9-4 电位移 有介质时的高斯定理

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高斯定理与电位移矢量

高斯定理与电位移矢量

高斯定理与电位移矢量
1、高斯定理的导出
高斯定理是建立在库仑定律的基础上的,在有电介质存在时,它也成立。

只不过计算总电场的电通量时,应计及高斯面内所包含的自由电荷和极化电荷。

令,称为电位移矢量,上式变为
上式称为有介质存在时的高斯定理,也称D的高斯定理。

2、电位移矢量D
,D既描述了E,又描述了P;既不单独描述E,又不单独描述P;D 本身没有明确的物理意义,只是为了计算上的方便引入的一个辅助矢量;
D的通量仅和自由电荷有关,而D本身与自由电荷和极化电荷均有关系;
D线仅发自自由电荷;
电位移矢量D是一个宏观矢量点函数。

介质的极化和介质中的高斯定理

介质的极化和介质中的高斯定理

部电都介产质生内附部加的电总场场E强'。E
E0
E'
E0
'
'
极化电荷所产生的附加电场不足以将介质中的外电
场完全抵消,它只能削弱外电场。称为退极化场。
介质内部的总场强不为零! 在各向同性均匀电介质中: E
E0
r
r称为相对介电常数或电容率。
3
二、介质中的高斯定理 电位移矢量
1.介质中的高斯定理
d
D2S 0S D1 D2 0 , D2 0
E2
D2
0r
0 0r
11
I区:D1
0,
E1
0 0
0
II区:D2 0 ,
②.求电容C
E2
0 0r
由C q U ab
与 U ab
Ed
高 斯
C q
0S

U ab E1(d d ' ) E 2d '
d' 0
D P1 P2
r
d
质中的高斯定理求场强:先根据自由电荷的分布利用 介质中的高斯定理求出电位移矢量的分布,再根据电 位移矢量与场强的关系求出场强的分布。
7
例1:将电荷 q 放置于半径为 R 相对电容率为 r 的介
质球中心,求:I 区、II区的 D、E、 及 U。
解:在介质球内、外各作半径为 r 的
高斯球面。
SD dS q0
荷密度为 0 , 其间插有厚度为 d’ 、电容率为 r 的电介质。
求 : ①. P1 、P2点的场强E;②.电容器的电容。
解: ①. 过 P1 点作高斯柱面, 左右底面分别经过导体
和 P1 点。
D SD dS q0

电位移、介质中的高斯定理复习

电位移、介质中的高斯定理复习

E'
q'
q0
E E0 E '
E0
S
1 ( E d S q ' ) q (1) 0 内 S 0 S
S
q ' P d S 内 (3) S
S
E'
q' 1 E d S q0 S
S (1)式 0 +(3)式
S S
得介质中的高斯定理
介质中的高斯定理: 穿出某一闭合曲面的电位移矢量的通量等于 这个曲面所包围的“自由电荷”的代数和。
D d S q 0
S S
注意:1)D 是一个辅助量,场的基本量仍是场 强 E 2) D 0 E P 是 D. E 关系的普遍式。 对各向同性的介质: P e 0 E D 0E P 0 E e 0 E (1 e ) 0 E 令: r 1 e 称为相对介电常数, 0 r 称为介电常数,则: D r 0 E E
dW 1 2 1 w E DE dV 2 2 一般地,推广到任意电场(非均匀,交变场).
dV体积中的电场能量为 : dW wdV 1 2 E dV 2
1 2 整个空间中的电场能量 : W wdV E dV V V 2
例 : 求均匀带电球体內外的电场能. 已知球体带电量为Q, 半径R,內外电容率分别为 1 , 2 .
E E0 E '
0
(q
S
S
0
q'内 ) (1)
E0
S
P dS q'内 (3)

