2012西北工业大学研究生入学考试材料科学基础 及答案

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西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

1. 有关晶面及晶向附图2.1所示。

2. 见附图2.2所示。

3. {100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十(101)+(101)+(011)+(011)+(110),共6个等价面。

{111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价面。

)121()112()112()211()112()121()211()121()211()211()121()112(}112{+++++++++++=共12个等价面。

4. 单位晶胞的体积为V Cu =0.14 nm 3(或1.4×10-28m 3) 5. (1)0.088 nm ;(2)0.100 nm 。

6. Cu 原子的线密度为2.77×106个原子/mm 。

Fe 原子的线密度为3.50×106个原子/mm 。

7. 1.6l ×l013个原子/mm 2;1.14X1013个原子/mm 2;1.86×1013个原子/mm 2。

8. (1) 5.29×1028个矽原子/m 3; (2) 0.33。

9. 9. 0.4×10-18/个原子。

10. 1.06×1014倍。

11. (1) 这种看法不正确。

在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。

位错环的柏氏矢量为b ,故其相对滑移了一个b 的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。

位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。

12. (1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力τ0,的方向应与de 位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de 将向左(或右)移动,即沿着与位错线de 垂直的方向(且在滑移面上)移动。

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

1. 有关晶面及晶向附图2.1所示。

2. 见附图2.2所示。

3. {100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十(101)+(101)+(011)+(011)+(110),共6个等价面。

{111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价面。

)121()112()112()211()112()121()211()121()211()211()121()112(}112{+++++++++++=共12个等价面。

4. 单位晶胞的体积为V Cu =0.14 nm 3(或1.4×10-28m 3) 5. (1)0.088 nm ;(2)0.100 nm 。

6. Cu 原子的线密度为2.77×106个原子/mm 。

Fe 原子的线密度为3.50×106个原子/mm 。

7. 1.6l ×l013个原子/mm 2;1.14X1013个原子/mm 2;1.86×1013个原子/mm 2。

8. (1) 5.29×1028个矽原子/m 3; (2) 0.33。

9. 9. 0.4×10-18/个原子。

10. 1.06×1014倍。

11. (1) 这种看法不正确。

在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。

位错环的柏氏矢量为b ,故其相对滑移了一个b 的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。

位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。

12. (1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力τ0,的方向应与de 位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de 将向左(或右)移动,即沿着与位错线de 垂直的方向(且在滑移面上)移动。

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

1. 有关晶面及晶向附图2.1所示。

2. 见附图2.2所示。

3. {100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十(101)+(101)+(011)+(011)+(110),共6个等价面。

{111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价面。

)121()112()112()211()112()121()211()121()211()211()121()112(}112{+++++++++++=共12个等价面。

4. 单位晶胞的体积为V Cu =0.14 nm 3(或1.4×10-28m 3) 5. (1)0.088 nm ;(2)0.100 nm 。

6. Cu 原子的线密度为2.77×106个原子/mm 。

Fe 原子的线密度为3.50×106个原子/mm 。

7. 1.6l ×l013个原子/mm 2;1.14X1013个原子/mm 2;1.86×1013个原子/mm 2。

8. (1) 5.29×1028个矽原子/m 3; (2) 0.33。

9. 9. 0.4×10-18/个原子。

10. 1.06×1014倍。

11. (1) 这种看法不正确。

在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。

位错环的柏氏矢量为b ,故其相对滑移了一个b 的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。

位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。

12. (1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力τ0,的方向应与de 位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de 将向左(或右)移动,即沿着与位错线de 垂直的方向(且在滑移面上)移动。

西北工业大学材料科学基础课后答案

西北工业大学材料科学基础课后答案

西北工业大学材料科学基础课后答案1、观察校园生物时要边观察边记录,尽量不要漏掉校园中的任何一种动植物。

[判断题] *对(正确答案)错2、在种子发芽实验中,下列做法正确的是()。

[单选题] *A.每天观察一次(正确答案)B.只需要观察有水的那组种子有没有发芽C.多天的实验中,第一天加一次水就够了3、在制作简易电动机时,把漆包线上的漆刮掉,是因为刮掉这层漆可以让导线()。

