桥式单相全波整流电路
V1~V4为整流二 极管,电路为桥 式结构。
1.电路如图
动画 桥式全波整流电路
电路图
桥式整流电路的连接方式:
变压器次级每个输出端接两个二极管的正负极 二极管的两个正极连接点接负载的电流流出端 二极管的两个负极连接点接负载的电流流入端 +
进
反
出 同
T
+
u1
u2
+ +
(2)v1负半周时,T次级A点电位低于B点电位,在v2b的 作用下,V2导通(V1截止),iV2自上而下流过RL; 可见,在v1一周期内,流过二极管的电流iV1 、iV2叠加形 成全波脉动直流电流 iL,于是RL两端产生全波脉动直流电压 vL。故电路称为全波整流电路。
3.负载和整流二极管上的电压和电流 (1)负载电压VL
变压器中心抽头式 全波整流 桥式
V1 、 V2 为 性 能 相 同 的 整 流 二极管; T 为电源变压器,作用 是产生大小相等而相位相反的 v2a和v2b。
图 1.2.2 变压器中心抽头 式全波整流电路
2. 工作原理: (1)v1正半周时,T次级A点电位高于B点电位,在v2a作 用下,V1导通(V2截止),iV1自上而下流过RL;
VL 0.9V2
所以
VL 60V V2 66.7V 0.9 0.9
模拟电子电路电子课件第一章二极管及其应用
单相桥式整流电路 a)原理电路 b)整流波形
41
第一章 二极管及其应用
三、三相桥式整流电路
单相桥式整流电路输出功率不大,一般不超过几千瓦,若需要大功率直 流电源时,一般要用三相桥式整流电路。
1. 工作原理 如图所示为应用最广的三相桥式整流电路,电源变压器一次绕组接成△ 形,二次绕组接成Y形。VD1、VD2、VD3共阴极连接,VD4、VD5、VD6 共阳极连接。
35
第一章 二极管及其应用
用数字式万用表检测二极管 a)导通 b)未导通
36
§1-3 二极管整流电路
37
第一章 二极管及其应用
大多数家用电器如电风扇、洗衣机、空调等都是以220 V/50 Hz交流市电 为电源的,还有一些用电器如手机、应急灯、电动自行车等,虽然要由直 流电源供电,但它们的充电器也都是将220 V交流市电转变为所需直流电进 行充电的;而电视机、音响设备、计算机等则是将直流电源作为整机电路 的一部分,接通220 V交流电后,便可自行将220 V交流电转变为所需的直 流电;工厂里的许多电气设备,如直流电动机、平面磨床的电磁吸盘等所 需要的直流电,都是由交流电转换而来的。
1. 最大整流电流IFM(也称最大正向电流) IFM是指二极管长期安全工作时允许通过的最大正向平均电流。
29
第一章 二极管及其应用
第一章二极管及其基本电路
Si
Si
p + Si
Si
失去一个 电子变为 正离子
磷原子
自由电子 :多子 空穴 :少子
提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子,因 9 此五价杂质原子也称为施主杂质。
三、杂质半导体
杂质半导体的示意表示
负离子
- - - - - - - - - - - - + + + + 正离子 + + + + + + + +
- - - - - -
空穴
+
+
+ + +
+ + +
+ +
+ +
- - - - - -
自由电子
P型半导体
N型半导体
少子浓度——只与温度有关 注意:半导体中的正负电荷数是相等的,其作 用相互抵消,因此对外保持电中性。 多子浓度 ——主要受掺入杂质浓度的影响 10
四、PN结的形成及特性 1.载流子的漂移与扩散
§1.1 半导体的基本知识
一、半导体材料
1、什么是半导体: 导 体:导电的物质。 绝缘体:几乎不导电的物质。 半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 2、半导体的特点 热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强。 光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化。
晶体二极管及整流电路
三、 P型半导体和N型半导体 1.P型半导体
P型半导体是在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素。这类掺杂后 导体的特点是:空穴数量多,自由电子数量少,故又称为空穴半导体。
2.N型半导体
N型半导体是在纯净半导体硅或锗中掺入微量磷、砷等5价元素,这类杂 质半导体特点是:自由电子数量多,空穴数量少,故又称为电子半导体。
稳压管的外形
电路符号
22
稳压管的伏安特性曲线如的正向特 性与普通二极管相同。
反向特性曲线在击穿区域比普 通二极管更陡直,这表明稳压管击穿后 ,通过管子的电流变化(ΔIz)很大,而 管子两端电压变化(ΔVz)很小,或说管 子两端电压基本保持一个固定值。
稳压管在电路中主要功能是起 稳压作用。
击穿特性
正向特性
最高反向电压。
反向饱和电流IR :它指管子未进入击穿区的反向电流,其值越小,则管子的单向导电
性越好。
最高工作频率fM :是保证管子正常工作的最高频率。
工程应用
实际工作中一般从两个方面使用二极管器件手册: ●已知二极管的型号查找其器件用途和主要参数,这常用于对已知型号的二极 管进行分析,看是否满足电路要求。 ●根据使用的要求,选用二极管型号。例如当设备中的二极管坏了,如没有同 型号的管子更换,应查看手册,选用三项主要参数IFM 、VRM、fM满足要求的其它型 号二极管代用。 8
(完整版)电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术
第一章常用半导体器件
§1-1 晶体二极管
一、填空题
1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路
