电力电子知识点总结终结版(office2007)
电力电子技术-全书总结
电力电子技术Βιβλιοθήκη 结第七章要点: 掌握软开关的基本概念(硬开关、软开关、零电压开 关和零电流开关); 重点掌握零电压开关准谐振电路、谐振直流环、移相 全桥型零电压开关PWM电路和零电压转换PWM电路的工作 原理。 第八章要点: 理解间接交流变流电路的工作原理、应用;理解间接 直流变流电路的类型、电路结构及应用。
电力电子技术总结
第三章要点: 重点掌握各种基本斩波电路的工作原理、输入输出关 系、电路解析方法、工作特点。 第四章要点: 重点掌握交流—交流变流电路的分类及其基本概念; 单相、三相交流调压电路的电路构成、工作原理分析,以 及单相电路在电阻负载和阻感负载时计算方法; 重点掌握交流调功电路和交流电力电子开关的基本概 念;理解晶闸管相位控制交交变频电路的电路构成、工作 原理和输入输出特性。
电力电子技术总结
第一章要点: 掌握各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、 基本特性和主要参数等,理解电力电子器件的驱动和保护 电路的作用。 第二章要点: 重点掌握电力电子电路按分段线性电路进行分析的基本 思想、单相整流电路和三相整流电路的原理分析与计算、各 种负载对整流电路工作情况的影响; 可控整流电路的有源逆变工作状态,重点掌握产生有源 逆变的条件、三相可控整流电路有源逆变工作状态的分析计 算、逆变失败及最小逆变角的限制等。
电力电子技术总结
第五章要点: 掌握换流的概念以及换流方式的分类; 重点掌握单相和三相电压型逆变电路的主要特点、原 理分析和计算;理解单相和三相电流型逆变电路的主要特 点、原理分析。 第六章要点: 重点掌握PWM控制的基本原理;单相桥式PWM逆变电 路中单极性和双极性控制方法分析。 重点掌握异步调制和同步调制的概念,规则采样法的概 念。 理解单相PWM整流电路的工作原理和控制方法分析。
(完整word版)电力电子必备知识点
电力电子必背知识点1.电力电子电路中能实现电能的变换和控制的半导体电子器件称为电力电子器件(Power Electronic Device)。
2.电力电子器件的基本特性注:很重要,一定记住(1)电力电子器件一般都工作在开关状态。
(2)电力电子器件的开关状态由(驱动电路)外电路来控制。
(3)在工作中器件的功率损耗(通态、断态、开关损耗)很大。
为保证不至因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏,在其工作时一般都要安装散热器。
3.按器件的开关控制特性可以分为以下三类:①不可控器件:器件本身没有导通、关断控制功能,而需要根据电路条件决定其导通、关断状态的器件称为不可控器件。
如:电力二极管(Power Diode);②半控型器件:通过控制信号只能控制其导通,不能控制其关断的电力电子器件称为半控型器件。
如:晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件等;③全控型器件:通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断的器件,称为全控型器件。
如:门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor )、功率场效应管(Power MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(Insulated-Gate Bipolar Transistor)等。
4.前面已经将电力电子器件分为不可控型、半控型和全控型。
按控制信号的性质不同又可分为两种:①电流控制型器件:此类器件采用电流信号来实现导通或关断控制。
如:晶闸管、门极可关断晶闸管、功率晶体管、IGCT等;②电压控制半导体器件:这类器件采用电压控制(场控原理控制)它的通、断,输入控制端基本上不流过控制电流信号,用小功率信号就可驱动它工作。
如:代表性器件为MOSFET管和IGBT管。
5.几点结论(重要)1.晶闸管具有单向导电和可控开通的开关特性。
2.晶闸管由阻断状态转为导通状态时,应具备两个条件:从主电路看,晶闸管应承受正向阳极电压;从控制回路看,应有符合要求的正向门极电流。
3.晶闸管导通后,只要具备维持导通的主回路条件,晶闸管就维持导通状态,门极便失去控制作用,其阳极电流由外电路决定。
电力电子学知识点总结
电力电子学知识点总结电力电子学是研究电力系统中的电力变换、控制和调节的学科,主要包括功率半导体器件、电力电子器件、电力电子电路、电力电子系统以及其工作原理和应用等方面的内容。
下面将对电力电子学的基本知识点进行总结,以便更好地理解和应用电力电子技术。
一、功率半导体器件功率半导体器件是电力电子电路中的核心部件,其主要作用是实现电能的变换和控制。
常见的功率半导体器件有二极管、晶闸管、可控硅、大功率晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等。
这些器件的工作原理、特性和应用有所不同,选择适合的器件对电力电子系统的性能具有重要影响。
1.二极管:二极管是一种具有两个电极的器件,主要用于整流电源电路中。
其工作原理是当正向电压施加在二极管上时,电流可以流过,而反向电压施加时,二极管具有很高的阻抗。
2.晶闸管:晶闸管是一种具有三个电极的器件,主要用于控制高功率交流电流。
其工作原理是通过一个控制电极的信号来控制另外两个电极之间的导通和截止状态。
3.可控硅:可控硅也是一种具有三个电极的器件,其特点是只有在一个特定的触发脉冲下才能开启,一旦开启就可以持续导通。
可控硅主要用于交流电压控制以及电能的调节。
4.大功率晶体管:大功率晶体管是一种可以承受大电流和大功率的晶体管。
它具有高增益和低饱和压降的特点,适用于高频率和高功率的应用。
5.MOSFET:MOSFET是一种依靠电场效应来控制导通的器件。
它具有低导通电阻、高开关速度和优异的抗击穿能力,适用于高频率和高效率的应用。
二、电力电子电路电力电子电路是将功率半导体器件组合成特定功能的电路,用于实现电能的变换、控制和调节。
常见的电力电子电路有整流电路、逆变电路、升压和降压变换器等。
1.整流电路:整流电路是将交流电转换为直流电的电路。
常见的整流电路有单相和三相整流桥电路,可以采用二极管或可控硅进行整流。
2.逆变电路:逆变电路是将直流电转换为交流电的电路。
逆变电路有单相和三相逆变电路,可以采用晶闸管或可控硅进行逆变。
电力电子技术知识点自己总结
移相范围 90度 α=0度
阻感负载
波形
α=30度
α=90度
公式
当α<=60度时
电力电子技术知识点
γ随其他参数变化的规律
漏感可能一个集中的电感表示
由于电感的存在,换相过程不能瞬间完成
变压器漏感对整流电路的影响
盟 换相过程持续的时间可用电角度γ表示,称为换相重
叠角
出现换相重叠角γ,整流输出电压平均值Ud降低。
快速熔断器
保护 直流快速断路器
晶闸管串联:均压
过电流继电器
晶闸管并联:均流
存在问题:
优点: 缺点:
电路简单
公式
输出脉动大
移相范围: 180度
变压器二次侧有直流分量,会造成铁心磁化
缺点:
会出现电流断续 解决方法:在主电路输出侧串联一个电感
电路图
波形
单相桥式全控整流电路
带最大正向电压 晶闸管承受的最大反向电压
公式
单相可控整流
移相范围 180度 电路图
触发脉冲的宽度应晶闸管可靠导通
晶闸管触发电路应满足下列要求
触发脉冲应有足够的幅度
所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电 流和功率定额。
诮有良好的抗干扰性能
操作过电压
第九章
过电压产生及过电压保护
产生:
雷击过电压 换相过电压
关断过电压
一般采用rc电路保护
过电流保护
电力电子电路运行不正常或者发生故障时,可能会 发生过电流过电流分过载和短路两种情况
电流驱动型 电压驱动型
单极型器件
电力电子器件的分类方法3 双极型器件
复合型器件
IGBT的特性 参见书,写在本子上吧
(完整word版)电力电子必备知识点(良心出品必属精品)
电力电子必背知识点1.电力电子电路中能实现电能的变换和控制的半导体电子器件称为电力电子器件(Power Electronic Device)。
2.电力电子器件的基本特性注:很重要,一定记住(1)电力电子器件一般都工作在开关状态。
(2)电力电子器件的开关状态由(驱动电路)外电路来控制。
(3)在工作中器件的功率损耗(通态、断态、开关损耗)很大。
为保证不至因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏,在其工作时一般都要安装散热器。
3.按器件的开关控制特性可以分为以下三类:① 不可控器件:器件本身没有导通、关断控制功能,而需要根据电路条件决定其导通、关断状态的器件称为不可控器件。
如:电力二极管(Power Diode);②半控型器件:通过控制信号只能控制其导通,不能控制其关断的电力电子器件称为半控型器件。
如:晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件等;③全控型器件:通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断的器件,称为全控型器件。
如:门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor )、功率场效应管(Power MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(Insulated-Gate Bipolar Transistor)等。
4.前面已经将电力电子器件分为不可控型、半控型和全控型。
