基于MC51单片机的直流电机PWM调速系统汇总

基于MC51单片机的直流电机PWM调速系统
摘要
本文介绍一种基于MC51单片机控制的PWM直流电机脉宽调速系统，并且系统采用转速与电流双闭环检测，将直流电机的转速与电流信息及时反馈给单片机，借助于软件编程使单片机及时调整输出PWM的占空比来对直流电机进行工作范围内调速。

系统以廉价的MC51单片机为控制核心，以直流电机为控制对象。

从系统的角度出发，对电路进行总体方案论证设计，确定电路各个的功能模块之间的功能衔接和接口设置，详细分析了各个模块的方案论证和参数设置。

整个系统利用51单片机的定时器产生10K 左右的PWM脉冲，通过带有功率驱动作用的TLP250光耦实现控制单元与驱动单元的强弱电隔离，采用2片IGBT和MOSFET等一类电压型功率开关管专用驱动芯片IR2110，驱动IGBT—FGA25N120构成的H桥电路实现对直流电机的调速，利用AH49E线性霍尔元件与A DC0809制作成电流与转速传感器分别测量电机的电枢电流与转速，再配合利用TL431、线性光耦PC817和A DC0809实现系统的PID双闭环控制，提高整个系统的智能化、自动化水平，为工业生产应用提供可能。

关键字MC51，PWM，光耦隔离， PID ，IR2110，IGBT
Abstract
This article describes the MC51 Microcontroller based DC motor PWM pulse width speed control system, and the system uses the speed and current dual-loop detection, the DC motor speed and current information and timely feedback to the microcontroller, by means of software programming the microcontroller to adjust the output PWM duty cycle to work on the range of DC motor speed control. Cheap MC51 SCM system as the control center for the control of a DC motor object. From the system point of view, the circuit design of the overall demonstration program to determine the function of each circuit module and the interface between the functional interface settings, detailed analysis of the demonstration program of each module and parameter settings. Microcontroller using the system timer 51 of about 10K PWM pulse generated by the role with a power drive control unit and TLP250 optocoupler drive unit to achieve the strength of electrical isolation, the use of two IGBT and MOSFET, and other similar voltage power switch dedicated driver chips IR2110, driving IGBT-FGA25N120 H bridge circuit composed of DC motor speed control, the use of linear Hall element and ADC0809 AH49E made into current and speed sensors were used to measure the motor armature current and speed, coupled with the use of TL431, linear optocoupler PC817 and the ADC0809 to achieve double-loop PID control system to improve the whole system of intelligent, automated level of applications for industrial production possible.
Keywords MC51, PWM, opto isolation, PID, IR2110, IGBT
目录
摘要 (1)
1.前言 (5)
1.1数字直流调速的意义 (5)
1.2研究现状综述 (6)
1.2.1电气传动的发展现状 (6)
1.2.2微处理器控制直流电机发展现状 (6)
1.3直流电动机调速概述 (7)
1.3.1直流电机调速原理 (7)
1.3.2直流调速系统实现方式 (9)
2.系统总体方案论证 (11)
2.1系统方案比较与选择 (11)
2.2系统方案描述 (12)
3.硬件电路的模块设计 (14)
3.2逻辑延时电路方案论证设计 (19)
3.3驱动电路方案论证设计 (20)
3.3.1驱动电路方案、参数描述 (20)
3.3.2 IR2110驱动电路中IGBT抗干扰设计 (22)
3.3.3 IR2110功率驱动介绍 (24)
3.3.3.1 IR2100内部结构原理图及管脚说明 (24)
3.3.3.2 IR2110的自举电路 (25)
3.3.3.3 IGBT H桥驱动电路原理 (26)
3.4隔离电路方案论证设计 (31)
3.4.1 TLP250光耦隔离 (31)
3.5稳压可调电源设计 (32)
3.6速度反馈环设计 (34)
3.6.1脉冲信号的获得 (34)
3.6.2测速电路硬件电路设计 (35)
4.2主要程序设计分析 (46)
4.2.1定时器0中断服务函数 (46)
4.2.2占空比调节函数 (46)
4.2.3 PID控制算法程序如下： (47)
7.参考文献 (49)
1.前言
1.1数字直流调速的意义
现在电气传动的主要方向之一是电机调速系统采用微处理器实现数
字化控制。