及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。
7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、
开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与
M相接时,A点的电位为
(完整版)电子线路—陈其纯主编—第一章教案
第1章 晶体二极管和 二极管整流电路
教学重点
1.了解半导体的基本知识:本征半导体、掺杂半导体;掌握PN 结的基本特性。 2.理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。
3.了解几种常用的二极管:硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。
4.掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点;了解电容滤波电路的工作原理。
5.了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。
教学难点
1.PN 结的单向导电特性。
2.整流电路和滤波电路的工作原理。 3.硅稳压管稳压电路的稳压过程。
学时分配
1.1 晶体二极管
1.1.1 晶体二极管的单向导电特性
⎩⎨⎧体三极管等器件:晶体二极管、晶
等、变压器、电感电容、
元件:电阻电子元器件T)()()()(L C R
1.晶体二极管 (1) 外形
如图1.1.1(a )所示,晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。
(2) 图形、文字符号
如图1.1.1(b )所示,晶体二极管的图形由三角形和竖杠所组成。其中,三角形表示正极,竖杠表示负极。V 为晶体二极管的文字符号。
2.晶体二极管的单向导电性 动画 晶体二极管的单向导电性
(1) 正极电位>负极电位,二极管导通; (2) 正极电位<负极电位,二极管截止。
即二极管正偏导通,反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。
[例1.1.1] 图1.1.3所示电路中,当开关S 闭合后,H 1、H 2两个指示灯,哪一个可能发光?
解 由电路图可知,开关S 闭合后,只有二极管V 1
正极电位高于负极电位,即处于正向导通状态,所以H 1指示灯发光。
第一章 二极管讲解
PIN PIN型管
X 低频小功 率管
JG 激光管
G 高频小功 率管
第四部分 第五部分 用数字表示 用汉语拼音 器件序号 表示规格号
31
2、检测 指针表 欧姆档(R × 1K) 看正向反向电阻值; 数字万用表 二极管档 测PN结正向反向压降
32
作业:按照以下例图进行仿真运行,测量变 压器副边、整流输出电压值各是多少,观察 输出波形。
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
P 型半导体
N 型半导体
杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但
由于数量的关系,起导电作用的主要是多子。近
似认为多子浓度与所掺杂质浓度相等。 23
二、 PN 结 PN 结的形成
在同一片半导体基片上 采用不同的掺杂工艺分 别制造P 型半导体和N 型半导体,由于浓度的 不同,经过载流子的扩 散,在它们的交界面处 就形成了PN 结。
u
i I S (e UT 1)
反向击穿 电压UBR
I
导通电压: 硅管0.6~0.8V, 锗管0.1~0.3V
U
开启电压Uon: 硅管0.5V,
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第1章 晶体二极管和 二极管整流电路
教学重点
1.了解半导体的基本知识:本征半导体、掺杂半导体;掌握PN 结的基本特性。 2.理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。
3.了解几种常用的二极管:硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。
4.掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点;了解电容滤波电路的工作原理。
5.了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。
教学难点
1.PN 结的单向导电特性。
2.整流电路和滤波电路的工作原理。 3.硅稳压管稳压电路的稳压过程。
学时分配
1.1 晶体二极管
1.1.1 晶体二极管的单向导电特性
⎩⎨⎧体三极管等器件:晶体二极管、晶
等、变压器、电感电容、
元件:电阻电子元器件T)()()()(L C R
1.晶体二极管 (1) 外形
如图1.1.1(a )所示,晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。
(2) 图形、文字符号
如图1.1.1(b )所示,晶体二极管的图形由三角形和竖杠所组成。其中,三角形表示正极,竖杠表示负极。V 为晶体二极管的文字符号。
2.晶体二极管的单向导电性 动画 晶体二极管的单向导电性
(1) 正极电位>负极电位,二极管导通; (2) 正极电位<负极电位,二极管截止。
即二极管正偏导通,反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。
[例1.1.1] 图1.1.3所示电路中,当开关S 闭合后,H 1、H 2两个指示灯,哪一个可能发光?