电位移介质中的高斯定理复习课件

电位移介质中的高斯定理复习课件
理解电位移与电场强度的关系,有助于更好地理解高斯定理的物理意义。
掌握高斯定理的应用步骤
确定高斯面
根据问题的对称性选择适当的高斯面 ,高斯面应包含所有需要求解的电荷 分布。
计算电位移矢量D的通量
根据电位移的定义和性质,计算高斯 面上各点电位移矢量的通量。
应用高斯定理
将电位移矢量的通量代入高斯定理公 式中,求解出电场强度E的值。
02
高斯定理表述为"通过任意闭合曲 面的电位移通量等于该闭合曲面 所包围的体积内所含电荷量"。
高斯定理的意义
总结:高斯定理揭示了电场与电荷之 间的内在关系,是理解电场分布和电 荷相互作用的基础。
高斯定理阐明了电场线从正电荷发出 ,终止于负电荷,总电位移线闭合的 事实,对于理解电荷分布与电场的关 系至关重要。
圆柱对称分布电场的高斯定理应用
总结词
圆柱对称分布电场的高斯定理应用是指将高 斯定理应用于圆柱对称分布的电场中,以求 解电场分布和电位移矢量的方法。
详细描述
在圆柱对称分布电场中,高斯定理的应用同 样可以简化计算过程。通过将圆柱面分割成 若干个圆环,并应用高斯定理计算每个圆环 内的电位移矢量,再求和即可得到整个圆柱 面的电位移矢量。这种方法可以用于求解圆 柱形电荷、带电导体等问题的电场分布。
平面分布电场的高斯定理应用
总结词
平面分布电场的高斯定理应用是指将高斯定 理应用于平面分布的电场中,以求解电场分 布和电位移矢量的方法。
详细描述
在平面分布电场中,高斯定理的应用同样适 用。通过将平面分割成若干个小区域,并应 用高斯定理计算每个小区域内的电位移矢量 ,再求和即可得到整个平面的电位移矢量。 这种方法可以用于求解平面电荷、带电导体
电位移介质中的高斯定 理复习课件

09介质中的高斯定理电位移矢量

09介质中的高斯定理电位移矢量

3
二、介质中的高斯定理 电位移矢量
1.介质中的高斯定理 1.介质中的高斯定理 真空中的高斯定理 φ =
r r ∫∫ E ⋅ dS =
S
∑q
ε0
在介质中,高斯定理改写为: 在介质中,高斯定理改写为:
自由电荷 总场强
v v 1 ∫∫ E ⋅ dS =
S
ε0
∑ (q
S
0
+q )
'
束缚电荷
v v 1 ∫∫ E ⋅ dS =
v = εE
电常量。 电常量。
例1:将电荷 q 放置于半径为 R 相对电容率为 εr 的介 : 质球中心, 质球中心,求:I 区、II区的 D、E、 及 U。 区的 、 、 。 在介质球内、 解:在介质球内、外各作半径为 r 的 高斯球面。 高斯球面。 R
r r ∫∫ D ⋅ dS = ∑q0
S
r r r 球面上各点D大小相等 D 大小相等, 球面上各点 大小相等, // dS , cosθ = 1 II 2 ∑q0 D4πr = q0 , ∴ D = 高斯面 4πr 2 q q I区: 1 = 区 D II区: 2 = 区 D 2 4πr2 4πr
dr =
q 4πε 0r
9
例2:平行板电容器极板间距为 d , 极板面积为 S,面 : , 电荷密度为 σ0 , 其间插有厚度为 d’ 、电容率为 εr 的 电介质。求 : ①. P1 、P2点的场强E;②.电容器的电 电介质。 点的场强 ; 电容器的电 容。 ①. 过 P1 点作高斯柱面 左右底面分别经过导体 点作高斯柱面, 解: d' − σ 和 P1 点。 σ
r r φD = ∫∫ D ⋅ dS = ∑ q0
S

有介质时的高斯定理

有介质时的高斯定理
(1)分子中的正电荷等效中心 与负电荷等效中心 重合的称为无极分子(如H2、 CH4、CO2)
无极分子在电场中, 正负电荷中心会被
拉开一段距离,产生 感应电偶极矩,这
称为位移极化。
无极分子
l
q q
p ql
感应电偶极矩
(2)分子中的正电荷等效中心 与负电荷等效中心 不重合的称为有极分子(如 HCl、H2O、NH3 )
例如左图的左右表面 上就有极化电荷。
正是这些极化电荷 的电场削弱了电介 质中的电场。
电介质的击穿
当外电场很强时,电介质的正负电中心 有可能进一步被拉开,出现可以自由移动的 电荷,电介质就变为导体了,这称为击穿。
电介质能承受的最大 电场强度称为该电介质 的击穿场强, 或介电强度。
例如. 空气的击穿场强 约 3 kV/mm.
介质中的高斯定理又写为: sD dS q内
… 的高斯定理
即通过任意封闭面的电位移的通量等于 该封闭面所包围的自由电荷的代数和。
说明: 1.它比真空中的E 的高斯定律更普遍,当没有电介质
时, 即r=1, 就过渡到真空中的高斯定律了。
2.如果电场有一定的对称性,我们就可以先从 D 的高
斯定理求出 D 来;然后再求出 来。
实验:插入电介质后,电压变小
U U0
r
Q Q Q Q
r>1……介质的
相对介电常数 (相对电容率)
r 随介质种类和

