封装工艺介绍ppt课件
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《DIP工艺流程图》课件
械强度和可靠性。
DIP工艺适用于各种类型 的IC和PCB，可以满足 不同规格和性能要求。
DIP工艺易于实现自动化 生产和组装，提高了生
产效率。
DIP工艺的应用场景
01
02
03
04
消费电子
DIP工艺广泛应用于消费电子 产品中，如电视、音响、电脑
等。
通信设备
在通信设备领域，DIP工艺常 用于制造手机、路由器、交换
个性化和定制化
随着消费者需求的多样化，个性化和定制化已成为未来 DIP工艺流程的重要发展趋势。通过提供个性化的产品和 定制化的服务，可以满足消费者的不同需求，提高市场竞 争力。
个性化的产品可以满足消费者的独特需求，提高产品的附 加值。定制化的服务可以为消费者提供量身定制的产品， 满足消费者的特殊需求。个性化和定制化不仅可以提高市 场竞争力，还可以促进企业的创新和发展。
THANKS
感谢您的观看
帮助理解和分析工艺流程 ，找出流程中的瓶颈和优 化点，提高生产效率和产 品质量。
流程图绘制工具
常用的绘制工具包括Visio 、PowerPoint等。
流程步骤说明
流程步骤1
确定工艺目标，分析产品特性 和要求。
流程步骤2
设计工艺流程，确定各步骤的 顺序和相互关系。
流程步骤3
绘制初步的流程图，根据实际 情况进行调整和优化。
它主要用于将集成电路（IC） 固定在印刷电路板（PCB）上 ，并实现电气连接和保护。
DIP工艺通过将IC放置在PCB的 两侧，并使用引脚插入到PCB 的孔中来实现连接。
DIP工艺的特点
成本低廉
可靠性高
适用性强
易于自动化
DIP工艺是一种成熟且成 本较低的封装技术。
DIP工艺适用于各种类型 的IC和PCB，可以满足 不同规格和性能要求。
DIP工艺易于实现自动化 生产和组装，提高了生
产效率。
DIP工艺的应用场景
01
02
03
04
消费电子
DIP工艺广泛应用于消费电子 产品中，如电视、音响、电脑
等。
通信设备
在通信设备领域，DIP工艺常 用于制造手机、路由器、交换
个性化和定制化
随着消费者需求的多样化，个性化和定制化已成为未来 DIP工艺流程的重要发展趋势。通过提供个性化的产品和 定制化的服务，可以满足消费者的不同需求，提高市场竞 争力。
个性化的产品可以满足消费者的独特需求，提高产品的附 加值。定制化的服务可以为消费者提供量身定制的产品， 满足消费者的特殊需求。个性化和定制化不仅可以提高市 场竞争力，还可以促进企业的创新和发展。
THANKS
感谢您的观看
帮助理解和分析工艺流程 ，找出流程中的瓶颈和优 化点，提高生产效率和产 品质量。
流程图绘制工具
常用的绘制工具包括Visio 、PowerPoint等。
流程步骤说明
流程步骤1
确定工艺目标，分析产品特性 和要求。
流程步骤2
设计工艺流程，确定各步骤的 顺序和相互关系。
流程步骤3
绘制初步的流程图，根据实际 情况进行调整和优化。
它主要用于将集成电路（IC） 固定在印刷电路板（PCB）上 ，并实现电气连接和保护。
DIP工艺通过将IC放置在PCB的 两侧，并使用引脚插入到PCB 的孔中来实现连接。
DIP工艺的特点
成本低廉
可靠性高
适用性强
易于自动化
DIP工艺是一种成熟且成 本较低的封装技术。
第二章 封装工艺流程
各种连线技术依IC集成度区分的应用范围
3.1 打线键合技术
打线键合（焊接）技术 打线键合（焊接）技术为集成电路芯片与封装结构之间的电路连线最常被使用的方 法。其方法是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的键合点 （Pad）上而形成电路连接。 超声波键合（Ultrasonic Bonding U/ S Bonding ） 打线键合技术 热压键合（ Thermocompression Bonding T/C ） 热超声波焊接（Thermosonic Bonding T/S Bonding）
焊接粘结法
2.3 导电胶粘贴法
导电胶是大家熟悉的填充银的高分子材料聚合物，是具有良好导热导电性能的环氧 树脂。导电胶粘贴法不要求芯片背面和基板具有金属化层，芯片粘贴后，用导电胶 固化要求的温度时间进行固化，可在洁净的烘箱中完成固化，操作起来简便易行。 因此成为塑料封装常用的芯片粘贴法。以下有三种导电胶 三种导电胶的配方可以提供所需的电 三种导电胶 互连： （1）各向同性材料（ ICA，isotropic conductive adhesive ），它能沿所 有方向导电，代替热敏元件上的焊料，也能用于需要接地的元器件 （2）导电硅橡胶，它能有助于保护器件免受环境的危害，如水、汽，而且 可屏蔽电磁和射频干扰（EMI/RFI） （3）各向异性导电聚合物（ACA，anisotropic conductive adhesive ）， 它只允许电流沿某一方向流动，提供倒装芯片元器件的电连接和消除应变 以上三种类型导电胶都有两个共同点 两个共同点：在接合表面形成化学结合和导电功能。 两个共同点 导电胶填充料是银颗粒或者是银薄片，填充量一般在75%～80%之间，粘贴剂都是导电的。 但是，作为芯片的粘贴剂，添加如此高含量的填充料，其目的是改善粘贴剂的导热性，即 为了散热。因为在塑料封装中，电路运行过程产生的绝大部分热量将通过芯片粘贴剂和框 架散发出去。