从上世纪80年代中后期起，世界各大电气公司如ABB、通用、西屋、西门子等都在竞相开发数字式调速传动装置，经过二十几年的发展，当前直流调速已发展到一个很高的技术水平：功率元件采用可控硅；控制板采用表面安装技术；控制方式采用电源换相、相位控制[1]。

特别是采用了微处理器及其他先进电力电子技术，使数字式直流调速装置在精度的准确性、控制性能的优良性和抗干扰的性能有很大的提高和发展，在国内外得到广泛的应用。

数字化直流调速装置作为目前最新控制水平的传动方式显示了强大优势。

全数字化直流调速系统不断升级换代，为工程应用和工业生产提供了优越的条件。

采用微处理器控制，使整个调速系统的数字化程度，智能化程度有很大改观；采用微处理器控制，使调速系统在结构上简单化，可靠性提高，操作维护变得简捷，电机稳态运行时转速精度等方面达到较高水平。

由于微处理器具有较佳的性价比，所以微处理器在工业过程及设备控制中得到日益广泛的应用。

近年来，尽管交流调速系统发展很快，但是直流电机凭借其良好的启动、制动性能，在金属切削机床、轧钢机、海洋钻机、挖掘机、造纸机、矿井卷扬机、电镀、高层电梯等需要广泛范围内平滑调速的高性能可控电力拖动领域中仍得到了广泛的应用。

现阶段，我国还没有自主的全数字化直流调速控制装置生产商，而国外先进的控制器价格昂贵，且技术转让受限，为此研究及更好的使用国外先进的控制器，吸收国外先进的数字化直流电机调速装置的优点，具有重要的实际意义和重大的经济价值。

1.2研究现状综述
1.2.1电气传动的发展现状
20世纪70年代以来，直流电机传动经历了重大的技术、装备变革。

整流器的更新换代，以晶闸管整流装置取代了习用已久的直流发电机电动机组及水银整流装置使直流电气传动完成了一次大的跃进[1]。

同时，高集成化、小型化、高可靠性及低成本成为控制的电路的发展方向。

使直流调速系统的性能指标大幅提高，应用范围不断扩大。

直流调速技术不断发展，走向成熟化、完善化、系列化、标准化，在可逆脉宽调速、高精度的电气传动领域中仍然难以替代[1]。

早期直流传动的控制系统采用模拟分离器件构成，由于模拟器件有其固有的缺点，如存在温漂、零漂电压，构成系统的器件较多，使得模拟直流传动系统的控制精度及可靠性较低[2]。

随着计算机控制技术的发展，微处理器已经广泛使用于直流传动系统，实现了全数字化控制。

由于微处理器以数字信号工作，控制手段灵活方便，抗干扰能力强。

所以，全数字直流调速控制精度、可靠性和稳定性比模拟直流调速系统大大提高。

所以，直流传动控制采用微处理器实现全数字化，使直流调速系统进入一个崭新的阶段。

1.2.2微处理器控制直流电机发展现状
微处理器诞生于上个世纪七十年代，随着集成电路大规模及超大规模集成电路制造工艺的迅速发展，微处理器的性价比越来越高。

此外，由于电力电子技术的发展，制作工艺的提升，使得大功率电子器件的性能迅速提高。

为微处理器普遍用于控制电机提供了可能，利用微处理器控制电机完成各种新颖的、高性能的控制策略，使电机的各种潜在能力得到充分的发挥，使电机的性能更符合工业生产使用要求[2]，还促进了电机生产商研
发出各种如步进电机、无刷直流电机、开关磁阻电动机等便于控制且实用的新型电机，使电机的发展出现了新的变化。

对于简单的微处理器控制电机，只需利用用微处理器控制继电器、电子开关元器件，使电路开通或关断就可实现对电机的控制。

现在带微处理器的可编程控制器，已经在各种的机床设备和各种的生产流水线中普遍得到应用，通过对可编程控制器进行编程就可以实现对电机的规律化控制。

对于复杂的微处理器控制电机,则要利用微处理器控制电机的电压、电流、转矩、转速、转角等，使电机按给定的指令准确工作。

通过微处理器控制，可使电机的性能有很大的提高。

目前相比直流电机和交流电机他们各有所长，如直流电机调速性能好，但带有机械换向器，有机械磨损及换向火花等问题；交流电机，不论是异步电机还是同步电机，结构都比直流电机简单，工作也比直流电机可靠，但在频率恒定的电网上运行时，它们的速度不能方便而经济地调节[2]。

