电子用SEMI C12指标
icpMS在超净高纯试剂分析中的应用
２０４Ｐｂ＝２０４－（２０１／１３．２）Ｘ６．８ 从原理上讲，任何同量异位素重叠干扰都能用上述方法校正，只要干扰元素的另一个同 位素本身不受干扰即可，例如，ＶＧ公司的ＰＱ Ｅｘｃｅｌｌ就具有这种校正功能软件，但需要注意的 是，在校正过程中会引入的误差，所以，在校正时要认真分析。 四、氢氟酸
铬，砷可能的干扰，对于钙，铁的干扰，是因为在氩等离子体中，Ａｒ及ＡｒＯ的质量范围分
别覆盖了铁的所有同位素和钙的最大丰度同位素，尽管氩的电离电位（１５．７５９ｅｖ）远大
于铁和钙的电离电位（分别为７．０７ ｅＶ和６．１１３ ｅｖ），但由于氩的大量存在，在正常功率范
围内（８００—１５００ｗ，等离子体炬的温度约为６０００－８０００Ｋ），仍能产生大量Ａｒ及ＡｒＯ，使得
氢氟酸的质谱背景主要是”Ｃ“０２，１２Ｃ”０２１Ｈ ｓ１４Ｎ”０２，４０Ａｒｌ４Ｎ，４０Ａｒ”０，４０Ａｒ”０１Ｈ，干扰 不大，氢氟酸的质谱干扰主要是ＡｒＦ对Ｃｏ，实验中采用膜去溶剂化进样，铟为内标，加标回 收率应在７５～１２５％，实验条件及方法可参盐酸中痕量元素的测定，钾、钠、钙、铁采用冷焰状 态（ＰＬＡＳＭＡ ＳＣＲＥＥＮ）钡ｆＪ定，不单独举例。但需要注意的是氢氟酸是唯一能溶解以硅为基 质的物料，即使是微量，也会很快腐蚀ＩＣＰ－ＭＳ的玻璃部件，如雾化器、雾室以及矩管内 管．虽然可以用一些惰性部件，如雾化室和雾室，以及蓝宝石炬管内管代替玻璃部件，但并没 有完全消除分析氢氟酸溶液时存在的潜在危害，所以，每次分析后都要对部件进行检查，及时 发现问题．建议使用耐氢氟酸四氟系统。
集成电路用电子化学品
集成电路用电子化学品它包括四类关键产品：第一、超净高纯试剂超净高纯化学试剂超净高纯化学试剂，亦称湿化学品,或加工化学品，是超大规模集成电路制作过程中关键性基础化工材料之一，主要用于芯片的湿法清洗和湿法蚀刻，它的纯度和洁净度对IC的成品率、电性能及可靠性都有着十分重要的影响。
超净高纯试剂具有品种多、用量大、技术要求高、贮存有效期短和强腐蚀性等特点。
使用这种试剂的工艺主要是洗净(包括干燥)、光刻、蚀刻、显影、去膜、掺杂等。
这种试剂包括超净高纯酸及碱类、超净高纯有机溶剂和超净高纯蚀刻剂。
在半导体工业中的消耗比例大致为:NH4OH 4%-8%,HCI 3%一6% ,H2SO4 27%一33%、其它酸10%-20%、H2O2 8%一22%、蚀刻剂12%一20%、有机溶剂10%一15%。
随着IC存储容量的增大，存储器电池的氧化膜更薄，而试剂中所含的杂质、碱金属等溶进氧化膜之中，造成耐绝缘电压的下降；试剂中所含的重金属若附着在硅晶片表面上，则会使P-N结耐电压降低。
一般认为，产生IC断丝、短路等物理性故障的杂质分子大小为最小线宽的1/4，产生腐蚀或漏电等化学性故障的杂质分子大小为最小线宽的1/10。
主要生产商有北京化学试剂所(500t/a,22个品种)、苏州瑞红电子化学品公司(1000t/a,40余个品种)等。
北京化学试剂研究所的BV-Ⅲ级试剂已达到国外Semi-c7质量标准，适合于0.8u-1.2um 工艺，已形成500吨／年规模的生产能力，MOS级试剂已开发生产出20多个品种，年产量超过4000吨，这在我国处于较高水平，但只相当于国外的中等水平；国外Semi-c12质量标准达到0.09u-0.2um工艺水平。
2002年10月，上海华谊开始承担国家‘863’计划ULSI超纯试剂制备工艺研究课题，从事超纯过氧化氢、硫酸、氢氟酸、盐酸、醋酸、异丙醇等微电子化学品的研究和开发。
国内首个超高纯微电子化学品项目2004年底在上海兴建，这个项目由上海华谊集团公司所属的上海中远化工有限公司与台湾联仕电子化学材料股份有限公司联合出资。
电子级磷酸装置工程设计特点
2011年6月第36卷第3期贵州化工GuizhouChemicalIndustry电子级磷酸装置工程设计特点许华杰（贵州东华工程股份有限公司，贵州贵阳550002）摘要：介绍了电子级磷酸的开发研究现状、制备方法、质量标准。
重点综述了电子级磷酸装置工程设计特点，包括厂房设计、材质选择和超纯水问题。
展望了电子级磷酸的发展前景，并提出了电子级磷酸生产装置建设意见和建议。
关键词：电子级；磷酸；工程设计中图分类号：TQ08；TU27．3文献标识码：A文章编号：1008－9411（2011）03－0019－02电子级磷酸是磷化工深加工产品，属高纯磷酸，杂质含量极低，为1ˑ10－6级别，被称为磷化工行业“皇冠上的明珠”。
广泛应用于超大规模集成电路、大屏幕液晶显示器等微电子工业，主要用于芯片的清洗和蚀刻，包括：①基片涂胶前的清洗；②光刻过程中的蚀刻及最终去胶；③硅片本身制作过程中的清洗和绝缘膜蚀刻、半导体膜刻、导体膜蚀刻、有机材料蚀刻等［1］。
目前，电子级磷酸的生产工艺大体上可以分为两类，一类是以磷单质或三氯氧磷为原料通过反应法制取，主要有三氯氧磷法、高纯磷法、磷化氢法；另一类是以工业净化磷酸为原料，通过分离提纯法制取，主要电渗析法和结晶法。
在实际生产中，比较典型的工艺是黄磷氧化路线和工业磷酸（或准电子级磷酸）重结晶路线［2、5］。
1国内外开发现状1．1国外现状目前，全球电子级磷酸产能约为500 600kt/a，东亚地区的产能大约占了其中的一半，国际上能生产电子级磷酸的厂家主要集中在日本、韩国、台湾、美国、德国和俄罗斯，以日本、韩国、台湾的生产商较多。
比较有名的有RASA（26kt/a）、Nippon化学（60kt/a）、Rinka（10kt/a）、DC化学（12kt/a）、Dong Woo（7kt/a）、YHI（15kt/t）［7、8］。
2．1国内现状随着我国LCD需求的不断增长，电子级磷酸在国内的需求越显迫切。
电子化学品性能要求及生产技术
电子化学品性能要求及生产技术电子化学品的质量规格及标准电子化学品的质量标准的演变为了能够规范世界超净高纯试剂的标准，SEMI（Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导体设备和材料协会）于1975年成立了SEMI 化学试剂标准化委员会，专门制定、规范超净高纯试剂的国际统一标准—SEMI 标准。
1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。
两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和（尘埃）微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。
国际上公认的电子化学品的标准大致可分为四类：一类是以SEMI为基础的美国试剂标准；一类是以德国E.Merck标准为主的欧洲试剂标准；一类是以日本关东化学（Kanto）公司、和光纯药工业（Wako）公司的湿电子化学品为代表的日本试剂标准；另一类则是以REA公司为代表的俄罗斯试剂标准。
ULSI在全球的快速发展使得这些标准的指标有逐步接近的趋势，但SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。
目前世界及我国的电子化学品产品通常执行SEMI国际标准，其关键技术指标包括单项金属离子，单项阴离子，颗粒数等，另外根据不同产品特点会相应增加其它一些技术指标。