功率器件封装工艺流程ppt
将多个功率器件集成在一个模块中 进行封装，提高器件的集成度和可 靠性。
微型化封装
采用微电子制造技术，实现功率器 件的小型化和微型化。
绿色封装
采用环保材料和工艺，降低封装过 程对环境的影响，实现绿色生产。
高温超导技术应用
利用高温超导材料制作功率器件， 提高器件的效率和性能。
02
封装工艺流程
芯片准备
环境适应性检测
01
02
03
检测目的
评估封装后的功率器件在 不同环境条件下的性能表 现，确保其具有较高的可 靠性和稳定性。
检测内容
包括温度循环测试、湿度 测试、机械应力测试等。
检测方法
在环境试验箱内进行模拟 测试。
05
封装工艺问题及解决方案
引脚焊接不良
原因
引脚材料不纯或焊接温度不当，导致引脚与焊板焊接不牢固 。
引脚焊接
01
02
03
引脚准备
将引脚焊接在芯片上，并 调整引脚间距和高度。
焊接准备
清洁引脚和基板上的焊接 点，并涂上焊膏。
焊接操作
将引脚与基板上的焊接点 对齐，并使用焊接设备进 行焊接。
塑封固化
塑封材料准备
选择合适的塑封材料，并 进行称量和混合。
塑封操作
将塑封材料均匀涂抹在基 板上，并将芯片和引脚完 全覆盖。
环氧树脂具有优良的绝缘性能和加工性能，常用于高电压、高温、高频率的功率器件封装。硅酮树脂 具有优良的耐腐蚀性能和阻燃性能，常用于高电压、高温、高频率的功率器件封装。聚氨酯具有优良 的耐腐蚀性能和阻燃性能，常用于中低档功率器件封装。
04
封装质量检测与控制
外观检测
检测目的
确保封装后的功率器件外观符 合设计要求，无缺陷、无不良
微型化封装
采用微电子制造技术，实现功率器 件的小型化和微型化。
绿色封装
采用环保材料和工艺，降低封装过 程对环境的影响，实现绿色生产。
高温超导技术应用
利用高温超导材料制作功率器件， 提高器件的效率和性能。
02
封装工艺流程
芯片准备
环境适应性检测
01
02
03
检测目的
评估封装后的功率器件在 不同环境条件下的性能表 现，确保其具有较高的可 靠性和稳定性。
检测内容
包括温度循环测试、湿度 测试、机械应力测试等。
检测方法
在环境试验箱内进行模拟 测试。
05
封装工艺问题及解决方案
引脚焊接不良
原因
引脚材料不纯或焊接温度不当，导致引脚与焊板焊接不牢固 。
引脚焊接
01
02
03
引脚准备
将引脚焊接在芯片上，并 调整引脚间距和高度。
焊接准备
清洁引脚和基板上的焊接 点，并涂上焊膏。
焊接操作
将引脚与基板上的焊接点 对齐，并使用焊接设备进 行焊接。
塑封固化
塑封材料准备
选择合适的塑封材料，并 进行称量和混合。
塑封操作
将塑封材料均匀涂抹在基 板上，并将芯片和引脚完 全覆盖。
环氧树脂具有优良的绝缘性能和加工性能，常用于高电压、高温、高频率的功率器件封装。硅酮树脂 具有优良的耐腐蚀性能和阻燃性能，常用于高电压、高温、高频率的功率器件封装。聚氨酯具有优良 的耐腐蚀性能和阻燃性能，常用于中低档功率器件封装。
04
封装质量检测与控制
外观检测
检测目的
确保封装后的功率器件外观符 合设计要求，无缺陷、无不良
《微电子封装技术》课件
医疗领域
微电子封装技术为医疗设备提 供高可靠性、小型化的解决方 案，如医学影像设备、诊断仪 器等。
航空航天领域
在航空航天领域，微电子封装 技术用于制造高精度、高稳定
的导航、控制和监测系统。
先进封装技术介绍
3D封装
通过在垂直方向上堆叠 芯片，实现更小体积、 更高性能的封装方式。
晶圆级封装
将整个芯片或多个芯片 直接封装在晶圆上，具 有更高的集成度和更小
BGA封装技术案例
总结词
高集成度、高可靠性
详细描述
BGA（Ball Grid Array）封装技术是一种高集成度的封装形式，通过将芯片粘接在基板上，并在芯片 下方布设球状焊球实现电气连接。BGA封装技术具有高集成度、高可靠性和低成本的特点，广泛应用 于处理器、存储器和高速数字电路等领域。
更轻便的设备需求。
A
B
C
D
更高可靠性
随着设备使用时间的延长，封装技术需要 不断提高产品的可靠性和寿命，以满足长 期使用的需求。
更低成本
随着市场竞争的加剧，封装技术需要不断 降低成本，以提高产品的市场竞争力。
04
封装技术面临的挑战与解 决方案
技术挑战
集成度散热 、信号传输等问题。
关注法规与环保要求