U
为什么插入电介质 会使电场减弱?
1电介质的极化
电介质这类物质中,没有自由电子, 不导电, 但可以极化。 电介质分子可分为有极和无极两类:
有极分子在电场中, 固有电偶极矩会转向 电场的方向,这称为 转向极化。

物理 电磁学 第18讲 有电介质时的高斯定理

物理 电磁学 第18讲 有电介质时的高斯定理

=
+0 - 0 - - + ++1 S- -+ + - -+ + - S e ˆn - d + ++2 + -
= 0
U E1d E2d
E1 E2
1 2 r
S S 1 2 0S 2 2 2 r 1 0 0 1 r 2 2 0 0 1 r
D 1 1 q P D 0E D 0 1 D 1 2 0 r r r 4 πR
可见,当带电体周围充满电介质时,场强减弱为真空 时的 1 r 倍。
[例] 两平行放置的金属板间原为真空,分别带等量异号电荷 +0、-0,板间电压为 U0,保持板上电荷不变,将板间 一半空间充入介质 (r),求:板间电压。 解:作高斯面
解:利用 D 的高斯定理
q 2 , S D d S q , D 4 πr q , D 2 4 πr q D q ˆ, E ˆ D r r 2 2 0 r 4 π 0 r r 4 πr
q q
D
n R
r
高 斯 面
P n P cos π P, q 4 πR 2 1 r 1q,q q
S
D1 dS D1 dS D1 dS D1 dS
左 右
S
D1 dS q0 int
S
D1 dS D1S 1S
0

D1 1
1 E1 0 r
2 E2 0
* 静电场的边界条件 取矩形回路,由环路定理 E 的切向分量 E 1t E d l E Δl E Δl 0

有介质时的高斯定理 ppt课件

有介质时的高斯定理 ppt课件

sE ds(q00q)
q0和q是S所围区域内
的自由电荷及极化电荷
3 – 5 有电介质时的高斯定理
第三章静电场中电介质
根据第四节的结果 qP ds s
则有
1
sEds0(q0sPds)
s(0 E P )d s q 0
引入一个辅助性的矢量(电位移矢量)
D0EP
宏观矢量场
3 – 5 有电介质时的高斯定理
有介质时的高斯定理
第三章静电场中电介质
sD dsq0
通过任意闭合曲面的电位移通量,等于该闭合
曲面内包围的自由电荷的代数和。
数学表达式
D ds s
q0i
i
❖在真空中 P 0,D 0E ,上式还原为真空中的高斯定理。
❖介质中的高斯定理不包含极化电荷,通过自由电荷可以求

D ,在一定条件下,D 和E有简单关系,则可方便求出
交界面上总电荷为
q
q0
q
q0
r
总电荷减小到自由
电荷的1/ 倍r
3 – 5 有电介质时的高斯定理
第三章静电场中电介质
3)若把介质换为真空
E0
q0
40r2
en
比较
E
q0
4r2
en
E
E0
r
分析此结 果的原因
此式提供了求 介质中场强的 另一种途径
适用条件为: 均匀介质充满 电场或交界面 处于等势面
E。
3 – 5 有电介质时的高斯定理
2 电位移矢量 D
第三章静电场中电介质
普遍定义 各向同性电介质
真空
D P 0E
D E
D0E
➢推导 DE
在各向同性介质中, P0E,代入定义式中,

有电介质时的高斯定理 电位移

有电介质时的高斯定理 电位移

内外筒电势差
U
R1
E

dl

R2

dr ln R2
R2
R1 20 r r
20 r R1
代入得到电场的分0布为: r R1
r ln( R2 / R1)
E
U
R1 r R2 沿半径向里
0 r R2
有电介质时的高斯定理 电位移