电子化学品SEMI标准进入21世纪，国际SEMI标准化组织又根据电子化学品在世界范围内的实际发展情况对原有的分类体系进行了归并，按品种进行分类，每个品种归并为一个指导性的标准，其中包括多个用于不同工艺技术的等级。
表2-1列出了IC制造的不同线宽对湿电子化学品SEMI国际标准等级的要求。
表2-1 电子化学品SEMI国际标准等级从表2-1中可以看出，对应集成电路不同技术水平，所需要电子化学品的标准越高，纯度和洁净度的要求也就越高。
如果给电子化学品分级别或档次的话，那么用于≥1.2μm属于低档产品（需采用SEMI C1等级的湿电子化学品），0.8～1.2μm属于中低档产品（需采用SEMI C7等级的电子化学品），0.2～0.6μm属于中高档产品（需采用SEMI C8等级的电子化学品）。
电子化学品性能要求及生产技术
电子化学品性能要求及生产技术电子化学品的质量规格及标准电子化学品的质量标准的演变为了能够规范世界超净高纯试剂的标准，SEMI（Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导体设备和材料协会）于1975年成立了SEMI化学试剂标准化委员会，专门制定、规范超净高纯试剂的国际统一标准—SEMI标准。
1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。
两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和（尘埃）微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。
国际上公认的电子化学品的标准大致可分为四类：一类是以SEMI为基础的美国试剂标准；一类是以德国E.Merck标准为主的欧洲试剂标准；一类是以日本关东化学（Kanto）公司、和光纯药工业（Wako）公司的湿电子化学品为代表的日本试剂标准；另一类则是以REA公司为代表的俄罗斯试剂标准。
ULSI在全球的快速发展使得这些标准的指标有逐步接近的趋势，但SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。
目前世界及我国的电子化学品产品通常执行SEMI国际标准，其关键技术指标包括单项金属离子，单项阴离子，颗粒数等，另外根据不同产品特点会相应增加其它一些技术指标。
电子化学品SEMI标准进入21世纪，国际SEMI标准化组织又根据电子化学品在世界范围内的实际发展情况对原有的分类体系进行了归并，按品种进行分类，每个品种归并为一个指导性的标准，其中包括多个用于不同工艺技术的等级。
表2-1列出了IC制造的不同线宽对湿电子化学品SEMI国际标准等级的要求。
表2-1 电子化学品SEMI国际标准等级从表2-1中可以看出，对应集成电路不同技术水平，所需要电子化学品的标准越高，纯度和洁净度的要求也就越高。
如果给电子化学品分级别或档次的话，那么用于≥1.2μm属于低档产品（需采用SEMI C1等级的湿电子化学品），0.8～1.2μm属于中低档产品（需采用SEMI C7等级的电子化学品），0.2～0.6μm属于中高档产品（需采用SEMI C8等级的电子化学品）。
重点新材料关键技术产业化项目指标要求
CeBr3晶体器件尺寸达到φ50mm×50mm，光产额≥60000 ph/MeV，能量分辨率≤4% @662 keV，衰减时间≤20ns。
高纯无水LaBr3、CeBr3、EuI2等原料纯度≥99.99%，水、氧杂质含量≤100ppm。
17
乙烯-乙烯醇共聚物（EVOH树脂）
单套装置规模达到万吨级/年。
（三）
高性能氟硅树脂
18
高性能氟树脂及单体
特种聚四氟乙烯可熔融加工，聚偏氟乙烯达到拉膜级，乙烯-四氟乙烯共聚物高透明、高抗污、易清洁、高强度、耐腐蚀，三氟氯乙烯共聚物可常温固化。单套装置规模达到千吨级/年。
19
高性能硅树脂及单体
硅树脂耐高温和高绝缘性，介电强度>30KV/mm，可在180℃以上温度条件下长期使用。重点发展苯基硅树脂、有机硅共聚改性环氧树脂、乙烯基硅油、苯基有机硅单体、乙烯基有机硅单体等。单套装置规模达到千吨级/年。
4
聚苯醚
具有较高的耐热性能和耐化学腐蚀性，吸水率低，热变形温度高（190℃），长期使用温度范围-127℃至121℃。单套装置规模达到万吨级/年。
5
聚酰亚胺类
具有高力学性能、耐紫外/辐射性能、特殊的耐高温，长期使用温度可达350ºC。单套装置规模达到百吨级/年。
6
半芳香族聚酰胺
拉伸强度>150MPa，弯曲强度>220MPa，热变形温度>280℃。单套装置规模达到万吨级/年。
二、先进有机材料
序号
产品
主要指标
一
高性能树脂
（一）
电子级磷酸市场
电子级磷酸及其市场摘要：随着我国微电子和面板产业的高速发展，世界上许多著名IC晶体圆代工、半导体封装以及LED、TFT-LCD大型企业在中国建厂，电子化学品的需求逐渐增大。
预计2010年中国对电子级磷酸市场需求量将会达到15万－16万吨每年。
整个电子化学品市场预计超过80亿美元，年增长率近20％；世界电子化学品产业市场年平均净增长率为8％以上。
而电子级磷酸的性能优良，已是电子工业重要的化学品之一。
1.电子级磷酸简介磷酸依制备工艺的差别可分为肥料级、工业级、食品级、药用级、试剂级、电子级等级别。
电子级磷酸属于高纯磷酸，广泛用于大规模集成电路、薄膜液晶显示器(TFT-LCD)等微电子工业，主要用于芯片的清洗和蚀刻，其纯度和洁净度对电子元器件的成品率、电性能及可靠性有很大影响，纯度较低的主要用于液晶面板部件的清洗，纯度较高的主要用于电子晶片生产过程的清洗和蚀刻。
电子级磷酸还可用于制备高纯磷酸盐，也是高纯有机磷产品的主要原料。
近年来由于电子工业和液晶显示电视迅速发展，用于半导体、液晶显示器(LCD)及其他电子设备作蚀刻剂的电子级磷酸需求增长强劲。
目前我国已成为世界LCD需求增长最快的国家，2011年我国将成为世界重要的集成电路(1C)制造基地之一。
而“十五”期间我国电子化学晶年均增长率超过20%，预计到2010年我国电子化学品市场规模将超过200亿元，成为化工行业中发展速度最快、最具活力的行业之一。
随着半导体芯片制造业和LCD制造业向中国大陆的转移，特别是武汉光谷、富士康、中芯国际等大型电子产业在武汉的安家落户，与之配套的电子级磷酸的用量将大幅增长，对电子级磷酸的研究显得十分重要和迫切。
1.1应用与需求生产具有稳定的电气特性和可靠性的电子元件和电路时，要求处理硅晶片的化学试剂非常纯净。
不溶性固体颗粒或金属离子可能在微细电路之间导电，使之短路，几个金属离子或灰尘足以使线宽较小的IC报废。
为了避免硅晶片发生粒子污染，必须使用隔膜过滤器净化到0.2μm粒度以下的电子级纯度的化学试剂。
电子化学品性能要求及生产技术
--------- --- ----- ，- 為tvVr#---- -- -------------电子化学品性能要求及生产技术电子化学品的质量规格及标准电子化学品的质量标准的演变为了能够规范世界超净高纯试剂的标准，SEMI （Semiconductor Equipment and Materials International,国际半导体设备和材料协会）于1975年成立了SEMI 化学试剂标准化委员会，专门制定、规范超净高纯试剂的国际统一标准一SEMI 标准。
1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。
