JS001-D-201303-v01半导体检验流程及检验标准
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将晶体从运晶车上卸下，放置于已校准合格的电子台秤上，并将称量后的晶体重量填写到《质量部单晶检测记录》晶体毛重一栏中。
4.3长度测量
4.3.1.根据晶体尾部的生长情况判断晶体的成晶情况。
4.3.2.将钢卷尺的尺头放置于单晶头部转肩处，测量出晶体的总长、等径长度、鼓棱长度。
4.4划线分段
4.4.1从单晶头部起，3寸硅棒每间隔308mm一段（4寸硅棒每间隔305mm一段），进行断刀，至尾部时，不足308mm（4寸305mm）或超出308mm（4寸305mm）长度的，按照以下方法操作：
4.10氧碳浓度检测
当进行新料试用时以及技术部特殊检测需要时，需进行氧碳含量测试，测试时，在待测硅棒上选取2mm后样品，选取硅片中心点，经过酸洗处理后，用FT-IR检测仪检测中、尾部样片C浓度和O浓度，并把测量值记录在《质量部单晶检测记录》上。
4.11晶体完整性
4.11.1位错判断
针对单晶硅棒在检测划线时，若晶体未正常收尾，最早掉苞处为A点，并且A点处的直径为φ。从A点向晶体头部方向取值划线B点位置的标准为：1.5倍φ的长度+5mm处。取陪片的位置为B点位置开始，向晶体头部方向取厚度为4±1mm。
测试点电阻率=
电阻率按照电阻率分档要求进行操作。
4.6.4单根硅棒的电阻率在合格范围之内时，并且电阻率均匀性≤12%时，质量部完整填写硅棒合格证，单晶车间办理入库。当单根硅棒电阻率在合格范围之内，但头尾陪片中有一片陪片电阻率均匀性＞12%时，在此根硅棒的每段硅棒合格证上标注“头部均匀性X%，尾部均匀性Y%”字样。当电阻率不在合格范围时，按照电阻率要求进行断刀。
西安华晶电子技术股份有限公司
技术通知单
Q/HJ.J7-32编号：JS001-D-201303-v01
工艺、标准名称
半导体级毛棒检验流程
及检验标准
日期
2013.03.11
适用范围
质量部、仓储部、半导体分厂
1目的
为指导检验员对本公司生产的直拉单晶硅棒的检测，以确定所检产品是否达到品质要求，以确保产品满足市场需求。
4.6陪片电阻率测量
4.6.1将陪片按照要求进行处理后，测试陪片边缘4点及中心2点电阻率。其中4点为距硅片边缘5mm处，另2点为圆心处。
4.6.2根据电阻率测试值，按照计算公式进行电阻率均匀性测试
4.6.3单根硅棒头尾段的电阻率值按照头尾热陪片测试值填写，中间段电阻率值按照公式进行计算，填写计算值。计算公式为
4.7型号检测
4.7.1用P/N导电型号仪测试陪片型号，测试过程参考《P-N导电类型鉴别仪作业指导书》。
4.7.2陪片测试要求为N型。
4.8少子寿命检测
4.பைடு நூலகம்.1使用寿命仪检测硅棒寿命时，选取硅棒两端面进行测量：测量位置为第一段的头部面，最末端的尾部面。测量时，选取被测面中心点进行测量。
4.8.2 .测量数值在随工单上填写真实测量值，在检验小票上标注寿命时，参考真实寿命测量值，当真实寿命测量值大于40us时，在加工随工单上标注寿命值>100us。
4.9分段圆棒尺寸
4.9.1用长爪卡尺测出晶体的直径范围，经过多次测量，找出晶体等径部分的直径最大值与最小值。
4.9.2用钢板尺测出分段晶体的长度，经过多次测量找出晶体长度的最小值。
4.9.3针对切断后的毛棒，单根毛棒两端有崩边的，在检验证右上角标注崩边长度，标注最大崩边值（例如：崩2mm），在检验证长度栏填写时，不减崩边长度。
4.4.3对单根硅棒取陪片时，在头部等径5mm处、尾部收尾前5mm位置处开始取陪片，陪片厚度为4±0.5mm。
4.5直径检测
4.5.1用长爪数显卡尺（精度≥0.01mm）测量单晶硅棒的直径，并把测量结果记录在《质量部单晶检测记录》上。3寸硅棒要求直径≥78mm，4寸硅棒要求直径≥102mm。
4.5.2对于晶棒直径低于标准范围区域，则在晶棒上作标记，用卷尺测量不符合标准的晶棒长度，并把不符合标准的长度记录在《质量部单晶检测记录》上，并按照《不合格品控制程序》进行处理。
3.2电阻率控制