按控制信号的性质不同又可分为两种:① 电流控制型器件:此类器件采用电流信号来实现导通或关断控制。
如:晶闸管、门极可关断晶闸管、功率晶体管、IGCT等;② 电压控制半导体器件:这类器件采用电压控制(场控原理控制)它的通、断,输入控制端基本上不流过控制电流信号,用小功率信号就可驱动它工作。
如:代表性器件为MOSFET管和IGBT管。
5.几点结论(重要)1.晶闸管具有单向导电和可控开通的开关特性。
2.晶闸管由阻断状态转为导通状态时,应具备两个条件:从主电路看,晶闸管应承受正向阳极电压;从控制回路看,应有符合要求的正向门极电流。
电力电子整理
1.电力电子基础知识:(1)电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。
通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。
(2)具体地说,电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础,而变流技术则是电力电子技术的核心。
(3)变流技术:(4)电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。
晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件,属于半控型器件。
对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式,简称相控方式。
采用全控型器件的电路的主要控制方式为脉冲宽度调制(PWM)方式。
相对于相位控制方式,可称之为斩波控制方式,简称斩控方式。
2. 电力电子器件电力电子器件是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。
电力电子器件处理的电功率较大,一般都工作在开关状态,而且需要驱动电路,一般都安装散热器。
通态损耗(通态压降)(1)功率损耗断态损耗(断态漏电流)开通损耗开关损耗关断损耗(2)分类半控型:晶闸管(可控硅)按照能被控制程度全控型:门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)绝缘栅双极晶体管(IGBT)电力场效应晶体管(Power MOSFET)不可控:电力二极管按照驱动信号性质:电流驱动型和电压驱动型(3)电力电子器件●不可控型——电力二极管:工作原理:a)二极管的基本原理——PN结的单向导电性。
b)为了承受高电压和大电流:采用垂直导电结构使得硅片中通过电流的有效面积增大,可以显著提高二极管的通流能力;在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,可以承受很高的电压而不致被击穿。
c)反向击穿(雪崩击穿和齐纳击穿)、热击穿d)结电容(势垒电容和扩散电容)影响PN结的工作频率●半控型——晶闸管:a) 使晶闸管导通的条件:晶闸管承受正向电压,且门极有触发电流。
(0,0AK GK u u >>)b) 维持晶闸管导通的条件:晶闸管的电流大于维持电流H I 。
电力电子技术总结完整版
电力电子技术总结HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】1、电力电子技术的概念:所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。
2、电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。
3、晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件,属于半控型器件。
对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式,简称相控方式。
4、70年代后期,以门极可关断晶闸管(GTO)、电力双极型晶体管(BJT)和电力场效应晶体管(Power-MOSFET)为代表的全控型器件迅速发展。
5、全控型器件的特点是,通过对门极(基极、栅极)的控制既可使其开通又可使其关断。
6、把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起,构成电力电子集成电路(PIC)。
第二章1、电力电子器件的特征◆所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和电流的能力,是其最重要的参数,一般都远大于处理信息的电子器件。
◆为了减小本身的损耗,提高效率,一般都工作在开关状态。
◆由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路。
◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件,在其工作时一般都需要安装散热器2、电力电子器件的功率损耗3、电力电子器件的分类(1)按照能够被控制电路信号所控制的程度◆半控型器件:主要是指晶闸管(Thyristor )及其大部分派生器件。
器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
◆全控型器件:目前最常用的是 IGBT 和Power MOSFET 。
通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断。
◆不可控器件:电力二极管(Power Diode ) 不能用控制信号来控制其通断。
(2)按照驱动信号的性质◆电流驱动型 :通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。
通态损耗断态损耗开关损耗 开通损耗关断损耗◆电压驱动型仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。
电力电子知识点总结
电力电子知识点总结导语电力电子是一门新兴技术,它是由电力学、电子学和控制理论三个学科交叉而成的,已成为现代电气工程与自动化专业不可缺少的一门专业基础课,在培养本专业人才中占有重要地位。
以下是小编整理电力电子知识点总结的资料,欢迎阅读参考。
1 电力电子技术定义:是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,是应用于电力领域的电子技术,主要用于电力变换。
2 电力变换的种类交流变直流AC-DC:整流直流变交流DC-AC:逆变直流变直流DC-DC:一般通过直流斩波电路实现,也叫斩波电路交流变交流AC-AC:可以是电压或电力的变换,一般称作交流电力控制3 电力电子技术分类:分为电力电子器件制造技术和变流技术。
4、相控方式;对晶闸管的电路的控制方式主要是相控方式5、斩空方式:与晶闸管电路的相位控制方式对应,采用全空性器件的电路的主要控制方式为脉冲宽度调制方式。
相对于相控方式可称之为斩空方式。
1 电力电子器件与主电路的关系主电路:电力电子系统中指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。
电力电子器件:指应用于主电路中,能够实现电能变换或控制的电子器件。
广义可分为电真空器件和半导体器件。
2 电力电子器件一般特征:1、处理的电功率小至毫瓦级大至兆瓦级。
2、都工作于开关状态,以减小本身损耗。
3、由电力电子电路来控制。
4、安有散热器3 电力电子系统基本组成与工作原理一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。
检测主电路中的信号并送入控制电路,根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。
控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。
同时,在主电路和控制电路中附加一些保护电路,以保证系统正常可靠运行。
4 电力电子器件的分类根据控制信号所控制的程度分类半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
如SCR晶闸管。
全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。
电力电子知识点总结
第一章电力电子技术是应用于电力领域的电子技术,也就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
电子技术包括信息技术和电力电子技术两大分支。
电力电子器件:半控器件:晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)。
全控器件:电力晶体管(GTR)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、电力场效应晶体管(电力MOSFET)。
不可控器件:电力二极管(整流二极管)电力电子器件的分类:按照驱动电路信号的性质,分为两类:电流驱动型:晶闸管SCR、门极可关断晶闸管GTO、电力晶体管GTR电压驱动型:电力场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极晶体管IGBT按照器件内部参与导电的情况分为两类:单极型器件:电力MOSFET双极型器件:电力二极管、晶闸管SCR、门极可关断晶闸管GTO、电力晶体管GTR混合型器件:绝缘栅双极晶体管IGBT晶闸管正常工作时的特性:承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。
承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。
晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。
若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。
关断时间大于晶闸管的电路换向关断时间,才能可靠关断。
GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别:设计2较大,使晶体管V2控制灵敏,易于GTO关断。
导通时接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通时管压降增大。
多元集成结构,使得P2基区横向电阻很小,能从门极抽出较大电流。
晶闸管非正常导通的几种情况:阳极电压升高至相当高的数值照成雪崩现象;阳极电压上升率过高;结温较高;光直接照射硅片,即光触发;第二章单向可控整流电路:单向半波可控整流电路:A电阻负载:相关概念:从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用α表示,也称触发角或控制角。
晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度,用θ表示。
θπα=-通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为相位控制方式,简称相控方式。
电力电子装置知识点总结
电力电子装置知识点总结一、电力电子基础知识1. 电力电子的定义电力电子是将电力系统与电子技术结合起来的一门学科,它主要研究在电力系统中利用电子器件进行能量转换、调节和控制的技术。
2. 电力电子的发展历程电力电子技术最早的应用可以追溯到20世纪50年代初,经过半个多世纪的发展,电力电子技术已经得到了广泛的应用,成为了电力系统中不可或缺的一部分。
3. 电力电子的优点电力电子技术在电力系统中的应用具有很多优点,如能量转换效率高、动态性能好、结构灵活、控制精度高等。
4. 电力电子原理电力电子器件的工作原理主要包括整流器、逆变器、开关、电抗器等,其中整流器用于将交流电转化为直流电,逆变器用于将直流电转化为交流电,开关用于控制电路的通断,电抗器用于电流和电压的调节。
二、电力电子器件1. 二极管二极管是一种最基本的电力电子器件,它主要用于整流和开关等应用。
2. 晶闸管晶闸管是一种受控硅器件,具有双向导通性能和触发控制特性,常用于交流电调节、开关和逆变等应用。
3. 可控硅可控硅是一种受控硅器件,具有单向导通性能和触发控制特性,常用于整流和逆变等应用。
4. IGBTIGBT是一种绝缘栅双极晶体管,具有高频调制特性和大功率开关特性,常用于逆变和交流电调节等应用。
5. MOSFETMOSFET是一种金属氧化物半导体场效应管,具有低导通电阻和低驱动功率,常用于低压高频开关电源中。
6. 发光二极管发光二极管是一种电光转换器件,可以将电能转换为光能,广泛应用于指示灯、显示屏、照明等领域。
7. 功率电阻器功率电阻器是一种具有大功率承受能力的电阻器,用于电流和电压的调节、限制。
三、电力电子应用1. 电能转换电力电子技术主要应用于电能的转换过程中,将交流电转化为直流电或将直流电转化为交流电,以满足不同负载对电能形式的需求。
2. 调节与控制电力电子技术可以实现对电能的调节和控制,包括电压、电流、频率等参数的调节和精确控制,以满足不同电力系统的要求。
电力电子技术知识总结
电力电子技术知识总结电力电子技术是一个研究电力系统中能量的电子转换和控制的学科,它在电力系统的输配电过程中发挥着关键作用。
下面将对电力电子技术的基本原理、常用器件和应用领域进行总结。
电力电子技术的基本原理主要涉及能量的转换、控制和变换等方面。
其中,能量转换指的是将电力系统中的电能转换为其他形式的能量,例如机械能或热能;能量控制则是对电力系统中能量的流动进行控制,以保证系统的稳定和可靠运行;能量变换则是将电力系统中的电流和电压进行变换,以满足不同设备的工作需求。
在电力电子技术中,常用的器件有晶闸管、可控硅、IGBT和MOSFET等。
其中,晶闸管是一种具有可控导通能力的开关元件,广泛应用于直流电力传输和交流电功率控制系统中;可控硅是一种三层结构的半导体器件,具有可控导通和导通角的特点,常用于电力系统的调压和调速控制;IGBT是一种由双极性晶体管和MOSFET组成的器件,结合了二者的优点,适用于高压和高频应用;MOSFET则是一种最常用的功率开关管,具有速度快、损耗小和驱动电压低等特点。
电力电子技术在诸多领域有着广泛的应用,其中最常见的是电力变换和传输系统。
例如,直流输电系统中,电力电子技术可以实现高压直流输电,提高输电效率;交流输电系统中,电力电子技术可以实现交流电压和频率的调整,以适应不同工况。
此外,电力电子技术还应用于电力工具、家用电器、工业自动化、电动汽车等领域,提高了系统的效能和可靠性。
此外,电力电子技术还与能源转换和储能技术密切相关。
例如,太阳能光伏系统中,电力电子技术可以对光伏阵列产生的直流电进行变换和控制,以满足不同负载的需求;同时,电力电子技术还可以应用于储能系统,例如电动汽车的电池组和储能电站中,对电能的储存和释放进行控制。
总结来说,电力电子技术在电力系统中的应用十分重要。
它通过能量的转换、控制和变换,实现了电力系统的高效运行和灵活控制。
而晶闸管、可控硅、IGBT和MOSFET等器件则为电力电子技术的实现提供了基础。
电力电子技术知识点汇总
电力电子技术1.以电力为处理对象的电子技术称为电力电子技术。
它是一门利用电力电子器件对电能进行控制和转换的学科。
2.电力交换分为:交直变换(AC-DC 整流)直交变换(DC-AC 逆变)交交变换(AC-AC 交交变换)直直变换(DC-DC 斩波)3.1957年美国的通用电气公司研制出第一个晶闸管。
4.电源:直流电源,恒压恒频交流电源,变压变频电源。
5.电源涉及不间断电源、电解电源、电镀电源、开关电源(SMPS)、计算机及仪器仪表电。
6.高压直流输电(HVDC)晶闸管控制电抗器(TCR)晶闸管投切电容器(SVC)有源电力滤波(APF)7.为了减小本身的损耗,提高效率,电力电子器件一般工作在开关状态。
8.低频时通态损耗电力电子器件功率损耗的主要成因;器件开关频率较高,开关损耗随增大而成为器件功率损耗主要因素。
9.电力二极管:螺栓型和平板型两种封装。
10.当施加的反向电压过大时,反向电流将会急剧增大,破坏PN结反向偏置为截止的工作状态,这就是反向击穿。
反向电流未被限制住,使得反向电流和反向电压的乘积超过了PN 结所容许的耗散功率,就会因热量散发不出去而导致PN结温度上升,直至过热而烧毁,这就是热击穿。
PN结的电荷量随外加电压而变化,呈现一定的电容效应。
11.正向平均电流IF(Av)是指电力二极管长期运行时,在指定的管壳温皮平均值取标散热条件下,其允许流过的最大工频正弦平波电流的平均值。
肖特基二极管是单极器件12.为保证可靠,安全触发,触发电路所提供的触发电压、电流和功率都限制在可靠触发区。
13.实际中,应对晶闸管施加足够长时间的反向电压,使其充分恢复对正向电压的阻断能力,才能使晶闸管可靠关断。
14.GTR一般采用共发射极接法。
为了保证安全,最高工作电压Ucem要比BUceo低的多。
15.当GTR的集电极电压升高至一次击穿电压临界值BUcEo时,集电极电流Ic会迅速增大,出现雪崩击穿,称之为一次击穿,一次击穿也称为电压击穿。
电力电子学知识点总结
电力电子学知识点总结电力电子学知识点总结一安全方面防止事故发生,保证人身安全是电力部门首要的工作。
我在跟随师傅对设备进行的多次操作及维护工作中,始终坚持贯彻执行安全第一,预防为主,综合治理的方针,严格执行电力安全工作规程,认真分析安全工作中各类难点,针对各个工作任务的特点,有意识、有目标、有重点地做好各项安全措施。
除此之外,还认真学习班组组织的日常安全学习,细心体会,并认真讨论分析安全事故案例,从中吸取经验教训,防止安全责任事故的再次发生。
1、基础理论的提高在大学里面,我们所学习的更多的是理论上的东西,而对现实的实物、实例了解较少。
理论联系实际方面做的不够,理论与实际相脱节,这对深入学习是不利的,是所谓的闭门造车,没有实践的指导,理论不会得到很高提升。
而来到景洪电厂之后,以前理论的东西得到了实物的指导,使原本模糊的概念变得清晰。
突出表现在对发电机转子、定子、水轮机,励磁系统、调速系统、水工建筑等的结构有很深感性认识。
2、专业技能的提高在运行期间,我跟随班组师傅首先从如何巡检设备开始学习,在巡检过程中要注意哪些事项及如何使用巡检仪,在师傅们的带领下,我们慢慢地开始学习监盘及一些简单的操作,在监盘过程中需要重点监视的对象、设备的正常运行状态及如何判断机组故障及故障处理,在每次运行值守期间,师兄都要对我们提出问题,争取在每个八小时中学会一项简单的操作。
值班期间,一定要做好事故预想,一定要掌握当前全厂设备的状况,对存在缺陷的设备要加强监视。
在On-call期间,我们主要学习了如何写操作票、如何办理各种工作票,在机组检修时候,随同师傅做好检修机组的安全措施,在检修工作结束后,学习如何恢复安全措施。
这些工作,无一不需要我们认真对待、仔细检查,只有这样,才能保证机组的安全稳定运行。
运行期间我多次参加了机组的.开、停机操作,对开停机的流程及需要检查注意的事项有了一定程度的认识。
在维护期间,在师傅的指导下我学会了看电气二次图,了解了励磁系统和调速器的基本工作原理,学习了一些电气控制器与PLC基本原理及应用。
电力电子期末总结知识点
电力电子期末总结知识点本学期,我们学习了关于电力电子的相关知识,涉及到了电力电子器件、电力电子系统、电力电子控制等方面。
在这门课程中,我们学习到了许多重要的知识点,下面我将对这些知识点进行总结。
首先,我们学习了电力电子器件。
电力电子器件是实现电力电子变换功能的关键部件。