由 P 0(r 1)E0得电极r化强度R1矢量的分布
束缚电荷在介质内表面为正,外表面为负。
有电介质时的高斯定理 电位移
例2. 一平板电容器板间为真空时,两极板上所带电荷
的面密度分别为+和-,,电压U0=200V。撤去充 电电源,在板间按图示充以三种介质,介质1充满一
半空间,介质2和3的厚度相同。求介质表面的束缚
电荷。(忽略边缘效应)
解:忽略 边缘效应,板间各
容器两极板的表面相平行)。
有电介质时的高斯定理 电位移
(2)正、负两极板A、B间的电势差为
VA-VB=E1d1

E2d2



d1
1

d2
2


q S

d1
1

d2
2

q=σS是每一极板上的电荷,这个电容器的电容为
q
S
C VA-VB d1 d 2
1 2

D dS D 2rl
S
0
q0
S内 r

D
R1
1
2rl
q0
S内
2r
D
0
R1 r R2
r R2

介质中的高斯定理

介质中的高斯定理

v E
D
介质中的高斯定理
例 自由电荷面密度为0的平行板电容器,其极化电荷面密度
为多少?
解: 由介质中的高斯定理
-+´0
DS 0S D 0
D +´
E
D
0r
0 0 r
- 0
0 0
E0
0 0
E 0
E E0 E
0 r 0 0
1
1
r
0
E
dS S
++++++
-q - - - - - -
移出S面
qi
留在S面内
介质中的高斯定理
v v E dS
S
1
0
qi
1
0
vv P dS
S
S 0E P dS qi
定义电位移矢量: D 0 E P C m2
介质中的高斯定理: 在任何静电场中,通过任意闭合曲面 的电位移通量等于该曲面所包围的自由电荷的代数和.
D S
dS
qi
说明:
D S
dS
qi
介质中的高斯定理
1. 介质中的高斯定理虽说是从平板电容器这一特例推 导出,但它却有普适性.
2. 介质中的高斯定理包含了真空中的高斯定理.
真空中: P 0 所以: D 0E P 0E
v D dS
S
S 0E dS qi
vv E dS
S
1
0
qi
3. 电位移矢量D 是一个辅助量.描写电场的基本物理
介质中的高斯定理
大学物理
静电场中的导体和电介质
第4讲 介质中的高斯定理
介质中的高斯定理

4电位移 有介质时的高斯定理

4电位移 有介质时的高斯定理

P = χε 0 E
令 得
χ:
电极化率
D = ε 0ε r E = ε E
D = ε 0 E + P = ε 0 E + χε 0 E = ε 0 (1 + χ ) E 1+ χ = εr 介质的相对电容率
E= D = D
式中εຫໍສະໝຸດ ε 0ε rε 0 : 真空电容率 ε = ε 0ε r : 介质电容率
6
8-3 电位移矢量 有介质

有介质时的高斯定理
∫ D ⋅ dS = ∑ Q
S i =1
n
0i
电位移通量 电位移矢量
∫ D ⋅ dS
S
D = ε 0ε r E = ε E
7
电位移矢量 有介质

的电介质, 例1 把一块相对电容率εr =3的电介质, 的电介质 放在相距d=1mm的两平行带电平板之间 的两平行带电平板之间. 放在相距 的两平行带电平板之间 放入之前,两板的电势差是1000V . 试求 放入之前,两板的电势差是 两板间电介质内的电场强度E 两板间电介质内的电场强度 ,电极化强 度P ,板和电介质 的电荷面密度, 的电荷面密度, +++++++++++ 电介质内的电位 U εr d 移D.
S
Q0
S
Q'
−σ' - - - - -
+++++++++++
εr
+ σ' + + + + +
-----------