高性能的微处理器如DSP (DIGITAL SIGNAL PROCESSOR即数字信号处理器)的出现，为采用新的控制理论和控制策略提供了良好的物质基础，使电机传动的自动化程度大为提高。

在先进的数控机床等数控位置伺服系统，已经采用了如DSP等的高速微处理器，其执行速度可达数百万兆以上每秒，且具有适合的矩阵运算[2]。

1.3直流电动机调速概述
1.3.1直流电机调速原理
c r c n R U T C C C φφ
=-内直流电动机根据励磁方式不同，直流电动机分为自励和他励两种类
型。

不同励磁方式的直流电动机机械特性曲线有所不同。

但是对于直流电动机的转速有以下公式：
其中：u —电压；R 内—励磁绕组本身的电阻；φ—每极磁通(Wb)；
Cc —电势常数；Cr —转矩常量[3]。

由上式可知，直流电机的速度控制既可采用电枢控制法，也可采用磁场控制法。

磁场控制法控制磁通，其控制功率虽然较小，但低速时受到磁极饱和的限制，高速时受到换向火花和换向器结构强度的限制[4]，而且由于励磁线圈电感较大，动态响应较差[5]。

所以在工业生产过程中常用的方法是电枢控制法。

图1-1 直流电机的工作原理图 电枢控制是在励磁电压不变的情况下，把控制电压信号加到电机的电枢上，以控制电机的转速。

传统的改变电压方法是在电枢回路中串联一个电阻，通过调节电阻改变电枢电压，达到调速的目的，这种方法效率低、平滑度差，由于串联电阻上要消耗电功率，因而经济效益低，而且转速越
慢，能耗越大[6]。

随着电力电子的发展，出现了许多新的电枢电压控制方法。

如：由交流电源供电，使用晶闸管整流器进行相控调压；脉宽调制(PWM )调压等等。

调压调速法具有平滑度高，能耗少，精度高等优点。

在工业生产中广泛使用其中脉宽调制(PWM )应用更为广泛。

脉宽调速利用一个固定的频率来控制电源的接通或断开，并通过改变一个周期内“接通”和“断开”时间的长短，即改变直流电机电枢上电压的“占空比”来改变平均电压的大小，从而控制电动机的转速，因此，PWM 又被称为“开关驱动装置”。

图1-2电枢电压占空比和平均电压的关系图 根据图1，如果电机始终接通电源时，电机转速最大为max V ，占空比为D=1t /T ，则电机的平均速度为：D max V =V *D ，可见只要改变占空比D ，就可以得到不同的电机速度，从而达到调速的目的[7]。

1.3.2直流调速系统实现方式
Ⅰ、基于晶闸管作为主电路的调速系统
晶闸管的调速系统是采用分离元件设计的调速系统占用的空间大，控
制角难于调整，且模拟器件的固有缺陷如：温漂、零漂电压等，导致电机的调速无法达到满意的结果。

晶闸管的单向导电性，它不允许电流反向，给系统的可逆运行造成困难，性能较差，自动化控制程度差，调速过程较为复杂，不利于工业生产和小功率电路中采用。

另一问题是当晶闸管导通角很小时，系统的功率因素很低，并产生较大的谐波电流，从而引起电网电压波动殃及同电网中的用电设备，造成“电力公害”。

Ⅱ、基于PWM为主控电路的调速系统
与传统的直流调速技术相比较，PWM(脉宽调制技术)直流调速系统具有较大的优越性：主电路线路简单，需要的功率元件少；开关频率高，电流容易连续，谐波少，电机损耗和发热都较小；低速性能好，稳速精度高，因而调速范围宽；系统频带宽，快速响应性能好，动态抗干扰能力强；主电路元件工作在开关状态，导通损耗小，装置效率高。

PWM信号的产生通常有两种方法:一种是软件的方法；另一种是硬件的方法。

基于单片机类由软件来实现PWM：在PWM调速系统中占空比D是一个重要参数在电源电压
U不变的情况下，电枢端电压的平均值取决于
d
占空比D的大小，改变D的值可以改变电枢端电压的平均值从而达到调速的目的。