两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和（尘埃）微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。
国际上公认的电子化学品的标准大致可分为四类：一类是以SEMI为基础的美国试剂标准；一类是以德国E.Merck标准为主的欧洲试剂标准；一类是以日本关东化学（Kan to）公司、和光纯药工业（Wako）公司的湿电子化学品为代表的日本试剂标准；另一类则是以REA公司为代表的俄罗斯试剂标准。
ULSI在全球的快速发展使得这些标准的指标有逐步接近的趋势，但SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。
目前世界及我国的电子化学品产品通常执行SEMI国际标准，其关键技术指标包括单项金属离子，单项阴离子，颗粒数等，另外根据不同产品特点会相应增加其它一些技术指标。
电子化学品SEMI标准进入21世纪，国际SEMI标准化组织又根据电子化学品在世界范围内的实际发展情况对原有的分类体系进行了归并，按品种进行分类，每个品种归并为一个指导性的标准，其中包括多个用于不同工艺技术的等级。
表2-1列出了IC制造的不同线宽对湿电子化学品SEMI国际标准等级的要求。
稠為tvVr#从表2-1中可以看出，对应集成电路不同技术水平，所需要电子化学品的标准越高，纯度和洁净度的要求也就越高。
如果给电子化学品分级别或档次的话，那么用于》1.2卩山属于低档产品（需采用SEMI C1等级的湿电子化学品），0.8〜1.2 yn属于中低档产品（需采用SEMI C7等级的电子化学品），0.2〜0.6 yn属于中高档产品（需采用SEMI C8等级的电子化学品）。
电子级磷酸简介
电子级磷酸盐简介电子级磷酸属于高纯磷酸,广泛用于大规模集成电路、薄膜液晶显示器(TFT-LCD)等微电子工业,主要用于芯片的清洗与蚀刻,其纯度与洁净度对电子元器件的成品率、电性能及可靠性有很大影响,纯度较低的主要用于液晶面板部件的清洗(面板级),纯度高的用于电子晶片生产过程的清洗与浊刻(称为IC级)。
电子级磷酸还可用于制备高纯磷酸盐,也就是高纯有机磷产品的主要原料,另外还可用作超高纯试剂与光纤玻璃原料等。
产业链制作工艺电子级磷酸可由元素磷或磷的氧化物经化学反应得到,也可由成品磷酸净化精制而得,制备的关键在于控制并达到所要求的碱金属与重金属杂质离子的含量与颗粒度。
目前有如下几种主要制备工艺:1)用高纯磷制备电子级磷酸;2)用高纯三氯化磷制备电子级磷酸;3)用三氯氧磷制备电子级磷酸。
提纯工艺主要有:1)磷酸的净化精制法;2)有机溶剂萃取法;3) ①冷冻结晶法;②熔融结晶法;5)其她净化法其她的净化方法有电渗析:①电渗析法;②膜分离。
电子级磷酸的国际质量标准国际半导体设备与材料组织(SEMI) 将电子化学品按应用范围分为SEMI-C1、SEMI - C7、SEMI-C8与SEMI -C12四个等级。
我国则划分为BV-Ⅰ、BV-Ⅱ、BV- Ⅲ与BV- Ⅳ四个等级,BV-Ⅲ级已达到国际SEMI -C7质量标准,适用于018～112μm工艺技术的加工制作,这就是目前我国生产的较高水平的微电子化学品。
国内外技术差别国内技术水平:目前国内市场所需MOS 级、BV电子级磷酸已有工厂生产,BVII级与BVIII电子级磷酸仍处于研发状态,所需产品依赖进口。
国外技术水平:高纯电子化学品的生产技术在国际上尚处于高度保密与高度垄断阶段,生产技术主要由德国、日本与美国等少数几个发达国家掌握,有关生产方法、工艺技术、实验研究、产品质量指标体系的确立及分析方法、设备包装材质的研究等等内容鲜见报道,国外技术拥有方甚至不进行实质性专利申请,技术研发机构很难检索到有价值的技术文献信息。
电子级磷酸简介
电子级磷酸盐简介电子级磷酸属于高纯磷酸，广泛用于大规模集成电路、薄膜液晶显示器(TFT-LCD)等微电子工业，主要用于芯片的清洗和蚀刻，其纯度和洁净度对电子元器件的成品率、电性能及可靠性有很大影响，纯度较低的主要用于液晶面板部件的清洗（面板级），纯度高的用于电子晶片生产过程的清洗和浊刻（称为IC级）。
电子级磷酸还可用于制备高纯磷酸盐，也是高纯有机磷产品的主要原料，另外还可用作超高纯试剂和光纤玻璃原料等。
产业链制作工艺电子级磷酸可由元素磷或磷的氧化物经化学反应得到，也可由成品磷酸净化精制而得，制备的关键在于控制并达到所要求的碱金属与重金属杂质离子的含量和颗粒度。
目前有如下几种主要制备工艺：1）用高纯磷制备电子级磷酸；2）用高纯三氯化磷制备电子级磷酸；3）用三氯氧磷制备电子级磷酸。
提纯工艺主要有：1）磷酸的净化精制法；2）有机溶剂萃取法；3) ①冷冻结晶法；②熔融结晶法；5）其他净化法其他的净化方法有电渗析：①电渗析法；②膜分离。
电子级磷酸的国际质量标准国际半导体设备与材料组织(SEMI) 将电子化学品按应用范围分为SEMI-C1、SEMI - C7、SEMI-C8和SEMI -C12四个等级。
我国则划分为BV-Ⅰ、BV-Ⅱ、BV- Ⅲ和BV- Ⅳ四个等级，BV-Ⅲ级已达到国际 SEMI -C7质量标准，适用于018～112μm工艺技术的加工制作，这是目前我国生产的较高水平的微电子化学品。
国内外技术差别85%磷酸/(元/t)380048008000～1600030000我国能实现自主生产我国处于研发阶段，产品使用依赖进口国内技术水平：目前国内市场所需MOS 级、BV电子级磷酸已有工厂生产，BVII级和BVIII 电子级磷酸仍处于研发状态，所需产品依赖进口。
国外技术水平：高纯电子化学品的生产技术在国际上尚处于高度保密和高度垄断阶段，生产技术主要由德国、日本和美国等少数几个发达国家掌握，有关生产方法、工艺技术、实验研究、产品质量指标体系的确立及分析方法、设备包装材质的研究等等内容鲜见报道，国外技术拥有方甚至不进行实质性专利申请，技术研发机构很难检索到有价值的技术文献信息。
SEMI 标准列表
标准名称编号标准化标准技术制图 图样画法 制图GB/T 17451-1998产品标准化大纲编制指南GJB/Z 114A-2005标准化评审GJB/Z 113-98新产品工艺标准化综合要求编写指南GJB/Z 106-98企业标准体系管理标准和工作标准体系GB/T 15498-2003企业标准体系 要求GB/T 15496-2003企业标准体系 评价与改进 GB/T 19273-2003军用标准文献分类法GJB/T 832-2005标准化工作导则 第一部分：标准的结构和编写规则GB/T 1.1-2000综合标准化工作导则 工业产品综合标准化一般要求GB/T 12366.2-90综合标准化工作导则原则与方法GB/T 12366.1-90标准化工作指南 第二部分：采用国际标准的规则GB/T 20000.2－2001标准编写规则 第三部分：信息分类编码GB/T 20001.3-2001标准编写规则 第四部分：化学分析方法GB/T 20001.4-2001标准体系表编写原则和要求GB/T 13016-91标准化和有关领域的通用术语 第一部分：通用术语GB/T 3935.1-1996消费品使用说明 总则GB 5296.1-1997电磁干扰和电磁兼容性术语GJB 72A-2002标准化工作指南第三部分：引用文件GB/T 20000.3-2003标准化工作指南第四部分：标准中涉及安全的内容GB/T 20000.4-2003环境检测分析方法标准制订技术导则HJ/T 