[单选题] *A.轻便B.结实C.导电(正确答案)4、下列说法正确的是( ) 。

[单选题] *A.种子只有在土壤里才能发芽B.种子发芽一定要有阳光C.种子发芽必须要有水(正确答案)5、苹果树不宜在热带栽种,柑橘不宜在北方栽种,这里起制约作用的是()。

[单选题] * A.阳光B.温度(正确答案)C.水6、在组成花岗岩的矿物中,硬度最硬的是( )。

[单选题] *A.云母B.石英(正确答案)C.金刚石7、探究小组准备做空投包实验,下面说法不正确的是()。

[单选题] *A.不可以在没有防护栏杆或防护栏杆不够牢固的地方进行实验B.探探在空投包内加了一层海绵,这是为了增加空投包的重量,加快其下落速度(正确答案)C.究究选择玻璃线吊纸盒是因为玻璃线不粗糙,阻力小8、设计制作小船需要考虑的因素是()。

[单选题] *A.经费预算B.材料和结构C.安全可靠9、以下()的船首形状可以让船在水中行驶得更快。

[单选题] *A.尖型(正确答案)B.方形C.圆形10、30 .潜艇常常被设计成鱼的身体形状,可以有效减少()。

[单选题] *A.阻力(正确答案)B.重力C.浮力11、光年是一种时间单位。

[单选题] *A.对B.错(正确答案)12、在夜晚观星中,我们可以看到天空中有许多闪烁的星星,这些星星全部都是恒星。

[判断题] *对错(正确答案)13、蜡烛燃烧发生的变化属于( )。

[单选题] *A.物理变化B.化学变化C.物理变化和化学变化(正确答案)14、下列生活实例中,说法正确的是()。

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

西北⼯业⼤学《材料科学基础》课后题答案1.有关晶⾯及晶向附图所⽰。

2.见附图所⽰。

3. {100}=(100)⼗(010)+(001),共3个等价⾯。

{110}=(110)⼗(101)+(101)+(011)+(011)+(110),共6个等价⾯。

{111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价⾯。

)121()112()112()211()112()121( )211()121()211()211()121()112(}112{+++++++++++=共12个等价⾯。

4.单位晶胞的体积为V Cu = nm 3(或×10-28m 3)5. (1) nm ;(2) nm 。

6. Cu 原⼦的线密度为×106个原⼦/mm 。

Fe 原⼦的线密度为×106个原⼦/mm 。

7. 1.6l ×l013个原⼦/mm 2;个原⼦/mm 2;×1013个原⼦/mm 2。

8. (1) ×1028个矽原⼦/m 3; (2) 。

11. (1) 这种看法不正确。

在位错环运动移出晶体后,滑移⾯上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏⽒⽮量决定的。

位错环的柏⽒⽮量为b ,故其相对滑移了⼀个b 的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。

位错运动移出晶体后滑移⽅向及滑移量如附图所⽰。

12. (1)应沿滑移⾯上、下两部分晶体施加⼀切应⼒τ0,的⽅向应与de位错线平⾏。

(2)在上述切应⼒作⽤下,位错线de将向左(或右)移动,即沿着与位错线de垂直的⽅向(且在滑移⾯上)移动。

在位错线沿滑移⾯旋转360°后,在晶体表⾯沿柏⽒⽮量⽅向产⽣宽度为⼀个b的台阶。

13. (1)]101[2ab=,其⼤⼩为ab22||=,其⽅向见附图所⽰。

西北工业大学材料科学基础课后题答案

西北工业大学材料科学基础课后题答案

1.有关晶面及晶向附图2.1所示。

2.见附图2.2所示。

3.{100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十(101)+(101)+(011)+(011)+(110),共6个等价面。

{111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价面。

)121()112()112()211()112()121()211()121()211()211()121()112(}112{+++++++++++=共12个等价面。

4. 单位晶胞的体积为V Cu =0.14 nm 3(或1.4×10-28m 3)5. (1)0.088 nm ;(2)0.100 nm 。

6. Cu 原子的线密度为2.77×106个原子/mm 。

Fe 原子的线密度为3.50×106个原子/mm 。

7. 1.6l ×l013个原子/mm 2;1.14X1013个原子/mm 2;1.86×1013个原子/mm 2。

8. (1) 5.29×1028个矽原子/m 3; (2) 0.33。

9. 9. 0.4×10-18/个原子。

10. 1.06×1014倍。

11. (1) 这种看法不正确。

在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。

位错环的柏氏矢量为b ,故其相对滑移了一个b 的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。

位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。

12.(1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力τ,的方向应与de位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de将向左(或右)移动,即沿着与位错线de垂直的方向(且在滑移面上)移动。