6 有电介质时的高斯定理

6 有电介质时的高斯定理

于该闭合曲面所包围的自由电荷的代数和.
E dS
S 0r
Q
0i
i
自由电荷 代数和
讨论 电场中充满均匀各向同性电介质的情况下
1、定义:电位移矢量 D 0rE E
: 电容率,决定于电介质种类的常数
说明
(1)是描述电场辅助性矢量
(2) 对应电场线起始于正自由电荷,
(3)
终止于负自由电荷
电位移通量 Ψ D
二、电介质中的静电场环路定理
l E dl 0
D dl 0 l
电位移 有介质时的高斯定理
一、电介质中的高斯定理 电位移矢量 D
加入电介质(εr )
E dS
1
S
0
qi
i
1
0
(
0 )S
'(1 1r Nhomakorabea)
0
EdS Q
S 0r i
E
dS
0S
1
S
0 r 0 r
Q0i
i
0i
自由电荷的代数和
令: D0ErE
电位移矢量
DdS
S
Q0i
i
电介质中通过任一闭合曲面的电位移通量等
D
s
dS
电力线与电位移线的比较
E线
D线
+Q
+Q
r
r
2、电介质中电场 强度
E
、电极化强度
P
和电位移矢量D 之间的 关系
电位移
D 0rE E
电极化强度
P
(r1)0 E
D P 0E
3、电介质中的高斯定理
D dS Q0i
S
i
(自由电荷

有电介质时的高斯定理

有电介质时的高斯定理

( r
1)E 1
Vl0 =100(V)
2( r
1
1)
r

0

4 3

0
例:设无限长同轴电缆的芯线半径为R1,外皮 的内半径为R2。芯线与外皮之间充入两层绝缘 的均匀电介质,其相对电容率分别为εr1和εr2。 两层电介质的分界面半径为R,如图。求单位
长度的电容。
R2εr1 R R1
E2

D2
0
2 0
由于导体为等势体: E1d E2d
E1 E2
1 r 2
两极上电量不变: 1S r 2S 2 0S
解得:
1

2 r 1r

0
2

2
1 r
0
板间电压:
V

E2d 2

2
1 r
0 d 0
1

P1n

1r
r
D4r 2

S内
q0
r
当:r R : q0 0 D=0 E=0 P=0
当:r R :
q0 q0
Байду номын сангаас
D

q0
4r 2
E



4
q0
0
r
r
2
P

(r 1)q0 4rr 2
D, E, P 方向沿矢径
R Pn P q 4R 2 R

(1 r )q0
4
(1
rrR)q2 0
r
(2)当:r R :

U r Edr


R

第18讲 有电介质时的高斯定理

第18讲 有电介质时的高斯定理

第18讲有电介质时的高斯定理电极化强度 电位移矢量 的高斯定理 DE E E '+= 00E + ++ - - - σ ' 原外电场 σ ' 的电场E ' V p P i i ∆∑= lim ∑=⎰⋅int0d q S D S PE D+=0ε与 的关系 静电场中的各向同性、线性电介质的高斯定理 与 的关系 int 0q D E Pσ'q 'E 与 的关系 与的关系 当自由电荷 q 0int和电介质分布具一定对称性时,应用 高斯定理 便于解决问题。

DEDD P Pσ'σ'q '∑⎰=⋅int 0d q S D S E E D εεε==r 0n ˆeP ⋅=' σ⎰'='S q d σE P )(1r 0-=εε[Q5.18.1] 一无限大各向同性均匀电介质平板,厚度为 d ,相对介电常数为 εr ,内部均匀分布有电荷体密度为 ρ0 的自由电荷。

求:介质板内、外的 、 、 。

drε0ρEPD解: 带电体有面对称,故 、 、 垂直于平板。

dX0S x = 0 = 2DS 0 00022S x DS ρ=xD 0ρ=d S DS 0002ρ=dD 20ρ=r ε0ρ⎰⋅+⎰⋅=⎰⋅两底侧S D S D S D S d d d 2d x ≤, 2d x ≥, , ,∑=⎰⋅int0d q S D SD E P S 0 S ' S 0'r 0εεDE =r00εερx =均匀场 = 0xD 0ρ=dD 20ρ=dX0xr ε0ρEP )(1r 0-=εεερεxP 0r 1)(-=E P )(1r 0-=εεr2d x ≤, 2d x ≥, 0εD E =002ερd =[Q5.18.2]平行板电容器极板面积为S,间距为d,中间有两层厚度各为d1和d2 (d1+d2=d)、相对介电常数分别为εr1和εr2的电介质层。

有电介质时的高斯定理

有电介质时的高斯定理

有电介质时的高斯定理
有电介质时的高斯定理是电学中的一个重要定理,它描述了电场的分布与电荷分布的关系。

此定理的公式表述为:电场穿过一个封闭曲面的通量等于该曲面内部的电荷总量的比例,即ΦE=Q/ε0,其中ΦE为电场的通量,Q为曲面内部的电荷总量,ε0为真空中的电介质常数。