168-2004GJB 0.1-2001军用标准文件编制工作导则 第一部分：军用标准和指导性技军用标准文件编制工作导则 第二部分：军用规范编写规定GJB 0.2－2001军用标准文件编制工作导则 第三部分：出版印刷规定GJB 0.3－2001说明书的编制 构成 内容和表示方法GB/T 19678-2005/IEC 62079:2001气体和超净标准、环保标准中国环境保护标准汇编 水质分析方法中国环境保护标准汇编 废气废水废渣分析方法中国环境保护标准汇编 大气质量分析方法气体中微量水分的测定 电解法GB 5832.1-86气体中微量水分的测定 露点法GB 5832.2-86气体中微量氧的测定 电化学法GB 6285-86氢气GB/T 3634-1995氮GB/T 3864-1996洁净厂房设计规范GB 50073-2001纯氢、高纯氢和超纯氢GB/T 7445-1995洁净室检测规范GB/T16292-1996电子级气体中颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2807-87电子工业用气体GB/T 14600~14604-93电子工业用气体 氮GB/T 16944-1997大气污染物综合排放标准GB16297-1996微电子标准微电子器件试验方法和程序GJB 548B-2005半导体分立器件总规范GJB 33A-97半导体分立器件型号命名方法GB/T249-89半导体集成电路总规范GJB 597A－96混合集成电路通用规范GJB 2438A-2002半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T 10741-2000半导体分立器件包装规范GJB 3164-98电子产品防静电放电控制手册GJB/Z 105-98防静电包装手册GJB/Z 86-97印制板总规范GB/T 16261-1996集成电路A/D和 D/A转换器测试方法的基本原理SJ50597/37-95半导体集成电路JSC145152型CMOS并行输入锁相环4频率合成器膜集成电路和混合集成电路外形尺寸GB/T 15138-94计量校准及管理标准测量不确定度的表示及评定GJB 3756-99检测和校准实验室能力的通用要求GB/T 15481-2000测量管理体系测量过程和测量设备的要求GB/T 19022-2003测量设备的质量保证要求计量确认体系GJB 2712-96测试实验室和校准实验室通用要求GJB 2725A－2001测量设备的质量保证要求第一部分测量设备的计量确认体系GB/T 19022.1-1994测量设备的质量保证第二部分：测量过程控制指南GB/T 19022.2-2000抽样标准计数抽样检验程序及表GJB 179A-96周期检验计数抽样程序及表GB/T 2829-2002GB/T 2828.1-2003计数抽样检验程序 第一部分：按接收质量限（AQL)检索的逐军用电子元件失效率抽样方案和程序GJB 2649-96产品质量监督计数抽样程序及抽样表GB/T 14162-93光电类标准半导体光电模块总规范SJ 20642-97固体激光器总规范SJ 20027-92空间用单晶硅太阳能电池总规范GJB 1431-92固体激光器总规范GB/T 15490-1995红外探测器总规范GJB 1206-91红外探测器参数测试方法GB/T13584－92红外探测器外形尺寸系列GB/T13583-92半导体激光二极管空白详细规范GB/T 15649-1995半导体激光二极管总规范GJB3519-99固体激光器通用规范GJB 5849-2006大功率半导体激光二极管阵列通用规范SJ 20957-2006固体激光器测试方法GJB 5441-2005固体激光二极管测试方法SJ 2749-87太阳电池光谱响应测试方法GB 11009-89航天用标准太阳电池GB 6492-86航天用太阳电池标定的一般规定GB 6496-86航天用太阳电池电性能测试方法GB 6494-86太阳敏感电池通用规范GJB 2932-97太阳能电池温度系数测试方法SJ/T 10459-93太阳电池组件参数测试方法GB/T 14009-92光伏器件 第1部分：光伏电流－电压特性的测量GB/T 6495.1-1996光伏器件 第2部分：标准太阳电池的要求GB/T 6495.2-1996GB/T 6495.3-1996光伏器件 第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐半导体光电组件总规范SJ 20786-2000 PIN、APD光电探测器总规范SJ 20644-97PIN、APD光电探测器通用规范GJB 5022-2003军用激光器辐射传输测试方法GJB 894A－99PIN、雪崩光电二极管测试方法SJ 2354.1-83激光产品的安全第1部分：设备分类、要求和用户指南GB 7247.1-2001纤维光学试验方法GJB 915A-97纤维光学转接器 第1部分：总规范GB/T 18308.1-2001GB/T 18310.4-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第2－4部分纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－2部分GB/T 18311.2-2001GB/T 18311.3-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－3部分GB/T 18311.6-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－6部分GB/T 18310.18-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第2－18部热敏电阻总规范GJB 601A-98光纤总规范GJB 1427A-99光纤光缆连接器 第1部分：总规范GB/T 12507.1-2000光纤光缆连接器 第2部分：F-SMA型光缆连接器分规范.0地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型GB/T 9535-1998激光辐射功率测试方法GB/T 13863-92激光辐射功率稳定度测试方法GB/T 13864-92红外探测器试验方法GJB 1788-93超辐射发光二极管组件测试方法SJ 20785-2000红外发射二极管总规发GJB 3930-2000半导体光电器件GR1325J型长波长发光二极管组件详细规范SJ 20642/7-2000激光辐射发散角测试方法GB/T 13740-92激光辐射光束直径测试方法GB/T 13741-92晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法GB/T 6495.4-1996发光二极管固体显示器总规范GJB 2146-94固体激光器主要参数测试方法GB/T 15175-94军用激光测距仪通用规范SJ 20793－2000质量控制管理标准产品质量保证大纲要求GJB 1406A-2005产品质量标志和可追溯性要求GJB 726A-2004不合格控制指南SJ/T 10466.15-94军用电气和电子元器件的标志GJB 2118-94武器装备研制项目管理GJB 