在位错线沿滑移面旋转360°后,在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个b的台阶。

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

1. 有关晶面及晶向附图2.1所示。

2. 见附图2.2所示。

3. {100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十(101)+(101)+(011)+(011)+(110),共6个等价面。

{111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价面。

)121()112()112()211()112()121()211()121()211()211()121()112(}112{+++++++++++=共12个等价面。

4. 单位晶胞的体积为V Cu =0.14 nm 3(或1.4×10-28m 3) 5. (1)0.088 nm ;(2)0.100 nm 。

6. Cu 原子的线密度为2.77×106个原子/mm 。

Fe 原子的线密度为3.50×106个原子/mm 。

7. 1.6l ×l013个原子/mm 2;1.14X1013个原子/mm 2;1.86×1013个原子/mm 2。

8. (1) 5.29×1028个矽原子/m 3; (2) 0.33。

9. 9. 0.4×10-18/个原子。

10. 1.06×1014倍。

11. (1) 这种看法不正确。

在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。

位错环的柏氏矢量为b ,故其相对滑移了一个b 的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。

位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。

12. (1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力τ0,的方向应与de 位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de 将向左(或右)移动,即沿着与位错线de 垂直的方向(且在滑移面上)移动。

西北工大2012材科真题附答案

西北工大2012材科真题附答案

西北工业大学2012年硕士研究生入学考试试题试题名称:材料科学基础(A卷)试题编号:832 说明:所有答题一律写在答题纸上第页共页一、简答题(每题10分,共50分)1.请简述滑移和孪生变形的特点?2.什么是上坡扩散?哪些情况下会发生上坡扩散?扩散的驱动力是什么?3.在室温下,多数金属材料的塑性比陶瓷材料好很多,为什么?纯铜与纯铁这两种金属材料哪个塑性好?说明原因。

4.请总结并简要回答二元合金平衡结晶过程中,单相区、双相区和三相区中,相成分的变化规律。

5.合金产品在进行冷塑性变形时会发生强度、硬度升高的现象,为什么?如果合金需要进行较大的塑性变形才能完成变形成型,需要采用什么中间热处理的方法?而产品使用时又需要保持高的强度、硬度,又应如何热处理?二、作图计算题(每题15分,共60分)1、在Fe-Fe3C相图中有几种类型的渗碳体?分别描述这些渗碳体的形成条件,并绘制出平衡凝固条件下这些不同类型渗碳体的显微组织形貌。

2、在两个相互垂直的滑移面上各有一条刃型位错AB、XY,如图所示。

假设以下两种情况中,位错线XY在切应力作用下发生运动,运动方向如图中v所示,试问交割后两位错线的形状有何变化(画图表示)?在以下两种情况下分别会在每个位错上形成割阶还是扭折?新形成的割阶或扭折属于什么类型的位错?3、已知H原子半径r为0.0406nm,纯铝是fcc晶体,其原子半径R为0.143nm,请问H原子溶入Al时处于何种间隙位置?4、柱状试样,当固溶体合金(k0>1)从左向右定向凝固。

凝固过程中假设,凝固速度快,固相不扩散、液相基本不混合,α/L(固/液)界面前沿液体中的实际温度梯度为正温度梯度。

由于α/L界面前沿液体存在成分过冷区,晶体易以树枝状结晶生长。

当合金从左向右定向凝固,达到稳态凝固区时,请分析并画出:①k0>1相图;②α/L界面处固体、液体的溶质浓度分布图;③液体中成分过冷区图三、综合分析题(共40分)1、试用位错理论解释低碳钢的应变时效现象。

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

1. 有关晶面及晶向附图2.1所示。

2. 见附图2.2所示。

3. {100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十(101)+(101)+(011)+(011)+(110),共6个等价面。

{111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价面。

)121()112()112()211()112()121()211()121()211()211()121()112(}112{+++++++++++=共12个等价面。