在有电介质时,电场的分布受到电介质的影响。

电介质的存在会使电场强度发生改变,这是因为电介质的分子会被电场极化,从而产生极化电荷。

这些极化电荷会改变电场的分布,使电场在电介质中的强度比在真空中的强度小。

因此,在有电介质时,要考虑电介质对电场的影响,才能准确地计算电荷的分布。

在应用高斯定理时,通常需要选择一个适当的曲面来计算电场的通量。

曲面的选择应当考虑到电荷分布的对称性,以便简化计算。

在有电介质时,曲面的选择也需要考虑到电介质的影响。

如果曲面穿过电介质,那么在计算电荷总量时,需要将电介质中的极化电荷也计算在内。

高斯定理的应用范围很广,包括电场的计算、电容器的设计、电荷分布的测量等。

在电场的计算中,高斯定理可以用来求解各种电场分布,例如电偶极子、均匀带电球面等。

在电容器的设计中,高斯定理可以用来计算电容器的电容量,从而确定电容器的电荷储存能
力。

在电荷分布的测量中,高斯定理可以用来测量电荷的总量,从而确定电荷的分布情况。

有电介质时的高斯定理是电学中的一个重要定理,它描述了电场的分布与电荷分布的关系。

在应用该定理时,需要考虑到电介质的影响,并选择适当的曲面来计算电场的通量。

高斯定理的应用范围很广,包括电场的计算、电容器的设计、电荷分布的测量等。

电位移有介质时的高斯定理

电位移有介质时的高斯定理

P 0r1E
D 0rE E介质方程
定义 0r
有电介质时电场的计算
步骤:
[ SDdS=qf ] [D=E] [V=abEdl ] [C=qf /V]
由qf D E V C
[P = 0(r -1)E]
P
[= P n]
电位移矢量
D P0 E(任何介质)
DE(均匀介质)
有介质时的高斯定理
质的电荷面密度, 电介质内的电位移 D .
解 E 0 U d 1 1 3 0 0 V m 0 1 1 06 V 0 m 1 13 k 0 m V 1
EE0 r 3.3 3 12k 0V m 1
P (r 1 )0 E 5 .8 1 9 6 C 0 m -2
00 E 0 8 .8 1 5 6 0 C m 2
DdS
S
Q 0i
i
电容率
0r
极化电荷面密度
' Pn
CrC0 EE0 r (均匀介质)
注意
有介质时先求 D E U
例1 把一块相对电容率 r 3 的电介质,放在极 板间相距d1mm的平行平板电容器的两极板之间. 放入之前,两极板的电势差是 100V0 . 试求两极板间
电介质内的电场强度 E , 电极化强度 P , 极板和电介
l
Pn ^
n^
介质外法线方向
dS
P
dS
四.电介质的极化规律 1.各向同性线性电介质 isotropy linearity
玻璃片上熔化的石蜡呈圆形
Pe0E e r1 介质的电极化率
e 无量纲的纯数 与 E无关
2.各向异性线性电介质 anisotropy
云母片上熔化的石蜡呈椭圆形
e(从P 而 ) 与 E 、与晶轴的方位有关
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ε 0ε r1
2
-----------
+
+
+
+ + ++σ
E2
2
−σ 0
2
'
9 – 4 电位移 有电介质时的高斯定理 第九章静电场中的导体和电介质
σ0 E1 = = ε0εr1 ε0εr1 σ0 D E2 = = ε0εr2 ε0εr2
D
(2)电势差 )
v v U = ∫ E ⋅ dl = E1d1 + E2 d 2
σ ' = Pn
C = ε r C0
注意
E = E 0 ε r (均匀介质) 均匀介质 介质) v v 有介质时先求 D → E → U
9 – 4 电位移 有电介质时的高斯定理 第九章静电场中的导体和电介质
电位移线:方向与大小。 电位移线:方向与大小。 电位移线与电力线的区别 电位移线:起始于正自由电荷终止于负自由电荷。 电位移线:起始于正自由电荷终止于负自由电荷。与束 缚电荷无关。 缚电荷无关。 起始于正电荷终止于负电荷。 电 力 线:起始于正电荷终止于负电荷。包括自由电荷 和与束缚电荷。 和与束缚电荷。
εr
S
v v v 均匀各相同性介质) 电位移矢量 D = ε 0 ε r E = ε E (均匀各相同性介质) v v 有介质时的高斯定理 时的高斯 有介质时的高斯定理 ∫ D ⋅ d S = ∑ Q 0 i
S i
电容率
ε = ε 0ε r
ε 0ε r
σ + + + + + + −σ 0 - - - - - - - - - - '
9 – 4 电位移 有电介质时的高斯定理 第九章静电场中的导体和电介质
常用的圆柱形电容器, 例2 常用的圆柱形电容器,是由半径为 R1 的长 的薄导体圆筒组成, 直圆柱导体和同轴的半径为 R2 的薄导体圆筒组成, 并在直导体与导体圆筒之间充以相对电容率为 ε r 的 电介质.设直导体和圆筒单位长度上的电荷分别为 电介质 设直导体和圆筒单位长度上的电荷分别为 + λ )电介质中的电场强度、电位移; 和 − λ . 求(1)电介质中的电场强度、电位移; 此圆柱形电容器的电容. (2)此圆柱形电容器的电容.
9 – 4 电位移 有电介质时的高斯定理 第九章静电场中的导体和电介质
v v v D = P + ε0 E
电位移矢量
(任何介质) 任何介质) 介质 (均匀介质) 均匀介质) 介质
v v D = εE
S
有介质时的高斯定理 电容率 极化电荷面密度
v v ∫ D ⋅ dS =
∑Q
i
0i
ε = ε 0ε r
r
R2
R1
−λ +λ
9 – 4 电位移 有电介质时的高斯定理 第九章静电场中的导体和电介质

