2014-2015单晶硅教学计划
单晶硅太阳能电池片基础知识培训
单晶硅电池片生产流程
制绒 Texturing 清洗干燥 Rinse&Dry 扩散 Diffusion
PECVD (Plasma
Enhanced Chemical Vapor Deposition)
去磷硅玻璃(干 刻)Remove PSG
等离子刻蚀& 湿法刻蚀 Edge isolation
印刷 Printing
测试手段：冷热探针测试仪、边缘隔离电阻测试仪。
3刻蚀机整体结构
反应室 真空系统 送气系统 压力控制系 统 • 高频电源和 匹配器 • • • •
4、装片示意图
5、去PSG 什么是磷硅玻璃？ 在扩散过程中发生如下反应：
POCl3分解产生的 P2O5 淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生 4POCl3 3O 2 2P 2O5 6Cl2 成SiO2和磷原子： 这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷 硅玻璃 2P O 5Si 5SiO 4P
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2 5 2
氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用 生成易挥发的四氟化硅气体。 若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反 SiO 4HF SiF 2H O 2 4 2 应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 总反应式为：
SiF4 2HF H2 [SiF6 ]
2、PECVD的作用： Si3N4膜的作用: 减少光的反射 良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。 防氧化:结构致密保证硅片不被氧化。 低温工艺（有效降低成本） 优良的表面钝化效果 反应生成的H离子对硅片表面进行钝化
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2013—2014学年度第一学期高二物理教学计划
教 学 计 划一、学生情况简要分析高二14、15班，每班61人，为三类班。
经过高一一年的学习，学生已经适应了高中这种紧张的学习气氛，大部分同学还是比较上进的，基本掌握了物理这门学科的学习方法，但自主学习能力还是不强，自从实施“六环节分层教学”以来，学生的预习有所进步，但也存在一部分人不认真对待，不会通过阅读课本从课本中找到关键的信息，同时14班在分班时，物理成绩就比其他三个班差一点，针对以上问题，本学期应加强以下几个环节：1、狠抓预习环节，教师指导学生利用导学案预习，逐步提高学生的自主学习能力；2、在课堂的导引探究环节上，调动学生的积极性，让学生踊跃的参与到课堂来，师生共同探讨；3、落实各种训练，检查到位。
总之，希望通过这学期能够改变一部分同学的学习习惯，尽量使每一位同学都能上一个新的台阶，取得理想的成绩。
二、教材内容分析 1．教材的整体框架结构电场与示波器从电表电路到集成电路探究闭合电路欧姆定律磁场与回旋加速器 探究电场的力的性质 探究电场的能的性质 电容器 电容带电粒子在匀强电场中的运动 学习使用多用电表 研究电压、电流和电阻 探究电阻定律多用电表电路的分析与设计 探究闭合电路欧姆定律 测量电源的电动势和电阻 电路中的能量转化与守恒 磁场与人类文明 怎样描述磁场探究电流周围的磁场 探究安培力 探究洛仑兹力电 磁 学2．教材编写特色分析教材采用沪科版《普通高中课程标准实验教科书·物理选修3-1》。
本教材的插图明显增多，所讲知识主要来龙去脉与实践知识相联系，注重对学生自主能力的培养。
书后有供学生选做的研究课题示例，对培养学生的研究性学习能力很有帮助。
正文之外还有“阅读材料”“讨论与思考”“做一做”等栏目，以开阔眼界，启发思考。
3．教学实施设计(1)狠抓课堂教学效果，使学生学习一步一个脚印，踏踏实实抓好基础，向“40分钟要质量”。
(2)抓好学生实验和课堂演示实验，让学生更好的理解物理概念和物理规律，同时培养学生学习物理的兴趣。
硅 的教学设计