改变占空比D的值有三种方法：
A、定宽调频法：保持
t不变，只改变t，这样使周期(或频率)也随之改变[7]。

1
（图1）
B、调宽调频法：保持t不变，只改变
t，这样使周期(或频率)也随之改变
1
[7]。

（图1）
t和t[7]。

（图1）C、定频调宽法：保持周期T(或频率)不变，同时改变
1
前两种方法在调速时改变了控制脉冲的周期(或频率)，当控制脉冲的频率与系统的固有频率接近时，将会引起振荡，因此常采用定频调宽法来
改变占空比从而改变直流电动机电枢两端电压。

利用单片机的定时计数器外加软件延时等方式来实现脉宽的自由调整，此种方式可简化硬件电路，操作性强等优点。

2.系统总体方案论证
2.1系统方案比较与选择
方案一：采用专用PWM集成芯片、IR2110 功率驱动芯片构成整个系统的核心，现在市场上已经有很多种型号，如Tl公司的TL494芯片，东芝公司的ZSK313I芯片等。

这些芯片除了有PWM信号发生功能外，还有“死区”调节功能、过流过压保护功能等。

这种专用PWM集成芯片可以减轻单片机的负担，工作更可靠，但其价格相对较高，难于控制工业成本不宜采用。

方案二：采用MC51单片机、功率集成电路芯片L298构成直流调速装置。

L298是双H高电压大电流功率集成电路，直接采用TTL逻辑电平控制，可用来驱动继电器、线圈、直流电动机、步进电动机等电感性负载。

其驱动电压为46V，直流电流总和为4A。

该方案总体上是具有可行性，但是L298的驱动电压和电流较小，不利于工业生产应用，无法满足工业生产实践中大电压、大电流的直流电机调速。

方案三：采用MC51单片机、IR2110功率驱动芯片构成整个系统的核心实现对直流电机的调速。

MC51具有两个定时器T0和T1[9]。

通过控制定时器初值T0和T1，从而可以实现从任意端口输出不同占空比的脉冲波形。

MC51控制简单，价格廉价，且利用MC51构成单片机最小应用系统，可缩小系统体积，提高系统可靠性，降低系统成本。

IR2110是专门的MOSFET管和IGBT的驱动芯片，带有自举电路和隔离作用，有利于和单片机联机工作，且IGBT的工作电流可达50A，电压可达1200V[10]，
适合工业生产应用。

综合上述三种方案，本设计采用方案三作为整个系统的设计思路。

但是由于系统要实现双闭环PID控制，所以测速中占用了两个定时器，T0和T1，如果再将PWM波形产生交给MSC51则会加大软件的任务，并且影响整个系统的控制效果。

因此这里考虑单独设计一个PWM波形发生电路，单片机对它只提供控制参数以改变其占空比。

2.2系统方案描述
本系统采用MC51为控制核心，配以2*3键盘，通过ADC0809模数转换器对主干驱动电路进行速度设定反馈，电流设定和过电流保护。

同时利用MC51以及PWM产生模块产生的PWM经过逻辑延迟电路后加载到以IR2110为驱动核心，IGBT构成的H桥主干电路上实现对直流电机的控制和调速，并且系统利用霍尔传感器制成速度与电流反馈环节来实现点击的PID控制。

本系统的控制部分为5V的弱电而驱动电路和负载电路为110V以上的直流电压因此在强弱电之间、数据采集之间分别利用了带有驱动功能的光耦TLP250和线性光耦PC817实现强弱电隔离，信号串扰。

具体电路框图如下图2-1
·
图2-1系统整体设计框图
3.硬件电路的模块设计
3.1 PWM信号发生电路
3.1.1 PWM的基本原理
PWM（脉冲宽度调制）是通过控制固定电压的直流电源开关频率，改变负载两端的电压，从而达到控制要求的一种电压调整方法。

PWM可以应用在许多方面，比如：电机调速、温度控制、压力控制等等。

在PWM驱动控制的调整系统中，按一个固定的频率来接通和断开电源，并且根据需要改变一个周期内“接通”和“断开”时间的长短。

通过改变直流电机电枢上电压的“占空比”来达到改变平均电压大小的目的，从而来控制电动机的转速。

也正因为如此，PWM又被称为“开关驱动装置”。

如下图所示：
图3-1 PWM脉冲图
设电机始终接通电源时，电机转速最大为V
max
，设占空比为D= t1 / T，
则电机的平均速度为V
a = V
max
* D，其中V
a
指的是电机的平均速度；V
max
是
指电机在全通电时的最大速度；D = t1 / T是指占空比。