2993-97军工批次管理的质量控制要求GJB 1330-91合同中质量保证要求GJB 2102-94航天产品质量问题归零实施指南QJ 3183-2003军工产品的批次管理的质量控制要求GJB 1330-91关键件和重要件的质量控制GJB 909-2005产品质量评审GJB 907-90故障报告、分析和纠正措施系统GJB 841-90质量管理和质量保证军用标准GJB/Z 9000~9004-96电子行业质量管理和质量体系要素标准SJ/T 10466.1~10466.13-93质量管理和质量体系要素第4部分：质量改进指南GB/T 19004.1-1994航天产品设计文件管理制度QJ 1714.1~1714.8A-99QJ 1714.9A-99QJ 1714.10A~1714.12A-99电子元器件选用管理要求GJB 3404-98纠正措施指南SJ/T 10466.16-94产品包装、装卸、运输、贮存的质量管理要求GJB 1443-92质量经济性管理指南GB/Z 19024-2000电子元器件设计文件编制示例SJ/T 10718-1996质量成本管理指南GJB/Z4-88质量管理术语GJB 1405-92质量管理 技术状态管理指南GB/T 19017-1997质量管理体系要求GJB 9001A-2001质量管理体系标准GB/T 19000-2000GB/T 19001-2000GB/T 19004-2000质量改进指南SJ/T 10466.19-1995系统安全性通用大纲GJB 900-90技术状态管理GJB 3206-98设计文件管理制度 第1－3部分SJ/T 207.1-3-1999设计文件管理制度 第4部分：设计文件的编号SJ/T 207.4-1999设计文件管理制度 第5部分：设计文件的更改SJ/T 207.5-1999成套技术资料质量管理要求GJB 906-90设计评审GJB 1310A-2004设计质量控制指南SJ/T 10466.14-94外购器材的质量管理GJB 939-90人员培训和资格评定指南SJ/T 10466.21-1995包装储运图示标志GB 191-2000可靠性增长试验GJB 1407-92工艺设计评审指南SJ/T 10466.17-94厂际质量保证体系工作指南GJB/Z2-88不合格品管理GJB 571-88工艺评审GJB 1269A-2000工艺管理常用图形符号SJ/T 10462-93工序质量控制要求GJB 467-88工业产品保证文件GB/T 14436-93工艺文件标准汇编SJ/T 10375~10377-1993SJ/T 10531-1994SJ/T 10631-1995军工产品定型程序和要求GJB 1362-92军工产品质量管理要求与评定导则GJB/Z16-91接地、搭接和屏蔽设计的实施GJB 1210-91国防计量通用术语GJB 2715-96工艺文件完整性与工艺文件格式JB/T 9165.1~9165.4-1998武器装备研制项目管理GJB 2116-94装备维修性通用大纲GJB 368A-94特性分类GJB 190-86理化试验质量控制规范GJB 466-88器材供应单位质量保证能力评定GJB 1404-92装备可靠性维修性参数选择和指标确定要求总则GJB 1909－96金属镀覆和化学覆盖工艺质量控制要求GJB 480A-95焊接质量控制要求GJB 481-88故障树分析指南GJB/Z 768A-98故障模式、影响及危害性分析程序GJB 1391-92可靠性模型的建立和可靠性预计GJB 912-90装备综合保障通用要求GJB 3872-99装备质量与可靠性信息管理要求GJB 1686-93维修性试验与评定GJB 2072－94电子元器件统计过程控制体系GJB 3014-97电子元器件产品出厂平均质量水平评定方法GJB 2823-97电子工业用工艺装备分类编号SJ/T 10672-1995半导体分立器件结构相似性应用指南SJ 20756-1999电子元器件质量保证大纲GJB 546A-96中国国防科学技术报告编写规则GJB 567A-97大型试验质量管理要求GJB 1452A-2004维修性分配与预计手册GJB/Z 57－94电路容差分析指南GJB/Z 89-97熔模铸造工艺质量控制GJB 905-90技术文件使用与归档管理规定QJ 1089A~1092A-98产品质量信息管理指南SJ/T 10466.18-1995工艺文件格式的填写SJ/T 10375-93电子文件归档与管理规范GB/T 18894-2002质量手册编制指南GB/T 19023-1996多余物控制要求GJB 5296-2004军工产品售后技术服务GJB/Z 3-88装备可靠性工作通用要求GJB 450A-2004装备保障性分析GJB 1371-92电子设备可靠性预计手册GJB/Z 299B-98装备测试性大纲GJB 2547-95试验方法标准微电子器件试验方法标准－美国国防部标准（上、下）电子及电气元件试验方法GJB 360A-96半导体分立器件试验方法GJB 128A-97电子产品环境应力筛选方法GJB 1032-90无损检测质量控制规范 磁粉检验GJB 593.3-88元器件破坏性物理分析管理要求QJ 3179-2003电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范SJ/T 10694-2006防静电工作区技术要求GJB 3007-97电子元器件制造防静电技术要求SJ/T 10630-1995半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验GJB 762.1-89半导体器件辐射加固试验方法γ总剂量辐照试验GJB 762.2-89半导体器件辐射加固试验方法γ瞬时辐照辐照试验GJB 762.3-89军用电子元器件破坏性物理分析方法GJB 4027-2000军用设备环境试验方法GJB 150.3-86半导体材料标准目录基础标准一、我国半导体材料标准1.基础标准锗晶体缺陷图谱GB/T 8756-1988掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程GB/T 13389-1992半导体材料术语GB/T 14264-1993半导体材料牌号表示方法GB/T 14844-1993晶片通用网络规范GB/T 16595-1996确定晶片坐标系规范GB/T 16596-1996硅材料原生缺陷图谱（原GBn 266-87）YS/T 209-1994 2.产品标准工业硅技术条件GB/T 2881-1991锗单晶GB/T 5238-1995高纯镓GB/T 101 18-1988高纯二氧化锗GB/T 1 1069-1989还原锗锭GB/T 1 1070-1989区熔锗锭GB/T 1 1071-1989锑化铟多晶、单晶及切割片GB/T 1 1072-1989液封直拉法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1093-1989水平法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1094-1989硅单晶GB/T 12962-1996硅多晶GB/T 12963-1996硅单晶抛光片GB/T 12964-2003硅单晶切割片和研磨片GB/T 12965-1996硅外延片GB/T 14139-1993锗单晶片GB/T 15713-1995高纯四氯化锗YS/T 13-1991硅片包装YS/T 28-1992高纯砷YS/T 43-1992高纯铟（原GB 8003-87）YS/T 264-1994霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片（原GB 1 Ys/T 290-1994锗富集物（原zB H 31003-87）YS/T 300-1994 3.