第四章非金属及其化合物第一节无机非金属材料的主角——硅宜宾学院化学与化工学院尹慧一、教材分析本节内容来自人民教育出版社出版的普通高中课程标准实验教科书《化学》必修1第四章第一节。
本节包括二氧化硅和硅酸、硅单质两个部分，是高中化学的一个重要组成部分。
硅及其化合物在国民经济、材料科学和信息技术等领域应用前景十分广泛。
硅作为非金属的开篇，安排在“金属及其化合物”之后，既是常见无机物及其性质等知识的延续，也是学习非金属及其化合物的基础，而且还是在生活中经常接触、需要了解和应用的化学常识。
这也为以后学习“物质结构与性质”、分析物质的空间结构打下基础。
本节还巩固了氧化还原反应等基本知识的作用。
在前一章的基础上，进一步介绍元素化合物知识和研究方法，为元素族概念的形成、元素性质的递变规律、元素周期表的形成积累了感性材料。
二、学情分析本节课的教学对象是高一的学生，经过高中化学前三章内容的学习，他们具备了基本的实验技能，和有关离子反应和氧化还原反应的基础知识，具有了一定的分析能力和探究意识，有强烈的好奇心和求知欲。
在学习了金属及其化合物之后，掌握了一些基本知识。
本节多数内容属于了解层次，行文浅显易读，部分段落学生可阅读自学、仔细了解、领悟有关知识的内涵，培养学生的自学能力。
学生搜集并观察身边及生活环境中的石英、砂石、水晶、各种含硅矿物、粘土等实物，分析比较其性状（硬度、色泽）等物理性质的异同，训练学生的观察能力等。
三、教学目标1、知识与技能：⑴在学习碳族元素知识的基础上，进一步认识硅及其氧化物的晶体结构、性质和用途。
⑵认识硅、二氧化硅在生产、信息技术、材料科学等领域的应用。
2、过程与方法：⑴通过联系碳的相关知识来学习硅的新知识，有助于培养学生对新旧知识进行归纳比较的逻辑思维能力；⑵通过晶体的结构，培养学生的空间想像能力。
⑶把握“位—构—性”三者关系，掌握元素及化合物一类知识的学习方法。
3、情感态度与价值观：⑴介绍当代国内外的新技术、新成果，在大量的直观感性材料的陪衬下，使化学学习不再枯燥乏味而是生动有趣，有助于帮助学生开阔眼界，提高科技文化素养。
第四章 单晶硅材料
单晶本征电阻率
介电常数 熔点 沸点
230000Ω .cm
11.7 1420 Co 3145 Co
溶解热 蒸发热 热传导系数 表面张力
12.1 kcal/mol 71 kcal/mol 0.3 cal/mol 720 dyn/cm
比热容 线性膨胀系数
0.219 cal/g.K 硬度
7.0 莫式硬度
2.6*10-6/K
折射率
3.42
注：1 cal =4.1868 J, 1dyn=10-5 N
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硅的物理性质
• 基本性质：晶体硅呈银灰色，有金属光泽，硬而脆，固体体积比液 体高出9%
• 光学性质：禁带宽度1.12eV，对光的吸收处于红外波段，具有高 发射率个折射率（红外及γ射线的探测器，太阳电池）
• 硅的热学性质：具有明显的热传导和热膨胀性质，硅熔化体积缩小， 凝固时膨胀，硅有较大的表面张力系数，利用此性质可以用来拉单 晶
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4.2 太阳电池用硅材料
• 按纯度划分 金属硅和半导体（电子级）硅
按直拉单晶硅
（CZ单晶硅），其中直拉单晶硅由于制造成本优势， 机械强度较高易制备大直径单晶而广泛应用于太阳电池 领域
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4.3 高纯多晶硅的制备 高纯对晶硅的纯度很高，一般要求纯度达 到99.999999%-99.9999999%，杂质 的含量降到10-9的水平。多晶硅的原料是 大自然中的石英砂，因为对杂质含量有严 格要求，并不是所有的石英砂都能作为硅 材料的原料。
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制备策略
•砂子还原成冶金级硅 •冶金硅进行化学提纯（生成中间产物，化 学提纯中间产物，中间产物提纯为硅，此 时的硅为多晶状态）
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砂子还原成冶金级硅