在本学期的学习中,我们重点学习了晶闸管、整流二极管、可控硅、MOSFET、IGBT等常见的电力电子器件。
我们深入了解了这些器件的工作原理、特性以及应用范围,对于理解电力电子的基本原理和设计具有非常重要的意义。
其次,我们学习了电力电子系统。
电力电子系统是由电力电子器件和其他辅助电路组成的系统。
在本学期的学习中,我们涉及到了各种不同类型的电力电子系统,如交流调压器、交流变频器、逆变器等。
我们通过学习这些系统的工作原理和控制方法,深入了解了电力电子在实际应用中的广泛用途。
此外,我们还学习了电力电子控制。
电力电子控制是电力电子技术中的另一个重要组成部分,它能够对电力电子器件和系统进行精确的控制,实现电能的有效转换和调节。
在本学期的学习中,我们学习了各种电力电子控制方法,如PWM控制、电压调节、电流控制等。
通过学习这些方法,我们掌握了实际应用中电力电子控制的技术要点。
综上所述,本学期学习了电力电子器件、电力电子系统以及电力电子控制等多个方面的知识。
通过本学期的学习,我们对电力电子技术有了更深入的理解,掌握了电力电子的基本原理和设计方法。
这些知识对于我们日后的工作和研究具有重要的指导意义。
希望在未来的学习和工作中,能够不断应用和深化这些知识,为电力系统的发展做出贡献。
(整理)电力电子教材重点知识点总结
《电力电子技术》复习题第1章绪论1 电力电子技术定义:是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,是应用于电力领域的电子技术,主要用于电力变换。
2 电力变换的种类(1)交流变直流AC-DC:整流(2)直流变交流DC-AC:逆变(3)直流变直流DC-DC:一般通过直流斩波电路实现,也叫斩波电路(4)交流变交流AC-AC:可以是电压或电力的变换,一般称作交流电力控制3 电力电子技术分类:分为电力电子器件制造技术和变流技术。
4、相控方式;对晶闸管的电路的控制方式主要是相控方式5、斩空方式:与晶闸管电路的相位控制方式对应,采用全空性器件的电路的主要控制方式为脉冲宽度调制方式。
相对于相控方式可称之为斩空方式。
第2章电力电子器件1 电力电子器件与主电路的关系(1)主电路:电力电子系统中指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。
(2)电力电子器件:指应用于主电路中,能够实现电能变换或控制的电子器件。
广义可分为电真空器件和半导体器件。
2 电力电子器件一般特征:1、处理的电功率小至毫瓦级大至兆瓦级。
2、都工作于开关状态,以减小本身损耗。
3、由电力电子电路来控制。
4、安有散热器3 电力电子系统基本组成与工作原理(1)一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。
(2)检测主电路中的信号并送入控制电路,根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。
(3)控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。
(4)同时,在主电路和控制电路中附加一些保护电路,以保证系统正常可靠运行。
4 电力电子器件的分类根据控制信号所控制的程度分类(1)半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
如SCR晶闸管。
(2)全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。
如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。
(3)不可控器件:不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。
电力电子技术考点总结
电力电子技术考点总结第 1 章绪论1.什么就是电力电子技术?(P1)答:电力电子技术就就是应用于电力领域得电子技术。
电子技术包括信息电子技术与电力电子技术。
2.电力变换分类?及其含义与主要作用?(P1)答:电力变换分为四类:交流变直流、直流变交流、直流变直流、交流变交流。
3.电力电子技术得应用?(P6)答1、一般工业2、交通运输3、电力系统4、电子装置用电源5、家用电器6、其她。
第 2 章电力电子器件1.典型全控型器件得分类?(P25)答:1、门极可关断晶闸管2、电力晶闸管3、电力场效应晶体管4、绝缘栅双极晶体管。
第 3 章整流电路1.α= 0°时得整流电压、电流中得谐波有什么规律?(P75)答:(1) m脉波整流电压u d0得谐波次数为mk(k = 1,2,3,…)次,即m得倍数次;整流电流得谐波由整流电压得谐波决定,也为mk次。
(2) 当m一定时,随谐波次数增加,谐波幅值迅速减小,表明最低次(m次)谐波就是最主要得,其她次数得谐波相对较少;当负载中有电感时,负载电流谐波幅值d n得减小更为迅速。
(3) m增加时,最低次谐波次数增加,且幅值迅速减小,电压纹波因数迅速减小。
2.双反星形电路设置平衡电抗器得作用?没有会怎样?(P76)答:双反星形电路中设置电感量为Lp得平衡电抗器就是为保证两组三相半波整流电路能同时导电,每组各承担一半负载,如果Lp同时只有一个导通,则原电路将变成六相半波整流电路。
3.逆变产生得条件?(P84)答:(1)要有直流电动势,其极性需与晶闸管得导通方向一致,其值应大于变流器直流侧得平均电压。
(2)要求晶闸管得控制角α>π/2,使U d为负值。
4.逆变失败得原因?(P85)答:(1)触发电路工作不可靠,不能适时、准确地给各晶闸管分配脉冲。
(2)晶闸管发生故障,在应该阻断时失去阻断能力,或在应该导通时不能导通,造成逆变失败。
(3)在逆变工作时,交流电源发生缺相或突然消失,致使电路短路。
电子电力知识点总结
电子电力知识点总结第一部分:电子器件与电路原理1. 电子器件的种类与特性电子器件是指能够在电路中起到特定功能的元器件,主要包括二极管、晶体管、场效应管、集成电路等。
在电子器件中,二极管是最基本的元器件,它能够实现电流的单向导通,是电子设备中最常见的器件之一。
晶体管可以实现放大电路和开关电路的功能,是现代电子电路设计中不可或缺的部分。
场效应管和集成电路则分别实现了对电路功率和集成度的更高要求,它们的使用在电子产品中更加普遍。
2. 电路原理与分析电子电路是由多个电子器件和被连接在一起,协同工作以实现特定功能的一种设计。
在设计电子电路的时候,通常需要考虑到电路的稳定性、速度、功耗和成本等多个方面的因素。
同时,对于电路的分析也是非常重要的,可以通过分析电路的电压、电流、功率等参数来确定电路的工作状态,以及对电路进行改进和优化。
3. 电源供应与管理电源供应是指为电子设备提供所需的电能的过程,它可以通过直流电源、交流电源、电池等多种方式实现。
而电源管理则是指对电源进行控制和优化,以提高电子设备的能效和稳定性。
在电子电路中,电源供应和管理是其中的一个核心部分,对电子电力系统的稳定和可靠性有着至关重要的影响。
第二部分:电力系统与发电技术1. 电力系统的结构与特点电力系统是指将发电、输电和配电等过程进行有机整合,向终端用户提供电能的一种系统。
它包括发电厂、变电站、输电线路和配电设备等多个部分,整体组成了一个复杂的网络。
在电力系统中,需要考虑到对电能的有效利用、安全稳定运行和经济性等多个方面的要求,因此电力系统的设计和运行需要有着专门的技术和规范要求。
2. 发电技术与发电机原理发电技术是指利用各种能源形式,如火力、水力、风力、太阳能等,将其转换为电能的过程。
而发电机则是实现这一过程的重要设备,它通过磁场与电路之间的相互作用,将机械能转换为电能。
在现代发电技术中,需要考虑到节能环保和可再生资源的利用等多个方面的要求,因此对于发电技术和发电机原理的研究和应用是非常重要的。
电力电子重点总结
电力电子重点总结1各电力电子器件的特点、导通条件、导通维持条件、关断条件电力二极管(不可控器件),静态特性主要指其伏安特性,当电力二极管承受的正向电压大到一定值时,正向电流才开始明显增加处于稳定导通状态。
当其承受反向电压时,只有少子引起的微小而数值近似恒定的反向饱和漏电流,但随温度的升高而有所增加。
动态特性电力二极管在零偏置(外加电压为零),正向偏置和反向偏置这三种状态之间转换的时候必然经历一个过渡过程,因而其电压—电流特性不能用伏安特性来描述,而是随时间变化的。
并且往往专指反映通态和断态之间转换过程的开关特性。
晶闸管(半控型器件),(1)当晶闸管承受反向电压是,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。
(2)晶闸管是一种单向导电器件,即在正常触发导通时电流只能从阳极流向阴极。
(3)晶闸管导通的条件,晶闸管承受正向电压,同时在门极有触发电流作用。
只有在这两个条件同时具备的情况下晶闸管才能导通。
(4)晶闸管的关断条件:若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加反偏电压或外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某个临界值以下。
(5)晶闸管维持导通的条件:晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发信号是否还存在,只要流过晶闸管的电流不低于其维持电流,晶闸管就能维持导通。
(6)晶闸管误导通条件:阳极正偏电压过高;du/dt过大;结温过高。
(7)晶闸管具有双向阻断作用,既具有正向电压阻断能力,又具有反向电压阻断能力。
而不是像二极管那样仅具有反向电压阻断能力。
2 PE系统需要隔离的原因及隔离措施;主电路中的电压和电流一般都比较大,而控制带南路的元器件只能承受较小的电压和电流,因此在主电路和控制电路连接的路径上,如驱动电路于主电路的连接处,或者驱动电路与控制信号的连接处,以及主电路与检测电路的连接处,一般都需要通过光或磁的手段来传递信号并实现电气隔离。