解 由电路图可知,开关S 闭合后,只有二极管V 1
正极电位高于负极电位,即处于正向导通状态,所以H 1指示灯发光。
1.1.2 PN 结
二极管由半导体材料制成。 动画 PN 结
1.半导体
导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si )或锗(Ge )半导体。 半导体中,能够运载电荷的的粒子有两种:
—载流子—均可运载电荷量的正电空穴:带与自由电子等自由电子:带负电⎭⎬⎫⎩
⎨⎧ 载流子:在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴,统称载流子。如图1.1.4所示。
2.本征半导体
不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 本征半导体电导率低,为提高导电性能,需掺杂,形成杂质半导体。 3.杂质半导体
为了提高半导体的导电性能,在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。
根据掺杂的物质不同,可分两种:
图1.1.4 半导体的两种载流子
图1.1.3 [例1.1.1]电路图
图1.1.1 晶体二极管的外形和符号
(1) P 型半导体:本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3价)所形成的半导体,如P 型硅。其中,多数载流子为空穴,少数载流子为电子。
(2) N 型半导体:本征硅(或锗)中掺入少量磷元素(5价)所形成的半导体,如N 型硅。其中,多数载流子为电子,少数载流子为空穴。
将P 型半导体和N 型半导体使用特殊工艺连在一起,形成PN 结。
4.PN 结
N 型和P 型半导体之间的特殊薄层叫做PN 结。 PN 结是各种半导体器件的核心。如图1.1.5所示。 PN 结具有单向导电特性。即:
P 区接电源正极,N 区接电源负极,PN 结导通;反之,PN 结截止。 晶体二极管之所以具有单向导电性,其原因是内部具有PN 结。其正、负极对应于PN 结的P 型和N 型半导体,如图1.1.5所示。
1.1.3 二极管的伏安特性
动画 二极管的伏安特性 1.定义
二极管两端的电压和流过的电流之间的关系曲线叫作二极管的伏安特性。
2.测试电路:如图1.1.6所示。 3.伏安特性曲线:如图1.1.7所示。 4.特点
(1) 正向特性
① 正向电压V F 小于门坎电压V T 时,二极管V 截止,正向电流I F =0;
其中,门槛电压⎩
⎨⎧=(Ge) V 0.2(Si)
V 5.0T V
② V F > V T 时,V 导通,I F 急剧增大。导通后V 两
端电压基本恒定:⎩⎨⎧=(Ge)
0.3V (Si)
V 7.0on V 导通电压
结论:正偏时电阻小,具有非线性。 (2) 反向特性
反向电压V R < V RM (反向击穿电压)时,反向电流I R
很小,且近似为常数,称为反向饱和电流。
V R > V RM 时,I R 剧增,此现象称为反向电击穿。对应的电压V RM 称为反向击穿电压。
结论:反偏电阻大,存在电击穿现象。
图1.1.5 PN 结
图1.1.6 测试二极管伏安特性电路
图1.1.7 二极管伏安特性曲线
1.1.4 二极管的简单测试
用万用表检测二极管如图1.1.8所示。 1.判别正负极性
万用表测试条件:R ⨯ 100 Ω 或R ⨯ 1 k Ω; 将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时,黑表笔接触处为正极,红表笔接触处为负极。
2.判别好坏
万用表测试条件:R ⨯ 1 k Ω。
(1) 若正反向电阻均为零,二极管短路; (2) 若正反向电阻非常大,二极管开路。
(3) 若正向电阻约几千欧姆,反向电阻非常大,二极管正常。
1.1.5 二极管的分类、型号和参数
1.分类
(1) 按材料分:硅管、锗管;
(2) 按PN 结面积:点接触型(电流小,高频应用)、面接触型(电流大,用于整流); (3) 按用途:如图1.1.9所示, 例如利用单向导电性把交流电变成直流电的整流二极管;利用反向击穿特性进行稳压的稳压二极管;利用反向偏压改变PN 结电容量的变容二极管;利用磷化镓把电能转变成光能的发光二极管;将光信号转变为电信号的光电二极管。
2.型号举例如下
整流二极管——2CZ82B 稳压二极管——2CW50 变容二极管——2AC1等等。 3.主要参数 (1) 普通整流二极管
① 最大整流电流I FM :二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。 ② 最高反向工作电压V RM :二极管允许承受的反向工作电压峰值。 ③ 反向漏电流I R :规定的反向电压和环境温度下,二极管反向电流值。 (2) 稳压二极管
主要参数:稳定电压V Z 、稳定电流I Z 、最大工作电流I ZM 、最大耗散功率P ZM 、动态电阻r Z 等。
图1.1.8 万用表检测二极管
图1.1.9 二极管图形符号