在电弧中，利用纯度为99%以上的石英砂和焦炭或木炭在2000℃左右进行 还原反应，可以生成多晶硅，其反应方程式为：
第四五讲-单晶硅制备
坩埚
单晶炉中所使用的坩埚，由石英坩 埚和石墨坩埚两种。石英坩埚放置 在石墨坩埚中，多晶硅原料放置在 石英坩埚中。
导流筒
导流筒主要是用来隔断热场内部 和外部，使外部的温度大大小于 内部，从而起到加快单晶拉速的 作用，同时也起到导流的作用。
加热器
加热器连接石墨电极，石墨电极连 接炉体电极。电流通过电极传到加 热器，并利用电流穿过加热器所产 生的热量，达到熔融多晶硅和持续 提供热量的作用。
拉晶过程中的保护气流
2、利用热场形成温度梯度 热场（hot zone)是由高纯石墨部件和保温材料（碳毡）组成。 ➢ 石墨加热器：产生热量，熔化多晶硅原料， 并保持熔融硅状态；
➢ 石墨部件：形成氩气流道，并隔离开保温 材料；
➢ 保温材料：保持热量，为硅熔液提供合适 的温度梯度。
单晶热场温度分布
3 晶转、晶升、埚转和埚升
4、 石英坩埚
两个检查步骤
主要检查事项： ➢ 1未熔物； ➢ 2白点和白色附着物； ➢ 3杂质（包括黑点）； ➢ 4划伤和裂纹； ➢ 5气泡； ➢ 6凹坑和凸起； ➢ 7坩埚重量。
1 未熔物：不允许有未熔物存在；
2 白点数量：
Item 22′
>13.0mm 0
6.0~13.0mm 2
3 黑点数量：
这是指正晶向的情况。如果籽晶的晶向偏高度较大，或者 安装固定籽晶时发生了较大偏 离，生长出来的单晶，对称 性就差一些，相邻棱线之间的夹角有宽有窄，不但影响成 晶率，均匀性变差，晶向偏离大，切片也受影响。
单晶炉拉晶籽晶
规格 直径（mm） 长度(mm) 位错 晶向偏差
方籽晶 圆籽晶
10×10或 12×12
3 、自动控制
1 ）温度自动控制
高中化学单晶硅教案
高中化学单晶硅教案
学科：化学
年级：高中
课题：单晶硅
一、教学目标
1. 了解单晶硅的基本性质和结构特点；
2. 掌握单晶硅的制备方法和工业应用；
3. 能够分析单晶硅在电子领域中的重要性；
4. 培养学生的实验操作能力和团队合作精神。
二、教学重点与难点
重点：单晶硅的结构、制备方法和工业应用；
难点：单晶硅在电子领域中的重要性。
三、教学内容与过程安排
1. 知识导入（5分钟）
介绍单晶硅在现代科技中的重要性，引发学生对单晶硅的兴趣。
2. 知识讲解（15分钟）
讲解单晶硅的基本性质、结构特点以及制备方法，引导学生理解单晶硅的应用领域。
3. 实验操作（30分钟）
进行单晶硅的制备实验，让学生亲身体验并加深对单晶硅的理解。
4. 讨论与总结（10分钟）
让学生分组讨论单晶硅在电子领域中的应用，并总结出结论。
5. 课堂作业（5分钟）
布置相关作业，巩固学生对单晶硅的理解。
四、教学资源准备
1. 教学课件
2. 实验仪器和材料
3. 单晶硅相关资料
五、评估方式
1. 实验报告评分
2. 课堂讨论表现评分
六、教学反思
通过本次课程，能够让学生全面了解单晶硅的基本性质、制备方法和工业应用，提高学生的实验操作能力和团队合作精神，培养学生的创新意识和分析能力。
同时，教学内容的设置需要灵活调整，根据学生的学习特点和兴趣点进行调整，以使教学效果更加明显。
半导体第三讲：单晶硅生长技术、工艺、设备培训课件
采用钕铁硼永磁体向熔硅所在空间中引入 Cusp磁场后，当坩埚边缘磁感应强度达到 0.15T时，熔硅中杂质输运受到扩散控制， 熔硅自由表面观察到明显的表面张力对流， 单晶硅的纵向、径向电阻率均匀性得到改 善。
2022/5/2
氧浓度的控制
在直拉单晶硅生长过程中, 由于石英坩埚的 溶解, 一部分氧通常会进入到单晶硅中, 这些 氧主要存在于硅晶格的间隙位置。当间隙 氧的浓度超过某一温度下氧在硅中的溶解 度时, 间隙氧就会在单晶硅中沉淀下来, 形成 单晶硅中常见的氧沉淀缺陷。如果不对硅 片中的氧沉淀进行控制, 将会对集成电路造 成危害。
2022/5/2
由于生长过程中熔区始终处于悬浮状态, 不与任何物质接触,生长过程中的杂质分凝 效应和蒸发效应显著等原因, 因此产品纯度 高, 各项性能好。
但由于其生产成本高, 对设备和技术的 要求较为苛刻, 所以一般仅用于军工。太空 等高要求硅片的生长。
2022/5/2
Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶的氧含量 低2～3个数量级，这一方面不会产生由氧 形成的施主与沉积物，但其机械强度却不 如直拉单晶硅，在器件制备过程中容易产 生翘曲和缺陷。在Fz单晶中掺入氮可提高 其强度。