4. 单位晶胞的体积为V Cu =0.14 nm 3(或1.4×10-28m 3) 5. (1)0.088 nm ;(2)0.100 nm 。

6. Cu 原子的线密度为2.77×106个原子/mm 。

Fe 原子的线密度为3.50×106个原子/mm 。

7. 1.6l ×l013个原子/mm 2;1.14X1013个原子/mm 2;1.86×1013个原子/mm 2。

8. (1) 5.29×1028个矽原子/m 3; (2) 0.33。

9. 9. 0.4×10-18/个原子。

10. 1.06×1014倍。

11. (1) 这种看法不正确。

在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。

位错环的柏氏矢量为b ,故其相对滑移了一个b 的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。

位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。

12. (1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力τ0,的方向应与de 位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de 将向左(或右)移动,即沿着与位错线de 垂直的方向(且在滑移面上)移动。

西北工业大学材料科学基础课后题答案

西北工业大学材料科学基础课后题答案

1.有关晶面及晶向附图2.1所示。

2.见附图2.2所示。

3.{100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十(101)+(101)+(011)+(011)+(110),共6个等价面。

{111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价面。

)121()112()112()211()112()121()211()121()211()211()121()112(}112{+++++++++++=共12个等价面。

4. 单位晶胞的体积为V Cu =0.14 nm 3(或1.4×10-28m 3)5. (1)0.088 nm ;(2)0.100 nm 。

6. Cu 原子的线密度为2.77×106个原子/mm 。

Fe 原子的线密度为3.50×106个原子/mm 。

7. 1.6l ×l013个原子/mm 2;1.14X1013个原子/mm 2;1.86×1013个原子/mm 2。

8. (1) 5.29×1028个矽原子/m 3; (2) 0.33。

9. 9. 0.4×10-18/个原子。

10. 1.06×1014倍。

11. (1) 这种看法不正确。

在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。

位错环的柏氏矢量为b ,故其相对滑移了一个b 的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。

位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。

12.(1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力τ,的方向应与de位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de将向左(或右)移动,即沿着与位错线de垂直的方向(且在滑移面上)移动。

在位错线沿滑移面旋转360°后,在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个b的台阶。

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

1. 有关晶面及晶向附图2.1所示。

2. 见附图2.2所示。

3. {100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十(101)+(101)+(011)+(011)+(110),共6个等价面。

{111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价面。

)121()112()112()211()112()121()211()121()211()211()121()112(}112{+++++++++++=共12个等价面。

4. 单位晶胞的体积为V Cu =0.14 nm 3(或1.4×10-28m 3) 5. (1)0.088 nm ;(2)0.100 nm 。

6. Cu 原子的线密度为2.77×106个原子/mm 。

Fe 原子的线密度为3.50×106个原子/mm 。

7. 1.6l ×l013个原子/mm 2;1.14X1013个原子/mm 2;1.86×1013个原子/mm 2。

8. (1) 5.29×1028个矽原子/m 3; (2) 0.33。

9. 9. 0.4×10-18/个原子。

10. 1.06×1014倍。

11. (1) 这种看法不正确。

在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。

位错环的柏氏矢量为b ,故其相对滑移了一个b 的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。

位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。

12. (1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力τ0,的方向应与de 位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de 将向左(或右)移动,即沿着与位错线de 垂直的方向(且在滑移面上)移动。

西北工业大学《材料科学基础》课后题

西北工业大学《材料科学基础》课后题

1. 有关晶面及晶向附图2.1所示。

2. 见附图2.2所示。

3. {100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十(101)+(101)+(011)+(011)+(110),共6个等价面。

{111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价面。

)121()112()112()211()112()121()211()121()211()211()121()112(}112{+++++++++++=共12个等价面。

4. 单位晶胞的体积为V Cu =0.14 nm 3(或1.4×10-28m 3) 5. (1)0.088 nm ;(2)0.100 nm 。

6. Cu 原子的线密度为2.77×106个原子/mm 。

Fe 原子的线密度为3.50×106个原子/mm 。

7. 1.6l ×l013个原子/mm 2;1.14X1013个原子/mm 2;1.86×1013个原子/mm 2。

8. (1) 5.29×1028个矽原子/m 3; (2) 0.33。

9. 9. 0.4×10-18/个原子。

10. 1.06×1014倍。

11. (1) 这种看法不正确。

在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。

位错环的柏氏矢量为b ,故其相对滑移了一个b 的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。

位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。

12. (1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力τ0,的方向应与de 位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de 将向左(或右)移动,即沿着与位错线de 垂直的方向(且在滑移面上)移动。