强,弱电系统之间通常需要电气隔离,不共地,消除相互影响,减小干扰,提高可靠性。
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第一章 绪论 .所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术,是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术. 直接承担电能的变换或控制任务的电路被称为主电路. 第二章 电力电子器件1.电力电子器件在实际应用中,一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统.2.电力电子器件分类:①按照能够被控制电路信号所控制的程度:不可控器件(电力二极管)、半控型器件(晶闸管)、全控器件(GTO,GTR,电力MOSFET,IGBT)②按驱动信号性质:电流驱动型和电压驱动型③按驱动信号波形:脉冲触发型和电平控制型④按载流子参与导电情况:单极性、双极型、复合型.3.电力二极管可承受高电压和大电流:①垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大②P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,其掺杂浓度接近本证半导体(P-i-N 结构),低掺杂N 区越厚电力二极管能够承受的的反向电压越高.4.电导调制效应:当PN 结上流过的正向电流较小时,二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N 区的欧姆电阻,其阻值较高且为常量,因而管压降随正向电流的上升而增加;当PN 结上流过的正向电流较大时,由P 区注入并积累在低掺杂N 区的少子空穴浓度将很大,为了维持半导体的电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,使得其电阻率明显下降,也就是电导率大大增加.5.电力二极管动态特性延迟时间:t d =t 1−t 0;电流下降时间:t f =t 2−t 1;反向恢复时间:t rr =t d +t f ;恢复特性的软度:t f /t d分析:a .设tF 时刻外加电压突然从正向变为反向,正向电流在此反向电压作用下开始下降,下降速率有反向电压大小和电路中的电感决定,而管压降由于电导调制效应基本变化不大,直至正向电流降为零的时刻t0,此时电力二极管由于在PN 结两侧存储有大量少子的缘故儿并没有恢复反向阻断能力,这些少子在外加反向电压的作用下被抽取出电力二极管,因而流过较大的反向电流.当空间电荷区附近存储的少子即将被抽尽时,管压降变化变为负极性,于是开始抽取离空间电荷区较远的浓度较低的少子.因而在管压降极性改变后不久的t1时刻,反向电流从其最大值IRP 开始下降,空间电荷区开始迅速展宽,电力二极管开始重新恢复对反向电压的阻断能力.在t1时刻以后,由于反向电流迅速下降,在外电路电感的作用下会在电力二极管两端产生比外加反向电压大得多的反向过冲电压URP.在电流变化率接近零的t2时刻,电力二极管两端承受的反向电压才降至外加电压的大小,电力二极管完全恢复对反向电压的阻断能力.b .正向恢复时间tfr 出现电压过冲的原因:电导调制效应起作用所需的大量少子需要一定的时间来储存,在达到稳态导通之前管压降较大;正向电流的上升会因器件自身电感而产生较大压降.电流上升率越大UFP 越高6.电力二极管的主要类型:普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管7.晶闸管正常工作特性:①当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通.②当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通.③晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否还存在,晶闸管都保持导通.④若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下.晶闸管动态特性:开通过程:由于晶闸管内部的正反馈过程需要时间,再加上外电路电感的限制,晶闸管受到触发后,其阳极电流的增长不可能是瞬时的.延迟时间随门极电流的增大而减小,上升时间除反映晶闸管本身特性外,还受到外电路电感的严重影响.提高阳极电压,延迟时间和上升时间都可显著缩短关断过程:由于外电路电感的存在,原处于导通状态的晶闸管当外加电压突然由正向变为反向时,其阳极电流在衰减时必然也是有过渡过程的.阳极电流将逐步衰减到零然后同电力二极管的关断动态过程类似,在反向会流过反向恢复电流,经过最大值IRM 后,再反向衰减.同样,在恢复电流快速衰减时,由于外电路电感的作用,会在晶闸管两端引起反向尖峰电压URRM.最终反向恢复电流衰减至接近于零,晶闸管恢复其对反向电压的阻断能力.在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压,晶闸管会重新正向导通,而不是受门极电流控制而导通.延迟时间:t d (0.5~1.5us ) ;上升时间t r (0.5~3us );开通时间t gt =t d +t r ;反向阻断恢复时间t rr ;正向阻断恢复时间t gr ;关断时间t q =t rr +t gr ;关断时间几百微秒.8.电力MOSFET 开关过程:开通过程:开通延迟延迟时间t d(on);电流上升时间t r ;电压下降时间t fv ;开通时间t on =t d(on)+t r +t fv 关断过程:关断延迟时间t d(off);电压上升时间t rv ;电流下降时间t fi ;关断时间t off =t d(off)+t rv +t fi分析:a .因为电力MOSFET 存在输入电容Cin ,所以当脉冲电压up 的前沿到来时,Cin 有充电过程,栅极电压成指数曲线上升.当UGS 上升到开启电压UT 时,开始出现漏极电流iD.此后iD 随UGS 的上身而上升.漏极电流iD 上升到稳态时,栅极电压UGS 上升到UGSP ,而漏极电压uDS 开始下降.在漏极电压下降的过程中,栅极电压将维持在UGSP 这个值并形成一个平台,直到电压下降结束才继续以指数曲线上升到稳态值.实际上,电压下降时间具体的物理过程是连接在栅极的信号源给栅极和漏极之间的极电容反向充电,从而使漏极电压uGS 下降而栅极电压UGSP 不变.UGSP 的大小和iD 的稳态值有关.b .电力MOSFET 的关断过程基本上是与其开通过程顺序相反而且电压和电流变化趋势也相反的过程.当脉冲电压up 下降到零时,栅极输入电容Cin 通过信号源内阻Rs 和栅极电阻RG(>>Rs)开始放电,栅极电压uGS 按指数曲线下降,当下降到UGSP 时,漏极电压uDS 才开始上升,这段时间称为关断延迟时间td(off).此后,经电压上升时间和电流下降时间,直到uGS<UT 时沟道小时,iD 下降到零. 从开关过程可以看出:MOSFET 的开关速度和其输入电容的充放电有很大关系,可以降低栅极驱动电路的内阻Rs ,从而减小栅极回路的充放电时间常数,加快开关速度.不存在少子储存效应,因而其关断过程是非常迅速的.开关时间在10~100ns 之间,其工作频率可达100kHz 以上,是主要电力电子器件中最高的.在开关过程中需要对输入电容充放电,仍需要一定的驱动功率,开关频率越高,所需要的驱动功率越大.9.电力MOSFET 的特点有:驱动电路简单,需要的驱动功率小.开关速度快,工作频率高.热稳定性优于GTR.电流容量小,耐压低,多用于功率不超过10kW 的电力电子装置.10.绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关过程:开通过程:开通延迟时间td(on),电流上升时间tr,电压下降时间tfv, 分为tfv1和tfv2两段.开通时间ton=td(on)+tr+tfv 关断过程:关断延迟时间td(off),电压上升时间trv,电流下降时间tfi, 分为tfi1和tfi2两段.关断时间toff=td(off)+trv+tfiIGBT 的开通过程与电力MOSFET 的开通过程很相似,这是因为IGBT 在开通过程中大部分是作为MOSFET 来运行的.开通延迟时间td(on),电流上升时间tri.集射电压uCE 的下降过程tfv 分为tfv1和tfv2两段.前者为IGBT 中MOSFET 单独工作的电压下降过程,在该过程中栅极电压uCE 维持不变,即处在密勒平台;后者为MOSFET 和PNP 晶体管同时工作的电压下降过程.由于uCE 下降时IGBT 中MOSFET 的栅漏电容增加,而且IGBT 中的PNP 晶体管由放大状态转入饱和状态也需要一个过程,因此tfv2段电压下降过程变缓.只有在tfv2段结束时,IGBT 才完全进入饱和状态.关断过程和电力MOSFET 的关断过程也相似,延迟时间td(off),随后是集射电压uCE 上升时间trv,在这段时间内栅极电压uCE 维持不变.电流下降时间tfi 可以分为两段.tfi1对应IGBT 内部的MOSFET 的关断过程,这段时间集电极电流iC 下降较快;tfi2对应IGBT 内部的PNP 晶体管的关断过程,这段时间内MOSFET 已经关断,IGBT 又无反向电压,所以N 基区内少子复合缓慢,造成iC 下降较缓第三章 整流电路1.单相半波可控整流电路 ①带电阻负载直流电压输出平均值:U d =0.45U 21+cos α2,α∈(0,180) ②带阻感负载 b 图加续流管晶闸管电流平均值:I dVT =π−α2πI d 晶闸管电流有效值:I VT =√π−α2πI d续流二极管电流平均值:I VDR =π+α2πi D ;续流二极管电流有效值:I vdr =√π+α2πI d ;晶闸管移向范围(0,180),最大反向电压√2U 2续流二极管最大反向电压√2U 22.