2022/5/2
对1000 ℃、1100℃退火后的掺氮直拉硅中 氧沉淀的尺寸分布进行的研究表明，随着 退火时间的延长，小尺寸的氧沉淀逐渐减 少，而大尺寸的氧沉淀逐渐增多。氮浓度 越高或退火温度越高, 氧沉淀的熟化过程进 行得越快。
2022/5/2
区熔(FZ )法生长硅单晶
无坩埚悬浮区熔法。 原理：在气氛或真空的炉室中，利用高频
另一方面，热屏起到了氩气导流作用。在敞开 系统中，氩气流形成漩涡，增加了炉内气氛流 的的不稳定性，氩气对晶体的直接冷却能力弱， 不利于生长出无位错单晶。增加热屏后，漩涡 消失，氩气流速增加，对晶体的直接冷却和溶 液界面吹拂能力加强。
教师可以提前布置学生收集硅及无机非金属材料的有关资料
第七页，共36页。
本章预期目标
过程方法目标： 通过本章的学习，让学生进一步体验“比较”
和“分析”的科学方法。
情感态度价值观目标：
体会组成材料的物质性质与材料性能的密切关系 ，认识新材料的开发对社会、生活产生的重要影响， 了解材料开发和应用与化学科学发展之间的关系。
第二十页，共36页。
重要栏目解读：
教材中的第113页
铝和铝合金：认识铝及其化合物
第二十一页，共36页。
本节教学中应注意的问题 ：
（1）教师在教学中应抓住教材编写的两条 线索：金属及其化合物的性质与金属材料 及其合金的应用。
（2）对于氢氧化铝的两性的教学，不宜纠缠在铝 与碱反应的比例关系上，把握好内容的深广度。
料
料
镁
海水中 的化学 元素
从海水 中提取 镁
第三十三页，共36页。
元素 氯 碳 氮 硫 硅 溴 碘
Байду номын сангаас
在教材 研究物 碳 氮 硫 硅 海水 海水
中的节
质性质 的方法
的 多
的 循
的 转
无机 非金
中的 中的 化学 化学
和程序 样 环 化 属材 元素 元素
性
料
在必修2中的元素周期表的应用中还要从 族和周期的角度对元素化合物知识进行整合 ，并进一步开阔学生的视野。
将复合材料的内容编入教材，基于以下几点考虑：
其一，让学生了解材料发展的前沿，认识到复合是材料发 展的必然趋势；
其二，对金属材料、无机非金属材料的有关知识进行总结回顾 ，加深对这部分知识的认识。
其三、强化对元素与材料的关系的认识。
第9章-单晶硅的制备
Cz单晶硅基本设备：
国际上：美国的KAYEX公司，和德国的CGS公司， 是当前供应单晶硅生长的主要著名的设备公司。 能生产各种直径的单晶硅，尤其是大于200mm 硅单晶生产系统。
中国：也有很多企业能生产单晶炉，江苏金坛的华 盛天龙（上市公司：天龙光电，300029），很 多大的冶金设计院，研究院都能设计和生产单晶 炉。西安理工大学的系列单晶炉TDR-70，TDR150（Kg）产品，也实现了全自动控制。
铸锭坩埚。（易脱模，易产生晶核，防氧污染）
原料：CVD还原硅棒，分三部分 横梁料和碳头料：只能用于直拉单晶硅料 直棒料：可用于直拉单晶和区熔单晶料，纯度较高。 来源不同的高纯不合格硅片等）应该按导电类型，电阻率大 小分级，千万不能乱，否则单晶硅棒的性能会混乱。只有 同一导电类型和电阻率差不多的硅料，才可以混合后用于 拉制单晶。
9.3 直拉法制备单晶硅
提拉法又称丘克拉斯基法，是丘克拉斯基(J.Czochralski) 在1917年发明的从熔体中提拉生长高质量单晶的方法。 又称：Cz法，晶体提拉法。
98%的电子元器件是用单晶硅材料制作，其中85%是用直 拉单晶硅材料。
基本原理： 将高纯硅原料放在
坩埚中加热熔化，在熔 体表面接籽晶提拉熔体， 在受控条件下，使籽晶 和熔体的交界面上不断 进行原子或分子的重新 排列，随降温逐渐凝固 而生长出单晶体。
（否则高温密闭，压力很大，易引起爆炸）
• ④射频线圈接上高频电压加热，使硅棒底部开始熔化，下降硅棒， 与籽晶熔接。熔接后硅棒和射频线圈快速上升，缩颈，消除位错。 晶颈拉完后，慢慢的让单晶的直径增大到目标大小（放肩），转 肩，等径生长，直至生长结束。
• ⑤为改善单晶质量和提高径向电阻率的均匀性，一般是结晶生长 轴与多晶硅棒的中心轴线不同心的“偏心”。
(生产计划)直拉法生产单晶硅项目计划书