及时了解和遵守各国法规与环保要求，确保 企业的可持续发展。
05
封装技术案例分析
QFN封装技术案例
总结词
小型化、薄型化、低成本
详细描述
QFN（Quad Flat Non-leaded）封装技术是一种常见的无引脚封装形式，具有小型化、薄型化和低成本的特点 。它通过将芯片直接粘接在基板上，实现芯片与基板间的电气连接。QFN封装技术广泛应用于消费电子、通信和 汽车电子等领域。
《元器件封装知识》课件
封装未来发展方向
封装技术在不断发展，本节中，我们将介绍封装技术未来的发展趋势，并对未来元器件封装的展望和思 考进行探讨。
总结
重要性和必要性
本课程中介绍了元器件封装的相关知识和技术， 强调了元器件封装的重要性和必要性。
成功封装的Leabharlann 键因素成功的封装不仅需掌握封装技术，也需要将细节 小问题完美解决。本节中我们将讲述成功封装的 关键因素。
DIP封装
直插式封装，是封装技术中最为常见的一种 类型。
BGA封装
球格阵列封装，可以大大提高芯片的存储能 力和处理速度。
QFP封装
方形扁平封装，具有高密度、高性能、高可 靠性的特点。
其他封装类型
我们还将介绍其他类型的封装，更多精彩内 容，敬请期待。
封装过程
基本过程
本节中，我们将介绍元器件封装的基本过程， 包括贴装、焊接等方面。
焊接原理和注意事项
焊接是封装过程中非常重要的一环，我们将详 细讲解焊接的基本原理和注意事项。
二次封装的意义和方法
如果一些元器件质量不过关，就需要进行二次 封装，我们将详细讲解二次封装的意义和方法。
封装材料
1
导电胶的种类和特点
本节中，我们将介绍导电胶的不同种类、不同材质的特点以及其在封装过程中的应用。
2
封装材料的选取和使用
封装材料的选取和使用非常关键，本节中我们将介绍封装材料的选取和使用方面的技 巧和注意事项。
封装质量控制
封装质量的评估方法和指标
本节中我们将讲解封装质量的评估方法和指标，为大家提供参考。
封装质量控制的流程和方法
封装质量控制是封装过程中非常重要的一环，我们将详细讲解封装质量控制的流程和方法。
《元器件封装知识》PPT 课件
集成电路封装技术课件
TAB金属材料：要求导电性能好，强度高， 延展性、表面平滑性良好，与各种基带粘贴牢 固，不易剥离，易于用光刻法制作出精细复杂 的图形，易电镀Au、Ni、Pb/Sn焊接材料，例 如，Al、Cu。
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB的关键技术
芯片凸点制作技术
TAB载带制作技术
载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引 线焊接技术
导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好，高温下会引 起粘接可靠度下降，因此不适合于高可靠度封装。
第二章 封装工艺流程
玻璃胶粘贴法
与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（后 面我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃粉。 它是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu 等）与低温玻璃粉和有机溶剂混合，制成膏状。
2.4.1 打线键合技术介绍 （2）热压键合
第二章 封装工艺流程
（3）热超声波键合
热超声波键合是热压键合与超声波键合的混 合技术。在工艺过程中，先在金属线末端成球， 再使用超声波脉冲进行金属线与金属接垫之间 的接合。
此过程中接合工具不被加热，仅给接合的基 板加热(温度维持在100-150℃)。其目的是抑 制键合界面的金属间化合物（类似于化学键， 金属原子的价电子形成键）的成长，和降低基 板高分子材料因高温产生形变。
第二章 封装工艺流程
2.2.2减薄工艺
先划片后减薄和减薄划片两种方法
DBG(dicing before grinding) 在背面磨削之前，将 硅片的正面切割出一定深度的切口，然后再进行磨削。
DBT(dicing by thinning) 在减薄之前先用机械的或 化学的方法切割出一定深度的切口，然后用磨削方法减薄 到一定厚度后，采用常压等离子腐蚀技术去除掉剩余加工 量。。
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB的关键技术
芯片凸点制作技术
TAB载带制作技术
载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引 线焊接技术
导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好，高温下会引 起粘接可靠度下降，因此不适合于高可靠度封装。