方法标准非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1550-1997硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法GB/T 1551-1995硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法GB/T 1552-1995硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1553-1997硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 1554-1995半导体单晶晶向测定方法GB/T 1555-1997硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1557-1989硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 1558-1997硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T 4058-1995硅多晶气氛区熔磷检验方法GB/T 4059-1983硅多晶真空区熔基硼检验方法GB/T 4060-1983硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 4061-1983半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法GB/T 4298-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 4326-1984锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T 5252-1985半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流GB/T 6616-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T 6617-1995硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6618-1995硅片弯曲度测试方法GB/T 6619-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6620-1995硅抛光片表面平整度测试方法GB/T 6621-1995硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 6624-1995砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法GB/T 8757-1988砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法GB/T 8758-1988砷化镓单晶位错密度的测量方法GB/T 8760-1988砷化镓外延层载流子浓度电容一电压测量方法GB/T 11068-1989硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 11073-1989电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T 13387-1992硅片参考面结晶学取向x射线测量方法GB/T 13388-1992硅片直径测量方法 光学投影法GB/T 14140.1-1993硅片直径测量方法 千分尺法GB/T 14140.2-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直GB/T 1414l-1993硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法GB/T 14142-1993 300-900&m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T 14143-1993硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法GB/T 14144-1993硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法GB/T 14145-1993硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法GB/T 14146-1993重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方GB/T 14847-1993工业硅化学分析方法 1，10一二氮杂菲分光光度法GB/T 14849.1-1993工业硅化学分析方法 铬天青-S分光光度法测定铝量GB/T 14849.2-1993工业硅化学分析方法 钙量的测定GB/T 14849.3-1993硅片抗弯强度测试方法GB/T 15615-1995硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法GB/T 17169-1997非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测GB/T 17170-1997砷化镓单晶AB微缺陷检验方法GB/T 18032-2000半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法GB/T 19199-2003异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法YS/T 14-1991硅外延层和扩散层厚度的测定 磨角染色法YS/T 15-1991硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法YS/T 23-1992外延钉缺陷的检验方法YS/T 24-1992硅抛光表面清洗方法YS/T 25-1992硅片边缘轮廓检验方法YS/T 26-1992晶片表面上微粒沾污测量和计数的方法YS/T 27-1992高纯砷化学分析方法 孔雀绿分光光度法测定锑量YS/T 34.1-1992高纯砷化学分析方法 化学光谱法测定钴、锌、银、YS/T 34.2-1992高纯砷化学分析方法 极谱法测定硒量YS/T 34.3-1992高纯砷化学分析方法 极谱法测定硫量YS/T 34.4-1992高纯二氧化锗化学分析方法 硫氰酸汞分光光度法测YS/T 