单相桥式全控整流电路 ①电阻负载:晶闸管承受最大正向电压和反向电压分别为√22U 2和√2U 2整流电压平均值:U d =0.9U 21+cos α2输出直流电流平均值:I d =0.9u R 1+cos α2流过晶闸管平均电流I dVT =12I d =0.45u R 1+cos α2流过晶闸管电流有效值I VT √2R√12πsin α+π−απ变压器二次流有效值I 2与输出直流电流有效值I 相等为I =I 2=U R√12πsin 2α+π−απ②阻感负载:平均值U d =0.9U 2cos α;移向范围(0,90)晶闸管最大反向电压√2U 2导通角θ与α无关,均为180.电流平均值和有效值分别为I dVT =12I d 和I VT √2d =0.707I d 变压器二次电流有效值I 2=I d③带反电动势负载 见计算题晶闸管提前电角度δ停止导电,δ=sin E √2U3.单相全波可控整流电路晶闸管承受的最大电压为2√2U 2,是单向全控整流电路的两倍. 4.单相桥式半控整流电路实际运行中若无续流二极管,则当α突然增大至180或触发脉冲丢失时,会发生一个晶闸管持续导通而两个二极管轮流导通的情况,这是ud 为正弦半波,即半周期ud 为正弦,另外半周期ud 为零,其平均值保持恒定,相当于半波不可控整流电路时的波形,称为失控.有续流二极管VDR 时,续流过程由VDR 完成,在续流阶段晶闸管关断,这就避免了某一个晶闸管持续导通从而导致失控的现象. 5.三项半波可控整流电路 ①电阻负载,移向范围(0,150) α=30整流电压平均值计算:当α<=30时负载电流连续U d =1.17U 2cos α当α>30时负载电流断续 U d =0.675[1+cos (π6+α)]负载电流平均值为I d =U R ,晶闸管承受最大反向电压为变压器二次线电压峰值U RM =2.45U 2,晶闸管阳极与阴极间的最大电压等于变压器二次相电压的峰值即U FM =√2U 2 ②阻感负载,移相范围(0,90) α=60负载电流连续U d =1.17U 2cos α 变压器二次电流计晶闸管电流的有效值为I 2=I VT √3d =0.577I d晶闸管的额定电流为I VT(AV)=I1.57=0.368I d 晶闸管最大正反向电压峰值均为变压器二次线电压峰值,即U FM =U RM =2.45U 2 6.三相桥式全控整流电路 ①电阻负载,移相范围(0,120)②阻感负载,移相范围(0,90)③定量分析当整流输出电压连续时(即带阻感负载时,或带电阻负载α<=60)的平均值为U d =2.34U 2cos α当带电阻负载且α>60时U d =2.34U 2[1+cos (π3+α)],输出电流平均值 I d =UR 阻感负载α=30二次电流有效值I 2=0.816I d ,接反电动势负载时仅计算I d 时为I d =U −ER第四章 逆变电路1.换流方式分类及特点:①器件换流:利用全控器件的自关断能力进行换流,全控器件采用此换流方式.②电网换流:由电网提供换流电压,只要把负的电网电压施加在欲关断的换流器件上即可.③负载换流:由负载提供换流电压,当负载为电容性负载时就可实现负载换流.④强迫换流:设置附加的换流电路,给欲关断的晶闸管强迫施加反向电压或反向电流,通常利用附加电容上所存储的能量来实现,也称电容换流,又细分为电压换流和电流换流.⑤换流方式总结:器件换流只适用于全控型器件,其余三种方式主要是针对晶闸管而言的.器件换流和强迫换流属于自换流,电网换流和负载换流属于外部换流.2.电压型逆变电路①特点:直流侧为电压源或并联大电容,直流侧电压基本无脉动.由于直流电压源的钳位作用,输出电压为矩形波,输出电流因负载阻抗不同而不同.阻感负载时需提供无功功率,为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂并联反馈二极管.②单相电压型逆变电路 a.半桥逆变幅值U m =U d /2b.全桥逆变 幅值为U du o=4U d π(sin ωt +13sin 3ωt +15sin 5ωt +⋯)基波幅值:U o1m =4U π=1.27U d 基波有效值:U o1=2√2U π=0.9U d对于半桥逆变电路,将U d 换为U d /2 前面分析的都是u o 为正负电压各为180的脉冲时的情况,此时,要改变输出交流电压的有效值只能通过改变直流电压U d 来实现.在阻感负载时还可采用移相的方式来调节逆变电路的输出电压,这种方式称为移相调压.③三相电压型逆变电路 线电压负载线电压有效值U UV =0.816U d基波幅值U UV1m =2√3U π=1.1U d 基波有效值U UV1√20.78U d相电压负载相电压有效值U UN =0.471U d 基波幅值U UN1m =2U π=0.637U d 基波有效值U UN1√20.45U d3电流型逆变电路①特点:直流侧串大电感,电流基本无脉动,相当于电流源.直流回路呈现高阻抗.交流输出电流为矩形波,与负载阻抗角无关,输出电压波形和相 位因负载不同而不同.直流侧电感起缓冲无功能量的作用,不必给开关器件反并联二极 管. ②单相电流型逆变电路因为功率因数很低,故并联补偿电容器,负载换流方式要求负载电流超前于电压,因此补偿电容应使负载过补偿,使负载电路总体上工作在容性略失谐的情况下.③三相电流型逆变电路串联二极管 换流过程分恒流放电和二极管换流 t1 时刻触发VT3 导通,VT1 被施以反压而关断,Id 从VT1 换到VT3 ,C13 通过VD1 、U 相负载、W 相负载、VD2 、VT2 、直流电源和VT3 放电,放电电流恒为Id ,故称恒流放电阶段,在C13电压u13下降到零事前,VT1一直承受反压,只要反压时间大于晶闸管关断时间tq,就能保证可靠关断.设t2时刻u13降到零,之后在U 相负载电感作用下,开始对C13反向充电.如忽略负载中电阻的压降,则在t2时刻u13=0之后,二极管VD3受到正向偏置而导通,开始流过电流iV,而VD1流过的充电电流为iU=Id-iV,两个二极管同时导通,进入二极管换流阶段,如图c 所示,随着C13 电压增高,充电电流渐小,iV 渐大,t3 时刻iU 减到零,iV =Id ,VD1 承受反压而关断,二极管换流阶段结束.第五章 直流-直流电路 1.降压斩波电路负载电压平均值U o =t t+t E =t TE =αE ,α为占空比,负载电流平均值I o =U −ER定量计算①电流连续时 I 10=(e −1e −1−m)ER ;I 20=(1−e 1−e −m)ER式中ρ=T/τ;m=E m E;t 1τ=t 1T T τ=αρI 10和I 20是负载电流瞬时值的最小值最大值平波电抗器L 为无穷大时的负载电流平均值Io,此时负载电流最大值、最小值均等于平均值.I 10≈I 20≈(α−m)E R=I o 电源电流平均值I 1=t T I o=αI o ,由E I 1=αEI o =U o I o 知输入功率等于输出功率.②当L 值较小负载电流断续时t x =τln [1−(1−m)e m],由此得出电流断续的条件为m >e αρ−1e ρ−1负载电流断续时,输出电压平均值为U o =t E+(T−T −t )E T=[α+(1−t +t T)m]E2.升压斩波电路当可控开关V 处于通态时,电源E 向电感L 充电,充电电流基本恒定为I 1,同时电容C 上的电压向负载R 供电.因C 值很大,基本保持输出电压u o 为恒值,记为U O .一周期T 中电感L 积蓄的能量与释放的能量相等,即EI 1t on =(U O −E )I 1t off ,化简得U o =t +t t E =Tt E ,记β= tT,则α+β=1,U o =11−αE (电容C 值不可能无穷大,实际输出电压会略低于理论值)忽略电路损耗,电源提供能量仅由负载R 消耗,即EI 1=U o I o ,输出电流平均值I O =U R=1βE R ,电源电流I 1=U EI O =1βER典型应用(直流电动机传动)定量计算:①电流连续时,t =t on 时刻i 1=I 20,t=T 时刻i 2=I 10,由此得I 10=(m −1−e 1−e )E R和I 10=(m −e −αρ−−e −ρ1−e −ρ)E R,用泰勒级数近似I 10=I 20=(m −β)ER ,L 无穷大时电枢电流平均值I o =(m −β)E R=E −βER②电流断续时,i 2的持续时间t x =τln [1−me1−m],当t x <t off 时,即m <1−e −βρ1−e ρ3.正激电路①开关S 开通后,变压器绕组W1两端的电压为上正下负, 与其耦合的W2绕组两端的电压也是上正下负,因此VD1处于通态,VD2为断态,电感L 的电流逐渐增长.S 关断后,电感L 通过VD2 续流,VD1关断.变压器的励磁电流经N3绕组和VD3流回电源,所以S 关断后承受的电压为u s =(1+N1N2)U i . ②磁芯复位过程磁心复位所需的时间为t rst =N3N1t on输出电压:滤波电感电流连续UU =N2N1t T滤波电感电流不连续U O =N2N1U i4.反激电路 S 关断后,W1 绕组的电流被切断变压器中的磁场能量通过W2 绕组和VD向输出端释放,电压为u s =U i +N1N2U o ,电流连续时输入输出关系U U =N2N1t T,工作于电流断续模式时输出电压高于计算值,在负载为零的极限情况下,Uo ∞所以应该避免负载开路状态. 5.半桥电路,电路图见全桥工作过程S1与S2交替导通,使变压器一次侧形成幅值为Ui /2的交流电压,改变开关的占空比,就可以改变二次侧整流电 压ud 的平均值,也就改变了输出电压Uo .S1导通时,二极管VD1 处于通态,S2 导通时,二极管VD2 处于通态,当两个开关都关断时,变压器绕组N1 中的电流为零,VD1 和VD2 都处于通态,各分担一半的电流.S1或S2导通时电感L 的电流逐渐上升,两个开关都关断时,电感L的电流逐渐下降,S1 和S2 断态时承受的峰值电压均为Ui .