针对客户电阻率值，以热陪片中心点测量电阻率为参考，若生产过程中出现热陪片批量上浮或下调现象，经技术部确认后，可将头部电阻率掺杂计算控制值浮动±2Ω.cm。
4、操作步骤
4.1.单晶棒送检确认
确认所送检的单晶棒是否编号正确，是否附有晶棒随工单，且晶棒随工单的信息是否准确和完全。
4.2称重
电阻率均匀性
≤12%
≤12%
氧含量
<1.0×1018At/cm3
碳含量
<5×1016At/cm3
直径
≥78mm
≥102mm
晶体完整性
硅单晶的位错密度≤100/cm3，无星形结构、六角网络、空洞、裂纹；无漩涡。
单根棒长度
3寸每段308mm，4寸每段305mm，尾端按照实际剩余长度标记
外观
表面无晶裂、无宽面、无碰损、无扭曲
2适用范围
适用于本公司生产的直拉单晶硅棒的检测。
3程序和要求
3.1技术指标
项目
3寸
4寸
生产工艺
CZ
CZ
晶向
〈111〉:≤2.0º
〈111〉:≤2.0º
导电类型
N
N
掺杂元素
磷P，特殊要求见合同要求
少子寿命
≥100μs
≥100μs
电阻率范围
42-20Ω.cm，
特殊见合同要求
50-30Ω.cm，
特殊见合同要求
4.11.2硅单晶应无星形结构、六角网络、空洞和裂纹；
4.11.3硅单晶要求无漩涡缺陷或其他微缺陷，特殊要求时，见特殊合同要求。
4.12质量部检验人员根据“3.1技术指标要求”以及4.1-4.11的操作要求，对报检的每炉单晶硅棒进行检验，其中“4.10氧碳浓度检测及“4.11.3”根据条件规定要求检验，如有不符合标准要求项目，按照《不合格品控制程序》执行。
1.如最后段长350mm时，可按照200mm和150mm划线断刀
2.如最后段长400mm时，可按照308mm和100mm划线断刀
3.如最后段长450mm时，可按照308mm和150mm划线断刀
4.如最后段长500mm时，可按照308mm和200mm划线断刀
4.4.2将送检的3寸毛棒头、尾各取热陪片，根据头部电阻率判断结果控制划线位置，头部电阻率≤42Ω.cm（或见特殊合同加工单要求）的按照原划线标准进行划线。头部电阻率＞42Ω.cm（或见特殊合同加工单要求），往尾部方向返，返到电阻率为42Ω.cm（或见特殊合同加工单要求）时，参照原划线标准进行划线切割。
4.3长度测量
4.3.1.根据晶体尾部的生长情况判断晶体的成晶情况。
4.3.2.将钢卷尺的尺头放置于单晶头部转肩处，测量出晶体的总长、等径长度、鼓棱长度。
4.4划线分段
4.4.1从单晶头部起，3寸硅棒每间隔308mm一段（4寸硅棒每间隔305mm一段），进行断刀，至尾部时，不足308mm（4寸305mm）或超出308mm（4寸305mm）长度的，按照以下方法操作：
4.10氧碳浓度检测
当进行新料试用时以及技术部特殊检测需要时，需进行氧碳含量测试，测试时，在待测硅棒上选取2mm后样品，选取硅片中心点，经过酸洗处理后，用FT-IR检测仪检测中、尾部样片C浓度和O浓度，并把测量值记录在《质量部单晶检测记录》上。
4.11晶体完整性
4.11.1位错判断
针对单晶硅棒在检测划线时，若晶体未正常收尾，最早掉苞处为A点，并且A点处的直径为φ。从A点向晶体头部方向取值划线B点位置的标准为：1.5倍φ的长度+5mm处。取陪片的位置为B点位置开始，向晶体头部方向取厚度为4±1mm。
测试点电阻率=
电阻率按照电阻率分档要求进行操作。
4.6.4单根硅棒的电阻率在合格范围之内时，并且电阻率均匀性≤12%时，质量部完整填写硅棒合格证，单晶车间办理入库。当单根硅棒电阻率在合格范围之内，但头尾陪片中有一片陪片电阻率均匀性＞12%时，在此根硅棒的每段硅棒合格证上标注“头部均匀性X%，尾部均匀性Y%”字样。当电阻率不在合格范围时，按照电阻率要求进行断刀。
西安华晶电子技术股份有限公司
技术通知单
Q/HJ.J7-32编号：JS001-D-201303-v01
工艺、标准名称
半导体级毛棒检验流程
及检验标准
日期
2013.03.11
适用范围
质量部、仓储部、半导体分厂
1目的
为指导检验员对本公司生产的直拉单晶硅棒的检测，以确定所检产品是否达到品质要求，以确保产品满足市场需求。
4.6陪片电阻率测量