r
R2
解(1) )
R1
v v D ⋅ dS = λl ∫
S
−λ +λ
λ
2π r
D 2π rl = λl
D
D=
λ E= = ε 0ε r 2π ε 0ε r r ( R1 < r < R2 )
9 – 4 电位移 有电介质时的高斯定理 第九章静电场中的导体和电介质
r
R2
R1
−λ +λ
λ ( R1 < r < R2 ) E= 2π ε 0ε r r λdr R2 λ = ln 2π ε 0 ε r R1 2 π ε 0ε r r
真空圆柱形 电容器电容
(2)由(1)可知 )
U =

v v E ⋅ dr =

R2
R1
R2 Q = ε r C0 C= = 2π ε 0ε r l ln U R1 C R2 单位长度电容 = 2π ε 0ε r ln R1 l
+ + + + +
电力线
⊕ ⊕
-
+ + + + +
⊕ ⊕
电位移线
-
9 – 4 电位移 有电介质时的高斯定理 第九章静电场中的导体和电介质
例1 一平行平板电容器充满两层厚度各为 d1和 d 2 的电介质, 的电介质,它们的相对电容率分别为 r1 和 r2 , 极板 面积为 S . 求(1)各电介质层中的电场强度;(2) )各电介质层中的电场强度; ) 电容器两极板间的电势差; 电容器两极板间的电势差;(3)电容器的电容; )电容器的电容;
9 – 4 电位移 有电介质时的高斯定理 第九章静电场中的导体和电介质
五、有介质的高斯定理
v v 1 ' ∫ E ⋅ dS = (Q0 − Q )
S
ε r −1 Q= Q0 v vε r Q0 ∫ E ⋅ dS =
'
ε0
σ0 + + + + + + + + + + + ' - - - - - S −σ
ε
ε
v v +σ0 解(1) D ⋅ d S = σ 0 S 1 ) ∫S +++++++++++ - S1 - - v- - − σ 1 ' D =σ0 d1 E1 + σ ' D σ0 1 + + + + + + E1 = = d - - - - v- - − σ '
ε 0ε r 1 D σ0 E2 = = ε 0ε r2 ε 0ε r2
l
+σ0 S1 +++++++++ - - - -v - − σ 1 ' d1 E1 + + + + + + σ1' - - - - v- − σ ' 2 d2 E2 + + + + ++σ2' - - - - - - -σ − 0
Q d1 d2 = ( + ) ε0S εr1 εr2
ε 0ε r1ε r 2 S Q C= = ε r 1d 2 + ε r 2 d 1 U
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