37.1-1992高纯二氧化锗化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅YS/T 37.2－1992高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法YS/T 37.3－1992高纯二氧化锗化学分析方法化学光谱法测定铁、镁、YS/T 37.4-1992高纯镓化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅量YS/T 38.1-1992高纯镓化学分析方法 化学光谱法测定锰、镁、铬和YS/T 38.2-1992高纯镓化学分析方法 化学光谱法测定铅、镍、锡和YS/T 38.3-1992高纯铟中铝、镉、铜、镁、铅、锌量的测定 （化学YS/T 230.1-1994高纯铟中铁量的测定 （化学光谱法）（原GB 2594YS/T 230.2-1994高纯铟中砷量的测定 （二乙氨基二硫代甲酸银（A YS/T 230.3-1994高纯铟中硅量的测定 （硅钼蓝吸光光度法）（原G YS/T 230.4-1994高纯铟中硫量的测定 （氢碘酸、次磷酸钠谱法）（YS/T 230.5-1994高纯铟中鉈量的测定 （罗丹明B吸光光度法）（原YS/T 230.6-1994高纯铟中锡量的测定 （苯芴铜－溴代十六烷基三甲YS/T 230.7-1994 SEMI 标 准硅单晶抛光片规范SEMI M1-0302直径2inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.1-89（重订本0299）直径3inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.2-89（重订本0299）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度525μm）SEMI M1.5-89（重订本0699）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度625μm）SEMI M1.6-89（重订本0699）直径125mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.7-89（重订本0699）直径150mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.8-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.9-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(参考面)SEMI M1.10-0669直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度525μm）SEMI M1.11-90（重订本0299直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格 SEMI M1.12-90（重订本0299）直径150mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度625μm）SEMI M1.13-0699直径350mm和400mm硅单晶抛光片指南SEMI M1.14-96直径300mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.15-0302分立器件用硅外延片规范SEMI M2.0997蓝宝石单晶抛光衬底规范SEMI M3.12962inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.2－913inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.4－91100mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.5－923inch回收蓝宝石衬底标准SEMI M3.6－88125mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.6－88150mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.8－91蓝宝石衬底上硅单晶（SOS）外延片规范SEMI M4－1296太阳能光电池用硅片规范SEMI M6－1000硅单晶抛光试验片规范SEMI M8－0301砷化镓单晶抛光片规范SEMI M9－0999电子器件用直径50.8mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.1－96电子器件用直径76.2mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.2－96 光电子用直径2inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.3－89光电子用直径3inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.4－89电子器件用直径100mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.5－96直径125mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.6－95直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片（切口）规范SEMI M9.7－0200 鉴别砷化镓晶片上观察到的结构和特征的标准术语SEMI M10－1296集成电路用硅外延片规范SEMI M11－0301晶片正面系列字母数字标志规范SEMI M12－0998 硅片字母数字标志规范SEMI M13－0998半绝缘砷化镓单晶离子注入与激活工艺规范SEMI M14－89半绝缘砷化镓抛光片缺陷限度表SEMI M15－0298多晶硅规范SEMI M16－1296块状多晶硅标准SEMI M16.1－89晶片通用网格规范SEMI M17－0998硅片订货单格式SEMI M18－0302体砷化镓单晶衬底电学特性规范SEMI M19－91建立晶片坐标系的规范SEMI M20－0998地址分配到笛卡尔坐标系的矩形单元规范SEMI M21－0998介电绝缘（DI）晶片规范SEMI M22－1296磷化铟单晶抛光片规范SEMI M23－0302直径50mm磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.1－06003inch(76.2mm)磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.2－1000矩形磷化铟单晶抛光片标准SEMI M23.3－0600电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规SEMI M23.4－0999电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规SEMI