4.6.1将陪片按照要求进行处理后，测试陪片边缘4点及中心2点电阻率。其中4点为距硅片边缘5mm处，另2点为圆心处。
4.6.2根据电阻率测试值，按照计算公式进行电阻率均匀性测试
4.6.3单根硅棒头尾段的电阻率值按照头尾热陪片测试值填写，中间段电阻率值按照公式进行计算，填写计算值。计算公式为
4.7型号检测
4.7.1用P/N导电型号仪测试陪片型号，测试过程参考《P-N导电类型鉴别仪作业指导书》。
4.7.2陪片测试要求为N型。
4.8少子寿命检测
4.பைடு நூலகம்.1使用寿命仪检测硅棒寿命时，选取硅棒两端面进行测量：测量位置为第一段的头部面，最末端的尾部面。测量时，选取被测面中心点进行测量。
4.8.2 .测量数值在随工单上填写真实测量值，在检验小票上标注寿命时，参考真实寿命测量值，当真实寿命测量值大于40us时，在加工随工单上标注寿命值>100us。
4.9分段圆棒尺寸
4.9.1用长爪卡尺测出晶体的直径范围，经过多次测量，找出晶体等径部分的直径最大值与最小值。
4.9.2用钢板尺测出分段晶体的长度，经过多次测量找出晶体长度的最小值。
4.9.3针对切断后的毛棒，单根毛棒两端有崩边的，在检验证右上角标注崩边长度，标注最大崩边值（例如：崩2mm），在检验证长度栏填写时，不减崩边长度。
4.4.3对单根硅棒取陪片时，在头部等径5mm处、尾部收尾前5mm位置处开始取陪片，陪片厚度为4±0.5mm。
4.5直径检测
4.5.1用长爪数显卡尺（精度≥0.01mm）测量单晶硅棒的直径，并把测量结果记录在《质量部单晶检测记录》上。3寸硅棒要求直径≥78mm，4寸硅棒要求直径≥102mm。
4.5.2对于晶棒直径低于标准范围区域，则在晶棒上作标记，用卷尺测量不符合标准的晶棒长度，并把不符合标准的长度记录在《质量部单晶检测记录》上，并按照《不合格品控制程序》进行处理。
3.2电阻率控制
针对客户电阻率值，以热陪片中心点测量电阻率为参考，若生产过程中出现热陪片批量上浮或下调现象，经技术部确认后，可将头部电阻率掺杂计算控制值浮动±2Ω.cm。
4、操作步骤
4.1.单晶棒送检确认
确认所送检的单晶棒是否编号正确，是否附有晶棒随工单，且晶棒随工单的信息是否准确和完全。
4.2称重
电阻率均匀性
≤12%
≤12%
氧含量
<1.0×1018At/cm3
碳含量
<5×1016At/cm3
直径
≥78mm
≥102mm
晶体完整性
硅单晶的位错密度≤100/cm3，无星形结构、六角网络、空洞、裂纹；无漩涡。
单根棒长度
3寸每段308mm，4寸每段305mm，尾端按照实际剩余长度标记
外观
表面无晶裂、无宽面、无碰损、无扭曲
2适用范围
适用于本公司生产的直拉单晶硅棒的检测。
3程序和要求
3.1技术指标
项目
3寸
4寸
生产工艺
CZ
CZ
晶向
〈111〉:≤2.0º
〈111〉:≤2.0º
导电类型
N
N
掺杂元素
磷P，特殊要求见合同要求
少子寿命
≥100μs
≥100μs
电阻率范围
42-20Ω.cm，
特殊见合同要求
50-30Ω.cm，
特殊见合同要求
4.11.2硅单晶应无星形结构、六角网络、空洞和裂纹；
4.11.3硅单晶要求无漩涡缺陷或其他微缺陷，特殊要求时，见特殊合同要求。
4.12质量部检验人员根据“3.1技术指标要求”以及4.1-4.11的操作要求，对报检的每炉单晶硅棒进行检验，其中“4.10氧碳浓度检测及“4.11.3”根据条件规定要求检验，如有不符合标准要求项目，按照《不合格品控制程序》执行。
1.如最后段长350mm时，可按照200mm和150mm划线断刀
2.如最后段长400mm时，可按照308mm和100mm划线断刀
3.如最后段长450mm时，可按照308mm和150mm划线断刀
4.如最后段长500mm时，可按照308mm和200mm划线断刀
4.4.2将送检的3寸毛棒头、尾各取热陪片，根据头部电阻率判断结果控制划线位置，头部电阻率≤42Ω.cm（或见特殊合同加工单要求）的按照原划线标准进行划线。头部电阻率＞42Ω.cm（或见特殊合同加工单要求），往尾部方向返，返到电阻率为42Ω.cm（或见特殊合同加工单要求）时，参照原划线标准进行划线切割。