新能源产业单晶硅项目可行性报告书2014年01月作成第一章总论1.1项目概况项目名称：直拉法生产单晶硅新建企业名称：八零九零有限公司项目负责人：刘冰项目建设地点：山东济南1.2项目提出的背景硅是地球上储藏最丰富的材料之一，从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。
直到上世纪60年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。
硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。
单晶硅又叫硅单晶（Monocrystalline silicon），分子式：Si，分子量：28.086. 单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。
其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。
由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
1.2.1.具体介绍我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。
单晶硅，英文：Monocrystallinesilicon。
是硅的单晶体。
具有基本完整的点阵结构的晶体。
不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。
纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。
用于制造半导体器件、太阳能电池等。
用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
用途：单晶硅具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随着温度升高而增加，具有半导体性质。
单晶硅是重要的半导体材料。
在单晶硅中掺入微量的第ЩA族元素，形成P型半导体，掺入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P 型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。
单晶硅是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。
硅及其化合物教学案
第四章非金属及其化合物第一节无机非金属材料的主角——硅【高考目标导航】考纲导引考点梳理1.了解C,Si单质及其重要化合物的主要性质及其应用。
2.了解常见的无机非金属材料的性质及用途1.碳、硅。
2.CO2和SiO2。
3.硅酸和硅酸盐。
4. 常见的无机非金属材料。
【基础知识梳理】一、C、Si单质性质及其用途的比较。
碳硅单质的物理性质金刚石熔点很高，硬度很大；石墨熔点很高（比金刚石高）硬度较小，能导电，有滑腻感。
晶体硅，灰黑色，有金属光泽；与金刚石相似，熔点很高，硬度很大；是良好的半导体材料。
单质的化学性质与碱反应与碱不反应与NaOH溶液反应：注意：1.硅在地壳中的含量占第位，仅次于，主要以含氧化合物的形式存在。
2.反应SiO2＋2C高温Si＋2CO↑是典型的非金属元素之间的置换反应，若焦炭过量，则发生的反应为SiO2＋3C高温SiC＋2CO↑，且该反应能发生的原因是CO是气体，不能说明碳的非金属性比硅强。
3.与强碱溶液反应产生H2的单质是Al和Si。
二、CO2和SiO2的比较(见《优化方案》P50-51)物质二氧化硅二氧化碳晶体类型原子晶体分子晶体物理性质硬度、熔沸点、常温下为固体、不溶于水。
熔沸点，常温下为气体，微溶于水。
1.二氧化硅晶体(见《必修1》P74科学视野)二氧化硅内不存在单个的SiO 2分子，仅仅是晶体中硅、氧原子个数比为1：2而已；1 mol SiO 2中有 N A 个O 原子，含 N A 个Si —O 共价键。
另外，SiC 和Si 3N 4也是常见的原子晶体。