西北工业大学材料科学基础04-12年真题答案剖析

西北工业大学材料科学基础04-12年真题答案剖析

2004年西北工业大学硕士研究生入学试题 参考答案一、简答题:(共40分,每小题8分)1、请简述间隙固溶体、间隙相、间隙化合物的异同点?答:相同点:小原子溶入。

不同点:间隙固溶体保持溶剂(大原子)点阵;间隙相、间隙化合物改变了大原子点阵,形成新点阵。

间隙相结构简单;间隙化合物结构复杂。

2、请简述影响扩散的主要因素有哪些。

答:影响扩散的主要因素:(1)温度;(2)晶体结构与类型;(3)晶体缺陷;(4)化学成分。

3、临界晶核的物理意义是什么?形成临界晶核的充分条件是什么?答:临界晶核的物理意义:可以自发长大的最小晶胚(或,半径等于rk 的晶核) 形成临界晶核的充分条件:(1)形成r ≥rk 的晶胚;(2)获得A ≥A*(临界形核功)的形核功。

4、有哪些因素影响形成非晶态金属?为什么?答:液态金属的粘度:粘度越大原子扩散越困难,易于保留液态金属结构。

冷却速度;冷却速度越快,原子重新排列时间越断,越容易保留液态金属结构。

5、合金强化途径有哪些?各有什么特点?答:细晶强化、固溶强化、复相强化、弥散强化(时效强化)加工硬化。

二、计算、作图题:(共60分,每小题12分)1、求]111[和]120[两晶向所决定的晶面,并绘图表示出来。

答:设所求的晶面指数为(h k l ) 则)112(0211:2111:1011::=----=l k h2、氧化镁(MgO )具有NaCl 型结构,即具有O2-离子的面心立方结构。

问:(1)若其离子半径+2Mg r =0.066nm ,-2O r =0.140nm ,则其原子堆积密度为多少? (2)如果+2Mg r /-2O r =0.41,则原子堆积密度是否改变?答:(1)点阵常数nm r r a O Mg 412.0)(222=+=-+堆积密度73.04)(43322=⨯+=-+a r r P O Mg f π(2)堆积密度会改变,因为Pf 与两异号离子半径的比值有关。

3、已知液态纯镍在 1.013×105 Pa (1大气压),过冷度为319 K 时发生均匀形核,设临界晶核半径为1nm ,纯镍熔点为1726 K ,熔化热ΔHm=18075J/mol ,摩尔体积Vs =6.6cm3/mol ,试计算纯镍的液-固界面能和临界形核功。

西北工业大学材料科学基础历年真题及答案解析

西北工业大学材料科学基础历年真题及答案解析

西北工业大学2012年硕士研究生入学考试试题答案试题名称:材料科学基础试题编号:832说明:所有答题一律写在答题纸上第页共页一、简答题(每题10分,共50分)1.请简述滑移和孪生变形的特点?答:滑移变形特点:1)平移滑动:相对滑动的两部分位向关系不变2)滑移线与应力轴呈一定角度3)滑移不均匀性:滑移集中在某些晶面上4)滑移线先于滑移带出现:由滑移线构成滑移带5)特定晶面,特定晶向孪生变形特点:1) 部分晶体发生均匀切变2) 变形与未变形部分呈镜面对称关系,晶体位向发生变化3) 临界切分应力大4) 孪生对塑变贡献小于滑移5) 产生表面浮凸2.什么是上坡扩散?哪些情况下会发生上坡扩散?答:由低浓度处向高浓度处扩散的现象称为上坡扩散。