由上面的公式可见，当我们改变占空比 D = t1 / T时，就可以得到
不同的电机平均速度V
d ，从而达到调速的目的。

严格来说，平均速度V
d
与
占空比D并非严格的线性关系，但是在一般的应用中，我们可以将其近似
地看成是线性关系。

3.1.2 PWM信号发生电路设计
图3-2 PWM信号发生电路设计整体图
PWM波可以由具有PWM输出的单片机通过编程来得以产生，也可以采用PWM专用芯片来实现。

当PWM波的频率太高时，它对直流电机驱动的功率管要求太高，而当它的频率太低时，其产生的电磁噪声就比较大，在实际应用中，当PWM波的频率在18KHz左右时，效果最好。

在本系统内，采用了两片4位数值比较器4585和一片12位串行计数器4040组成了PWM 信号发生电路。

两片数值比较器4585，即图上U2、U3的A组接12位串行4040计数输出端Q2—Q9，而U2、U3的B组接到单片机的P1端口。

只要改变P1端口的输出值，那么就可以使得PWM信号的占空比发生变化，从而进行调速控制。

12位串行计数器4040的计数输入端CLK接到单片机C51晶振的振荡
输出XTAL2。

计数器4040每来8个脉冲，其输出Q2—Q9加1，当计数值小于或者等于单片机P1端口输出值X时，图中U2的（A>B）输出端保持为低电平，而当计数值大于单片机P1端口输出值X时，图中U2的（A>B）输出端为高电平。

随着计数值的增加，Q2—Q9由全“1”变为全“0”时，图中U2的（A>B）输出端又变为低电平，这样就在U2的（A>B）端得到了PWM的信号，它的占空比为（255 -X / 255）*100%，那么只要改变X的数值，就可以相应的改变PWM信号的占空比，从而进行直流电机的转速控制。

使用这个方法时，单片机只需要根据调整量输出X的值，而PWM信号由三片通用数字电路生成，这样可以使得软件大大简化，同时也有利于单片机系统的正常工作。

由于单片机上电复位时P1端口输出全为“1”，使用数值比较器4585的B组与P1端口相连，升速时P0端口输出X按一定规律减少，而降速时按一定规律增大。

3.1.3 PWM发生电路主要芯片的工作原理
（1）．芯片4585
①芯片4585的用途：
对于A和B两组4位并行数值进行比较，来判断它们之间的大小是否相等。

②芯片4585的功能表：
图3-3芯片4585的功能表③芯片4585的引脚图：
图3-4芯片4585的引脚图
（2）芯片4040
① 芯片4040是一个12位的二进制串行计数器，所有计数器位为主从触发器，计数器在时钟下降沿进行计数。

当CR 为高电平时，它对计数器进行清零，由于在时钟输入端使用施密特触发器，故对脉冲上升和下降时间没有限制，所有的输入和输出均经过缓冲。

芯片4040提供了16引线多层陶瓷双列直插、熔封陶瓷双列直插、塑料双列直插以及陶瓷片状载体等4种封装形式。

芯片4040的极限值： 电源电压范围：-0.5V —18V 输入电压范围：-0.5V —V DD +0.5V 输入电流范围：±10mA 贮存温度范围：-65°C —150°C ② 芯片4040引出端功能符号：
CP: 时钟输入端 CR ：清除端 Q 0—Q 11：计数脉冲输出端 V DD : 正电源 V SS : 地端 ③ 芯片4040功能表：
图3-5芯片4040功能表
④ 芯片4040的引脚图：
图3-6芯片4040的引脚图
3.2逻辑延时电路方案论证设计
逻辑延时电路是主电路IGBT 开关管的控制所需。

一、因为控制IGBT 所需的控制信号要求对角上的两个IGBT 管的控制信号要相同，而同一个桥臂上的控制信号要相反。

这就要求主电路上有两路互为反向的控制信号。

然而MC51产生的PWM 只有一路，这时候就必须把PWM 信号利用逻辑延时电路变成两路互为反向的控制信号。

二、虽然从目前的制作工艺水平可以使电力电子半导体开关器件的频率做得很高，但是器件的导通和关断的时候仍然会占用一段极短的时间，PWM 控制信号消失的瞬间并不意味着功率开关管就真正会关断[11]。