电流连续时输入输出关系UU =N2N1tT,不连续时略高,负载为零的极限情况下U O=N2N1U 26.全桥电路工作过程:全桥电路中,互为对角的两个开关同时导通,同一侧半桥上下两开关交替导通,使变压器一次侧形成幅值为Ui 的交流电压,改变占空比就可以改变输出电压.当S1 与S4开通后,VD1 和VD4 处于通态,电感L 的电流逐渐上升.当S2 与S3 开通后,VD2 和VD3 处于通态,电感L的电流也上升.当4个开关都关断时,4个二极管都处于通态,各分担一半的电感电流,电感L的电流逐渐下降,S1 和S2 断态时承受的峰值电压均为Ui .电流连续时输入输出关系U U =N2N12tT,不连续时略高,负载为零的极限情况下U O=N2N1U i第六章交流-交流变流电路1.整流与逆变工作状态交交变频电路的负载可以是阻感负载,电阻负载,阻容负载或交流电动机负载图中交流电源表示交流电路可输出交流正弦电压,二极管体现了交流电路电流的单方向性.工作状态t1 ~t3 期间:io 处于正半周,正组工作,反组被封锁.t1 ~t2 阶段:uo 和io 均为正,正组整流,输出功率为正.t2 ~t3 阶段:uo 反向,io 仍为正,正组逆变,输出功率为负.t3 ~t5期间:io处于负半周,反组工作,正组被封锁.t3 ~t4阶段:uo和io均为负,反组整流,输出功率为正.t4 ~t5阶段:uo反向,io仍为负,反组逆变,输出功率为负.考虑到无环流工作方式下负载电流过零的正反组切换死区时间,一周期的波形可分为6段:第1段io <0,uo >0,为反组逆变;第2段电流过零,为切换死区;第3段io >0,uo >0,为正组整流;第4段io >0,uo <0,为正组逆变;第5段又是切换死区;第6段io <0,uo <0,为反组整流.结论:(1)哪组变流电路工作由io方向决定,与uo极性无关.(2)变流电路工作在整流还是逆变状态,根据uo方向与io方向是否相同来确定.2.输出正弦波调制方法,余弦交点法求交交变频电路触发延迟角基本公式α=cos−1(γsinωo t),γ=U omU d0余弦交点法图解分析:(1)线电压uab 、uac 、ubc 、uba 、uca 和ucb 依次用u1 ~u6 表示,相邻两个线电压的交点对应于α=0.(2)u1 ~u6 所对应的同步信号分别用us1 ~us6 表示,us1 ~us6 比相应的u1 ~u6 超前30°,us1 ~us6 的最大值和相应线电压α=0的时刻对应,以α=0为零时刻,则us1 ~us6 为余弦信号.(3)希望输出电压为uo ,则各晶闸管触发时刻由相应同步电压us1 ~us6 的下降段和uo 的交点来决定.3.输入输出特性①输出频率增高时,输出电压一周期所含电网电压段数减少,波形畸变严重,电压波形畸变及其导致的电流波形畸变和转矩脉动是限制输出频率提高的主要因素. 电流死区和电流断续的影响也限制了输出频率的提高.当采用6脉波三相桥式电路时,一般认为输出上限频率不高于电网频率的1/3~1/2,电网频率为50Hz时,交交变频电路的输出上限频率约为20Hz.②输入功率因数:输入电流相位总是滞后于输入电压,需要电网提供无功功率.在输出电压的一个周期内,α角以90°为中心而前后变化.输出电压比α越小,半周期内的平均值越靠近90°,位移因数越低;负载功率因数越低,输入功率因数也越低.不论负载功率因数是滞后的还是超前的,输入的无功电流总是滞后的.③输出电压的谐波频谱非常复杂,既和电网频率fi以及变流电路的脉波数有关,也和输出频率fo有关.采用三相桥式电路时,输出电压所含主要谐波的频率为6fi±fo,6fi±3fo,6fi±5fo,…12fi±fo,12fi±3fo,12fi±5fo,…采用无环流控制方式时,由于电流方向改变时死区的影响,将增加5fo、7fo等次谐波.④采用三相桥式电路的交交变频电路输入电流谐波频率为f in=|(6k±1)f i±2lf o|和f in=|f i±2lf o|式中k=1,2,3,┄;l=0.1.2…第七章 PWM控制技术1.冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同.冲量即指窄脉冲的面积.效果基本相同,是指环节的输出响应波形基本相同.如果把各输出波形用傅里叶变换分析,则其低频段非常接近,仅在高频段略有差异.上述原理可称为面积等效原理是PWM控制技术的重要理论基础.2.用PWM波代替正弦半波:将正弦半波看成是由N个彼此相连的脉冲宽度为1/N,但幅值顶部是曲线且大小按正弦规律变化的脉冲序列组成的.把上述脉冲序列利用相同数量的等幅而不等宽的矩形脉冲代替,使矩形脉冲的中点和相应正弦波部分的中点重合,且使矩形脉冲和相应的正弦波部分面积(冲量)相等,这就是PWM波形.对于正弦波的负半周,也可以用同样的方法得到PWM波形.脉冲的宽度按正弦规律变化而和正弦波等效的PWM波形,也称SPWM波形3. 调制法①单极性PWM控制方式:调制信号ur 为正弦波,载波uc 在ur 的正半周为正极性的三角波,在ur 的负半周为负极性的三角波.(1).在ur 的正半周,V1 保持通态,V2 保持断态.a.当ur >uc 时使V4 导通,V3 关断,uo =Ud .b.当ur <uc 时使V4 关断,V3 导通,uo =0.(2).在ur 的负半周,V1 保持断态,V2 保持通态.c.当ur <uc 时使V3 导通,V4 关断,uo=-Ud .d.当ur >uc 时使V3 关断,V4导通,uo =0.②双极性调制在调制信号ur 和载波信号uc 的交点时刻控制各开关器件的通断.在ur的半个周期内,三角波载波有正有负,所得的PWM波也是有正有负,在ur 的一个周期内,输出的PWM 波只有±Ud两种电平.在ur 的正负半周,对各开关器件的控制规律相同.当ur >uc时,V1 和V4 导通,V2 和V3 关断,这时如io >0,则V1 和V4 通,如io <0,则VD1 和VD4 通,不管哪种情况都是uo =Ud .当ur <uc 时,V2 和V3 导通,V1 和V4 关断,这时如io <0,则V2和V3通,如io >0,则VD2 和VD3通,不管哪种情况都是uo =-Ud .5.单极性和双极性PWM调制有什么区别?三相桥式PWM型逆变电路中,输出相电压(输出端相对于直流电源中点的电压)和线电压SPWM波形各有几种电平?答:三角波载波在信号波正半周期或负半周期里只有单一的极性,所得的PWM波形在半个周期中也只在单极性范围内变化,称为单极性PWM控制方式.三角波载波始终是有正有负为双极性的,所得的PWM波形在半个周期中有正、有负则称之为双极性PWM控制方式.三相桥式PWM型逆变电路中,输出相电压有两种电平:0.5Ud和-0.5 Ud.输出线电压有三种电平Ud、0、- Ud.负载相电压:±23Ud、0、±13Ud.6 异步调制:载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制.在异步调制方式中,通常保持载波频率fc 固定不变,因而当信号波频率fr变化时,载波比N是变化的. 异步调制的主要特点是:在信号波的半个周期内,PWM波的脉冲个数不固定,相位也不固定,正负半周期的脉冲不对称,半周期内前后1/4周期的脉冲也不对称.这样,当信号波频率较低时,载波比N较大,一周期内的脉冲数较多,正负半周期脉冲不对称和半周期内前后1/4 周期脉冲不对称产生的不利影响都较小,PWM波形接近正弦波.而当信号波频率增高时,载波比N减小,一周期内的脉冲数减少,PWM脉冲不对称的影响就变大,有时信号波的微小变化还会产生PWM脉冲的跳动.这就使得输出PWM波和正弦波的差异变大.对于三相PWM型逆变电路来说,三相输出的对称性也变差. 同步调制:载波比N等于常数,并在变频时使载波和信号波保持同步的方式称为同步调制.同步调制的主要特点是:在同步调制方式中,信号波频率变化时载波比N不变,信号波一个周期内输出的脉冲数是固定的,脉冲相位也是固定的.当逆变电路输出频率很低时,同步调制时的载波频率fc也很低.fc过低时由调制带来的谐波不易滤除.当负载为电动机时也会带来较大的转矩脉动和噪声.当逆变电路输出频率很高时,同步调制时的载波频率fc会过高,使开关器件难以承受.此外,同步调制方式比异步调制方式复杂一些.分段同步调制是把逆变电路的输出频率划分为若干段,每个频段的载波比一定,不同频段采用不同的载波比.其优点主要是,在高频段采用较低的载波比,使载波频率不致过高,可限制在功率器件允许的范围内.而在低频段采用较高的载波比,以使载波频率不致过低而对负载产生不利影响.7.什么是PWM整流电路?它和相控整流电路的工作原理和性能有何不同?答:PWM 整流电路就是采用PWM控制的整流电路,通过对PWM整流电路的适当控制,可以使其输入电流十分接近正弦波且和输入电压同相位,功率因数接近1. 相控整流电路是对晶闸管的开通起始角进行控制,属于相控方式.其交流输入电流中含有较大的谐波分量,且交流输入电流相位滞后于电压,总的功率因数低.PWM整流电路采用SPWM控制技术,为斩控方式.其基本工作方式为整流,此时输入电流可以和电压同相位,功率因数近似为1.PWM整流电路可以实现能量正反两个方向的流动,即既可以运行在整流状态,从交流侧向直流侧输送能量;也可以运行在逆变状态,从直流侧向交流侧输送能量.而且,这两种方式都可以在单位功率因数下运行.此外,还可以使交流电流超前电压90°,交流电源送出无功功率,成为静止无功功率发生器.或使电流比电压超前或滞后任一角度j .8①.直流电压利用率是指逆变电路所能输出的交流电压基波最大幅值U1m和直流电压Ud之比.提高直流电压利用率可以提高逆变器的输出能力.减少功率器件的开关次数可以降低开关损耗.