第二章 封装工艺流程
玻璃胶粘贴法
与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（后 面我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃粉。 它是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu 等）与低温玻璃粉和有机溶剂混合，制成膏状。
2.4.1 打线键合技术介绍 （2）热压键合
第二章 封装工艺流程
（3）热超声波键合
热超声波键合是热压键合与超声波键合的混 合技术。在工艺过程中，先在金属线末端成球， 再使用超声波脉冲进行金属线与金属接垫之间 的接合。
此过程中接合工具不被加热，仅给接合的基 板加热(温度维持在100-150℃)。其目的是抑 制键合界面的金属间化合物（类似于化学键， 金属原子的价电子形成键）的成长，和降低基 板高分子材料因高温产生形变。
第二章 封装工艺流程
2.2.2减薄工艺
先划片后减薄和减薄划片两种方法
DBG(dicing before grinding) 在背面磨削之前，将 硅片的正面切割出一定深度的切口，然后再进行磨削。
DBT(dicing by thinning) 在减薄之前先用机械的或 化学的方法切割出一定深度的切口，然后用磨削方法减薄 到一定厚度后，采用常压等离子腐蚀技术去除掉剩余加工 量。。
半导体封装工艺介绍
IC Package （IC的封装形式）
按与PCB板的连接方式划分为：
PTH
PTH-Pin Through Hole, 通孔式； SMT-Surface Mount Technology，表面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式的
SMT
IC Package （IC的封装形式） 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等； 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术； 封装形式和工艺逐步高级和复杂
存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；
主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱
Raw Material in Assembly(封装原材料) 【Epoxy】银浆 成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）； 有三个作用：将Die固定在Die Pad上； 散热作用，导电作用； 50°以下存放，使用之前回温24小时；
Cavity
L/F
L/F
EOL– Molding（注塑）
Molding Cycle -L/F置于模具中，每个Die位于Cavity中，模具合模。 -块状EMC放入模具孔中 -高温下，EMC开始熔化，顺着轨道流向Cavity中 -从底部开始，逐渐覆盖芯片 -完全覆盖包裹完毕，成型固化
EOL– Laser Mark（激光打字） 在产品（Package）的正面或者背面激光刻字。内容有：产品名称，生产日期，生产批次等； Before After
FOL– Wire Bonding 引线焊接 陶瓷的Capillary 内穿金线，并且在EFO的作用下，高温烧球； 金线在Cap施加的一定压力和超声的作用下，形成Bond Ball； 金线在Cap施加的一定压力作用下，形成Wedge；
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The purpose of chip packaging
Page 3
The purpose of chip packaging: The IC dies on the wafer are separated for die attach, connect external pins by wire bonding, then do molding to protect electronic packaging devices from environmental pollution (moisture, temperature, pollutants, etc.); protect the chip from mechanical impact; provide structural support; provide electrical insulation support. It is easily connected to the PCB board.