2.CO 2的晶体例1：不能用磨口玻璃瓶贮存的一组物质是 （ ）A ．溴水 氯水 碘水B ．氢溴酸 盐酸 氢硫酸C ．浓硫酸 浓硝酸 浓盐酸D ．NaOH 溶液 Na 2CO 3溶液 水玻璃例2：下列表述正确的是( )①人造刚玉熔点很高，可用作高级耐火材料，主要成分是二氧化硅②化学家采用玛瑙研钵摩擦固体反应物进行无溶剂合成，玛瑙的主要成分是硅酸盐③提前建成的三峡大坝使用了大量水泥，水泥是硅酸盐材料④夏天到了，游客佩戴由添加氧化亚铜的二氧化硅玻璃制作的变色眼镜来保护眼睛⑤太阳能电池可采用硅材料制作，其应用有利于环保、节能A ．①②③B ．②④C ．③④⑤D ．③⑤注意：1.硅的制取(见《必修1》P 81课后习题9) 。
直拉单晶培训PPT学习教案
单晶炉控制系统主要包括速度控制单元、加热控制 单元、等径生长控制单元、水温和设备运行巡检及状 态报警、继电控制单元等部分。
1）速度控制单元对晶升、埚升、晶转、埚转的速度进 行控制。
2）温度传感器从加热器上取得的信号与等径控制器的 温度控制信号叠加后进入欧陆控制器，经分析调整控 制加热器电压，达到控制加热温度与直径的目的。
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零位错的晶体。 （４）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐
渐增大到所需的大小。 （５）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可
使晶棒直径维持在正负２ｍｍ之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。 单晶硅片取自于等径部分。 （６）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那 么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必 须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为 尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生 长周期。
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加工工艺
加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长 （１）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的Ｎ或Ｐ型而定。杂
质种类有硼，磷，锑，砷。 （２）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使
之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（１４２０℃）以上， 将多晶硅原料熔化。 （３）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体 场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。缩颈生长 是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（４－６ｍｍ）由于位错线与 生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生
单晶硅生产工作计划
单晶硅生产工作计划篇一：单晶硅生产工作计划晶元太阳能公司实习总结报告 (1)一对单晶硅多线切割机的认识与了解 (2)二单晶硅的多线切割机启动前的准备工作 (3)（1）硅片的提刀与硅方的安装 (3)(2)布线 ..................................................................... (4)(3)预热前的准备 (5)(4) 预热 ..................................................................... . (5)三单晶硅的多线切割机运行过程中所遇到的故障与解决方法 ..................................................................... . (6)四五个“二刀换一次”原则 (7)五我总结的注意事项 (7)六切割过程中的改进 (8)一对单晶硅多线切割机的认识与了解在刚进晶元太阳能的时候，对于我公司的单晶硅多线切割机只是个模糊的了解。