②提高直流电压利用率和减少开关次数的方法:a.采用梯形波作为调制信号当梯形波幅值和三角波幅值相等时,梯形波所含的基波分量幅值已超过了三角波幅值,可以有效地提高直流电压利用率.b.线电压控制方式目标是使输出的线电压波形中不含低次谐波,同时尽可能提高直流电压利用率,也应尽量减少功率器件的开关次数9.PWM跟踪控制技术:滞环比较方式和三角波比较方式.10.①PWM整流电路工作原理整流运行状态:当us>0时由V2 ,VD4 ,VD1 ,Ls ,V3 ,VD1 ,VD4 ,Ls分别组成了两个升压斩波电路.以包含V2 的升压斩波电路为例,当V2 导通时,us 通过V2 、VD4 向Ls 储能,当V2 关断时,Ls 中储存的能量通过VD1 、VD4 向直流侧电容C充电.当us <0时,由V1 、VD3 、VD2 、Ls 和V4 、VD2 、VD3 、Ls 分别组成了两个升压斩波电路,工作原理和us >0时类似.a.整流运行b.逆变运行b.无功补偿运行d.I a超前角为φ图a中,滞后的相角为δ和完全同相位,电路工作在整流状态,且功率因数为1,是PWM整流电路最基本的工作状态.图b中超前的相角为δ,和的相位正好相反,电路工作在逆变状态,说明PWM整流电路可以实现能量正反两个方向的流动.图c中滞后的相角为δ,超前90°,电路在向交流电源送出无功功率,这时的电路被称为静止无功功率发生器.在图d的情况下,通过对U AB幅值和相位的控制,可以使I S比U S超前或滞后任一角度②PWM整流电路控制方法:间接直流控制和直接直流控制.11.特定谐波消去法是计算法中一种较有代表性的方法.如果在输出电压半个周期内开关器件开通和关断各k次,考虑到PWM波四分之一周期对称,共有k个开关时刻可以控制,除去用一个自由度来控制基波幅值外,可以消去k-1个频率的特定谐波.SPWM波形规则采样法取三角波两个正峰值之间为一个采样周期Tc ,使每个脉冲的中点都以相应的三角波中点(即负峰点)为对称.在三角波的负峰时刻tD 对正弦信号波采样而得到D点,过D点作一水平直线和三角波分别交于A点和B点,在A点时刻tA 和B 点时刻tB 控制功率开关器件的通断.优点:其效果接近自然采样法,但计算量却比自然采样法小得多.第八章软开关技术1.硬开关开关过程中电压、电流均不为零,出现了重叠,有显著的开关损耗.电压和电流变化的速度很快,波形出现了明显的过冲,从而产生了开关噪声.开关损耗与开关频率之间呈线性关系,因此当硬电路的工作频率不太高时,开关损耗占总损耗的比例并不大,但随着开关频率的提高,开关损耗就越来越显著.软开关电路中增加了谐振电感Lr 和谐振电容Cr ,与滤波电感L、电容C相比,Lr 和Cr 的值小得多,同时开关S增加了反并联二极管VDS ,而硬开关电路中不需要这个二极管.2.a.零电压开通:开关开通前其两端电压为零,则开通时不会产生损耗和噪声b.零电流关断:开关关断前其电流为零,则关断时不会产生损耗和噪声c.零电压关断:与开关并联的电容能延缓开关关断后电压上升的速率,从而降低关断损耗d.零电流开通:与开关串联的电感能延缓开关开通后电流上升的速率, 降低了开通损耗.在很多情况下,不再指出开通或关断,仅称零电压开关和零电流开关.3.软开关分类①准谐振电路a.零电压开关准谐振电路b.零电流开关准谐振电路 c.零电压开关多谐振电路d.用于逆变器的谐振直流环②零开关PWM电路③零转换PWM电路4.典型电路①零电压开关准谐振电路t0 ~t1 时段:t0 之前,S导通,VD为断态,uCr =0,iLr =IL ,t0 时刻S关断,Cr 使S关断后电压上升减缓,因此S的关断损耗减小,S关断后,VD尚未导通;Lr +L向Cr 充电,L等效为电流源,uCr 线性上升,同时VD两端电压uVD 逐渐下降,直到t1 时刻,uVD =0,VD导通,这一时段uCr 的上升率为duCr/dt=IL/cr t1 ~t2 时段:t1 时刻VD导通,L通过VD续流,Cr 、Lr 、Ui 形成谐振回路,谐振过程中,Lr 对Cr 充电,uCr 不断上升,iLr 不断下降,直到t2 时刻,iLr 下降到零,uCr 达到谐振峰值.t2 ~t3 时段:t2 时刻后,Cr 向Lr 放电,iLr 改变方向,uCr 不断下降,直到t3 时刻, uCr =Ui ,这时uLr=0,iLr 达到反向谐振峰值.t3 ~t4时段:t3 时刻以后,Lr 向Cr 反向充电,uCr 继续下降,直到t4 时刻uCr=0.t4 ~t5 时段:uCr 被箝位于零,uLr =Ui , iLr 线性衰减,直到t5时刻iLr =0.由于这一时段S两端电压为零,所以必须在这一时段使开关S开通,才不会产生开通损耗t5 ~t6时段:S为通态,iLr 线性上升,直到t6 时刻,iLr =IL ,VD关断.t4 到t6时段电流iLr 的变化率为 diLr/dt=Ui/Lrt6 ~t0 时段:S为通态,VD为断态.②谐振直流环③零电压转换PWM电路t0 ~t1 时段:辅助开关先于主开关开通,由于此时VD尚处于通态,所以uLr =Uo ,iLr 按线性迅速增长,iVD以同样的速率下降,直到t1 时刻,iLr =IL ,iVD 下降到零,二极管自然关断.t1 ~t2 时段:此时电路可以等效为图8-21, Lr 与Cr 构成谐振回路,由于L很大,谐振过程中其电流基本不变,对谐振影响很小,可以忽略;谐振过程中iLr 增加而uCr下降,t2 时刻uCr 降到零,VDS 导通,uCr 被箝位于零,而iLr 保持不变.t2 ~t3 时段:uCr 被箝位于零,而iLr 保持不变,这种状态一直保持到t3 时刻S开通、S1 关断t3 ~t4 时段:t3 时刻S开通时,uS 为零,因此没有开关损耗,S开通的同时S1 关断,Lr 中的能量通过VD1 向负载侧输送,uLr 下降,而iS 线性上升,到t4 时刻iLr =0, VD1 关断,iS =IL ,电路进入正常导通状态.t4 ~t5 时段:t5 时刻S关断, 由于Cr 的存在,S关断时的电压上升率受到限制降低了S的关断损耗.5.在零电压转换PWM电路中,辅助开关S1和二极管VD1是软开关还是硬开关,为什么?答:在S1开通时,U s不等于零;在S1关断时,其上电流也不为零,因此S1为硬开关.由于电感Lr的存在,S1开通时的电流上升率受到限制,降低了S1的开通损耗.由于电感Lr的存在,使VD1的电流逐步下降到零,自然关断,因此VD1为软开关计算题1.在前面图降压斩波电路中,E=100V,L=1mH,R=0.5Ω,E m=10V,采用脉宽调至控制方式,T=20μs,当t on=5μs时,计算输出电压平均值U0,输出电流平均值I0,计算输出电流的最大值和最小值的瞬时值并判断负载电流是否连续.解:由已知条件可得m=EE=10100=0.1, τ=LR=0.0010.5=0.002, 当t on=5μs时,有ρ=Tτ=0.01,αρ=0.0025由于e−1e−1=e−1e−1=0.249>m所以输出电流连续.此时输出电压平均值为U0=tTE=100×520V=25V输出电流平均值为I0=U0−ER=25−100.5A=30A3.单项桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,反电动势E=60V,当α=30°时,要求:①作出u d,i d,i2的波形;②求整流输出平均电压U d,电流I d,变压器二次电流有效值I2;③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流.解: ②整流输出平均电压U d,电流I d,变压器二次电流有效值I2为U d=0.9U2cosα=0.9×100×cos30°V=77.97V; I d=(U−E)R=(77.97−60)2A=9A; I2=I d=9A③晶闸管承受最大反向电压为√2U2=100√2=141.4V流过每个晶闸管电流有效值为I VT√26.36A故晶闸管额定电压为U N=(2~3)×141.4V=283~424V晶闸管的额定电流为I N=(1.5~2)×6.36A/1.57=6~8A晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取.4.三相半波可控整流电路,U2=100V,带电阻电感负载,R=5Ω,L值极大,当α=60°时,要求:(1)画出u d,i d和i vt的波形:(2)计算U d,I d,I dvt和I VT.解:U d,I d,I dT和I VT分别如下U d=1.17U2cosα=1.17×100×cos60°=58.5VI d=UR=58.55=11A,I dvt=I3=11.73=3.9A,I VT=I√3=6.755A5.三相桥式全控整流电路U2=100V带电阻电感负载,R=5Ω,L值极大,当α=60°时,要求(1)画出ud,id和ivt1的波形(2)计算Ud,Id,Idvt和Ivt.解:U d、I d、I dT和I VT分别如下U d=2.34U2cosα=2.34×100×cos60°=117V,I d=UR=1175=23.4A,I dvt=I3=23.43=7.8A,I VT=√3√313.51A6.三相全控桥,反电动势阻感负载,E=200V,R=1Ω,L=∞,U_2=220V,α=60°,(1)L_B=0和L_B=1mH情况下分别求U_d,I_d的值,后者还应求γ并分别画出u_d和i_vt的波形.解当L B=0时U d=2.34U2cosα=2.34×220×cos60°=257.4V;I d=(U-E)R=(257.4-200)1=57.4A;当L B=1mH U d=2.34U2cosα-∆U d∆U d=3X Iπ;I d=(U-E)R解方程组得U d=(2.34πU2R cosα+3X B E)(πR+3X B)=244.15V;I d=44.15A; ∆U d=13.25V又∵cosα−cos(α+γ)=√6Ucos(60°+γ)=0.4485;γ=63.35°-60°=3.35°。