Package process introduction
Presenter: GanJun Luo 2019/08/15
Purpose and Outline
Page 2
Purpose:
•Share package process introduction
Out line:
•The purpose of chip packaging •Process flow
Page 7
Machine Material Control
Check
Disco(DFD4360/DAD3350) Saw Blade
DI Water Resistivity(+CO2) Sawing/Cleaning Parameter
Kerf Chipping Width Visual Inspection
Low-k wafer
膜剥离)等不良因素造成的加工质量问题。
SD(Stealth Dicing)
隐形切割是将激光聚光于工件内部，在工件内部形成改质层， 通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片的切割方法
由于工件内部改质，因此可以抑制加工屑的产生。适用于抗污垢性 能差的工件；适用于抗负荷能力差的工件（MEMS等），且采用干式 加工工艺，无需清洗；可以减小切割道宽度，因此有助于减小芯片
Page 5
Machine Material Control
Check
Disco(DFG8540) UV Tape
DI Wafer Resistivity Vacuum Pressure Wafer Roughness Wafer Warpage Wafer Thickness Visual Inspection
Wafer Mount
Page 6
Purpose:
Combine the wafer with Dicing tape onto the frame for die sawing
Wafer Saw
Purpose:
Make the wafer to unit can pick up by die bonder
Process flow
FOL(Front of Line)
EOL(End of Line)
Wafer Grinding Wafer Mount Wafer Saw Die Attach Epoxy Cure Pre-WB plasma Wire Bond
Pre- Molding plasma Molding
Wafer Saw
Page 8
Wafer Saw Technology
Technology
Advantages or Characteristics
Range of applic ation
使用微细金刚石颗粒构成的磨轮刀片，以每分钟3万转到4万转
BD(Blade Dicing)
的高转速切割晶圆，同时,承载着晶圆的工作台以一定的速度沿 切割速度慢，生产效率低，随着晶片的厚度越薄，切割的难度也就
Post Mold Cure Laser Marking
De-junk De-flash Plating Trim/Form
Test Packing
Page 4
Laser Marking
Before
After
Wafer Grinding
Purpose:
Make the wafer to suitable thickness for the package
间隔
Ultra-thin wafer(Flas h Memory, Memory
Controller)
Process difference between BD and SD:
SDBG:
Refer to http://www.disco.co.jp/cn_s
Wafer SawFra bibliotekPage 9Quality Control
正崩
切偏
划片宽度量测
Die Attach
Page 10
Purpose:
Pick up the die and attach it on the lead frame by epoxy
Machine Material Control
Check
ESEC/ASM Epoxy/Leadframe Bonding Parameter Collect/Needle Height Epoxy Thickness/Die Tilt Bonding Position/Die Shear Visual Inspection
刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动,切割晶圆产生的硅
越大，背面崩裂现象就会有加重的趋势。
一般硅晶片
屑被去离子水(Dl water)冲走。
Laser full cutting
将激光能量于极短的时间内集中在微小区域，使固体升华、蒸 发的全切割加工
切割速度快，生产效率高，对于薄片可以有效减少背面崩裂现象， 切割槽宽度小，与刀片相比切割槽损失少，所以可以减小芯片间的
间隔
Thin wafer；背面附金 属膜的硅晶片如：Ga
P(磷化镓)晶片等
采用了非发热加工方式即短脉冲激光切割技术，来去除切割道上的
Laser Groove + BD
先在切割道内切开用激光2条细槽(开槽)，然后再使用磨轮刀片 在2条细槽的中间区域实施全切割
Low-k膜及铜等金属布线，所以能够在开槽加工过程中最大限度地 排除因发热所产生的影响，能够提高生产效率，减少崩裂、分层(薄