如果一个的功率开关管的控制信号刚消失的同时给同一桥臂的另一功率开关管加控制信号很可能造成同一桥臂的两管子同时导通形成对电源短路[11]。

为了避免这种现象在系统中出现，本设计采用了在MC51产生PWM 信号后设置逻辑延时电路。

图3-7中二极管23D 、24D 能使低电平或者可以说是PWM 负信号通过，电阻16R 、17R 和电容3C 、4C 延迟了高电平信号向后传送的时间，这样就
可以保证功率开关管可靠关断后再给与其同一桥臂上的功率开关管加高电平信号，可以避免其同时导通。

图3-7逻辑延时电路原理图
3.3驱动电路方案论证设计
3.3.1驱动电路方案、参数描述
整个系统的驱动电路采用两片的IR2110驱动四片的IGBT管（FGA25N120）构成的H桥电路。

如下图3-8：
图3-8 驱动主电路原理图
IR2110驱动IGBT构成的H桥电路的特点显著，具有调速性能好，调速频带宽，可以工作在1~100 kHz范围内工作[12]。

所要求的控制信号简单，只需要加入PWM信号即可。

IR2110设计保护电路性能良好，安全性高，无控制信号时，电机处于刹车状态，可用于很多工业领域。

在本设计中（图3-8），IR2110的自举电容采用了另个不同大小的电容并联使用。

在频率为20 kHz左右的工作状态下，可选用1.0μF和0.1μF 电容并联。

并联高频小电容可吸收高频毛刺干扰电压。

电路中为了防止
Q1、Q3导通时高电压串入
V端损坏芯片，在设计采用快恢复二极管
CC
FR107，其快速恢复时间为500ns[13]可有效地隔断高压信号串入IR2110。

由于VB高于VS电压的最大值为20 V，为了避免VB过电压，电路中增加了10V稳压二极管D9、D17控制VB端电压在10V左右防止VB过压。

由于密勒效应的作用，在开通与关断时，集电极与栅极间电容上的充
放电电流很容易在栅极上产生干扰[14]。

针对这中现象，本设计在输出驱动电路中的功率管栅极限流电阻R20、R21、R25、R26上反向并联了二极管D7、D8、D15、D16。

为改善PWM 控制脉冲的前后沿陡度并防止振荡，减小IGBT 集电极的电压尖脉冲，一般应在栅极串联十几欧到几百欧的限流电阻[15]。

在正常状态下，IGBT 开通的时间越短，开通损耗也越小。

但在开通过程中，因存在续流二极管D7、D8、D15、D16的反向恢复电流和吸收电容的放电电流，当IGBT 的开通的时间越短，IGBT 所承受的峰值电流也就越大，导致IGBT 或续流二极管损耗。

为了防止IGBT 或二极管的损坏，就必须有目的地降低栅极驱动脉冲的上升速率，即增加栅极串联电阻的阻值[2]，控制该电流的峰值。

虽然栅极串联电阻小，有利于加快关断速度和减小关断损耗，也有利于避免关断时集射极间电压的v t d /d 过小造成IGBT 误开
通[16]。

但是如果栅极串联电阻过小，会由于集电极电流下降的i t d /d 过大，
产生较大的集电极电压峰值[2]。

综合上述因素在设计栅极串联电阻R20、R21、R25、R26时选取1K 电阻为栅极串联电阻。

IGBT 的快速开通和关断提高工作频率，减小开关损耗，但由于开关过程中主回路电流的突变，其引线电感将产生很高的尖峰电压，该电压是IGBT 过压损坏的主要原因。

由于IGBT 的栅-集极间存在的分布电容GC C 和栅-射极间存在的分布电容GE C 会产生过大的u t d /d ，故其开关转换过程中易使G U 突然升高而造成C-E 间误导通，从而损坏IGBT [17]。

为了防止u t d /d 造成的误触发，本设计在栅-射极间加旁路保护电阻10k 的R23、R24、R27、R28，有效的防止IGBT 的损坏。

3.3.2 IR2110驱动电路中IGBT 抗干扰设计
对于任何CMOS 器件，使这些二极管正向导通或反向击穿都会引起。