应力场作用、电场磁场作用、晶界内吸附作用和调幅分解反应等情况下可能发生上坡扩散。

扩散驱动力来自自由能下降,即化学位降低。

3.在室温下,一般情况金属材料的塑性比陶瓷材料好很多,为什么?纯铜与纯铁这两种金属材料哪个塑性好?说明原因。

答:金属材料的塑性比陶瓷材料好很多的原因:从键合角度考虑,金属材料主要是金属键合,无方向性,塑性好;陶瓷材料主要是离子键、共价键,共价键有方向性,塑性差。

离子键产生的静电作用力,限制了滑移进行,不利于变形。

铜为面心立方结构,铁为体心立方结构,两者滑移系均为12个,但面心立方的滑移系分布取向较体心立方匀衡,容易满足临界分切应力。

且面心立方滑移面的原子堆积密度比较大,因此滑移阻力较小。

因而铜的塑性好于铁。

4.请总结并简要回答二元合金平衡结晶过程中,单相区、双相区和三相区中,相成分的变化规律。

答:单相区:相成分为合金平均成分,不随温度变化;双相区:两相成分分别位于该相区的边界,并随温度沿相区边界变化;三相区:三相具有确定成分,不随结晶过程变化。

5.合金产品在进行冷塑性变形时会发生强度、硬度升高的现象,为什么?如果合金需要进行较大的塑性变形才能完成变形成型,需要采用什么中间热处理的方法?而产品使用时又需要保持高的强度、硬度,又应如何热处理?答:合金进行冷塑性变形时,位错大量増殖,位错运动发生交割、缠结等,使得位错运动受阻,同时溶质原子、各类界面与位错的交互作用也阻碍位错的运动。

2012材料科学基础真题校对版

2012材料科学基础真题校对版

题目一1.论述面心菱方点阵为何不是布拉维格子的一种。

解答:连结面心菱方面心各节点可以得到一个更小的面心菱方,且不改变原结构对称性。

如图所示:2.有人将六方晶胞表示成图示,论述这种表示法是否正确。

原子坐标为(2/3,2/3,1/4),(2/3,1/3,3/4)。

答:将上述坐标的原子进行平移,同时减去(-1/3,2/3,1/4)得到新坐标为(1,0,0)和(1,-1/3,1/2),将所示原子表示在六方晶胞中,如图所示,两个原子在一个侧面上,由此扩成的点阵显然不是六方点阵,故原来的表示也不可能是六方结构的表示。

正确的表示应该是两个原子位于(1/3,2/3,1/4),(2/3,1/3,3/4),具体请参考无机材料科学基础(陆佩文)晶体学基础章节。

二、给了一个立方和一个密排六方,求晶面和晶向的密勒表示法。

答案:三、给了一个切向力,分析平面上一个正方形位错环的运动和其应力。

有四问,貌似在西北工业大学的那一本《材料科学基础》里面见过。

答:参考材料科学基础试题汇编02-06西北工业大学相关考研试题,p158三题2和试题汇编相关例题如07-09p146,此题每年必考,请大家把相关试题都弄明白。

四、分析一个单晶体拉伸问题,fcc,力的方向为(110),求滑移系。

有两问,记得有点儿模糊了。

答:请参考清华大学历年考题相关部分,要深刻理解,熟练运用,此题也为每年必考题。

类似清华14年材科真题求滑移系那道题。

五,认为晶核是立方型的,推临界形核的相关问题,有三问,除了晶核模型和交大版《材料科学基础》不一样以外,都是一回事儿。

有三问,最后一问是证明表面能对形核的影响分数的。

答:材料科学基础学习辅导有详细的证明,也是书上关于均匀形核相关内容的引申,大家前往不要眼高手低,记得第一次考要求证明这个题还真困难,不知道固液自由能差值是带正值还是绝对值等。

六、画铁碳相图,分析0.15%的组织,简单,大概有四问。

答:此题也考过多次了,铁碳相图也是大学课程的重点,每个人应该都很熟练了,记着区分二次渗碳体包含在那里,具体参考2007年第四题。

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

西北工业大学《材料科学基础》课后题答案

1.有关晶面及晶向附图所示。

2.见附图所示。

3.{100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十()+(101)+()+(011)+(),共6个等价面。

{111}=(111)+()+()+(),共4个等价面。

共12个等价面。

= nm3(或×10-28m3)4.单位晶胞的体积为VCu5.(1) nm;(2) nm。

6.Cu原子的线密度为×106个原子/mm。

Fe原子的线密度为×106个原子/mm。

7. 1.6l×l013个原子/mm2;个原子/mm2;×1013个原子/mm2。

8.(1) ×1028个矽原子/m3; (2) 。

9.9. 0.4×10-18/个原子。

10.×1014倍。

11.(1) 这种看法不正确。

在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。

位错环的柏氏矢量为b,故其相对滑移了一个b的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。

位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图所示。

,的方12.(1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力τ0向应与de位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de将向左(或右)移动,即沿着与位错线de垂直的方向(且在滑移面上)移动。