在三个星期的实习中，我实际了解了NTC PV800的工作原理和运行状态，单晶硅的多线切割机是以钢丝700m/min的高速运转带动砂浆对单晶硅进行切割，在工作状态中，硅方的进刀速度常以0.335m/min的进给速度进行切割。
由于切割硅方高度156mm，所以每次工作时间长达7小时58分钟。
新线轴有宁波，宝能，贝卡三种线型，线长分别为660km 680km 770km。
切割方法有正切，和正反切两种。
一般情况下，新线轴正切可以进行两次切割，采用正反切可以进行三次切割。
下图为切割机的CAD二维基本结构图图1-1二单晶硅的多线切割机启动前的准备工作（1）硅片的提刀与硅方的安装该机器切割完成后，当班机长负责硅片的提刀，在提刀的过程中，为了防止钢丝线在提刀过程中断线，常基于钢丝线以5m/min的速度进行走线，硅方开始以低俗状态提刀，待硅片提到中端部分，再以高速状态提刀。
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宁夏地质工程学校直拉单晶硅工艺技术
教
学
计
划
专业学期
任课教师
年月日订
宁夏地质工程学校太阳能光伏技术专业
《直拉单晶硅工艺技术》教学计划
一、学生情况分析：
太阳能光伏技术专业男女生各占一半，在他们身上有一个共同点，学习成绩差，心理素质不稳定，组织纪律意识薄弱，自尊心强，但他们性格活泼，思维活跃。
只要老师调动他们的学习情绪，他们在学习上会有很大进步，教学中一定要把握住这一机会。
他们在学习方面：三分之一的学生能够积极主动地学习，且在学习中表现出良好的求知欲，学习效果较好；三分之二的学生学习兴趣不浓，在课堂上不能够主动配合任课老师，有待进一步的提高，个别学生纪律意识较差，给老师上课带来一定困难，但我准备用一颗真诚的心感动学生，使他们在思想和学习方面不断进步。
二、教学内容分析：
直拉单晶硅工艺技术是太阳能光伏技术专业的学生必修的一门专业课。
本课程的任务是：指导学生掌握单晶硅的基本知识，认识直拉单晶硅生产设备，生产原理，工艺流程，技术参数，注重理论知识和生产实践的结合，培养学生实践能力，为职业能力的形成，以及继续学习奠定基础，提高学生专业素质。
三、教学目标
培养学生理论知识与生产实践的结合能力，掌握晶体硅的基本知识，认识单晶硅的生产设备和生产工艺。
了解设备的工作原理和主要构造，了解设备的功能和操作方法，了解典型设备的控制面板的操作。
掌握生产单晶硅的工艺流程，技术参数，主辅原材料，产品性能的检测方法等。
提高学生的专业素养，以适应就业和创业的需要，指导学生掌握职业岗位需要的理论知识、设备操作能力，基本维护常识，产品检测知识。
引导学生重视知识的积累和运用，促进职业生涯的发展。
四、教学重点
1.掌握单晶硅的基本知识
2.认识直拉单晶硅炉的基本构造
3.掌握设备的基本操作方法
4.掌握直拉单晶硅的生产工艺，原辅材料
5.掌握产品检测的基本知识
五、教学措施
（一）教师要加强学习和研究，努力促进专业发展
教师应了解职业教育专业课程的特点，研究中等职业学校专业课教学的规律，不断学习，完善知识结构，提高理论素养，要结合教学实践，加强教学反思，提高课程实施的水平和效率。
（二）了解中等职业学校学生特点，激发学生学习专业知识的兴趣
教师应了解学生的学习水平与心理特点，关注他们的学习困难，重视他们的学习需求，努力营造民主。
和谐的学习氛围。
加强教学内容与职业生活，生产实际的联系，创设与工作相近的情景，帮助他们认识专业知识在工作中的认识。
激发学生参与教学活动的兴趣与热情。
（三）积极开发利用课程资源，提高学生综合素养
中等职业学校各类专业课程的开设和实践性教学环节为学生创设了了解行业信息，职业环境的条件，也为学生提供了本课程学习的资源，教师要重视这些资源的利用与开发，通过教学活动，加强书本学习与实际应用之间的联系。
（四）恰当使用现代教育技术
教师应重视现代教育技术与课程的整合。
更新教学观念，改进教学方法，充分发挥计算机。
互联网等现代教育技术的优势，合理应用，为学生提供丰富多样的学习资源。
六、考核办法：学期总成绩为100分
1.日常考察占30%，其中出勤率占10%，作业完成率占10%，学习态度占10%。
2.期末考试成绩占70%。