M23.5－1000优质单晶抛光片规范SEMI M24－1101根据聚苯乙烯乳胶球直径校准光点缺陷硅片检验系统SEMI M25－95运输晶片用的片盒和花篮再使用指南SEMI M26－96确定测试仪器的精度与公差比（P/T）的规程SEMI M27－96开发中的直径300mm硅单晶抛光片规范SEMI M28－0997（1000撤回）直径300mm晶片传递盒规范SEMI M29－1296用傅立叶变换红外吸收光谱测量砷化镓中代位碳原子SEMI M30－0997用于300mm晶片传送和发货的正面打开的发货片盒暂SEMI M31－0999统计规范指南SEMI M32－0998用全反射X射线荧光光谱（TXRF）测定硅片表面残留SEMI M33－0998制定SIMOX硅片技术规范指南SEMI M34－0299开发自动检查方法测量硅片表面特征规范的指南SEMI M35－0299低位错密度砷化镓晶片腐蚀坑密度（EPD）的测试方SEMI M36－0699低位错密度磷化铟晶片中腐蚀坑密度（EPD）的测试SEMI M37－0699硅抛光回收片规范SEMI M38－1101半绝缘砷化镓单晶材料的电阻率、霍尔系数盒霍尔迁SEMI M39－0999关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测量指南SEMI M40－0200功率器件、集成电路用绝缘体上硅（SOI）晶片的规SEMI M41－1101化合物半导体外延片规范SEMI M42－1000关于编制硅片纳米形貌报告的指南SEMI M43－0301硅中间隙氧的转换因子指南SEMI M44－0301 300mm晶片发货系统临时标准SEMI M45－0301用EVC剖面分布测量外延层结构中载流子浓度的测试SEMI M46－1101 CMOS LSI电路用绝缘体上硅（SOI）晶片规范SEMI M47－0302评价无图形硅衬底上薄膜的化学机械抛光工艺的指南SEMI M48－1101 用于130nm级工艺硅片几何尺寸测量设备的指南SEMI M49－1101 采用覆盖法确定表面扫描检查系统的捕获率和虚假计SEMI M50－1101 化合物半导体外延片规范SEMI M42－1000硅片背面条型代码标志规范SEMI T1－95带有二维矩阵代码符号的晶片标志规范SEMI T2－0298 晶片盒标签规范SEMI T3－0302 150mm和200mm晶片箱标志尺寸规范SEMI T4－0301 砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范SEMI T5－96带二维矩阵代码符号的双面抛光晶片背面标志规范SEMI T7－030262079:200110466.13-93 714.12A-99165.4-1998（重订本0299）（重订本0299）（重订本0699）（重订本0699）（重订本0699）（重订本0299）90（重订本0299）撤回）。
电子化学品性能要求及生产技术
电子化学品性能要求及生产技术电子化学品的质量规格及标准电子化学品的质量标准的演变为了能够规范世界超净高纯试剂的标准，SEMI（Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导体设备和材料协会）于1975年成立了SEMI化学试剂标准化委员会，专门制定、规范超净高纯试剂的国际统一标准—SEMI标准。
1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。
两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和（尘埃）微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。
国际上公认的电子化学品的标准大致可分为四类：一类是以SEMI为基础的美国试剂标准；一类是以德国E.Merck标准为主的欧洲试剂标准；一类是以日本关东化学（Kanto）公司、和光纯药工业（Wako）公司的湿电子化学品为代表的日本试剂标准；另一类则是以REA公司为代表的俄罗斯试剂标准。
ULSI在全球的快速发展使得这些标准的指标有逐步接近的趋势，但SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。
目前世界及我国的电子化学品产品通常执行SEMI国际标准，其关键技术指标包括单项金属离子，单项阴离子，颗粒数等，另外根据不同产品特点会相应增加其它一些技术指标。
电子化学品SEMI标准进入21世纪，国际SEMI标准化组织又根据电子化学品在世界范围内的实际发展情况对原有的分类体系进行了归并，按品种进行分类，每个品种归并为一个指导性的标准，其中包括多个用于不同工艺技术的等级。
表2-1列出了IC制造的不同线宽对湿电子化学品SEMI国际标准等级的要求。
表2-1 电子化学品SEMI国际标准等级从表2-1中可以看出，对应集成电路不同技术水平，所需要电子化学品的标准越高，纯度和洁净度的要求也就越高。
如果给电子化学品分级别或档次的话，那么用于≥1.2μm属于低档产品（需采用SEMI C1等级的湿电子化学品），0.8～1.2μm属于中低档产品（需采用SEMI C7等级的电子化学品），0.2～0.6μm属于中高档产品（需采用SEMI C8等级的电子化学品）。
电子级盐酸分析
电子级盐酸资料一、用途及现状目前，我国高纯电子级化学品大多依赖进口，随着国内电子行业向着高集成化、高均匀性及高完整性的飞速的发展，对广泛用于单晶硅气相抛光和外延机座腐蚀的电子级盐酸O和金属离子等有的要求也越来越高。
除了纯度到达99.999%以上，还要求盐酸的HCl、H2机杂质的含量越来越低。
电子级盐酸在我们生活的各个领域中具有广泛的应用，如医药、化工、半导体、大规模集成电路等行业。
电子级盐酸主要用于外延生长前硅和砷化镓高温气相刻蚀，清洗钠离子。
另外高纯盐酸还用于金属表面化学处理，激光用混合气、胶片生产及碳纤维表面处理。
过去我国大多依赖进口，近年来技术得到不少突破。
电子级盐酸产品附加值高，利润丰厚，属于精细化工品，投资少，技术含量高。
目前仅有少数厂家进行电子级盐酸的生产。
随着国家光伏行业和新能源的快速发展，电子级盐酸的需求量越来越多。
目前国内盐酸市场现状：1、国内盐酸企业多是随市就价，随市决定产量，市场供应量充足，开工率不稳定；2、合成盐酸市场行情受上游液氯市场行情影响较大，此涨彼涨，此跌彼跌；3、氯碱难平衡，当前国内氯碱企业处于调整状态，正在向以氯补碱的发展模式转型，氯碱产品出现价格调整是必然现象；4、电子级盐酸销售价格高，大多依赖进口。
近年来很多企业在进行电子级盐酸的研发，由于技术含量很高，目前进展不大。
二、目前使用的电子级盐酸提纯方法及对应方法主要设备盐酸，分子式HCL，分子量36.46；是HCL的水溶液，纯净的盐酸是无色透明液体。
工业级盐酸因含有杂质而带有黄色，浓盐酸在空气中发烟，有刺激性气味，味酸，有腐蚀性。
沸点-85℃，熔点-114.℃，盐酸的密度和氯化氢的百分含量可以按下列公式进行粗略的计算：质量%=（密度—1）*2+0.5提纯方法：盐酸的提纯方法很多，根据不同情况采用不同提纯方法，目前采用的方法有等温扩散法、蒸馏法、亚沸法、精馏法、离子交换法、气体吸收法，洁净环境中采用亚沸或者双亚沸的方法最好。