在位错线沿滑移面旋转360°后,在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个b的台阶。

13.(1),其大小为,其方向见附图所示。

(2) 位错线方向及指数如附图所示。

14.(1) 能。

几何条件:∑b前=∑b后=;能量条件:∑b前2=>∑b后2=(2) 不能。

能量条件:∑b前2=∑b后2,两边能量相等。

(3) 不能。

几何条件:∑b前=a/b[557],∑b后=a/b[11¯1],不能满足。

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西北工业大学
2012年硕士研究生入学考试试题答案
试题名称:材料科学基础试题编号:832
说明:所有答题一律写在答题纸上第页共页
一、简答题(每题10分,共50分)
1.请简述滑移和孪生变形的特点?
答:
滑移变形特点:
1)平移滑动:相对滑动的两部分位向关系不变
2)滑移线与应力轴呈一定角度
3)滑移不均匀性:滑移集中在某些晶面上
4)滑移线先于滑移带出现:由滑移线构成滑移带
5)特定晶面,特定晶向
孪生变形特点:
1) 部分晶体发生均匀切变
2) 变形与未变形部分呈镜面对称关系,晶体位向发生变化
3) 临界切分应力大
4) 孪生对塑变贡献小于滑移
5) 产生表面浮凸
2.什么是上坡扩散?哪些情况下会发生上坡扩散?
答:由低浓度处向高浓度处扩散的现象称为上坡扩散。

应力场作用、电场磁场作用、晶界内吸附作用和调幅分解反应等情况下可能发生上坡扩散。

扩散驱动力来自自由能下降,即化学位降低。

3.在室温下,一般情况金属材料的塑性比陶瓷材料好很多,为什么?纯铜
与纯铁这两种金属材料哪个塑性好?说明原因。

答:金属材料的塑性比陶瓷材料好很多的原因:从键合角度考虑,金属材料主要是金属键合,无方向性,塑性好;陶瓷材料主要是离子键、共价键,共价键有方向性,塑性差。

离子键产生的静电作用力,限制了滑移进行,不利于变形。

铜为面心立方结构,铁为体心立方结构,两者滑移系均为12个,但面心立方的滑移系分布取向较体心立方匀衡,容易满足临界分切应力。

且面心立方滑移面的原子堆积密度比较大,因此滑移阻力较小。

因而铜的塑性好于铁。

4.请总结并简要回答二元合金平衡结晶过程中,单相区、双相区和三相区
中,相成分的变化规律。

答:
单相区:相成分为合金平均成分,不随温度变化;
双相区:两相成分分别位于该相区的边界,并随温度沿相区边界变化;
三相区:三相具有确定成分,不随结晶过程变化。

5.合金产品在进行冷塑性变形时会发生强度、硬度升高的现象,为什么?
如果合金需要进行较大的塑性变形才能完成变形成型,需要采用什么中间热处理的方法?而产品使用时又需要保持高的强度、硬度,又应如何热处理?
答:合金进行冷塑性变形时,位错大量増殖,位错运动发生交割、缠结等,使得位错运动受阻,同时溶质原子、各类界面与位错的交互作用也阻碍位错的运动。

因此发生应变硬化,使强度、硬度升高。

较大的塑性变形产生加工硬化(应变硬化),如果需要继续变形就要进行中间热处理,即再结晶退火,使塑性恢复到变形前的状态,零件可继续进行塑性变形。

如果产品需要保持高的强度、硬度,可在最终热处理时采用去应力退火,去除残余应力,保持零件较高的强度、硬度。

二、作图计算题(每题15分,共60分)
1、在Fe-Fe3C相图中有几种类型的渗碳体?分别描述这些渗碳体的形成条
件,并绘制出平衡凝固条件下这些不同类型渗碳体的显微组织形貌。

答:
渗碳体包括:初生(一次)渗碳体、二次渗碳体、三次渗碳体、共晶渗碳体、共析渗碳体,共五种。

(1)初生(一次)渗碳体:含碳量大于4.3%的Fe-C合金在平衡凝固时从液相结晶出来的渗碳体,形貌为板条状。

(2)二次渗碳体:含碳量0.77~2.11%的Fe-C合金,在1148℃冷却到727℃过程中,从γ相中脱溶的渗碳体。

(3)三次渗碳体:含碳量小于0.0218%时,低于727℃,从α相脱溶析出的渗碳体。

(4)共晶渗碳体:含碳量2.11~6.69%的Fe-C合金,在1148℃发生共晶反应时形成的渗碳体。

(5)共析渗碳体:含碳量0.0218~6.69%的Fe-C合金,在727℃发生共析反应时生成的渗碳体。

各渗碳体形貌见教材相关部分。

2、在两个相互垂直的滑移面上各有一条刃型位错AB、XY,如图所示。


设以下两种情况中,位错线XY在切应力作用下发生运动,运动方向如图中v所示,试问交割后两位错线的形状有何变化(画图表示)?在以下两种情况下分别会在每个位错上形成割阶还是扭折?新形成的割阶或扭折属于什么类型的位错?
答:a图:
①XY向下运动与AB交割,产生PP′小台阶,宽度为|b1|
②PP′的柏氏矢量仍为b2
③PP′⊥b2为刃型位错
④PP′不在原滑移面上,为割阶
⑤XY平行于b2,不形成台阶
b图:
①AB位错线上出现PP′平行于b2,宽度为|b1|
②PP′的柏氏矢量仍为b2
③ PP′∥b 2为螺型位错
④ PP′在原滑移面上,为扭折
⑤ XY 位错线上出现QQ′平行于b 1,宽度为|b 2|
⑥ QQ′的柏氏矢量仍为b 1
⑦ QQ′∥b 1为螺型位错
⑧ QQ′在原滑移面上,为扭折
3、已知H 原子半径r 为0.0406nm ,纯铝是fcc 晶体,其原子半径R 为0.143nm ,请问H 原子溶入Al 时处于何种间隙位置?
答:fcc 晶体的八面体间隙414.0=R r ,四面体间隙225.0=R
r 。

根据题意知284.0143
.00406.0==Al H R r ,因此H 原子应处于八面体间隙。

4、柱状试样,当固溶体合金(k 0>1)从左向右定向凝固,凝固过程中假设,凝固速度快,固相不扩散、液相基本不混合,α/L (固/液)界面前沿液体中的实际温度梯度为正温度梯度。

由于α/L 界面前沿液体存在成分过冷区,晶体易以树枝状结晶生长。

当合金从左向右定向凝固,达到稳态凝固区时,请分析并画出:① k 0>1相图;② α/L 界面处固体、液体的溶质浓度分布图;③ 液体中成分过冷区图。

答:柱状试样从左向右定向凝固,在固相不扩散、液相基本不混合、k 0>1的条件下,在凝固达到稳态凝固区时,α/L 界面前沿液体溶质浓度分布C L 如图a 所示。

由于α/L 界面前沿液体中溶质浓度从左向右逐渐升高(与k 0<1情况不同),成分与相图对应如图b 。

α/L 界面前沿液体中从左向右熔点逐渐升高(与k 0<1情况相同)构成T L 曲线,加之界面前沿液体中的实际温度梯度为正温度梯度Tn ,即形成了由T L 、T N 两曲线组成的成分过冷区见图c ,在凝固过程中晶体易以树枝状结晶生长。

三、综合分析题(共40分)
1、试用位错理论解释低碳钢的应变时效现象。

答:将退火低碳钢进行少量塑性变形后卸载,然后立即加载,屈服现象不再出现。

如果卸载后在室温下放置较长时间或加热到一定温度保温,屈服现象再次出现,而且低碳钢的强度及硬度升高,这种现象称为应变时效或机械时效。

机理:
柯垂尔理论认为,卸载后立即重新加载,位错已经脱钉,因此不再出现屈服现象。

放置或加热后再加载,位错被重新定扎,因此会再次出现屈服现象。

位错増殖理论认为,卸载后立即重新加载,位错已经増殖,因此不再出现屈服现象。

放置或加热后再加载,发生了回复,位错发生重排和抵消,因此会再次出现屈服现象。

两种理论均有实验依据,目前一般同时采用两理论解释应变时效的产生原因。

2、如图所示,在立方单晶体中有一个位错环ABCDA,其柏氏矢量b平行于
z轴
1)指出各段位错线是什么类型的位错。

2)各段位错线在外应力τ作用下将如何运动?请绘图表示
答:
1)AB、BC、CD、DA段都是刃位错
2)AB和CD不动;BC向上滑移,AD向下滑移,如图所示。

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